JPH0537208A - マイクロ波パツケージ - Google Patents

マイクロ波パツケージ

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JPH0537208A JP3215892A JP21589291A JPH0537208A JP H0537208 A JPH0537208 A JP H0537208A JP 3215892 A JP3215892 A JP 3215892A JP 21589291 A JP21589291 A JP 21589291A JP H0537208 A JPH0537208 A JP H0537208A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 小型，軽量、かつ高電力デバイスの放熱効果
の良好なマイクロ波パッケージを得ること。 【構成】 ベースメタル１上に設けられたセラミック基
板２を多層にし、その配線をセラミック基板２内部で行
い、該セラミック基板２上の周囲にメタルフレームを設
け、上記セラミック基板２上に低電力デバイスを配置
し、ベースメタル１の一部を凸形状としたステージ部９
を設け、そのステージ部９に高電力デバイス７を配置
し、電源制御信号端子４を下層のセラミック基板２の下
部に設け、ピン状の上下層接続端子５を上層のセラミッ
ク基板２の上部に設け、同軸シールとガラスハーメチッ
クシールとからなる同軸構造のＲＦ信号端子３ａを上記
セラミック基板２を貫通して上記ベースメタル１の下部
に設けるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はレーダ等のマイクロ波
モジュールに用いるマイクロ波パッケージに関し、特に
小型，軽量のモジュールを構成できるマイクロ波パッケ
ージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は、例えば「ASPECTS OF MODERN RA
DAR 」 （Eli Brookner著, Artech House社出版 １９８
８年刊行）に示された従来のマイクロ波パッケージの構
造を示す図であり、図において、１はベースメタル、２
はセラミック基板、３ａ，３ｂはＲＦ信号端子、４は電
源・制御信号端子、６は低電力デバイス、７は高電力デ
バイス、８はメタルフレーム、１１は接続基板である。
【０００３】従来のマイクロ波パッケージは、ベースメ
タル１の上にセラミック基板２及びメタルフレーム８が
ロー付け等で接合されており、セラミック基板２上の外
周部にＲＦ信号端子３及び電源・制御信号端子４が設け
られている。またマイクロ波パッケージの内部には、マ
イクロ波信号の低雑音増幅及び位相制御信号の切換え等
を行う低電力デバイス６及び大電力増幅等を行う高電力
デバイス７及びこれらの回路を接続する接続基板１１が
配置されており、これらはＲＦ信号端子３ａ，３ｂや電
源・制御信号端子４等にワイヤボンディング等で接続さ
れている。
【０００４】次に動作について説明する。ＲＦ信号端子
３ａより入力されたマイクロ波信号は、低電力デバイス
６により低雑音増幅，位相制御信号の切換え等が行われ
た後、接続基板１１を介して高電力デバイス７により大
電力増幅が行われ、ＲＦ信号端子３ｂより出力される。
【０００５】また、電源・制御信号端子４には低電力デ
バイス６及び高電力デバイス７を駆動するための電源及
び制御信号が印加されており、これらは直接及び接続基
板１１を介して低電力デバイス６及び高電力デバイス７
に供給される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波パッ
ケージは以上のように構成されているので、パッケージ
内部のデバイス実装面積がパッケージの外形に比較して
小さくなるとともに、内部の電源・制御信号がＲＦ信号
と交差するという問題点があった。
【０００７】また従来のマイクロ波パッケージを複数個
接続してモジュールを構成する場合は、別のケース等に
平面的に配置，接続する必要があり、形状，重量が大き
くなるとともに、外部に接続するためのＲＦ信号コネク
タ，電源制御信号コネクタが必要になるという問題点が
あった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、デバイスの有効実装面積を拡大
し、さらにマイクロ波パッケージ内部の配置を簡単に
し、高電力デバイスの放熱効果を高めるとともに、また
