JPH05333539A - Radiation sensitive resin composition - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To obtain a composition excellent in developability, pattern shape, dimensional fidelity and focus allowance by incorporating an alkali-soluble resin and a specified compd. CONSTITUTION:The composition contains an alkali-soluble resin, preferably novolac resin and a compd. shown by the formula, and further contains a compd. having a quinone-azide group when all Ds are hydrogen atom. In the formula, X<1>,... X<9> are the same or different and are hydrogen atom, alkyl, alkenyl or-OD group (where D is hydrogen atom or an org. group having a quinone-diazide group), R is hydrogen atom or alkyl, and at least one among X<1>,... X<9> is -OD group. Resol resin, poly(vinylphenol), its derivative, etc., are used as the alkali- soluble resin as well as novolac resin.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、アルカリ可溶性樹脂を
含有する、高集積度の集積回路製造用レジストとして有
用な感放射線性樹脂組成物に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition containing an alkali-soluble resin and useful as a resist for producing a highly integrated integrated circuit.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来、ポジ型レジストは、高解像度のレ
ジストパターンが得られるため、集積回路の製造に広く
使用されているが、近年における高集積化の進行に伴っ
て、より解像度の高いレジストパターンを形成すること
ができるポジ型レジストが望まれている。即ち、ポジ型
レジストによって微細なレジストパターンを形成するた
めには、露光により形成される潜像をアルカリ性水溶液
からなる現像液で現像する際に、露光部が、ウエハー等
の基材と接している部分（パターンの裾部）まで速やか
に現像されることが必要であるが、従来のポジ型レジス
トでは、形成すべきレジストパターンの線幅が０．８μ
ｍ以下に微細になると、現像性およびパターン形状が十
分とはいえなかった。また、集積度の高い集積回路を製
造するためには、マスクの設計寸法と実際のレジストパ
ターンの寸法との差を少なくしてマスクの設計寸法を忠
実に再現するレジスト、即ち寸法忠実度の高いレジスト
が必要となるが、一般にパターンの線幅が狭くなればな
るほど、マスクの設計寸法と実際のレジストパターンの
寸法との差が大きくなる傾向があり、従来のポジ型レジ
ストでは、必ずしも満足できる寸法忠実度が達成できな
かった。さらに、従来のポジ型レジストは、ステッパー
による露光時にフォーカスがずれると、パターン形状の
変形、現像性の低下、設計線幅との差等が著しくなり、
フォーカス許容性の点でも十分とはいえなかった。2. Description of the Related Art Conventionally, positive resists have been widely used in the manufacture of integrated circuits because a resist pattern of high resolution can be obtained. However, with the progress of high integration in recent years, resists of higher resolution have been obtained. A positive resist capable of forming a pattern is desired. That is, in order to form a fine resist pattern with a positive resist, the exposed portion is in contact with a base material such as a wafer when a latent image formed by exposure is developed with a developer containing an alkaline aqueous solution. It is necessary to develop quickly to the part (the bottom of the pattern), but with the conventional positive resist, the line width of the resist pattern to be formed is 0.8 μm.
When the fineness was less than m, the developability and the pattern shape were not sufficient. Further, in order to manufacture an integrated circuit with a high degree of integration, a resist that faithfully reproduces the design dimension of the mask by reducing the difference between the design dimension of the mask and the dimension of the actual resist pattern, that is, the dimension fidelity is high. Although a resist is required, in general, the narrower the pattern line width, the larger the difference between the mask design size and the actual resist pattern size. Fidelity could not be achieved. Furthermore, in the conventional positive resist, if the focus shifts during the exposure by the stepper, the pattern shape is deformed, the developability is deteriorated, and the difference with the designed line width becomes significant.
It was not enough in terms of focus tolerance.

【０００３】[0003]

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、新規な感放射線性樹脂組成物を提供することに
あり、さらに詳しくは、良好な現像性を有し、パターン
形状に優れるとともに、特に、寸法忠実度並びにフォー
カス許容性に優れたポジ型レジストとして有用な感放射
線性樹脂組成物を提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a novel radiation-sensitive resin composition, and more specifically, it has good developability and an excellent pattern shape, and In particular, it is to provide a radiation-sensitive resin composition useful as a positive resist having excellent dimensional fidelity and focus tolerance.

【０００４】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明によると、前記課
題は、アルカリ可溶性樹脂、および下記一般式（１）According to the present invention, the above-mentioned problems can be solved by using an alkali-soluble resin and the following general formula (1).

【化１】〔一般式（１）において、X¹〜X⁹は同一でも異
なってもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基ま
たは−OD基( 但し、D は水素原子であるかもしくはキノ
ンジアジド基を有する有機基である。）を示し、R は水
素原子またはアルキル基を示す。但し、X¹〜X⁹の少なく
とも１つは−OD基であるものとする。〕で表される化合
物を含有し、且つ一般式（１）の D が全て水素原子で
ある場合には、キノンジアジド基を有する化合物をさら
に含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物によ
り達成される。[In the general formula (1), X ^{1 to} X ⁹ may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group or an -OD group (wherein D is a hydrogen atom or a quinonediazide group). And an R is a hydrogen atom or an alkyl group. However, at least one of X ^{1 to} X ⁹ is an —OD group. And a compound represented by the formula (1) and all D's in the general formula (1) are hydrogen atoms, a radiation-sensitive resin composition characterized by further containing a compound having a quinonediazide group To be done.

