JPH05340964A - ウエハ及びチップの試験装置 - Google Patents
ウエハ及びチップの試験装置Info
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- JPH05340964A JPH05340964A JP4145459A JP14545992A JPH05340964A JP H05340964 A JPH05340964 A JP H05340964A JP 4145459 A JP4145459 A JP 4145459A JP 14545992 A JP14545992 A JP 14545992A JP H05340964 A JPH05340964 A JP H05340964A
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07314—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 1チップ当たりのボンディングパッド数が多
くても、ウエハ状態でバーンイン試験を可能にする。 【構成】 半導体ウエハ5上のすべてのチップ5bのボ
ンディングパッド5cに対して、バンプ15を接触さ
せ、すべてのチップに対し一度に電圧を印加する。バン
プ15は半透明状のポリイミド膜10にボンディングパ
ッド5cに対して鏡像関係に配置され、位置合わせは光
学顕微鏡13を用いて開口部11a及びポリイミド膜1
0を介してアライメントマーク34a,34bを用いて
行う。半導体ウエハ5の裏面にはヒータ14が密着さ
れ、加熱される。 【効果】 組立工程前に潜在的不良チップのスクリーニ
ングが可能で、コストダウンできる。不良解析が早く実
施でき、プロセスラインでのメンテナンスが充実し、歩
留まりやスループットを向上できる。
くても、ウエハ状態でバーンイン試験を可能にする。 【構成】 半導体ウエハ5上のすべてのチップ5bのボ
ンディングパッド5cに対して、バンプ15を接触さ
せ、すべてのチップに対し一度に電圧を印加する。バン
プ15は半透明状のポリイミド膜10にボンディングパ
ッド5cに対して鏡像関係に配置され、位置合わせは光
学顕微鏡13を用いて開口部11a及びポリイミド膜1
0を介してアライメントマーク34a,34bを用いて
行う。半導体ウエハ5の裏面にはヒータ14が密着さ
れ、加熱される。 【効果】 組立工程前に潜在的不良チップのスクリーニ
ングが可能で、コストダウンできる。不良解析が早く実
施でき、プロセスラインでのメンテナンスが充実し、歩
留まりやスループットを向上できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路のス
クリーニング方法(潜在的不良品選別方法)のひとつで
あるバーンイン試験の方法に関するものである。
クリーニング方法(潜在的不良品選別方法)のひとつで
あるバーンイン試験の方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図10は、半導体集積回路等について、
実使用状態での経過時間と故障率との関係を示す故障率
曲線(バスタブカーブ)を記したグラフである。
実使用状態での経過時間と故障率との関係を示す故障率
曲線(バスタブカーブ)を記したグラフである。
【0003】初期故障期間Aは、製造時の欠陥に起因し
た、即ちスクリーニングによって除去される対象である
潜在的不良による故障が生じる期間である。偶発故障期
間Bは、潜在的不良がスクリーニングされた後の正常な
製品が、偶発的に起こす故障の期間であり、故障率は最
も低く安定したものとなる。磨耗期間Cは、正常な製品
が老朽劣化によって時間経過とともに故障率が増す期間
である。
た、即ちスクリーニングによって除去される対象である
潜在的不良による故障が生じる期間である。偶発故障期
間Bは、潜在的不良がスクリーニングされた後の正常な
製品が、偶発的に起こす故障の期間であり、故障率は最
も低く安定したものとなる。磨耗期間Cは、正常な製品
が老朽劣化によって時間経過とともに故障率が増す期間
である。
【0004】初期故障期間Aに対応する製造工程中に発
生した潜在的不良をもつ製品をスクリーニングによって
除去し、出荷品の信頼性を確保するために、バーンイン
試験が実施される。図11はバーンイン試験の様子を示
すものである。
生した潜在的不良をもつ製品をスクリーニングによって
除去し、出荷品の信頼性を確保するために、バーンイン
試験が実施される。図11はバーンイン試験の様子を示
すものである。
【0005】組立工程の完了した後の半導体集積回路1
はソケット2にセットされており、その全体を恒温槽3
の内部に設置した状態で、電圧印加装置4に接続され
る。電圧印加装置4は、実使用条件よりも高い電源電圧
を半導体集積回路1に印加し、恒温槽3は、実使用条件
よりも高い雰囲気温度を与えて、エージングを行う。こ
のように実使用条件よりも厳しい条件下で試験を行うの
は、エージングを加速することによって、短時間で初期
故障を検出しスクリーニングするためである。また、場
合によっては、恒温槽3は実使用条件よりも低い雰囲気
温度を与えてエージングを行うこともある。
はソケット2にセットされており、その全体を恒温槽3
の内部に設置した状態で、電圧印加装置4に接続され
る。電圧印加装置4は、実使用条件よりも高い電源電圧
を半導体集積回路1に印加し、恒温槽3は、実使用条件
よりも高い雰囲気温度を与えて、エージングを行う。こ
のように実使用条件よりも厳しい条件下で試験を行うの
は、エージングを加速することによって、短時間で初期
故障を検出しスクリーニングするためである。また、場
合によっては、恒温槽3は実使用条件よりも低い雰囲気
温度を与えてエージングを行うこともある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は半
導体集積回路のスクリーニング方法であるバーンイン試
験では、パッケージングした後の完成品の状態で、実施
されていた。
導体集積回路のスクリーニング方法であるバーンイン試
験では、パッケージングした後の完成品の状態で、実施
されていた。
【0007】しかしながら、初期故障に係る潜在的不良
は、組立工程中に発生するというものではなく、そのほ
とんどがウエハプロセスにおいて発生しているものであ
ることが判っている。例えば、超LSI(Large Scale
Integreted circuit)を代表とするMIS(Metal Insu