マイクロ波パッケージ自体を多層に積み重ねることよ
り、小型，軽量のモジュールを構成できるマイクロ波パ
ッケージを得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係るマイクロ
波パッケージは、ベースメタル上に設けられたセラミッ
ク基板を多層にし、その配線をセラミック基板内部で行
い、該多層セラミック基板上の周囲にメタルフレームを
設け、上記多層セラミック基板上に低電力デバイスを配
置し、メタルベースの一部を凸形状としたステージ部を
設け、その上に高電力デバイスを配置し、同軸スリーブ
とガラスハーメチックシールとからなる同軸構造のＲＦ
信号端子をセラミック基板を貫通してベースメタルの下
部に設けるとともに、ピン状の電源・制御信号端子を下
層のセラミック基板の下部に設け、上層セラミック基板
の上部にピン状の上下層接続端子を設けるようにしたも
のである。
【００１０】
【作用】この発明においては、多層に積層されたセラミ
ック基板はＲＦ信号，電源制御信号を交差することな
く、配線，接続し、従来の接続基板を不要にすることが
でき、ベースメタルの一部を凸形状としたステージ部は
高電力デバイスの発生する熱を効率よくベースメタルに
伝導し放熱することができるとともに、マイクロ波パッ
ケージの上部に配されたピン状の上下層接続端子を介し
て複数個のマイクロ波パッケージを積み重ねて接続する
ことにより、マイクロ波パッケージ自体でモジュールを
構成することができる。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は本発明の一実施例によるマイクロ波パッケ
ージの構成を示す図であり、図において、１はベースメ
タル、２は多層構造に成形されたセラミック基板、３
ａ，３ｂはピン状に形成されたＲＦ信号端子、４はピン
状に形成された電源・制御信号端子、５はピン状に形成
された上下層接続端子、６は低電力デバイス、７は高電
力デバイス、８はメタルフレーム、９はベースメタルの
一部を凸形状にしたステージ部、１０ａ，１０ｂはガラ
スハーメチックシール、１１ａ，１１ｂは同軸スリーブ
であり、１２は電源・制御信号パッドである。また図２
(a) 〜(c) は図１の断面図である。本発明によるマイク
ロ波パッケージはベースメタル１の一部を凸形状とした
ステージ部９を設け、これらの上に多層に内部配線を施
したセラミック基板２を接合してある。この際、上記ス
テージ部９の部分はセラミック基板２がくりぬかれてい
る。また同時に、ベースメタルの下部に同軸スリーブ１
１ａ，１１ｂを形成し、ガラスハーメチックシール１０
ａ，１０ｂを用いてピン状のＲＦ信号端子３ａ，３ｂを
封入し、同軸コネクタを形成している。ＲＦ信号端子３
ａ，３ｂはセラミック基板２を貫通し、マイクロ波パッ
ケージ内部に達している。また下層のセラミック基板２
の下部にはピン状の電源信号端子４が接合されており、
セラミック基板２の内部の配線を介してセラミック基板
２の上面の電源・制御信号パッド１２に接続されてい
る。
【００１２】また上層のセラミック基板２の上部には周
状のメタルフレーム８が接合されている。低電力デバイ
ス６はセラミック基板２の上に配置され、高電力デバイ
ス７はステージ部９の上に配置されている。これらのデ
バイス，ＲＦ信号端子３ａ，３ｂ及びセラミック基板２
に施された配線パターン等はワイヤボンディング等で接
続されている。上層のセラミック基板２の上部にはピン
状の上下層接続端子５が設けられており、セラミック基
板２の内部の配線を介して電源・制御信号端子４に接続
されている。
【００１３】次に動作について説明する。ＲＦ信号端子
３ａより入力されたマイクロ波信号は、ピン状のＲＦ信
号端子３ａ，同軸スリーブ１１ａ及びガラスハーメチッ
クシール１０ａにより構成される同軸線路を通り、マイ
クロ波パッケージ内部に伝送される。この信号は低電力
デバイス６により低雑音増幅，位相制御信号の切換えが
行われた後、セラミック基板２の表面に施された配線パ
ターンを通り、高電力デバイス７に伝送される。ここで
は大電力増幅が行われた後、前述と同様の同軸線路を通
り、ＲＦ信号端子３ｂより出力される。
【００１４】電源・制御信号端子４より印加された電源
及び制御信号は多層に形成され、内部配線の施されたセ
ラミック基板２を介してマイクロ波パッケージの内部の
電源・制御信号パッド１２に接続されており、低電力デ
バイス６及び高電力デバイス７に供給される。さらに、
これらの電源・制御信号の一部はセラミック基板２の内
部配線を介して上下層接続端子５へも供給される。
