JPH05343655A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH05343655A JPH05343655A JP4079724A JP7972492A JPH05343655A JP H05343655 A JPH05343655 A JP H05343655A JP 4079724 A JP4079724 A JP 4079724A JP 7972492 A JP7972492 A JP 7972492A JP H05343655 A JPH05343655 A JP H05343655A
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- Japan
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- light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】固体撮像装置において７００ｎｍ以上の長波長
の入射光の透過率を低減し、偽信号の発生を防止する。 【構成】固体撮像素子１をアイランド部２０に搭載し、
金属細線３０により内部リード２１と電気的に接続した
後に透明な封止樹脂２２ａにより封入されてなる固体撮
像装置において、封入樹脂２２ａを赤色に着色すること
により７００ｎｍ以上の透過率を低減し、偽信号の発生
を防止する。
の入射光の透過率を低減し、偽信号の発生を防止する。 【構成】固体撮像素子１をアイランド部２０に搭載し、
金属細線３０により内部リード２１と電気的に接続した
後に透明な封止樹脂２２ａにより封入されてなる固体撮
像装置において、封入樹脂２２ａを赤色に着色すること
により７００ｎｍ以上の透過率を低減し、偽信号の発生
を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置に関し、
特にシリコン基板に受光素子等を集積した固体撮像装置
に関する。
特にシリコン基板に受光素子等を集積した固体撮像装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のセラミックパッケージ型
固体撮像装置を示す断面図である。
固体撮像装置を示す断面図である。
【０００３】セラミック基体１０の中央部には固体撮像
素子１（シリコン基板に受光素子やＣＣＤレジスタを形
成したチップ）がその受光部を上向きにして固定されて
いる。
素子１（シリコン基板に受光素子やＣＣＤレジスタを形
成したチップ）がその受光部を上向きにして固定されて
いる。
【０００４】固体撮像素子１の受光部の周囲には、図示
しない電極が設けられており、その電極とセラミック基
体１０上に設けられた内部リード１１とを金属細線３０
により電気的に接続されている。この内部リード１１
は、セラミック基体１０の側方に金属ペースト材１２に
より導出され外部リード１３を形成している。固体撮像
素子１の上方には、低融点ガラス１４又は熱硬化型樹脂
によりセラミック基体１０に封着されたガラスキャップ
１５（ガラス板）によって封止されている。固体撮像素
子１は、ガラスキャップ１５を透過した光を、受光部
（ホトダイオード）で検出し、これを電気信号に変換
し、外部リードに電気信号として出力する。
しない電極が設けられており、その電極とセラミック基
体１０上に設けられた内部リード１１とを金属細線３０
により電気的に接続されている。この内部リード１１
は、セラミック基体１０の側方に金属ペースト材１２に
より導出され外部リード１３を形成している。固体撮像
素子１の上方には、低融点ガラス１４又は熱硬化型樹脂
によりセラミック基体１０に封着されたガラスキャップ
１５（ガラス板）によって封止されている。固体撮像素
子１は、ガラスキャップ１５を透過した光を、受光部
（ホトダイオード）で検出し、これを電気信号に変換
し、外部リードに電気信号として出力する。
【０００５】図５は、従来の樹脂封止型固体撮像装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【０００６】固体撮像素子１は、アイランド部２０上に
その受光部を上向きにして固定されている。この固体撮
像素子１の電極と内部リード２１が金属細線３１により
電気的に接続されている。その後、固体撮像素子１及び
内部リード２１等が、透明な封止樹脂２２によりモール
ド封入され、固体撮像装置が形成される。固体撮像素子
は、この透明な封止樹脂２２を透過した受光部（ホトダ
イオード）に入射した光を電気信号に変換する。
その受光部を上向きにして固定されている。この固体撮
像素子１の電極と内部リード２１が金属細線３１により
電気的に接続されている。その後、固体撮像素子１及び
内部リード２１等が、透明な封止樹脂２２によりモール
ド封入され、固体撮像装置が形成される。固体撮像素子
は、この透明な封止樹脂２２を透過した受光部（ホトダ
イオード）に入射した光を電気信号に変換する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の固体撮像装置では、信号として必要な波長域が
４００〜７００ｎｍの可視光域なのに対し、従来のガラ
スキャップを有するセラミック・パッケージ型固体撮像
装置及び樹脂封止型固体撮像装置では、７００から１５
００ｎｍにかけての透過率も、可視光域と同程度の値を
有する為、不必要な波長域の光まで、固体撮像素子に到
達してしまう。固体撮像素子を形成しているシリコンの
性質として波長の長い光ほど固体撮像素子表面より深部
に達してしまうため図６（ａ）に示すように固体撮像素
子のホトダイオード（Ｐ型シリコン基板４１に選択的に
形成されたＮ型拡散層４２を有している）深部にて光電
効果を生じてしまう。光電効果により生じた電子ｅの一
部は、ホトダイオード深部（Ｐ型シリコン基板４１）生
成され、光の入射したホトダイオードのみではなく隣接
するホトダイオードのＮ型拡散層４２にまで達してしま
う。この結果として固体撮像装置の出力電気信号は図６
（ｂ）に示すように、光入射ビットの隣に偽信号が現わ
れてしまう。この偽信号により固体撮像装置を用いたシ