lator Semiconductor:金属酸化膜半導体)の集積回路の
絶縁膜の欠陥は、ウエハプロセスにおいて発生する。
は、組立工程中に発生するというものではなく、そのほ
とんどがウエハプロセスにおいて発生しているものであ
ることが判っている。例えば、超LSI(Large Scale
Integreted circuit)を代表とするMIS(Metal Insu
lator Semiconductor:金属酸化膜半導体)の集積回路の
絶縁膜の欠陥は、ウエハプロセスにおいて発生する。
【0008】ところが従来のバーンイン試験方法におい
ては、上記のように組立工程を経た後の半導体集積回路
1に対して実施していたために、ウエハプロセスのとき
既に欠陥を含んでいた潜在的不良チップであっても、次
工程である組立工程を完了した後で初めてバーンイン試
験による欠陥の発見が可能であった。
ては、上記のように組立工程を経た後の半導体集積回路
1に対して実施していたために、ウエハプロセスのとき
既に欠陥を含んでいた潜在的不良チップであっても、次
工程である組立工程を完了した後で初めてバーンイン試
験による欠陥の発見が可能であった。
【0009】しかし、このように組立工程後に行ったバ
ーンイン試験で初めて欠陥が発見されるのであれば、ウ
エハプロセス後の組立工程自体が無駄になり、スループ
ットは悪化する。また、その組立工程に用いた各種の材
料も無駄になるため、全体としてコスト面で非常に不利
な状況にあった。
ーンイン試験で初めて欠陥が発見されるのであれば、ウ
エハプロセス後の組立工程自体が無駄になり、スループ
ットは悪化する。また、その組立工程に用いた各種の材
料も無駄になるため、全体としてコスト面で非常に不利
な状況にあった。
【0010】さらに、不良解析やウエハプロセスへのフ
ィードバック、すなわちプロセスラインでの異常発見、
メンテナンスなどの対策がどうしても遅くなりがちとな
り、歩留まりの低下を余儀なくされるという問題点があ
った。このことはまた、新製品開発時にもその開発スピ
ードを遅くしてしまうという好ましくない影響を及ぼし
ている。
ィードバック、すなわちプロセスラインでの異常発見、
メンテナンスなどの対策がどうしても遅くなりがちとな
り、歩留まりの低下を余儀なくされるという問題点があ
った。このことはまた、新製品開発時にもその開発スピ
ードを遅くしてしまうという好ましくない影響を及ぼし
ている。
【0011】さて、バーンイン試験ではないが、ウエハ
プロセスの完了後に行う検査として、ウエハ状態で通電
を行うウエハテスト(機能試験)が従来から知られてい
る。図12はウエハテストの様子を示す斜視図、図13
はその側面図である。
プロセスの完了後に行う検査として、ウエハ状態で通電
を行うウエハテスト(機能試験)が従来から知られてい
る。図12はウエハテストの様子を示す斜視図、図13
はその側面図である。
【0012】半導体ウエハ5の主面5a上には、複数の
ボンディングパッドを有するチップ5bが形成されてい
る。そしてこれらのボンディングパッドのそれぞれには
金属プローバ6が接触されている。なお、ボンディング
パッドとは、周知のとおり、組立工程において半導体ウ
エハ上の回路素子と外部電極端子とを接続するためのボ
ンディングワイヤの接続領域のことをいう。
ボンディングパッドを有するチップ5bが形成されてい
る。そしてこれらのボンディングパッドのそれぞれには
金属プローバ6が接触されている。なお、ボンディング
パッドとは、周知のとおり、組立工程において半導体ウ
エハ上の回路素子と外部電極端子とを接続するためのボ
ンディングワイヤの接続領域のことをいう。
【0013】ウエハテストは、ある金属プローバ6を介
して電圧または電流を印加し、別の金属プローバ6で電
圧または電流を取り出して実施される。
して電圧または電流を印加し、別の金属プローバ6で電
圧または電流を取り出して実施される。
【0014】ところで、チップ5bのボンディングパッ
ドに複数の金属プローバ6を接触させるのに、各金属プ
ローバ6を斜めにした状態で接触させている。これは、
ボンディングパッドに対する金属プローバ6の接触圧を
均一化するのが容易であるからである。
ドに複数の金属プローバ6を接触させるのに、各金属プ
ローバ6を斜めにした状態で接触させている。これは、
ボンディングパッドに対する金属プローバ6の接触圧を
均一化するのが容易であるからである。
【0015】しかし、このように金属プローバ6を斜め
にしていると、1回のウエハテストでは1つのチップ5
bしかテストすることができず、同時に複数のチップ5
bに対してテストすることは不可能であった。バーンイ
ン試験の場合、1つのチップ5bに対する試験時間は数
十時間の通電を要するため、チップ5bが数十ある1枚
の半導体ウエハ5全体のテストを一つづつ行うときわめ
て多大な時間がかかる。よってこのように、金属プロー
バ6を斜めにしてバーンイン試験を行うのは実用的でな
い。
にしていると、1回のウエハテストでは1つのチップ5
bしかテストすることができず、同時に複数のチップ5
bに対してテストすることは不可能であった。バーンイ
ン試験の場合、1つのチップ5bに対する試験時間は数
十時間の通電を要するため、チップ5bが数十ある1枚
の半導体ウエハ5全体のテストを一つづつ行うときわめ
て多大な時間がかかる。よってこのように、金属プロー
バ6を斜めにしてバーンイン試験を行うのは実用的でな
い。
【0016】そこで、図14に示すように、金属プロー
バ6を主面5aに垂直にした状態でボンディングパッド
に接触させることを考えてみる。この場合には、すべて
のチップ5bに対して同時に電圧印加を行うことができ
そうである。
バ6を主面5aに垂直にした状態でボンディングパッド
に接触させることを考えてみる。この場合には、すべて
のチップ5bに対して同時に電圧印加を行うことができ
そうである。
【0017】しかし、近年においてはマイクロプロセッ
サやゲートアレイなどの半導体集積回路は大規模化がま
すます進められ、1つのチップにおけるボンディングパ
ッドの数が100を越すようになっており、半導体ウエ
ハ5上のすべてのチップ5bにおいて、すべてのボンデ
ィングパッドに金属プローバ6を垂直にした状態で一定
圧力で精度よく接触させることは物理的に不可能であ
る。
サやゲートアレイなどの半導体集積回路は大規模化がま
すます進められ、1つのチップにおけるボンディングパ
ッドの数が100を越すようになっており、半導体ウエ
ハ5上のすべてのチップ5bにおいて、すべてのボンデ
