JPH05347122A - ろう付けしたｘ線管陽極 - Google Patents
ろう付けしたｘ線管陽極Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、複合回転式Ｘ線管ターゲットを得
るために金属ターゲット層とグラファイトディスクとを
接合する方法に係る。 【構成】 ターゲット層とグラファイトディスクとの間
にバナジウム、チタンまたはこれらの合金の層を設け
る。この集合体を、炭素‐ろう付け金属共晶温度とろう
付け金属の融解温度によって与えられる温度範囲を通過
させて急速に加熱し、融解温度より例えば７５℃高い温
度に加熱し続ける。この高い温度を約５分間維持した
後、集合体を前記温度範囲を通過させて急速に冷却す
る。高い再融解温度と接合強度をもった複合Ｘ線管ター
ゲットが生成する。
るために金属ターゲット層とグラファイトディスクとを
接合する方法に係る。 【構成】 ターゲット層とグラファイトディスクとの間
にバナジウム、チタンまたはこれらの合金の層を設け
る。この集合体を、炭素‐ろう付け金属共晶温度とろう
付け金属の融解温度によって与えられる温度範囲を通過
させて急速に加熱し、融解温度より例えば７５℃高い温
度に加熱し続ける。この高い温度を約５分間維持した
後、集合体を前記温度範囲を通過させて急速に冷却す
る。高い再融解温度と接合強度をもった複合Ｘ線管ター
ゲットが生成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線管ターゲット集合
体（アセンブリ）の接合に係り、特に、ろう付け材料と
してバナジウム、チタンまたはそれらの合金を用い、特
定の加熱工程と冷却工程を使用してグラファイトディス
クを金属層部分に接合する技術に係る。
体（アセンブリ）の接合に係り、特に、ろう付け材料と
してバナジウム、チタンまたはそれらの合金を用い、特
定の加熱工程と冷却工程を使用してグラファイトディス
クを金属層部分に接合する技術に係る。
【０００２】
【従来の技術】回転式陽極Ｘ線向けに新しい改良された
ターゲットを製造する際、そのターゲットはＸ線管内の
より厳しい環境に耐える必要があるばかりでなく、１８
００℃までの温度での真空焼成といったようなより厳し
い製造工程にも耐えることができなければならない。こ
のために、次のような利点を有する改良されたろう付け
が必要である。 １．ろう付けの融解温度が充分に低くて、約２０００℃
でその強度を大きく損なう可能性のあるＴＺＭ合金の性
質に悪い影響を与えないこと。 ２．ろう付け後充分に高い再融解温度をもっていて、１
８００℃での真空焼成のような付加的な製造工程の間接
合を保つこと。 ３．接合が強固で、１５００℃までで長時間というＸ線
管の通常の動作の間熱上昇によって劣化しないこと。
ターゲットを製造する際、そのターゲットはＸ線管内の
より厳しい環境に耐える必要があるばかりでなく、１８
００℃までの温度での真空焼成といったようなより厳し
い製造工程にも耐えることができなければならない。こ
のために、次のような利点を有する改良されたろう付け
が必要である。 １．ろう付けの融解温度が充分に低くて、約２０００℃
でその強度を大きく損なう可能性のあるＴＺＭ合金の性
質に悪い影響を与えないこと。 ２．ろう付け後充分に高い再融解温度をもっていて、１
８００℃での真空焼成のような付加的な製造工程の間接
合を保つこと。 ３．接合が強固で、１５００℃までで長時間というＸ線
管の通常の動作の間熱上昇によって劣化しないこと。
【０００３】ある特定のろう付け金属が上記のパラメー
ターを満足するためには固有の性質をいくつか備えてい
なければならない。まず第一に、ＴＺＭターゲット層と
共晶反応や包晶反応をしないことである。ろう付け金属
は最終的に、ＴＺＭ合金中のモリブデンと単純な二元カ
ップルのみを形成する。これにより、ろう付け内にモリ
ブデンが拡散してろう付けの再融解温度が上昇し、また
脆性の金属間層が形成される可能性が除かれる。またこ
のろう付け金属は、グラファイトディスクとの間に安定
な炭化物を形成するか、または一連の炭化物を形成して
接合部の炭素含量に段階的な変化を生じさせる。異なる
材料を接合する際の原則は、接合が生起するには２種の
材料間で元素の混合がいくらか起こらなければならない
ということである。また、この接合が有意義な強度をも
つためには、混合の段階的な変化が、２種の材料が同じ
分互いに拡散する二元拡散カップルの場合と近似してい
るべきである。
ターを満足するためには固有の性質をいくつか備えてい
なければならない。まず第一に、ＴＺＭターゲット層と
共晶反応や包晶反応をしないことである。ろう付け金属
は最終的に、ＴＺＭ合金中のモリブデンと単純な二元カ
ップルのみを形成する。これにより、ろう付け内にモリ
