JPH10270742A - フォトダイオード - Google Patents

フォトダイオード

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JPH10270742A
JPH10270742A JP9077480A JP7748097A JPH10270742A JP H10270742 A JPH10270742 A JP H10270742A JP 9077480 A JP9077480 A JP 9077480A JP 7748097 A JP7748097 A JP 7748097A JP H10270742 A JPH10270742 A JP H10270742A
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Shinji Yano
伸治 矢野
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Rohm Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電磁ノイズの影響を受けにくい構造を有し、
シールドケースを必要としないフォトダイオードを提供
する。 【解決手段】 第１のｐ型層となるｐ型の基板上にｎ型
層を形成し、ｎ型層の周囲にｐ型の分離帯を設けてｎ型
層を端縁から分離し、ｎ型層上にその一部を残して第２
のｐ型層を形成して、保護膜層で覆う。保護膜層上に第
１および第２の電極を設け、保護膜層に形成した開口を
介して、第１の電極をｎ型層に接続し、第２の電極をｐ
型の分離帯および第２のｐ型層に接続する。第２の電極
をグランド電位に接続して、第１および第２のｐ型層を
グランド電位とし、光電変換で生じた電荷を第１の電極
から出力する。第２のｐ型層はグランド電位に接続され
てローインピーダンスであるためシールド効果をもち、
表面からの電磁ノイズが遮断される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフォトダイオードに
関し、より詳しくは、電磁ノイズの影響を受けにくいフ
ォトダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】光を受けて電気信号に変換するフォトダ
イオードは、リモートコントロールや光通信の装置の受
信用素子として多用されている。従来のフォトダイオー
ドは、図５に示すように、ｐ型の基板５１上にｎ型層５
２を形成して成り、ｐ型基板５１の下面が銀ペースト５
３等によって、グランド電位に接続されたフレーム５４
にダイボンディングされている。したがって、アノード
５６がフレーム側、カソード５５が光を受けるチップ表
面側となっている。
【０００３】チップ表面から入射した光はｎ型層５２と
ｐ型基板５１の接合面で光電変換され、これにより生成
した電荷が、受光量を表す信号として、カソード５５よ
り取り出される。図６に示すように、カソード５５は信
号処理回路９に接続されており、カソードから出力され
る微弱な信号は、増幅された後、装置に応じた処理を受
ける。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記構成の
フォトダイオードは、チップ表面のカソードがハイイン
ピーダンスになるため、ブラウン管やコンピュータ等
の、フォトダイオードが組み込まれる装置の他の部分か
らの電磁ノイズを受けて、偽信号を出力し易くなってい
る。偽信号は信号処理回路の誤動作を招き、リモートコ
ントロールが正しく機能しなくなったり、光通信で情報
が変化したりする等の重大な問題を引き起こす。
【０００５】このため、従来より、フォトダイオードを
金属性のシールドケースで覆うことにより電磁ノイズを
遮断して、フォトダイオードが偽信号を出力するのを防
止することが行われている。しかしながら、シールドケ
ースで覆うとフォトダイオードが大型化するとともに、
部品点数が増加してコストが上昇し、製造工程数も多く
なる。また、シールドケースは電磁ノイズの遮断に有効
な方法ではあるが、電磁ノイズの影響を受け易いという
フォトダイオードの弱点を本質的に解決するものではな
い。
【０００６】本発明は、電磁ノイズの影響を受けにくい
構造を有し、シールドケースを必要としないフォトダイ
オードを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、グランド電位に接続された第１のｐ型
層と、この第１のｐ型層上に形成されたｎ型層を有し、
ｎ型層側から光を受けて光電変換し、生成した電荷をｎ
型層から出力するフォトダイオードにおいて、ｎ型層上
に第２のｐ型層を設けて、第２のｐ型層をグランド電位
に接続した構成とする。
【０００８】光は第２のｐ型層より入射し、第２のｐ型
層とｎ型層およびｎ型層と第１のｐ型層の接合面で光電
変換が行われる。光電変換によって生成された電荷はｎ
型層から出力するが、ｎ型層の上部には第２のｐ型層が
設けられている。この第２のｐ型層は、グランド電位に
接続されてローインピーダンスになっているためシール
ド効果をもち、外部からの電磁ノイズを遮断することが
できる。したがって、ｎ型層に電磁ノイズが達すること
はなく、ｎ型層からノイズによって発生した電荷が出力
されることはない。
【０００９】ｎ型層から電荷を出力するための電極と、
第１のｐ型層および第２のｐ型層をグランド電位に接続
するための電極を、ｎ型層側の表面に備えるようにする
とよい。アノード電極とカソード電極がフォトダイオー
ドの表面に併設されることになる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明のフォトダイオード
について図面を参照して説明する。図１に第１の実施形
態のフォトダイオード１のチップの断面図を示し、図２
にその平面図を示す。フォトダイオード１は、第１のｐ
型層１１、ｎ型層１２、第２のｐ型層１３、保護膜層１
４、および２つの電極１５および１６より成る。
【００１１】ｎ型層１２は、第１のｐ型層１１であるｐ
型のＳｉ基板上にエピタキシャル成長によって形成され