ィングパッドに金属プローバ6を垂直にした状態で一定
圧力で精度よく接触させることは物理的に不可能であ
る。
【0018】したがって、金属プローバ6を用い、ウエ
ハテストと同様にしてウエハ状態でスクリーニングを行
おうとしても前述のように非常に長い時間を要すること
になる。
ハテストと同様にしてウエハ状態でスクリーニングを行
おうとしても前述のように非常に長い時間を要すること
になる。
【0019】この発明は、上記のような問題点を解消す
るために創案されたものであって、1チップ当たりのボ
ンディングパッド数が多くても、ウエハ状態でバーンイ
ン試験を短時間で行うことができるようにすることを目
的とする。
るために創案されたものであって、1チップ当たりのボ
ンディングパッド数が多くても、ウエハ状態でバーンイ
ン試験を短時間で行うことができるようにすることを目
的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】この発明の第1の態様に
かかるウエハ及びチップの試験装置は、半導体ウエハの
一の主面上に形成された少なくとも一つのチップを試験
する試験装置であって、(a)チップがそれぞれ有する
ボンディングパッドの所定のものと鏡像関係となるよう
に配置された接触電極を有し、少なくとも一部がその厚
み方向に透光性を有する試験板と、(b)試験板を通し
て半導体ウエハを認識し、試験板を半導体ウエハに対し
て相対的に移動させて位置合わせを行う位置合わせ手段
と、(c)接触電極をボンディングパッドに対して均一
で、かつ一定の圧力で接触させる圧着手段と、(d)チ
ップに対し、接触電極から電気信号を印加する信号印加
手段と、を備える。
かかるウエハ及びチップの試験装置は、半導体ウエハの
一の主面上に形成された少なくとも一つのチップを試験
する試験装置であって、(a)チップがそれぞれ有する
ボンディングパッドの所定のものと鏡像関係となるよう
に配置された接触電極を有し、少なくとも一部がその厚
み方向に透光性を有する試験板と、(b)試験板を通し
て半導体ウエハを認識し、試験板を半導体ウエハに対し
て相対的に移動させて位置合わせを行う位置合わせ手段
と、(c)接触電極をボンディングパッドに対して均一
で、かつ一定の圧力で接触させる圧着手段と、(d)チ
ップに対し、接触電極から電気信号を印加する信号印加
手段と、を備える。
【0021】望ましくは、試験板は、(a-1) 接触電極を
その表面に有する透光性の基板を備える。
その表面に有する透光性の基板を備える。
【0022】更に望ましくは、試験板は、(a-2) 基板を
介して接触電極と反対側に形成された上部圧着板を更に
備える。
介して接触電極と反対側に形成された上部圧着板を更に
備える。
【0023】更に望ましくは、上部圧着板は、その一部
が開口されている。
が開口されている。
【0024】また望ましくは、上部圧着板は、少なくと
もその一部が透光性を有する。
もその一部が透光性を有する。
【0025】更に望ましくは、半導体ウエハの他の主面
上に有機膜が密着され、半導体ウエハの有機膜側が載置
される下部圧着板を更に備える。
上に有機膜が密着され、半導体ウエハの有機膜側が載置
される下部圧着板を更に備える。
【0026】更に望ましくは、下部圧着板はその上主面
に温度制御手段を備える。
に温度制御手段を備える。
【0027】また望ましくは、試験板及び半導体ウエハ
を収納する恒温槽を更に備える。
を収納する恒温槽を更に備える。
【0028】あるいは望ましくは、接触電極は、実質的
に凸状の導電性物質からなる。
に凸状の導電性物質からなる。
【0029】更に望ましくは、その厚さ方向に良好な導
電性を有し、厚さ方向と直角な方向には導電性を有さ
ず、接触電極とチップの間に介挿される異方性導電膜を
更に備え、接触電極は、それに対向するボンディングパ
ッドと異方性導電膜を介して圧着されて導通する。
電性を有し、厚さ方向と直角な方向には導電性を有さ
ず、接触電極とチップの間に介挿される異方性導電膜を
更に備え、接触電極は、それに対向するボンディングパ
ッドと異方性導電膜を介して圧着されて導通する。
【0030】あるいは望ましくは、信号印加手段は、接
触電極から全てのチップに対して所定の電気信号を一斉
に印加する。
触電極から全てのチップに対して所定の電気信号を一斉
に印加する。
【0031】この発明の第2の態様にかかるウエハ及び
チップの試験装置は、半導体ウエハの一の主面上に形成
された少なくとも一つのチップを試験する試験装置であ
って、(a)(a-1)(a-1-1)チップがそれぞれ有するボン
ディングパッドの所定のものと鏡像関係となるように配
置された接触電極と、 (a-1-2)接触電極近傍で貫通され
た貫通孔と、を有する基板と、(a-2) 貫通孔を介して接
触電極と接続され、接触電極が形成された面と反対側の
基板の表面に形成された配線と、を有する試験板と、
(b)試験板を半導体ウエハに対して相対的に移動させ
て位置合わせを行う位置合わせ手段と、(c)接触電極
をボンディングパッドに対して均一で、かつ一定の圧力
で接触させる圧着手段と、(d)チップに対し、接触電
極から電気信号を印加する信号印加手段と、を備える。
チップの試験装置は、半導体ウエハの一の主面上に形成
された少なくとも一つのチップを試験する試験装置であ
って、(a)(a-1)(a-1-1)チップがそれぞれ有するボン
ディングパッドの所定のものと鏡像関係となるように配
置された接触電極と、 (a-1-2)接触電極近傍で貫通され
た貫通孔と、を有する基板と、(a-2) 貫通孔を介して接
触電極と接続され、接触電極が形成された面と反対側の
基板の表面に形成された配線と、を有する試験板と、
(b)試験板を半導体ウエハに対して相対的に移動させ
て位置合わせを行う位置合わせ手段と、(c)接触電極
をボンディングパッドに対して均一で、かつ一定の圧力
で接触させる圧着手段と、(d)チップに対し、接触電
極から電気信号を印加する信号印加手段と、を備える。
【0032】この発明の第3の態様にかかるウエハ及び
チップの試験装置は、半導体ウエハの一の主面上に形成
された少なくとも一つのチップを試験する試験装置であ
って、(a)チップがそれぞれ有するボンディングパッ
ドの所定のものと鏡像関係となるように配置された接触
電極を有する試験板と、(b)試験板を半導体ウエハに
対して相対的に移動させて位置合わせを行う位置合わせ
手段と、(c)(c-1)試験板を押す加圧手段と、(c-2)
接触電極に流れる電流を検出する検出手段と、(c-3) 検