ブデンが拡散してろう付けの再融解温度が上昇し、また
脆性の金属間層が形成される可能性が除かれる。またこ
のろう付け金属は、グラファイトディスクとの間に安定
な炭化物を形成するか、または一連の炭化物を形成して
接合部の炭素含量に段階的な変化を生じさせる。異なる
材料を接合する際の原則は、接合が生起するには２種の
材料間で元素の混合がいくらか起こらなければならない
ということである。また、この接合が有意義な強度をも
つためには、混合の段階的な変化が、２種の材料が同じ
分互いに拡散する二元拡散カップルの場合と近似してい
るべきである。
【０００４】バナジウムとチタンは、凝固の際にモリブ
デンとの間に簡単な同形組織を形成し、またいずれもグ
ラファイトとの間で熱力学的に安定な炭化物を形成する
ことが判明している。バナジウムとチタンはいずれもグ
ラファイトとの間で共晶反応によって炭化物を形成す
る。これはろう付けプロセスに対して有利であると共に
障害にもなる。まず、炭素がろう付け接合部中に拡散
し、境界面によりゆるやかな炭素の勾配を生じるという
点では有利である。一方、Ｖ，Ｔｉ‐Ｃ共晶反応温度は
これらの金属の融解温度より低いという点では不利であ
る。ろう付け金属中の炭素の合金化の程度を制限するに
は、共晶温度を通り越してろう付け金属の融解温度まで
できるだけ急速に加熱する必要がある。こうすると、ろ
う付け金属が融解してＴＺＭ合金と混合できると同時に
グラファイトとろう付け金属との間での共晶反応とその
後の合金化が制限される。得られるろう付け接合部の状
態を図１Ａ〜Ｃに概略的に示す。図で、左の破線はろう
付け境界面における炭素（グラファイトに由来する）の
濃度を表わし、右の破線はろう付け境界面におけるモリ
ブデン（ＴＺＭに由来する）の濃度を表わす。
デンとの間に簡単な同形組織を形成し、またいずれもグ
ラファイトとの間で熱力学的に安定な炭化物を形成する
ことが判明している。バナジウムとチタンはいずれもグ
ラファイトとの間で共晶反応によって炭化物を形成す
る。これはろう付けプロセスに対して有利であると共に
障害にもなる。まず、炭素がろう付け接合部中に拡散
し、境界面によりゆるやかな炭素の勾配を生じるという
点では有利である。一方、Ｖ，Ｔｉ‐Ｃ共晶反応温度は
これらの金属の融解温度より低いという点では不利であ
る。ろう付け金属中の炭素の合金化の程度を制限するに
は、共晶温度を通り越してろう付け金属の融解温度まで
できるだけ急速に加熱する必要がある。こうすると、ろ
う付け金属が融解してＴＺＭ合金と混合できると同時に
グラファイトとろう付け金属との間での共晶反応とその
後の合金化が制限される。得られるろう付け接合部の状
態を図１Ａ〜Ｃに概略的に示す。図で、左の破線はろう
付け境界面における炭素（グラファイトに由来する）の
濃度を表わし、右の破線はろう付け境界面におけるモリ
ブデン（ＴＺＭに由来する）の濃度を表わす。
【０００５】図１Ａは、接合しようとする材料の各々と
等しく混合したろう付け接合部を示している。この場合
ろう付け金属は結合剤として機能するだけでなく、２種
の材料を隔離する障壁としても働く。このタイプの接合
の融解温度はろう付け金属の融解温度より少しだけ高い
であろう。図１Ｂは、炭素が広範囲に混合しているがモ
リブデンとの混合は制限されているろう付け接合部を示
している。この接合の融解温度は、炭素との共晶の融解
温度より高いがろう付け金属の融解温度より低いであろ
う。図１Ｃは本発明によるろう付け接合部を示してい
る。図から分かるように、炭素とろう付け金属との間で
いくらかの混合があるが、モリブデンとろう付け金属と
の混合は広範囲に起こっている。この特定のタイプの材
料混合によると、改良されたろう付け接合に対してすで
に述べた目的のすべてを達成することができる。すなわ
ち、ろう付け温度はろう付け金属に対して２０００℃よ
り低く、ろう付け接合部におけるモリブデンの合金化が
進んでいるために再融解温度は高くなり、しかも接合は
１８００℃まで熱的に安定である。
等しく混合したろう付け接合部を示している。この場合
ろう付け金属は結合剤として機能するだけでなく、２種
の材料を隔離する障壁としても働く。このタイプの接合
の融解温度はろう付け金属の融解温度より少しだけ高い
であろう。図１Ｂは、炭素が広範囲に混合しているがモ
リブデンとの混合は制限されているろう付け接合部を示
している。この接合の融解温度は、炭素との共晶の融解
温度より高いがろう付け金属の融解温度より低いであろ
う。図１Ｃは本発明によるろう付け接合部を示してい
る。図から分かるように、炭素とろう付け金属との間で
いくらかの混合があるが、モリブデンとろう付け金属と
の混合は広範囲に起こっている。この特定のタイプの材
料混合によると、改良されたろう付け接合に対してすで
