JPH11154726A - 交換手段を備える半導体装置 - Google Patents
交換手段を備える半導体装置Info
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Abstract
交換手段を備えた半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、集積回路を形成するチップ
および接続基板を備える。マトリクスの形で分布した接
点がチップの表面および基板の表面の間に設けられ、基
板は前記接点に接続される外部接続手段を有する。半導
体装置は、互いに隔たり対面するよう配置され、互いの
間で信号を交換することができる2つの部分を有する少
なくとも1つの交換手段を備える。2つの部分の一方は
チップに集積化されて集積回路の1つの構成要素を構成
し、2つの部分の他方は基板に設けられる。2つの部分
は、共面(coplanar)巻きを有するインダクターから構成
することができ、この場合2つのインダクターによりト
ランスが形成される。
Description
ロニクスに関し、より具体的には集積回路および接続基
板を備える半導体装置に関する。
基板をチップに接続することが行われている。この場
合、対向するチップの表面および基板の表面の間に基板
をチップに接続するための接続ボールまたは接点が設け
られ、マトリクスの形で分布する。基板は、前記接続ボ
ールに接続される外部接続手段を有する。
ップおよび基板において信号交換手段を実現しようとす
ると、通常ガルヴァニック(galvanic)リンクを必要と
し、そのためにチップに保護回路を集積化する必要があ
った。従って、本発明の目的は、ガルヴァニック・リン
クを有することなく、信号交換をすることができるよう
にすることである。
は、2つの部分を含む少なくとも1つの交換手段を備え
る。2つの部分は、互いに隔てられて対面するよう配置
され、一方向または双方向において、それら2つの部分
の間で信号を交換することができる。前記2つの部分の
うち一方は、前記チップに集積化されて前記集積回路の
1つの構成要素を構成する。前記2つの部分のうちの他
方は、前記基板に設けられて前記接続手段に接続され
る。
有しない領域に置かれるのが有利である。
交換手段の2つの部分は、共面(coplanar)巻きを有する
インダクター(inductor:インダクター、コイル)を備
え、該インダクターは、互いに隔てられて対面し、磁気
誘導により結合されるよう配置される。
ダクターの間に配置されるのが好ましい。
るインダクターは、チップに隣接する基板の面上にスク
リーン印刷される。
ライゼーションの最後のレベルとともに、チップに集積
化されたインダクターが、最後の絶縁層の背面に生成さ
れる。
チップとは反対側の面上にマトリクスの形で分布する外
部接続パッドまたはボールを含む。
るためパッケージの壁の一部を構成するのが好ましい。
て説明され、図によって例示される半導体装置を検討す
ることにより、より明確に理解することができよう。
のであり、集積回路を形成し、パッケージ3に封止され
たチップ2を備える。パッケージ3は、ホルダー4およ
び蓋5から構成される。
集積化する基板を構成する。接続線7は、壁6の外面9
上に整列された外部接続ボール(接続パッド)8を、チ
ップ2の正面13からパッケージ3の壁6の内面12を
隔てるスペース11に置かれている接続ボール(接点)
10に接続する。これらのボール10は、チップ2の集
積回路に接続されている。
0は、マトリクスの形で分布している。しかし、パッケ
ージ3の壁6の各側面に横たわる対応領域14および1
5にはボールが存在せず、壁6における内部接続も存在
しない。
回路のトラックにパッケージを接続するのを簡単にする
よう、ボール10の密度より大きい。
体装置1は2つの部分から構成される信号交換手段を備
える。2つの部分のうちの一方は、共面巻きを有するイ
ンダクター15から成り、これはチップ2に集積化され
てチップ2の集積回路の1つの構成要素を構成する。2
つの部分のうちの他方は、共面巻きを有するインダクタ
ー16から成り、これはパッケージ3の壁6の内面11
にスクリーン印刷により生成され、接続線7aおよび7
bを介してボール8の外部マトリクスの2つのボール8
aおよび8bに接続される終端を有する。
は、構成要素すなわちこの層のメタライゼーション(met
allization)の最後の層に生成されるのが好ましく、よ
ってシリコンから最も離れた位置にある。さらにインダ
クター15は、絶縁体17の前面層で覆われる。
磁気誘導により結合され、無線周波トランスを形成し、
接続ボール8aおよび8bを介してチップ2の集積回路
およびパッケージ3の外側との間で、一方向または双方
向に信号を交換することができるようにする。
プ2に集積化されたインダクター15は、径が100ミ
クロンおよび1ミリメートルの間、厚さが0.4および
2ミクロンの間、巻数が4および25の間、巻きの間の
距離が0.4および2ミクロンの間であることができ
る。
刷されたインダクター16は、径が1および3ミリメー
トルの間、厚さが10および100ミクロンの間、巻数
が4および25の間、巻きの間の距離が1および10ミ
クロンの間であることができる。
ンの厚さを有することができる。チップ2の正面12を
パッケージ3の壁6の内面11から隔てるスペースは、
およそ100ミクロンであることができる。
16により形成される信号交換手段14は、いかなるガ
ルヴァニック・リンクをも有することなく、よってチッ
プに通常集積化される保護回路の少なくともいくつかを
不要にすることができる。さらに、非常に高いレートの
データの入力および(または)出力を可能にする。
段14は、無線周波数の信号の入力/出力のために使用
することができ、アンテナの入力回路を構成することが
できる。特に、電話機の分野において使用することが有
利である。
クを有することなく信号交換を行うことができる。
Claims (8)
- 【請求項1】集積回路を形成するチップおよび接続基板
を備え、前記チップの表面および前記基板の表面の間に
マトリクスの形で分布する接点が設けられれ、前記基板
が前記接点に接続される外部接続手段を有する半導体装
置において、 前記半導体装置は、互いに隔たり対面して配置され、互
いの間で一方向または双方向に信号を交換することがで
きる2つの部分を有する少なくとも1つの交換手段を備
え、前記2つの部分の一方はチップに集積化されて前記
集積回路の1つの構成要素を構成し、前記2つの部分の
他方は前記基板に設けられていることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項2】前記交換手段が、接点を有しない領域に置
かれている請求項1に記載の半導体装置。 - 【請求項3】前記交換手段の前記2つの部分が、共面巻
きを有するインダクターを備え、該インダクターが、互
いに隔たり対面して、磁気誘導により結合されるよう配
置される請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 【請求項4】前記インダクターの間に配置された電気絶
縁体を備える請求項3に記載の半導体装置。 - 【請求項5】前記基板に設けられたインダクターが、チ
ップに隣接する基板の面上にスクリーン印刷される請求
項3または請求項4に記載の半導体装置。 - 【請求項6】前記チップに集積化されたインダクター
が、メタライゼーションの最後のレベルとともに、最後
の絶縁層の背面に生成される請求項4から請求項7のい
ずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項7】前記基板の接続手段が、チップとは反対側
の面上にマトリクスの形で分布する外部接続パッドを備
える請求項1から請求項6のいずれかに記載の半導体装
置。 - 【請求項8】前記基板が、チップを封止するためパッケ
ージの壁の一部を構成する請求項1から請求項7のいず
れかに記載の半導体装置。
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