出手段の検出結果に依って、加圧手段が試験板を押す力
を制御する制御手段と、(c-4) 半導体ウエハを載置する
下部圧着板と、を有し、接触電極をボンディングパッド
に対して均一で、かつ一定の圧力で接触させる圧着手段
と、(d)チップに対し、接触電極から電気信号を印加
する信号印加手段と、を備える。
チップの試験装置は、半導体ウエハの一の主面上に形成
された少なくとも一つのチップを試験する試験装置であ
って、(a)チップがそれぞれ有するボンディングパッ
ドの所定のものと鏡像関係となるように配置された接触
電極を有する試験板と、(b)試験板を半導体ウエハに
対して相対的に移動させて位置合わせを行う位置合わせ
手段と、(c)(c-1)試験板を押す加圧手段と、(c-2)
接触電極に流れる電流を検出する検出手段と、(c-3) 検
出手段の検出結果に依って、加圧手段が試験板を押す力
を制御する制御手段と、(c-4) 半導体ウエハを載置する
下部圧着板と、を有し、接触電極をボンディングパッド
に対して均一で、かつ一定の圧力で接触させる圧着手段
と、(d)チップに対し、接触電極から電気信号を印加
する信号印加手段と、を備える。
【0033】
【作用】この発明の第1の態様において、少なくとも一
部がその厚み方向に透光性を有する試験板を通して半導
体ウエハを認識することができるので、試験板と半導体
ウエハとの位置合わせを容易に行うことができる。
部がその厚み方向に透光性を有する試験板を通して半導
体ウエハを認識することができるので、試験板と半導体
ウエハとの位置合わせを容易に行うことができる。
【0034】この発明の第2の態様において、配線は貫
通孔を介して接触電極と接続されつつ、接触電極が形成
された面と反対側の基板の表面に形成されため、必要な
ボンディングパッド以外のボンディングパッドに接触す
ることが回避できる。
通孔を介して接触電極と接続されつつ、接触電極が形成
された面と反対側の基板の表面に形成されため、必要な
ボンディングパッド以外のボンディングパッドに接触す
ることが回避できる。
【0035】この発明の第3の態様において、検出手段
は接触電極に流れる電流を検出し、この検出結果に依っ
て、制御手段は加圧手段が試験板を押す力を制御する。
よって、各チップのすべてのボンディングパッドに対し
ても均一な接触圧で接触電極を圧着させることができ
る。
は接触電極に流れる電流を検出し、この検出結果に依っ
て、制御手段は加圧手段が試験板を押す力を制御する。
よって、各チップのすべてのボンディングパッドに対し
ても均一な接触圧で接触電極を圧着させることができ
る。
【0036】
第1実施例. A.構成.図1は、本発明の第1実施例である、ウエハ
及びチップの試験装置100の概略を示す構成図であ
る。
及びチップの試験装置100の概略を示す構成図であ
る。
【0037】下部圧着板12はXYθステージ30上に
載置され、両者は共に水平面内で直交するX軸、Y軸及
び両軸に直交するZ軸回りのθ方向に回転可能となって
いる。下部圧着板12上にはヒーター14が設けられ、
この上に載置される半導体ウエハ5を加熱する。半導体
ウエハ5の主面5aにおいてチップ5bが形成されてお
り、チップ5bの各々には複数のボンディングパッド
(簡単のため図示しない)が形成されている。
載置され、両者は共に水平面内で直交するX軸、Y軸及
び両軸に直交するZ軸回りのθ方向に回転可能となって
いる。下部圧着板12上にはヒーター14が設けられ、
この上に載置される半導体ウエハ5を加熱する。半導体
ウエハ5の主面5aにおいてチップ5bが形成されてお
り、チップ5bの各々には複数のボンディングパッド
(簡単のため図示しない)が形成されている。
【0038】モータ制御ユニット35はウエハ圧着用モ
ータ32を駆動し、ウエハ圧着用モータ32がウエハ圧
着用ネジ33を回転させる。これにより上部圧着板11
はウエハ圧着用固定板31からZ軸に平行に送りださ
れ、その下面に設けられたポリイミド膜10からなる基
板を半導体ウエハ5の主面5aへ圧着させる。正確に言
えば圧着されるのは、チップ5bのボンディングパッド
と、ポリイミド膜10の下面10aに設けられたバンプ
15である。
ータ32を駆動し、ウエハ圧着用モータ32がウエハ圧
着用ネジ33を回転させる。これにより上部圧着板11
はウエハ圧着用固定板31からZ軸に平行に送りださ
れ、その下面に設けられたポリイミド膜10からなる基
板を半導体ウエハ5の主面5aへ圧着させる。正確に言
えば圧着されるのは、チップ5bのボンディングパッド
と、ポリイミド膜10の下面10aに設けられたバンプ
15である。
【0039】半導体ウエハ5の主面5aにはチップ5b
とは別にアライメントマーク34aが設けられている。
このアライメントマーク34aは、例えば十字型のマー
クが用いられる。
とは別にアライメントマーク34aが設けられている。
このアライメントマーク34aは、例えば十字型のマー
クが用いられる。
【0040】このアライメントマーク34aに対応し
て、基板10の表面にバンプ15とは別にアライメント
マーク34bが設けられている。このアライメントマー
ク34bは、アライメントマーク34aとほぼ合致し、
基板10と半導体ウエハ5の位置合わせを行う為のもの
である。
て、基板10の表面にバンプ15とは別にアライメント
マーク34bが設けられている。このアライメントマー
ク34bは、アライメントマーク34aとほぼ合致し、
基板10と半導体ウエハ5の位置合わせを行う為のもの
である。
【0041】上部圧着板11にはアライメントマーク3
4bの上方に開口部11aが開口されており、ウエハ圧
着用固定板31には光学顕微鏡13及びカメラ36が備
えられている。
4bの上方に開口部11aが開口されており、ウエハ圧
着用固定板31には光学顕微鏡13及びカメラ36が備
えられている。
【0042】XYθステージ30の移動およびカメラ3
6の動作は画像処理及びステージ制御ユニット37によ
って制御される。
6の動作は画像処理及びステージ制御ユニット37によ
って制御される。
【0043】Z軸方向の圧着の力の強さを制御するモー
タ制御ユニット35は、電圧印加装置4とともにバンプ
15と接続されている。
タ制御ユニット35は、電圧印加装置4とともにバンプ
15と接続されている。
【0044】B.位置合わせ.まず、バンプ15とチッ
プ5bとの、正確にいえばボンディングパッド5cとの
位置合わせを行わなければならない。まず、ポリイミド
膜10の第1の面10aと半導体ウエハ5の主面を、所