に述べた目的のすべてを達成することができる。すなわ
ち、ろう付け温度はろう付け金属に対して２０００℃よ
り低く、ろう付け接合部におけるモリブデンの合金化が
進んでいるために再融解温度は高くなり、しかも接合は
１８００℃まで熱的に安定である。
【０００６】米国特許第４，７１５，０５５号には、ろ
う付け金属として白金を用いる技術が記載されている。
実験によって示されたところによると、このろう付け接
合は熱的に不安定であり、１５００℃より高い温度では
接合強度が急速に落ちることがある。また、米国特許第
３，７１０，１７０号には、集合体を２２００℃に加熱
することによってモリブデン‐炭素共晶を形成する他の
技術が記載されている。この温度ではＴＺＭ合金の物理
的強度が落ちてしまうであろう。また、Ｍｏ2Ｃ炭化物
は多くの亀裂を形成する傾向があり、この亀裂は熱流お
よび接合強度を損なうことがあることも分かっている。
英国特許第１，３８３，５５７号には、ジルコニウムま
たはチタンまたはそれらの合金からなるろう付け金属を
使用するプロセスが記載されている。この特許には、集
合体をターゲット金属基板‐ろう付け金属共晶温度より
少しだけ高いがろう付け金属の融解温度よりは低い温度
に加熱することが述べられている。チタンとモリブデン
（またはタングステンまたはタンタルまたはレニウム）
との間では共晶反応が起こらないことが確かめられてい
る。したがって、チタンを使用し、集合体をチタンの融
解温度より低い温度に加熱することは、この接合がチタ
ンと炭素との間の共晶反応によって形成されたことを意
味している。その再融解温度は約１６５０℃であり、目
的とした１８００℃よりずっと低い。ジルコニウムにつ
いては、ターゲット層、特にモリブデンと共晶反応を起
こす。この共晶反応温度は約１５７５℃である。この場
合も、目的とした１８００℃という再融解温度よりずっ
と低い。また、ターゲット層‐ろう付け接合境界部で脆
性の金属間層が形成され、これもまた接合強度を落と
す。
う付け金属として白金を用いる技術が記載されている。
実験によって示されたところによると、このろう付け接
合は熱的に不安定であり、１５００℃より高い温度では
接合強度が急速に落ちることがある。また、米国特許第
３，７１０，１７０号には、集合体を２２００℃に加熱
することによってモリブデン‐炭素共晶を形成する他の
技術が記載されている。この温度ではＴＺＭ合金の物理
的強度が落ちてしまうであろう。また、Ｍｏ2Ｃ炭化物
は多くの亀裂を形成する傾向があり、この亀裂は熱流お
よび接合強度を損なうことがあることも分かっている。
英国特許第１，３８３，５５７号には、ジルコニウムま
たはチタンまたはそれらの合金からなるろう付け金属を
使用するプロセスが記載されている。この特許には、集
合体をターゲット金属基板‐ろう付け金属共晶温度より
少しだけ高いがろう付け金属の融解温度よりは低い温度
に加熱することが述べられている。チタンとモリブデン
（またはタングステンまたはタンタルまたはレニウム）
との間では共晶反応が起こらないことが確かめられてい
る。したがって、チタンを使用し、集合体をチタンの融
解温度より低い温度に加熱することは、この接合がチタ
ンと炭素との間の共晶反応によって形成されたことを意
味している。その再融解温度は約１６５０℃であり、目
的とした１８００℃よりずっと低い。ジルコニウムにつ
いては、ターゲット層、特にモリブデンと共晶反応を起
こす。この共晶反応温度は約１５７５℃である。この場
合も、目的とした１８００℃という再融解温度よりずっ
と低い。また、ターゲット層‐ろう付け接合境界部で脆
性の金属間層が形成され、これもまた接合強度を落と
す。
【０００７】
【発明の目的】したがって、本発明の目的は、ろう付け
した結合部が改良された接合強度をもっており、しかも
選択された温度特性を有する改良された複合Ｘ線ターゲ
ットを提供することである。本発明のもうひとつ別の目
的は、ろう付け材料としてバナジウムまたはチタンを使
用して特定の加熱および冷却工程を用いて複合Ｘ線管タ
ーゲットをろう付けするための改良された方法を提供す
ることである。
した結合部が改良された接合強度をもっており、しかも
選択された温度特性を有する改良された複合Ｘ線ターゲ
ットを提供することである。本発明のもうひとつ別の目
的は、ろう付け材料としてバナジウムまたはチタンを使
用して特定の加熱および冷却工程を用いて複合Ｘ線管タ
ーゲットをろう付けするための改良された方法を提供す
ることである。
【０００８】本発明のこれらの目的およびその他の特徴
ならびに利点は、添付の図面を参照して以下の詳細な説
明を読めばすぐに明らかになるであろう。
ならびに利点は、添付の図面を参照して以下の詳細な説
明を読めばすぐに明らかになるであろう。
【０００９】