ステムの機能低下また著しい場合には、誤動作を生じる
場合が認められた。
た従来の固体撮像装置では、信号として必要な波長域が
４００〜７００ｎｍの可視光域なのに対し、従来のガラ
スキャップを有するセラミック・パッケージ型固体撮像
装置及び樹脂封止型固体撮像装置では、７００から１５
００ｎｍにかけての透過率も、可視光域と同程度の値を
有する為、不必要な波長域の光まで、固体撮像素子に到
達してしまう。固体撮像素子を形成しているシリコンの
性質として波長の長い光ほど固体撮像素子表面より深部
に達してしまうため図６（ａ）に示すように固体撮像素
子のホトダイオード（Ｐ型シリコン基板４１に選択的に
形成されたＮ型拡散層４２を有している）深部にて光電
効果を生じてしまう。光電効果により生じた電子ｅの一
部は、ホトダイオード深部（Ｐ型シリコン基板４１）生
成され、光の入射したホトダイオードのみではなく隣接
するホトダイオードのＮ型拡散層４２にまで達してしま
う。この結果として固体撮像装置の出力電気信号は図６
（ｂ）に示すように、光入射ビットの隣に偽信号が現わ
れてしまう。この偽信号により固体撮像装置を用いたシ
ステムの機能低下また著しい場合には、誤動作を生じる
場合が認められた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、固体撮像素子
と、前記固体撮像素子の受光面側に透明部材を配したパ
ッケージとを有する固体撮像素子において、前記透明部
材の透過率が波長域７００〜１１００ｎｍで波長５５０
ｎｍに対する値より低くなっているというものである。
と、前記固体撮像素子の受光面側に透明部材を配したパ
ッケージとを有する固体撮像素子において、前記透明部
材の透過率が波長域７００〜１１００ｎｍで波長５５０
ｎｍに対する値より低くなっているというものである。
【０００９】
【実施例】次に本発明の実施例について添付図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１０】図１は、本発明の第１の実施例を示す断面
図である。
図である。
【００１１】固体撮像素子１はアイランド部２０上に固
定されており、この固体撮像素子１の電極は金属細線３
０により内部リード２１と電気的に接続された後に透明
な封止樹脂２２ａにより封入され、樹脂封止型固体撮像
装置が形成されている。
定されており、この固体撮像素子１の電極は金属細線３
０により内部リード２１と電気的に接続された後に透明
な封止樹脂２２ａにより封入され、樹脂封止型固体撮像
装置が形成されている。
【００１２】本実施例では、７００ｎｍ以上の不必要な
入射光が固体撮像素子１に到達することを防止するため
に、樹脂を赤色に染色し、長波長域の透過率を低減して
いる。赤色に染色された封止樹脂材としては住友化学製
のＭ−１００（商品名）を使用した。図２にＭ−１００
を使用した封止樹脂２２ａの分光透過率曲線となす。た
だし、固体撮像素子１の表面上での厚さは０．８ｍｍで
ある。８００〜１１００ｎｍの波長域で透過率が可視域
の例えば５５０ｎｍの光に対する値（９４％）より著し
く小さくなっているので、赤外光による偽信号の発生を
抑止できる。
入射光が固体撮像素子１に到達することを防止するため
に、樹脂を赤色に染色し、長波長域の透過率を低減して
いる。赤色に染色された封止樹脂材としては住友化学製
のＭ−１００（商品名）を使用した。図２にＭ−１００
を使用した封止樹脂２２ａの分光透過率曲線となす。た
だし、固体撮像素子１の表面上での厚さは０．８ｍｍで
ある。８００〜１１００ｎｍの波長域で透過率が可視域
の例えば５５０ｎｍの光に対する値（９４％）より著し
く小さくなっているので、赤外光による偽信号の発生を
抑止できる。
【００１３】図３は、本発明の第２の実施例を示す断面
図である。
図である。
【００１４】本実施例では、従来の透明な封止樹脂２２
の表面（固体撮像素子１の受光面側）に赤外カットフィ
ルタ２３を貼付けることにより長波長域の透過率を低減
している。本実施例では、樹脂封止型固体撮像装置の製
造方法を変更することなく、最終工程でフィルタを貼付
けるだけで長波長域の透過率を低減出来るという利点を
有している。
の表面（固体撮像素子１の受光面側）に赤外カットフィ
ルタ２３を貼付けることにより長波長域の透過率を低減
している。本実施例では、樹脂封止型固体撮像装置の製
造方法を変更することなく、最終工程でフィルタを貼付
けるだけで長波長域の透過率を低減出来るという利点を
有している。
【００１５】なお、図４のセラミック型固体撮像装置の
ガラスキャップ１５の表面にフィルタを貼付けてもよ
い。
ガラスキャップ１５の表面にフィルタを貼付けてもよ
い。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、固体撮像
装置において、パッケージの少なくとも受光面側で７０
０ｎｍ以上の長波長域透過率を低減することにより、偽
信号の発生を低減出来るという効果を有している。
装置において、パッケージの少なくとも受光面側で７０
０ｎｍ以上の長波長域透過率を低減することにより、偽
信号の発生を低減出来るという効果を有している。
【図１】本発明の第１の実施例を示す断面図である。
【図２】第１の実施例における封止樹脂の分光透過率を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図３】本発明の第２の実施例を示す断面図である。
【図４】従来のセラミック・パッケージ型固体撮像装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】従来の樹脂封止型固体撮像装置を示す断面図で
ある。
ある。
【図６】赤外光による偽信号の発生の説明に使用する断
面図（図６（ａ））および信号波形図（図６（ｂ））で
ある。
面図（図６（ａ））および信号波形図（図６（ｂ））で
ある。
１ 固体撮像素子 １０ セラミック基体 １１ 内部リード １２ 金属ペースト材 １３ 外部リード １４ 低融点ガラス １５ ガラスキャップ ２０ アイランド ２１ 内部リード ２２，２２ａ 封止樹脂 ２３ フィルタ ３０ 金属細線 ４１ Ｐ型シリコン基板 ４２ Ｎ型拡散層 ４３ チャネルストッパ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 1/028 Ｚ 9070−5Ｃ 5/335 Ｖ