定距離だけ離して平行に置く。ポリイミド膜10上に形
成されたバンプ15は、半導体ウエハ5主面上のボンデ
ィングパッド群に丁度位置対応する座標に形成されてい
る。即ちバンプ15はボンディングパッド群と鏡像関係
を保って形成される。
プ5bとの、正確にいえばボンディングパッド5cとの
位置合わせを行わなければならない。まず、ポリイミド
膜10の第1の面10aと半導体ウエハ5の主面を、所
定距離だけ離して平行に置く。ポリイミド膜10上に形
成されたバンプ15は、半導体ウエハ5主面上のボンデ
ィングパッド群に丁度位置対応する座標に形成されてい
る。即ちバンプ15はボンディングパッド群と鏡像関係
を保って形成される。
【0045】さて、ポリイミド膜10は半透明状で光を
透過する。したがって、カメラ36は光学顕微鏡13及
び開口部11aを通してアライメントマーク34a,3
4bのずれを認識することができる。カメラの出力信号
は画像処理及びステージ制御ユニット37によって補正
信号に変換され、この補正信号に従って、アライメント
マーク34aがアライメントマーク34bに合致するよ
うにXYθステージ30が移動する。
透過する。したがって、カメラ36は光学顕微鏡13及
び開口部11aを通してアライメントマーク34a,3
4bのずれを認識することができる。カメラの出力信号
は画像処理及びステージ制御ユニット37によって補正
信号に変換され、この補正信号に従って、アライメント
マーク34aがアライメントマーク34bに合致するよ
うにXYθステージ30が移動する。
【0046】C.均一な圧着.図2に半導体ウエハ5の
チップ5b近傍の拡大断面図及び拡大平面図を示す。パ
ッシベーション膜5dは半導体ウエハ5の主面5aに形
成されたチップ5bの各々を被覆しており、ボンディン
グパッド5cが形成された部分において開口している。
チップ5b近傍の拡大断面図及び拡大平面図を示す。パ
ッシベーション膜5dは半導体ウエハ5の主面5aに形
成されたチップ5bの各々を被覆しており、ボンディン
グパッド5cが形成された部分において開口している。
【0047】ボンディングパッド5cにはバンプ15
が、上部圧着板11によって圧着されている。バンプ1
5はスルーホール10cを介して、ポリイミド膜10の
上面10bに形成された配線16に接続されている。し
たがって、ボンディングパッド5cには配線16からス
ルーホール10c、バンプ15を介して外部から、即ち
電圧印加装置4から電圧を印加することができる。また
逆にボンディングパッド5cからバンプ15、スルーホ
ール10c、配線16を介してボンディングパッド5c
に流れる電流を検出することができる。
が、上部圧着板11によって圧着されている。バンプ1
5はスルーホール10cを介して、ポリイミド膜10の
上面10bに形成された配線16に接続されている。し
たがって、ボンディングパッド5cには配線16からス
ルーホール10c、バンプ15を介して外部から、即ち
電圧印加装置4から電圧を印加することができる。また
逆にボンディングパッド5cからバンプ15、スルーホ
ール10c、配線16を介してボンディングパッド5c
に流れる電流を検出することができる。
【0048】モータ制御ユニット35はこの電流を検出
し、その結果を基にしてウエハ圧着用モータ32の駆動
を制御し、圧着の力の調整を行い、均一な接触圧でバン
プ15をボンディングパッド5cに圧着させることがで
きる。
し、その結果を基にしてウエハ圧着用モータ32の駆動
を制御し、圧着の力の調整を行い、均一な接触圧でバン
プ15をボンディングパッド5cに圧着させることがで
きる。
【0049】ウエハ圧着用モータ32は例えば4個設け
られ、それぞれに対応する領域のチップ5bから電流を
フィードバックさせて圧着の力の調整を行うことができ
る。
られ、それぞれに対応する領域のチップ5bから電流を
フィードバックさせて圧着の力の調整を行うことができ
る。
【0050】このようにボンディングパッド群に対する
通電体として、バンプ15を用いることにより、従来ウ
エハテストで用いられていた金属プローバ6に比べて半
導体ウエハ主面への密着性が均一で、複数のチップ5b
のボンディングパッド5cの全てに対して均一な接触圧
で接触させることができ、しかも集積度の増大にも対応
できる。
通電体として、バンプ15を用いることにより、従来ウ
エハテストで用いられていた金属プローバ6に比べて半
導体ウエハ主面への密着性が均一で、複数のチップ5b
のボンディングパッド5cの全てに対して均一な接触圧
で接触させることができ、しかも集積度の増大にも対応
できる。
【0051】D.誤動作の防止.配線16はポリイミド
膜10の上面10bに形成されており、バンプ15が形
成された下面10aと反対側に形成されるため、必要な
ボンディングパッド5c以外のボンディングパッド5c
に接触することは回避できる。したがって、チップ5b
の集積度が増大し、バンプ15に要求される集積度が増
大しても、誤動作が防止され、確実な動作が期待でき
る。
膜10の上面10bに形成されており、バンプ15が形
成された下面10aと反対側に形成されるため、必要な
ボンディングパッド5c以外のボンディングパッド5c
に接触することは回避できる。したがって、チップ5b
の集積度が増大し、バンプ15に要求される集積度が増
大しても、誤動作が防止され、確実な動作が期待でき
る。
【0052】但し、上部圧着板11が導電性物質から成
る場合には上面10bにおいて、望ましくない導通が生
じるおそれがある。したがって、図2に示すように、特
に上部圧着板11において開口部11aが開口されてい
ない領域では、絶縁及びクッションを兼ねてゴム20を
設けることが望ましい。
る場合には上面10bにおいて、望ましくない導通が生
じるおそれがある。したがって、図2に示すように、特
に上部圧着板11において開口部11aが開口されてい
ない領域では、絶縁及びクッションを兼ねてゴム20を
設けることが望ましい。
【0053】E.バーンイン試験.位置合わせが済み、
均一な接触圧でバンプ15をボンディングパッド5cに
圧着させることができた後は、チップ5bのバーンイン
試験を行う。
均一な接触圧でバンプ15をボンディングパッド5cに
圧着させることができた後は、チップ5bのバーンイン
試験を行う。
【0054】図1においてチップ5bはヒータ14によ
って加熱されることができるので、加速試験を行うこと
ができる。
って加熱されることができるので、加速試験を行うこと
ができる。