【発明の概要】簡単にいって、本発明の一面によると、
金属ターゲット層とグラファイトディスクとを接合して
複合回転式Ｘ線管ターゲットを得るための方法が提供さ
れる。金属ターゲット層とグラファイトディスクとの間
にバナジウム、チタンまたはこれらの合金の層を設けて
集合体とする。この集合体を、炭素‐ろう付け金属の共
晶温度とろう付け金属の融解温度によって定義される温
度範囲を通り越して急速に加熱する。集合体をバナジウ
ム、チタンまたはこれらの合金の融解温度より５０〜１
００℃高い範囲の高温に加熱し続ける。ろう付け金属が
完全に融解し、モリブデンとの混合が生起するまでこの
温度を維持する。その後、加熱した集合体を前記温度範
囲を通り越して急速に冷却する。
金属ターゲット層とグラファイトディスクとを接合して
複合回転式Ｘ線管ターゲットを得るための方法が提供さ
れる。金属ターゲット層とグラファイトディスクとの間
にバナジウム、チタンまたはこれらの合金の層を設けて
集合体とする。この集合体を、炭素‐ろう付け金属の共
晶温度とろう付け金属の融解温度によって定義される温
度範囲を通り越して急速に加熱する。集合体をバナジウ
ム、チタンまたはこれらの合金の融解温度より５０〜１
００℃高い範囲の高温に加熱し続ける。ろう付け金属が
完全に融解し、モリブデンとの混合が生起するまでこの
温度を維持する。その後、加熱した集合体を前記温度範
囲を通り越して急速に冷却する。
【００１０】本発明のいろいろな局面によると、バナジ
ウムまたはチタンはシートの形態であり、このシートの
厚みは約９〜１２ミルである。高温は約３〜５分間に渡
って保つ。集合体を急速に加熱するには約２０℃／分の
速度で行ない、集合体を急速に冷却するには約５０℃／
分の速度で行なう。以上の方法によって、高い再融解温
度と接合強度をもつ改良された複合Ｘ線管ターゲットが
製造される。
ウムまたはチタンはシートの形態であり、このシートの
厚みは約９〜１２ミルである。高温は約３〜５分間に渡
って保つ。集合体を急速に加熱するには約２０℃／分の
速度で行ない、集合体を急速に冷却するには約５０℃／
分の速度で行なう。以上の方法によって、高い再融解温
度と接合強度をもつ改良された複合Ｘ線管ターゲットが
製造される。
【００１１】以下に説明する図面に好ましい具体例を示
す。しかし、本発明の真の思想と範囲から逸脱すること
なく、これらの具体例にさまざまな他の修正や置換を行
なうことができる。
す。しかし、本発明の真の思想と範囲から逸脱すること
なく、これらの具体例にさまざまな他の修正や置換を行
なうことができる。
【００１２】
【好ましい態様の説明】図２を参照すると、本発明に従
って回転する陽極Ｘ線管として使用するターゲットすな
わち陽極集合体１０が示されている。この集合体１０は
金属ディスク部分１１をもっており、この部分にはその
前面に、通常通り陰極からの電子に衝撃されるとＸ線を
発生する焦点トラクト１２が設けられている。このディ
スク１１は、モリブデンやモリブデン合金（たとえばＴ
ＺＭなど）のような適切な耐火金属で構成されている。
その上に配置された通常の焦点トラック１２はタングス
テンやタングステン／レニウム合金材料から構成されて
いる。ディスク１１は通常の方法（たとえばろう付け、
拡散接合または機械的アタッチメント）でステム１３に
取り付けられている。
って回転する陽極Ｘ線管として使用するターゲットすな
わち陽極集合体１０が示されている。この集合体１０は
金属ディスク部分１１をもっており、この部分にはその
前面に、通常通り陰極からの電子に衝撃されるとＸ線を
発生する焦点トラクト１２が設けられている。このディ
スク１１は、モリブデンやモリブデン合金（たとえばＴ
ＺＭなど）のような適切な耐火金属で構成されている。
その上に配置された通常の焦点トラック１２はタングス
テンやタングステン／レニウム合金材料から構成されて
いる。ディスク１１は通常の方法（たとえばろう付け、
拡散接合または機械的アタッチメント）でステム１３に
取り付けられている。
【００１３】金属ディスク１１の後面には、グラファイ
トディスク部分１４が取り付けられている。これは、以
下に述べるようにしてチタンろう付け（１６で示す）に
よって取り付けられている。グラファイトディスク１４
の主たる目的は、焦点トラック１２から金属ディスク１
１を通って伝えられる熱に対するヒートシンクである。
ターゲット集合体の質量を大きく増大させることなくヒ
ートシンク機能をもたせることができればベストであ
る。
トディスク部分１４が取り付けられている。これは、以
下に述べるようにしてチタンろう付け（１６で示す）に
よって取り付けられている。グラファイトディスク１４
の主たる目的は、焦点トラック１２から金属ディスク１
１を通って伝えられる熱に対するヒートシンクである。