ており、ｐ型不純物の拡散によって周囲に形成されたｐ
型帯１１ａによりチップ端縁から分離されている。第２
のｐ型層１３は、ｎ型層１２にイオンを注入することに
よって形成されており、ｎ型層１２の周辺部を除く領域
の上部に設けられている。
【００１２】保護膜層１４はＳｉＯ2またはＳｉＮより
成り、チップ上面全体を覆うように設けられている。保
護膜層１４には、ｎ型層１２を露出させるための開口１
４ａ、第２のｐ型層１３を露出させるための開口１４
ｂ、およびｐ型帯１１ａを露出させるための開口１４ｃ
が、それぞれ帯状に形成されている。
【００１３】電極１５は開口１４ａの上に設けられてお
り、ｎ型層１２に接続している。電極１６は、開口１４
ｂと開口１４ｃの上に設けられており、第２のｐ型層１
３に接続し、ｐ型帯１１ａを介して第１のｐ型層１１に
接続している。電極１６はグランド電位に接続される。
これにより、第１のｐ型層１１と第２のｐ型層１３が共
にグランド電位となる。
【００１４】フォトダイオード１は保護膜層１４が設け
られているチップ表面側より光を受ける。光は保護膜層
１４を透過して、第２のｐ型層１３とｎ型層１２および
ｎ型層１２と第１のｐ型層１１の接合面で光電変換が行
われる。光電変換で生成した電荷はｎ型層１２より電極
１５に出力される。
【００１５】上記構成では、電極１５がカソードとなり
電極１６がアノードとなる。電極１５は実装時に図外の
信号処理回路に接続され、フォトダイオード１の受光量
を表す電極１５からの出力信号は、信号処理回路におい
て増幅された後、フォトダイオード１を組み込む装置に
応じた処理を受ける。
【００１６】装置内の他の部分が電磁ノイズを発生し、
これがチップ表面からフォトダイオード１に進入したと
しても、第２のｐ型層１３がグランド電位に接続されて
ローインピーダンスになっているため、電磁ノイズは第
２のｐ型層１３で遮断される。したがって、電磁ノイズ
がｎ型層１２に達することはなく、外部の電磁ノイズに
起因する電荷が電極１５に現れることはない。このた
め、信号処理回路は常時正しく動作し、フォトダイオー
ド１を組み込んだ装置の信頼性はきわめて高いものとな
る。
【００１７】第２のｐ型層１３は従来のシールドケース
と同様の機能を果たす。すなわち、フォトダイオード１
は内部に電磁ノイズを遮断する構造を備えており、シー
ルドケースによって覆わなくても、安定して動作する。
したがって、フォトダイオード１を単体で使用すること
が可能である。
【００１８】なお、ここでは、保護膜層１４の開口１４
ｂを第２のｐ型層１３の１辺に沿う形状とし、第２のｐ
型層１３と電極１６とを直線状に接続する構造とした
が、開口１４ｂを第２のｐ型層１３の４辺に沿って形成
し、第２のｐ型層１３を電極１６で取り囲む構造として
もよい。第２のｐ型層１３の全範囲が均一にグランド電
位になって、電磁ノイズを遮断する機能が一層高まる。
【００１９】第２の実施形態のフォトダイオードの断面
を図３に示す。このフォトダイオード２は、第２のｐ型
層１３とｐ型帯１１ａが内部で接続されており、第１の
実施形態のフォトダイオード１の保護膜層１４に形成さ
れていた第２のｐ型層１３と電極１６を接続するための
開口１４ｂは形成されていない。第２のｐ型層１３は、
第１のｐ型層１１と同様に、ｐ型帯１１ａを介して電極
１６に接続されている。他の構成は、フォトダイオード
１と同様であり、説明を省略する。
【００２０】第３の実施形態のフォトダイオードの断面
を図４に示す。このフォトダイオード３は、第２のｐ型
層１３とｐ型帯１１ａが内部で接続されており、また、
第１のｐ型層１１はその下面に設けられた電極１６ａか
らグランド電位に接続される。第２のｐ型層１３はｐ型
帯１１ａと第１のｐ型層１１を介してグランド電位に接
続されることになる。
【００２１】第１の実施形態のフォトダイオード１の、
保護膜層１４の２つの開口１４ｂ、１４ｃ、および電極
１６はフォトダイオード３では形成されていない。この
フォトダイオード３は、銀ペースト等によってフレーム
にダイボンディングされる。他の構成はフォトダイオー
ド１と同様であり、説明を省略する。
【００２２】なお、第２、第３の実施形態のフォトダイ
オード２および３では、電極１５との接続のために必要
な端縁部を除き、ｎ型層１２の全体にわたって第２のｐ
型層１３を形成するとよい。このようにすると、第２の
ｐ型層１３が３つの端縁でｐ型帯１１ａと接続されるこ
とになって、第２のｐ型層１３の全体が均一にグランド
電位になり、電磁ノイズ遮断の効果が増す。しかも、ｎ
型層１２の全範囲が第２のｐ型層１３または電極１５に
覆われることになって、電磁ノイズを確実に遮断するこ
とができる。
【００２３】
【発明の効果】請求項１のフォトダイオードによるとき
は、外部からの電磁ノイズが第２のｐ型層によって遮断
されるため、ノイズに起因する信号を出力することがな
い。このため、シールドケースでフォトダイオードを覆
う必要がなくなり、また、コストを低減し製造工程数を
減少させることができる。
【００２４】請求項２のフォトダイオードでは、アノー
ド電極とカソード電極がともにフォトダイオード表面に
形成されるから、両電極を同じ方法によって回路基板の
配線に接続することができる。したがって、実装の工程
が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１の実施形態のフォトダイオードの構造を
模式的に示す断面図。
【図２】 第１の実施形態のフォトダイオードの構造を
模式的に示す平面図。
【図３】 第２の実施形態のフォトダイオードの構造を
模式的に示す断面図。
【図４】 第３の実施形態のフォトダイオードの構造を
模式的に示す断面図。
【図５】 従来のフォトダイオードの構造を模式的に示
す図。
【図６】 従来のフォトダイオードとその出力信号を処
理する回路の接続を示す図。
【符号の説明】 １ フォトダイオード ２ フォトダイオード ３ フォトダイオード １１ 第１のｐ型層 １１ａ ｐ型帯 １２ ｎ型層 １３ 第２のｐ型層 １４ 保護膜層 １４ａ 開口 １４ｂ 開口 １４ｃ 開口 １５ 電極（カソード） １６ 電極（アノード）