【００１５】また図３は上記実施例によるマイクロ波パ
ッケージを複数個多層構造に積み重ねて接続し、モジュ
ールを構成したマイクロ波パッケージのモジュールの構
造図であり、図において、図５と同一符号は同一または
相当部分を示す。図４(a) 〜(c) は図３の断面図であ
る。
【００１６】次に作用について説明する。ＲＦ信号端子
３ａ，３ｂはＲＦ信号コネクタとして作用し、電源・制
御信号端子４は電源・制御信号コネクタとして作用す
る。またマイクロ波パッケージがモジュールのケースを
兼用することができる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明に係るマイクロ
波パッケージによれば、多層に形成した、内部に配線を
施したセラミック基板を用いるようにしたので、接続基
板を用いずにデバイスを実装配線することができ、デバ
イスの有効実装面積を大きくすることができ、小型，軽
量のマイクロ波パッケージを実現できるとともに、実装
面での配線の線路の交差をなくし、高周波特性を改善で
きる効果がある。
【００１８】またベースメタルの一部にステージ部を設
け、その部分のセラミック基板をくりぬき、高電力デバ
イスをステージ部に直接配置することにより、高電力デ
バイスの放熱効率を高めることができ、また同軸スリー
ブ及びガラスハーメチックシールからなる同軸構造のＲ
Ｆ信号端子をベースメタルの下部に設け、ピン状の電源
・制御信号端子を下層のセラミック基板の下部に設け、
さらにピン状の上下層接続端子を上層のセラミック基板
の上部に設けることにより、複数のマイクロ波パッケー
ジを多層に積み重ねて接続することを可能とし、上記そ
れぞれの端子をコネクタとして用いてマイクロ波パッケ
ージ自体でモジュールを構成することができる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例によるマイクロ波パッケー
ジの構造を示す斜視図である。
【図２】この発明の一実施例によるマイクロ波パッケー
ジの構造断面を示す構造断面図である。
【図３】この発明の他の実施例によるマイクロ波パッケ
ージの構造を示す斜視図である。
【図４】この発明の他の実施例によるマイクロ波パッケ
ージの構造断面を示す構造断面図である。
【図５】従来のマイクロ波パッケージの構造断面を示す
構造断面図である。
【符号の説明】
１ ベースメタル ２ セラミック基板 ３ａ，３ｂ ＲＦ信号端子 ４ 電源・制御信号端子 ５ 上下層接続端子 ６ 低電力デバイス ７ 高電力デバイス ８ メタルフレーム ９ ステージ部 １０ａ，１０ｂ ガラスハーメチックシール １１ａ，１１ｂ 同軸スリーブ １２ 電源・制御信号パッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｐ 1/00 Ｚ 4241−5Ｊ 3/08 4241−5Ｊ Ｈ０３Ｆ 3/60 8836−5Ｊ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 レーダ等のマイクロ波モジュールに用い
    られるマイクロ波パッケージにおいて、 入力されたマイクロ波信号の低雑音増幅，位相制御の切
    換え等を行う低電力デバイスと、 該低電力デバイスの出力を大電力増幅する高電力デバイ
    スと、 該高電力デバイスを配置するための凸形状のステージ部
    を有するベースメタルと、 該ベースメタル上に設けられ、上記低電力デバイス及び
    上記ステージ部を貫通するための貫通穴を有する、内部
    配線を施した多層セラミック基板と、 該多層セラミック基板上の周囲に設けられたメタルフレ
    ームと、 該ベースメタルの下部に設けられた、マイクロ波信号を
    入出力する同軸構造のＲＦ信号端子と上記多層セラミッ
    ク基板の上部及び下部に設けた、マイクロ波モジュール
    を構成するマイクロ波パッケージの上下層を接続する上
    下層接続端子及び上記低電力デバイス及び高電力デバイ
    スを駆動する電源・制御信号端子とを備えたことを特徴
    とするマイクロ波パッケージ。
  2. 【請求項２】 複数の上記マイクロ波パッケージを多層
    に積み重ね接続することにより、マイクロ波パッケージ
    自体でマイクロ波モジュールを構成することを特徴とす
    る請求項１記載のマイクロ波パッケージ。
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