ターゲット集合体の質量を大きく増大させることなくヒ
ートシンク機能をもたせることができればベストであ
る。
【００１４】この改良された接合を達成する特定のプロ
セスを図３の流れ図で説明する。グラファイト部分と金
属部分との間にチタンシートを入れる前のステップは標
準のものである。図に示してあるように、ＴＺＭターゲ
ット層１１とグラファイトディスク１４との間にチタン
のシートを配置する。このシートの厚みは約９ミルであ
る。
セスを図３の流れ図で説明する。グラファイト部分と金
属部分との間にチタンシートを入れる前のステップは標
準のものである。図に示してあるように、ＴＺＭターゲ
ット層１１とグラファイトディスク１４との間にチタン
のシートを配置する。このシートの厚みは約９ミルであ
る。
【００１５】この集合体を圧縮し、約１０-5トルの真空
に引いた真空チャンバ炉内に入れる。集合体を１５５０
℃に加熱して３０分間保つ。これは約２０℃／分の速度
で臨界温度領域を通り越して急速に加熱する。臨界温度
領域とは炭素‐ろう付け金属の共晶温度とろう付け金属
の融解温度との間の温度ゾーンである。集合体の加熱は
１７５０℃になるまで続ける。この温度はろう付け金属
の融解温度より約７５℃高い。この温度を約５分間保
つ。その後集合体を約５０℃／分の速度で臨界炭素共晶
温度‐ろう付け金属融解温度領域を通り越して急速に冷
却する。
に引いた真空チャンバ炉内に入れる。集合体を１５５０
℃に加熱して３０分間保つ。これは約２０℃／分の速度
で臨界温度領域を通り越して急速に加熱する。臨界温度
領域とは炭素‐ろう付け金属の共晶温度とろう付け金属
の融解温度との間の温度ゾーンである。集合体の加熱は
１７５０℃になるまで続ける。この温度はろう付け金属
の融解温度より約７５℃高い。この温度を約５分間保
つ。その後集合体を約５０℃／分の速度で臨界炭素共晶
温度‐ろう付け金属融解温度領域を通り越して急速に冷
却する。
【００１６】
【実施例の記載】陽極集合体１０のプロセス試験を実施
した。集合体はすでに示した炉条件を用いて製造した。
この試験ではろう付けしたターゲットの不連続点を超音
波で走査したところ、見つからなかった。このターゲッ
トを荒く機械加工して最終寸法にした後、真空炉中で一
連の温度に加熱し、均熱化した。各熱試験の後ろう付け
部を超音波で走査した。結果は以下の表に示す。表に
は、白金ろう付けとジルコニウムろう付けの結果も示
す。 Ｃ走査結果 熱サイクル Ｔｉろう付け Ｐｔろう付け Ｚｒろう付け １３５０℃／１０時間 剥脱なし ２５％剥脱 剥脱なし １４００℃／１０時間 剥脱なし １００％剥脱 剥脱なし １４５０℃／１０時間 剥脱なし − 剥脱なし １５００℃／１０時間 剥脱なし − 剥脱なし １６００℃／１０時間 剥脱なし − １００％剥脱 １８００℃／１時間 剥脱なし − − １８００℃で焼成した後、チタンでろう付けしたターゲ
ットをグローバルストレス試験(Global Stress Test)に
かけた。ターゲットは破壊するまでに１０，０００ポン
ドの負荷にもちこたえた。破断面はグラファイトを通り
抜けてろう付け部の約１／１０インチ上に達していた。
この強度は、白金でろう付けして機械加工したターゲッ
トの強度に匹敵する。
した。集合体はすでに示した炉条件を用いて製造した。
この試験ではろう付けしたターゲットの不連続点を超音
波で走査したところ、見つからなかった。このターゲッ
トを荒く機械加工して最終寸法にした後、真空炉中で一
連の温度に加熱し、均熱化した。各熱試験の後ろう付け
部を超音波で走査した。結果は以下の表に示す。表に
は、白金ろう付けとジルコニウムろう付けの結果も示
す。 Ｃ走査結果 熱サイクル Ｔｉろう付け Ｐｔろう付け Ｚｒろう付け １３５０℃／１０時間 剥脱なし ２５％剥脱 剥脱なし １４００℃／１０時間 剥脱なし １００％剥脱 剥脱なし １４５０℃／１０時間 剥脱なし − 剥脱なし １５００℃／１０時間 剥脱なし − 剥脱なし １６００℃／１０時間 剥脱なし − １００％剥脱 １８００℃／１時間 剥脱なし − − １８００℃で焼成した後、チタンでろう付けしたターゲ
ットをグローバルストレス試験(Global Stress Test)に
かけた。ターゲットは破壊するまでに１０，０００ポン
ドの負荷にもちこたえた。破断面はグラファイトを通り
抜けてろう付け部の約１／１０インチ上に達していた。
この強度は、白金でろう付けして機械加工したターゲッ
トの強度に匹敵する。
【００１７】特定の好ましい具体例に関連して本発明を
説明して来たが、上記教示に鑑みて他の修正や変形が当
業者には明らかであろう。たとえば、炉内で１７５０℃
の加熱に対して温度保持は５分間と述べたが、これは３
分から５分まで変えることができる。また、保持温度は
５０〜１００℃高い範囲とすることができる。さらに、