【0055】ここで、電圧印加装置4からバンプ15を
介して、ボンディングパッド5cに、チップを動作させ
るために必要なパルス信号(ダイナミックバーンイン試
験)または、直流電圧(スタティックバーンイン)が印
加されバーンイン試験が実施される。
介して、ボンディングパッド5cに、チップを動作させ
るために必要なパルス信号(ダイナミックバーンイン試
験)または、直流電圧(スタティックバーンイン)が印
加されバーンイン試験が実施される。
【0056】電圧印加装置は、半導体ウエハ5上の全て
のチップ5bに信号を与えることができるが、チップ5
bをいくつかのグループに分けて、グループごとに信号
を与えるようにしてもよい。
のチップ5bに信号を与えることができるが、チップ5
bをいくつかのグループに分けて、グループごとに信号
を与えるようにしてもよい。
【0057】第2実施例.この発明の第2実施例を説明
するために、図3に半導体ウエハ5近傍の構成図を示
す。簡単のために図1に示された構成のうち、位置合わ
せ及び圧着のための機構は省いている。
するために、図3に半導体ウエハ5近傍の構成図を示
す。簡単のために図1に示された構成のうち、位置合わ
せ及び圧着のための機構は省いている。
【0058】第2実施例ではアライメントマーク34
a,34bは必ずしも必要としない。光学顕微鏡13は
開口部11aを介してボンディングパッド5cとバンプ
15との位置ずれを検出できるからである。
a,34bは必ずしも必要としない。光学顕微鏡13は
開口部11aを介してボンディングパッド5cとバンプ
15との位置ずれを検出できるからである。
【0059】第3実施例.この発明の第3実施例を説明
するために、図4に半導体ウエハ5近傍の構成図を示
す。簡単のために図1に示された構成のうち、位置合わ
せ及び圧着のための機構は省いている。
するために、図4に半導体ウエハ5近傍の構成図を示
す。簡単のために図1に示された構成のうち、位置合わ
せ及び圧着のための機構は省いている。
【0060】第3実施例では、半導体ウエハ5にスクラ
イブを施し、チップ5bを独立させた状態でも適用でき
る。ウエハプロセスを完了した半導体ウエハ5の裏面に
ビニール18を密着させた後、チップ5bはビニール1
8に固定されたままでバーンイン試験が施される。
イブを施し、チップ5bを独立させた状態でも適用でき
る。ウエハプロセスを完了した半導体ウエハ5の裏面に
ビニール18を密着させた後、チップ5bはビニール1
8に固定されたままでバーンイン試験が施される。
【0061】あるいは、図5に示すように、チップ5b
は1個でもビニール18に固定されているため、開口部
11aの下に設けられたバンプ15に適切に位置合わせ
され、圧着されることができる。
は1個でもビニール18に固定されているため、開口部
11aの下に設けられたバンプ15に適切に位置合わせ
され、圧着されることができる。
【0062】第4実施例.この発明の第4実施例を説明
するために、図6に半導体ウエハ5近傍の構成図を示
す。簡単のために図1に示された構成のうち、位置合わ
せ及び圧着のための機構は省いている。
するために、図6に半導体ウエハ5近傍の構成図を示
す。簡単のために図1に示された構成のうち、位置合わ
せ及び圧着のための機構は省いている。
【0063】第4実施例においては、ボンディングパッ
ド5cに対する機械的ダメージを小さくするために、バ
ンプ15は異方性導電膜17を介してボンディングパッ
ド5cに圧着される。この異方性導電膜17は可撓性を
有し、その厚さ方向に良好な導電性を有し、厚さ方向と
直角な方向には導電性を有さないものである。したがっ
て、バンプ15とボンディングパッド5cとは良好に導
通し、かつ異なるバンプ15同士が好ましくない短絡を
生じさせることもない。
ド5cに対する機械的ダメージを小さくするために、バ
ンプ15は異方性導電膜17を介してボンディングパッ
ド5cに圧着される。この異方性導電膜17は可撓性を
有し、その厚さ方向に良好な導電性を有し、厚さ方向と
直角な方向には導電性を有さないものである。したがっ
て、バンプ15とボンディングパッド5cとは良好に導
通し、かつ異なるバンプ15同士が好ましくない短絡を
生じさせることもない。
【0064】異方性導電膜17としては、図7にその断
面が示されるように、母材として絶縁材であるシリコー
ンゴム17aに極めて多数の導電繊維17bを厚み方向
に配向した状態で埋め込んだものが知られている。
面が示されるように、母材として絶縁材であるシリコー
ンゴム17aに極めて多数の導電繊維17bを厚み方向
に配向した状態で埋め込んだものが知られている。
【0065】ボンディングパッド5cに対する機械的ダ
メージを小さくするためには、バンプ15として有機物
質に導電性物質を含ませた材料から凸型に形成したもの
を用いてもよい。
メージを小さくするためには、バンプ15として有機物
質に導電性物質を含ませた材料から凸型に形成したもの
を用いてもよい。
【0066】第5実施例.この発明の第5実施例を説明
するために、図8に半導体ウエハ5近傍の構成図を示
す。簡単のために図1に示された構成のうち、位置合わ
せ及び圧着のための機構は省いている。
するために、図8に半導体ウエハ5近傍の構成図を示
す。簡単のために図1に示された構成のうち、位置合わ
せ及び圧着のための機構は省いている。
【0067】第5実施例においては、上部圧着板11及
びポリイミド膜10の替わりに、スルーホール21aが
開口されたガラス製上部圧着板21を用いている。バン
プ15及び配線16は、それぞれガラス製上部圧着板2
1の上面及び下面において形成され、両者はスルーホー
ル21aを介して互いに接続されている。
びポリイミド膜10の替わりに、スルーホール21aが
開口されたガラス製上部圧着板21を用いている。バン
プ15及び配線16は、それぞれガラス製上部圧着板2
1の上面及び下面において形成され、両者はスルーホー
ル21aを介して互いに接続されている。
【0068】ガラス製上部圧着板21は透明なため、特
に位置合わせのための開口部を設けなくてもバンプ15
とチップ5bとの位置合わせを行うことができる。
に位置合わせのための開口部を設けなくてもバンプ15
とチップ5bとの位置合わせを行うことができる。
【0069】第6実施例.図9は、本発明の第6実施例
である、ウエハ及びチップの試験装置200の概略を示
す構成図である。位置合わせ及び圧着のための機構は第
1実施例として図1に示された試験装置100と同一で
ある。第6実施例は、加熱機構において第1実施例と異