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 グランド電位に接続された第１のｐ型層
    と、該第１のｐ型層上に形成されたｎ型層を有し、ｎ型
    層側から光を受けて光電変換し、生成した電荷をｎ型層
    から出力するフォトダイオードにおいて、 前記ｎ型層上に第２のｐ型層を設けて、該第２のｐ型層
    をグランド電位に接続したことを特徴とするフォトダイ
    オード。
  2. 【請求項２】 前記ｎ型層から電荷を出力するための電
    極と、前記第１のｐ型層および前記第２のｐ型層をグラ
    ンド電位に接続するための電極を、ｎ型層側の表面に備
    えることを特徴とする請求項１に記載のフォトダイオー
    ド。
JP9077480A 1997-03-28 1997-03-28 フォトダイオード Pending JPH10270742A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6476423B2 (en) * 2000-05-18 2002-11-05 Vishay Semiconductor Gmbh Optical detector

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7187048B2 (en) * 2000-03-22 2007-03-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-receiving device
WO2002037555A1 (fr) * 2000-11-02 2002-05-10 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Appareil de prealignement de tranche, procede permettant de detecter la presence de ladite tranche, procede permettant de detecter la position d'un bord de tranche, support d'enregistrement lisible par ordinateur a programme enregistre permettant d'executer le procede de detection de position, appareil de detection de posit
JP3807954B2 (ja) * 2001-06-25 2006-08-09 シャープ株式会社 フォトダイオード
DE102014211829A1 (de) * 2014-06-20 2015-12-24 Robert Bosch Gmbh Thermodiodenelement für einen Fotosensor zur Infrarot-Strahlungsmessung, Fotosensor und Verfahren zum Herstellen eines Thermodiodenelements

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4241358A (en) * 1979-03-26 1980-12-23 Trw Inc. Radiation sensitive device with lateral current
US5130531A (en) * 1989-06-09 1992-07-14 Omron Corporation Reflective photosensor and semiconductor light emitting apparatus each using micro Fresnel lens
JPH0394478A (ja) * 1989-09-06 1991-04-19 Matsushita Electron Corp 半導体装置
US5128729A (en) * 1990-11-13 1992-07-07 Motorola, Inc. Complex opto-isolator with improved stand-off voltage stability
US5291038A (en) * 1990-12-19 1994-03-01 Sharp Kabushiki Kaisha Reflective type photointerrupter
JPH04280685A (ja) * 1991-03-08 1992-10-06 Sony Corp 受光装置
JPH04280674A (ja) * 1991-03-08 1992-10-06 Sharp Corp 回路内蔵受光素子
US5592124A (en) * 1995-06-26 1997-01-07 Burr-Brown Corporation Integrated photodiode/transimpedance amplifier
US5903021A (en) * 1997-01-17 1999-05-11 Eastman Kodak Company Partially pinned photodiode for solid state image sensors

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6476423B2 (en) * 2000-05-18 2002-11-05 Vishay Semiconductor Gmbh Optical detector

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