加熱速度と冷却速度はそれぞれ正確に２０℃／分および
５０℃／分とする必要はなく、加熱速度は２０〜３０℃
／分で、また冷却速度は５０〜７０℃／分で変えること
ができる。バナジウムとチタンは本発明の方法に使用す
るのに好ましい金属であるが、これらの金属の合金、た
とえばチタンと合金化したバナジウム、バナジウムと金
属化したチタン、ならびにコロンビウム、ハフニウム、
白金またはジルコニウムと合金化したバナジウムおよび
チタンといった合金も使用できる。したがって、本発明
は、特許請求の範囲内で、前記特定の具体例と異なるよ
うに実施してもよいものと理解されたい。
説明して来たが、上記教示に鑑みて他の修正や変形が当
業者には明らかであろう。たとえば、炉内で１７５０℃
の加熱に対して温度保持は５分間と述べたが、これは３
分から５分まで変えることができる。また、保持温度は
５０〜１００℃高い範囲とすることができる。さらに、
加熱速度と冷却速度はそれぞれ正確に２０℃／分および
５０℃／分とする必要はなく、加熱速度は２０〜３０℃
／分で、また冷却速度は５０〜７０℃／分で変えること
ができる。バナジウムとチタンは本発明の方法に使用す
るのに好ましい金属であるが、これらの金属の合金、た
とえばチタンと合金化したバナジウム、バナジウムと金
属化したチタン、ならびにコロンビウム、ハフニウム、
白金またはジルコニウムと合金化したバナジウムおよび
チタンといった合金も使用できる。したがって、本発明
は、特許請求の範囲内で、前記特定の具体例と異なるよ
うに実施してもよいものと理解されたい。
【図１】図１Ａ、１Ｂおよび１Ｃはそれぞれろう付けし
たいろいろな接合部のさまざまな組成を示す略図であ
る。
たいろいろな接合部のさまざまな組成を示す略図であ
る。
【図２】図２は、本発明に従って作成されたＸ線ターゲ
ットの断面図である。
ットの断面図である。
【図３】図３は、本発明の好ましい態様に従ってターゲ
ットを製造するプロセスを示す流れ図である。
ットを製造するプロセスを示す流れ図である。
１０ ターゲット（陽極集合体）、 １１ 金属ディスク部分、 １４ グラファイトディスク部分、 １６ ろう付け部。
Claims (11)
- 【請求項１】 金属ターゲット層とグラファイトディス
クとを接合して複合回転式Ｘ線管ターゲットを得るため
の方法であって、 前記金属ターゲット層と前記グラファイトディスクとの
間にバナジウム、チタンまたはこれらの合金のろう付け
金属層を設けて集合体を形成し、 前記集合体を、炭素‐ろう付け金属共晶温度およびろう
付け金属の融解温度によって定義される温度範囲を通過
させて急速に加熱し、 前記集合体を前記ろう付け金属の融解温度より５０〜１
００℃高い範囲の高温に加熱し続け、 前記ろう付け金属が完全に融解しモリブデンとの混合が
生起するまで前記高温を維持し、それから前記加熱した
集合体を前記温度範囲を通過させて急速に冷却すること
からなる方法。 - 【請求項２】 前記ろう付け金属の層がシートの形態で
ある、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記シートが約９〜１２ミルの厚さであ
る、請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 前記高温を約３〜５分間維持する、請求
項１記載の方法。 - 【請求項５】 前記金属ターゲット層と前記グラファイ
トディスクとの間にバナジウムの層を設ける、請求項１
記載の方法。 - 【請求項６】 前記金属ターゲット層と前記グラファイ
トディスクとの間にチタンの層を設ける、請求項１記載
の方法。 - 【請求項７】 前記金属ターゲット層と前記グラファイ
トディスクとの間にバナジウム合金またはチタン合金の
層を設ける、請求項１記載の方法。 - 【請求項８】 前記集合体の前記急速な加熱を約２０℃
／分の速度で行なう、請求項１記載の方法。 - 【請求項９】 前記加熱集合体の前記急速な冷却を約５
０℃／分の速度で行なう、請求項１記載の方法。 - 【請求項１０】 前記連続加熱の前記高温が７５℃高
い、請求項１記載の方法。 - 【請求項１１】 請求項１記載の方法によって生成した
複合Ｘ線管ターゲット。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/832,271 US5178316A (en) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | Brazed X-ray tube anode |
| US832271 | 1992-02-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347122A true JPH05347122A (ja) | 1993-12-27 |
