JPH0539637Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0539637Y2 JPH0539637Y2 JP7789086U JP7789086U JPH0539637Y2 JP H0539637 Y2 JPH0539637 Y2 JP H0539637Y2 JP 7789086 U JP7789086 U JP 7789086U JP 7789086 U JP7789086 U JP 7789086U JP H0539637 Y2 JPH0539637 Y2 JP H0539637Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- insulating film
- conductivity type
- schottky barrier
- barrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
本考案は、ガードリング構造を有するシヨツト
キー・バリア・ダイオード、特に大容量のシヨツ
トキー・バリア・ダイオードに関する。
キー・バリア・ダイオード、特に大容量のシヨツ
トキー・バリア・ダイオードに関する。
大容量のシヨツトキー・バリア・ダイオードを
得るために、例えば76mmの直径を有するシリコン
基板の表面にバリア金属を被着した場合、このシ
ヨツトキー・バリア・ダイオードは、結晶におけ
る欠陥や製造工程で発生する微小欠陥がバリア流
域にただ一つあるだけで耐圧不良となり、その結
果製造歩留りが低いという問題があつた。
得るために、例えば76mmの直径を有するシリコン
基板の表面にバリア金属を被着した場合、このシ
ヨツトキー・バリア・ダイオードは、結晶におけ
る欠陥や製造工程で発生する微小欠陥がバリア流
域にただ一つあるだけで耐圧不良となり、その結
果製造歩留りが低いという問題があつた。
【考案の目的】
本考案は、上記の問題を解決し、半導体基板に
バリア金属が被着される領域に欠陥が存在しても
それによつて耐圧不良となることがなく、大容量
でも高歩留りで製造できるシヨツトキー・バリ
ア・ダイオードを提供することを目的とする。
バリア金属が被着される領域に欠陥が存在しても
それによつて耐圧不良となることがなく、大容量
でも高歩留りで製造できるシヨツトキー・バリ
ア・ダイオードを提供することを目的とする。
本考案は、一導電形の半導体基板の表面に網目
状の絶縁膜を有し、前記半導体基板の表面部分に
絶縁膜の周縁に沿う他導電形の層からなるガード
リングを有し、絶縁膜の網目に各バリア金属が分
散して形成されて一導電形の半導体基板の表面に
該各バリア金属が接触したシヨツトキー・バリ
ア・ダイオードであつて、各バリア金属のうちバ
リア金属が接触する半導体基板領域に対する逆方
向特性の良のもののみ、各接続体を介して共通電
極板と接続されているもので、局部的欠陥部が除
外されて欠陥部に逆方向電圧が印加されることが
なく、隣接のバリア金属に印加される電圧からも
ガードリング構造により分離されるため、欠陥部
における降伏の起こることがないので逆方向耐圧
が高く、上記の目的が達成される。
状の絶縁膜を有し、前記半導体基板の表面部分に
絶縁膜の周縁に沿う他導電形の層からなるガード
リングを有し、絶縁膜の網目に各バリア金属が分
散して形成されて一導電形の半導体基板の表面に
該各バリア金属が接触したシヨツトキー・バリ
ア・ダイオードであつて、各バリア金属のうちバ
リア金属が接触する半導体基板領域に対する逆方
向特性の良のもののみ、各接続体を介して共通電
極板と接続されているもので、局部的欠陥部が除
外されて欠陥部に逆方向電圧が印加されることが
なく、隣接のバリア金属に印加される電圧からも
ガードリング構造により分離されるため、欠陥部
における降伏の起こることがないので逆方向耐圧
が高く、上記の目的が達成される。
第１図は本考案の一実施例を(a)の平面図と(b)の
断面図で示し、ｎ形シリコン基板１の表面にはバ
リア金属２が酸化膜３によつて分離されて縦横に
網目状に配列されている。各バリア金属２が接触
している基板領域の周縁には環状のｐ層がガード
リング４として形成されている。分離された各バ
リア金属に探針プローブを接触させて逆方向耐圧
を試験し、耐圧不良のバリア金属、例えば図で×
印で示した欠陥７を有する不良部を除いてアノー
ド電極５を形成する。これは、電極材料を正常部
にだけ選択蒸着するか、あるいは全面蒸着を行つ
たのち不良部をエツチング等で除去することによ
り行うことができる。この電極５に共通電極板６
をはんだ付けあるいは合金化により接続され、電
極５がバリア金属２と共通電極板６の間の接続体
として役立つ。このようにして、ガードリング構
造を有する良品のシヨツトキー・バリア・ダイオ
ードが並列接続された大面積、大容量のシヨツト
キー・バリア・ダイオードができ上がる。