Claims (3)
- 【請求項１】 固体撮像素子と、前記固体撮像素子の受
光面側に透明部材を配したパッケージとを有する固体撮
像素子において、前記透明部材の透過率が波長域７００
〜１１００ｎｍで波長５５０ｎｍに対する値より低くな
っていることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 パッケージ本体が赤色透明樹脂である請
求項１記載の固体撮像装置。 - 【請求項３】 透明部材がガラス板とその表面に貼付さ
れたフィルタである請求項１記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4079724A JPH05343655A (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4079724A JPH05343655A (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343655A true JPH05343655A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=13698151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4079724A Pending JPH05343655A (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05343655A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6252220B1 (en) | 1999-04-26 | 2001-06-26 | Xerox Corporation | Sensor cover glass with infrared filter |
| US6316284B1 (en) | 2000-09-07 | 2001-11-13 | Xerox Corporation | Infrared correction in color scanners |
| US6768565B1 (en) | 2000-09-07 | 2004-07-27 | Xerox Corporation | Infrared correction in color scanners |
| FR2854495A1 (fr) * | 2003-04-29 | 2004-11-05 | St Microelectronics Sa | Procede de fabrication d'un boitier semi-conducteur et boitier semi-conducteur a grille. |
| US6940140B1 (en) | 1999-10-19 | 2005-09-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Package structure of solid-state image sensor |
| KR100791461B1 (ko) * | 2006-01-23 | 2008-01-04 | 엠텍비젼 주식회사 | 디지털 카메라 모듈 |
| TWI672816B (zh) * | 2014-02-04 | 2019-09-21 | 日商艾普凌科有限公司 | 光感測器裝置 |
-
1992
- 1992-04-01 JP JP4079724A patent/JPH05343655A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6252220B1 (en) | 1999-04-26 | 2001-06-26 | Xerox Corporation | Sensor cover glass with infrared filter |
| US6940140B1 (en) | 1999-10-19 | 2005-09-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Package structure of solid-state image sensor |
| US6316284B1 (en) | 2000-09-07 | 2001-11-13 | Xerox Corporation | Infrared correction in color scanners |
| US6768565B1 (en) | 2000-09-07 | 2004-07-27 | Xerox Corporation | Infrared correction in color scanners |
| FR2854495A1 (fr) * | 2003-04-29 | 2004-11-05 | St Microelectronics Sa | Procede de fabrication d'un boitier semi-conducteur et boitier semi-conducteur a grille. |
| US7358598B2 (en) | 2003-04-29 | 2008-04-15 | Stmicroelectronics S.A. | Process for fabricating a semiconductor package and semiconductor package with leadframe |
| KR100791461B1 (ko) * | 2006-01-23 | 2008-01-04 | 엠텍비젼 주식회사 | 디지털 카메라 모듈 |
| TWI672816B (zh) * | 2014-02-04 | 2019-09-21 | 日商艾普凌科有限公司 | 光感測器裝置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980916 |