| JP3431652B2 JP3431652B2 (ja) | 2003-07-28 |
Family
ID=25261185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01718893A Expired - Lifetime JP3431652B2 (ja) | 1992-02-07 | 1993-02-04 | ろう付けしたｘ線管陽極 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5178316A (ja) |
| EP (1) | EP0555083B1 (ja) |
| JP (1) | JP3431652B2 (ja) |
| AT (1) | ATE132295T1 (ja) |
| DE (1) | DE69301101T2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5247563A (en) * | 1992-02-25 | 1993-09-21 | General Electric Company | High vapor pressure metal for X-ray anode braze joint |
| US5831252A (en) * | 1995-02-08 | 1998-11-03 | Daido Tokushuko Kabushiki Kaisha | Methods of bonding titanium and titanium alloy members by high frequency heating |
| DE19906854A1 (de) * | 1999-02-18 | 2000-08-31 | Siemens Ag | Drehanode für eine Röntgenröhre und Verfahren zur Herstellung einer solchen Drehanode |
| US6463125B1 (en) * | 1999-05-28 | 2002-10-08 | General Electric Company | High performance x-ray target |
| US6947524B2 (en) * | 2003-05-02 | 2005-09-20 | Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc | Target bore strengthening method |
| US7382864B2 (en) * | 2005-09-15 | 2008-06-03 | General Electric Company | Systems, methods and apparatus of a composite X-Ray target |
| US8652388B2 (en) | 2005-12-15 | 2014-02-18 | The Boeing Company | Rotational vacuum assisted resin transfer molding |
| DE102007034742B4 (de) * | 2007-07-25 | 2013-04-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Anode |
| US8509386B2 (en) * | 2010-06-15 | 2013-08-13 | Varian Medical Systems, Inc. | X-ray target and method of making same |
| CN104025245B (zh) | 2011-12-30 | 2016-10-05 | 皇家飞利浦有限公司 | 钎焊x射线管阳极 |
| WO2014035480A1 (en) | 2012-08-30 | 2014-03-06 | General Electric Company | Induction furnace with uniform cooling capability |
| CN109623061B (zh) * | 2018-12-29 | 2021-07-06 | 中国电子科技集团公司第十二研究所 | 一种阳极钎焊结构 |
| CN114932283B (zh) * | 2022-06-07 | 2024-01-30 | 合肥工业大学智能制造技术研究院 | 一种石墨和tzm合金的共晶反应钎焊工艺 |