断面図で示し、ｎ形シリコン基板１の表面にはバ
リア金属２が酸化膜３によつて分離されて縦横に
網目状に配列されている。各バリア金属２が接触
している基板領域の周縁には環状のｐ層がガード
リング４として形成されている。分離された各バ
リア金属に探針プローブを接触させて逆方向耐圧
を試験し、耐圧不良のバリア金属、例えば図で×
印で示した欠陥７を有する不良部を除いてアノー
ド電極５を形成する。これは、電極材料を正常部
にだけ選択蒸着するか、あるいは全面蒸着を行つ
たのち不良部をエツチング等で除去することによ
り行うことができる。この電極５に共通電極板６
をはんだ付けあるいは合金化により接続され、電
極５がバリア金属２と共通電極板６の間の接続体
として役立つ。このようにして、ガードリング構
造を有する良品のシヨツトキー・バリア・ダイオ
ードが並列接続された大面積、大容量のシヨツト
キー・バリア・ダイオードができ上がる。
【考案の効果】
本考案によれば、ガードリング構造を有するシ
ヨツトキー・バリア・ダイオードにおいて、網目
状の絶縁膜とその周縁に沿うガードリング構造に
より複数個のダイオードを一つの半導体基板面に
形成し、結晶に潜在するか製造工程で発生する局
部欠陥による耐圧不良のものを除いて電極板に接
続することにより、不良部を分離、除去が容易に
でき、耐圧良好のシヨツトキー・バリア・ダイオ
ードの大面積化、大容量化が高歩留りで実現でき
る。
ヨツトキー・バリア・ダイオードにおいて、網目
状の絶縁膜とその周縁に沿うガードリング構造に
より複数個のダイオードを一つの半導体基板面に
形成し、結晶に潜在するか製造工程で発生する局
部欠陥による耐圧不良のものを除いて電極板に接
続することにより、不良部を分離、除去が容易に
でき、耐圧良好のシヨツトキー・バリア・ダイオ
ードの大面積化、大容量化が高歩留りで実現でき
る。
第１図は本考案の一実施例を示し、(a)は電極板
を除いての平面図、(b)は断面図である。 １……シリコン基板、２……バリア金属、４…
…ガードリング、５……電極、６……共通電極
板。
を除いての平面図、(b)は断面図である。 １……シリコン基板、２……バリア金属、４…
…ガードリング、５……電極、６……共通電極
板。
Claims (1)
- 一導電形の半導体基板の表面に網目状の絶縁膜
を有し、前記半導体基板の表面部分に前記絶縁膜
の周縁に沿う他導電形の層からなるガードリング
を有し、前記絶縁膜の網目に各バリア金属が分散
して形成されて一導電形の半導体基板の表面に該
各バリア金属が接触したシヨツトキー・バリア・
ダイオードであつて、前記各バリア金属のうちバ
リア金属が接触する半導体基板領域に対する逆方
向特性の良のもののみ、各接続体を介して共通電
極板に接続されたことを特徴とするシヨツトキ
ー・バリア・ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7789086U JPH0539637Y2 (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7789086U JPH0539637Y2 (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190360U JPS62190360U (ja) | 1987-12-03 |
| JPH0539637Y2 true JPH0539637Y2 (ja) | 1993-10-07 |
Family
ID=30926323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7789086U Expired - Lifetime JPH0539637Y2 (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0539637Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4703236B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-06-15 | 三洋電機株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP5543786B2 (ja) * | 2008-01-09 | 2014-07-09 | ローム株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-05-23 JP JP7789086U patent/JPH0539637Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62190360U (ja) | 1987-12-03 |
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