なる。ヒーター14は用いられず、その替わりに恒温漕
19が設けられている。
である、ウエハ及びチップの試験装置200の概略を示
す構成図である。位置合わせ及び圧着のための機構は第
1実施例として図1に示された試験装置100と同一で
ある。第6実施例は、加熱機構において第1実施例と異
なる。ヒーター14は用いられず、その替わりに恒温漕
19が設けられている。
【0070】恒温漕19には上部圧着板11、下部圧着
板12、ステージ30が、被測定対象たる半導体ウエハ
5とともに格納され、第1実施例バーンイン試験のため
の加熱もしくは冷却が行われる。
板12、ステージ30が、被測定対象たる半導体ウエハ
5とともに格納され、第1実施例バーンイン試験のため
の加熱もしくは冷却が行われる。
【0071】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の第1
の態様においては試験板と半導体ウエハとの位置合わせ
を容易に行うことができる。
の態様においては試験板と半導体ウエハとの位置合わせ
を容易に行うことができる。
【0072】またこの発明の第2の態様においては、配
線が、必要なボンディングパッド以外のボンディングパ
ッドに接触することが回避できる。
線が、必要なボンディングパッド以外のボンディングパ
ッドに接触することが回避できる。
【0073】またこの発明の第3の態様においては、各
チップのすべてのボンディングパッドに対しても均一な
接触圧で接触電極を圧着させることができる。
チップのすべてのボンディングパッドに対しても均一な
接触圧で接触電極を圧着させることができる。
【0074】よって、この発明にかかるウエハ及びチッ
プの試験装置によれば、組立工程よりも早い段階のウエ
ハプロセスの完了後にウエハ状態でバーンイン試験を行
うことができる。即ち組立工程の前段階で潜在的不良チ
ップを発見してそれを取り除くスクリーニングが可能で
あるから、潜在的不良チップのまま組立る場合に比べ
て、工程面および材料面でコストダウンを図ることがで
きる。また、不良解析が早くなり、ウエハプロセスへの
フィードバックも早くなるので、プロセスラインでのメ
ンテナンスが充実し、歩留まりやスループットの向上を
図ることが期待できる。さらに、新製品開発のスピード
アップにも好影響を与えることができる。
プの試験装置によれば、組立工程よりも早い段階のウエ
ハプロセスの完了後にウエハ状態でバーンイン試験を行
うことができる。即ち組立工程の前段階で潜在的不良チ
ップを発見してそれを取り除くスクリーニングが可能で
あるから、潜在的不良チップのまま組立る場合に比べ
て、工程面および材料面でコストダウンを図ることがで
きる。また、不良解析が早くなり、ウエハプロセスへの
フィードバックも早くなるので、プロセスラインでのメ
ンテナンスが充実し、歩留まりやスループットの向上を
図ることが期待できる。さらに、新製品開発のスピード
アップにも好影響を与えることができる。
【図1】本発明の第1実施例を示す構成図である。
【図2】第1実施例におけるチップ5bの表面近傍の拡
大断面図及び拡大平面図である。
大断面図及び拡大平面図である。
【図3】第2実施例における半導体ウエハ5近傍の構成
図である。
図である。
【図4】第3実施例における半導体ウエハ5近傍の構成
図である。
図である。
【図5】第3実施例における半導体ウエハ5近傍の構成
図である。
図である。
【図6】第4実施例における半導体ウエハ5の主面5a
近傍の拡大断面図である。
近傍の拡大断面図である。
【図7】異方性導電膜17の断面図である。
【図8】第5実施例における半導体ウエハ5近傍の構成
図である。
図である。
【図9】本発明の第6実施例を示す構成図である。
【図10】故障率曲線の特性図である。
【図11】従来のバーンイン試験方法を示す説明図であ
る。
る。
【図12】従来のウエハテストを示す斜視図である。
【図13】従来のウエハテストを示す側面図である。
【図14】問題点を指摘するための説明図である。
【符号の説明】 4 電圧印加装置 5 半導体ウエハ 5a 半導体ウエハの主面 5b チップ 5c ボンディングパッド 10 ポリイミド膜 10a ポリイミド膜の下面 10b ポリイミド膜の上面 10c スルーホール 11 上部圧着板 11a 開口部 12 下部圧着板 13 光学顕微鏡 15 バンプ 16 配線 17 異方性導電膜 18 ビニール 19 恒温槽
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年4月8日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0034
【補正方法】変更
【補正内容】
【0034】この発明の第2の態様において、配線は貫
通孔を介して接触電極と接続されつつ、接触電極が形成
された面と反対側の基板の表面に形成されるため、必要
なボンディングパッド以外のボンディングパッドに接触
することが回避できる。
通孔を介して接触電極と接続されつつ、接触電極が形成
された面と反対側の基板の表面に形成されるため、必要
なボンディングパッド以外のボンディングパッドに接触
することが回避できる。
【手続補正2】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図1
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【手続補正3】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図7
【補正方法】変更
【補正内容】
【図7】
Claims (13)
- 【請求項1】 半導体ウエハの一の主面上に形成された
少なくとも一つのチップを試験する試験装置であって、 (a)前記チップがそれぞれ有するボンディングパッド
の所定のものと鏡像関係となるように配置された接触電
極を有し、少なくとも一部がその厚み方向に透光性を有
する試験板と、 (b)前記試験板を通して前記半導体ウエハを認識し、
前記試験板を前記半導体ウエハに対して相対的に移動さ
せて位置合わせを行う位置合わせ手段と、 (c)前記接触電極を前記ボンディングパッドに対して
均一で、かつ一定の圧力で接触させる圧着手段と、 (d)前記チップに対し、前記接触電極から電気信号を
印加する信号印加手段と、を備えるウエハ及びチップの
試験装置。 - 【請求項2】 前記試験板は、 (a-1) 前記接触電極をその表面に有する透光性の基板を