| CN114986015B (zh) * | 2022-06-07 | 2023-09-08 | 合肥工业大学智能制造技术研究院 | 用于钼合金和石墨钎焊的高温钎料及制备方法和钎焊工艺 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USH547H (en) * | 1986-11-13 | 1988-11-01 | General Electric Company | X-ray tube target |
| AT346981B (de) * | 1976-03-18 | 1978-12-11 | Plansee Metallwerk | Roentgendrehanode und verfahren zu deren herstellung |
| USRE31369E (en) * | 1977-04-18 | 1983-09-06 | General Electric Company | Method for joining an anode target comprising tungsten to a graphite substrate |
| US4145632A (en) * | 1977-04-18 | 1979-03-20 | General Electric Company | Composite substrate for rotating x-ray anode tube |
| US4276493A (en) * | 1979-09-10 | 1981-06-30 | General Electric Company | Attachment means for a graphite x-ray tube target |
| US4380471A (en) * | 1981-01-05 | 1983-04-19 | General Electric Company | Polycrystalline diamond and cemented carbide substrate and synthesizing process therefor |
| US4777643A (en) * | 1985-02-15 | 1988-10-11 | General Electric Company | Composite rotary anode for x-ray tube and process for preparing the composite |
| US4978051A (en) * | 1986-12-31 | 1990-12-18 | General Electric Co. | X-ray tube target |
| FR2655192A1 (fr) * | 1989-11-28 | 1991-05-31 | Gen Electric Cgr | Anode pour tube a rayons x a corps de base composite. |
| AT393651B (de) * | 1990-06-28 | 1991-11-25 | Plansee Metallwerk | Hochtemperaturbestaendiger verbundkoerper |
-
1992
- 1992-02-07 US US07/832,271 patent/US5178316A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-02-04 DE DE69301101T patent/DE69301101T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-04 EP EP93300828A patent/EP0555083B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-04 JP JP01718893A patent/JP3431652B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-04 AT AT93300828T patent/ATE132295T1/de active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0555083A1 (en) | 1993-08-11 |
| EP0555083B1 (en) | 1995-12-27 |
| US5178316A (en) | 1993-01-12 |
| DE69301101T2 (de) | 1996-07-04 |
| ATE132295T1 (de) | 1996-01-15 |
| DE69301101D1 (de) | 1996-02-08 |
| JP3431652B2 (ja) | 2003-07-28 |
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