備える請求項1記載のウエハ及びチップの試験装置。 - 【請求項3】 前記試験板は、 (a-2) 前記基板を介して前記接触電極と反対側に形成さ
れた上部圧着板を更に備える請求項2記載のウエハ及び
チップの試験装置。 - 【請求項4】 前記上部圧着板は、その一部が開口され
ている請求項3記載のウエハ及びチップの試験装置。 - 【請求項5】 前記上部圧着板は、少なくともその一部
が透光性を有する請求項3記載のウエハ及びチップの試
験装置。 - 【請求項6】 前記半導体ウエハの他の主面上に有機膜
が密着され、 前記半導体ウエハの前記有機膜側が載置される下部圧着
板を更に備える、請求項5記載のウエハ及びチップの試
験装置。 - 【請求項7】 前記下部圧着板はその上主面に温度制御
手段を備えた請求項6記載のウエハ及びチップの試験装
置。 - 【請求項8】 前記試験板及び前記半導体ウエハを収納
する恒温槽を更に備えた請求項6記載のウエハ及びチッ
プの試験装置。 - 【請求項9】 前記接触電極は、実質的に凸状の導電性
物質からなる、請求項1記載のウエハ及びチップの試験
装置。 - 【請求項10】 可撓性を有し、その厚さ方向に良好な
導電性を有し、厚さ方向と直角な方向には導電性を有さ
ず、前記接触電極と前記チップの間に介挿される異方性
導電膜を更に備え、 前記接触電極は、それに対向する前記ボンディングパッ
ドと前記異方性導電膜を介して圧着されて導通する、請
求項9記載のウエハ及びチップの試験装置。 - 【請求項11】 前記信号印加手段は、前記接触電極か
ら全てのチップに対して所定の前記電気信号を一斉に印
加する、請求項1記載のウエハ及びチップの試験装置。 - 【請求項12】 半導体ウエハの一の主面上に形成され
た少なくとも一つのチップを試験する試験装置であっ
て、 (a)(a-1)(a-1-1)前記チップがそれぞれ有するボンデ
ィングパッドの所定のものと鏡像関係となるように配置
された接触電極と、(a-1-2)前記接触電極近傍で貫通さ
れた貫通孔と、を有する基板と、(a-2) 前記貫通孔を介
して前記接触電極と接続され、前記接触電極が形成され
た面と反対側の前記基板の表面に形成された配線と、を
有する試験板と、 (b)前記試験板を前記半導体ウエハに対して相対的に
移動させて位置合わせを行う位置合わせ手段と、 (c)前記接触電極を前記ボンディングパッドに対して
均一で、かつ一定の圧力で接触させる圧着手段と、 (d)前記チップに対し、前記接触電極から電気信号を
印加する信号印加手段と、を備えるウエハ及びチップの
試験装置。 - 【請求項13】 半導体ウエハの一の主面上に形成され
た少なくとも一つのチップを試験する試験装置であっ
て、 (a)前記チップがそれぞれ有するボンディングパッド
の所定のものと鏡像関係となるように配置された接触電
極を有する試験板と、 (b)前記試験板を前記半導体ウエハに対して相対的に
移動させて位置合わせを行う位置合わせ手段と、 (c)(c-1) 前記試験板を押す加圧手段と、(c-2) 前記
接触電極に流れる電流を検出する検出手段と、(c-3) 前
記検出手段の検出結果に依って、前記加圧手段が前記試
験板を押す力を制御する制御手段と、(c-4) 前記半導体
ウエハを載置する下部圧着板と、を有し、前記接触電極
を前記ボンディングパッドに対して均一で、かつ一定の
圧力で接触させる圧着手段と、 (d)前記チップに対し、前記接触電極から電気信号を
印加する信号印加手段と、を備えるウエハ及びチップの
試験装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4145459A JPH05340964A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | ウエハ及びチップの試験装置 |
US08/062,538 US5389873A (en) | 1992-06-05 | 1993-05-18 | Pressure contact chip and wafer testing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4145459A JPH05340964A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | ウエハ及びチップの試験装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05340964A true JPH05340964A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15385724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4145459A Pending JPH05340964A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | ウエハ及びチップの試験装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5389873A (ja) |
JP (1) | JPH05340964A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1140626A (ja) * | 1997-07-23 | 1999-02-12 | Sony Corp | バーンイン試験方法およびその装置 |
KR100609709B1 (ko) * | 2004-11-25 | 2006-08-08 | 한국전자통신연구원 | 마이크로 컬럼 정렬 및 접합용 장치 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US5829128A (en) * | 1993-11-16 | 1998-11-03 | Formfactor, Inc. | Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices |
US20020053734A1 (en) | 1993-11-16 | 2002-05-09 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit, and methods of making same |
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