【０００５】以下、本発明を具体的に説明するが、これ
により、本発明の目的、構成および効果が明確となるで
あろう。まず、本発明において使用されるアルカリ可溶
性樹脂としては、例えばノボラック樹脂、レゾール樹
脂、ポリ（ビニルフェノール）またはその誘導体、スチ
レン−マレイン酸系重合体、ポリ（ビニルヒドロキシベ
ンゾエート）、カルボキシル基含有アクリル酸系重合
体、カルボキシル基含有メタクリル酸系重合体等を挙げ
ることができる。The present invention will be specifically described below, but the purpose, constitution and effect of the present invention will be clarified by this. First, as the alkali-soluble resin used in the present invention, for example, novolac resin, resole resin, poly (vinylphenol) or its derivative, styrene-maleic acid polymer, poly (vinylhydroxybenzoate), carboxyl group-containing acrylic acid. Examples of the polymer include a carboxyl group-containing methacrylic acid polymer.

【０００６】好ましいアルカリ可溶性樹脂は、ノボラッ
ク樹脂である。特に好ましいノボラック樹脂は、下記式The preferred alkali soluble resin is a novolac resin. A particularly preferred novolac resin has the following formula

【化２】 （ここで、m は１〜３の整数である。）で表されるフェ
ノール類とアルデヒド類とを重縮合することによって得
られるものである。[Chemical 2] (Here, m is an integer of 1 to 3.) It is obtained by polycondensing phenols and aldehydes represented by.

【０００７】前記フェノール類としては、例えばｏ−ク
レゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，３−
キシレノール、２，５−キシレノール、３，４−キシレ
ノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチ
ルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノール等を
挙げることができる。これらのフェノール類は、単独で
または２種以上を組み合わせて用いられる。Examples of the phenols include o-cresol, m-cresol, p-cresol and 2,3-
Examples include xylenol, 2,5-xylenol, 3,4-xylenol, 3,5-xylenol, 2,3,5-trimethylphenol, 3,4,5-trimethylphenol and the like. These phenols are used alone or in combination of two or more.

【０００８】前記フェノール類のうち、ｏ−クレゾー
ル、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，３−キシレ
ノール、２，５−キシレノール、３，４−キシレノー
ル、３，５−キシレノールおよび２，３，５−トリメチ
ルフェノールが好ましい。また、フェノール類の組み合
わせのうち特に好ましいものは、重量比で、ｍ−クレゾ
ール／２，３−キシレノール／ｐ−クレゾール＝９５〜
２０／５〜６０／０〜７５、ｍ−クレゾール／３，５−
キシレノール／ｐ−クレゾール＝９５〜３０／５〜７０
／０〜６５、ｍ−クレゾール／２，３，５−トリメチル
フェノール／ｐ−クレゾール＝９５〜３５／５〜６０／
０〜６０、ｍ−クレゾール／２，３−キシレノール／
３，４−キシレノール＝９５〜３５／５〜８５／０〜６
０、ｍ−クレゾール／２，５−キシレノール／３，５−
キシレノール＝９５〜２５／５〜７０／０〜７０、ｍ−
クレゾール／２，３−キシレノール／２，３，５−トリ
メチルフェノール＝９５〜３５／５〜８５／０〜６０、
ｍ−クレゾール／２，５−キシレノール／２，３，５−
トリメチルフェノール＝９５〜３５／５〜７０／０〜６
０、ｍ−クレゾール／３，４−キシレノール／２，３，
５−トリメチルフェノール＝９５〜３５／５〜５０／０
〜６０、ｍ−クレゾール／３，５−キシレノール／２，
３，５−トリメチルフェノール＝９５〜３５／５〜７０
／０〜６０、ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝９０〜
３０／１０〜７５等からなるものである。Of the above phenols, o-cresol, m-cresol, p-cresol, 2,3-xylenol, 2,5-xylenol, 3,4-xylenol, 3,5-xylenol and 2,3,5. -Trimethylphenol is preferred. Further, a particularly preferable combination of phenols is, by weight ratio, m-cresol / 2,3-xylenol / p-cresol = 95-
20 / 5-60 / 0-75, m-cresol / 3,5-
Xylenol / p-cresol = 95-30 / 5-70
/ 0-65, m-cresol / 2,3,5-trimethylphenol / p-cresol = 95-35 / 5-60 /
0-60, m-cresol / 2,3-xylenol /
3,4-xylenol = 95-35 / 5-85 / 0-6
0, m-cresol / 2,5-xylenol / 3,5-
Xylenol = 95-25 / 5-70 / 0-70, m-
Cresol / 2,3-xylenol / 2,3,5-trimethylphenol = 95-35 / 5-85 / 0-60,
m-cresol / 2,5-xylenol / 2,3,5-
Trimethylphenol = 95-35 / 5-70 / 0-6
0, m-cresol / 3,4-xylenol / 2,3,
5-trimethylphenol = 95-35 / 5-50 / 0
~ 60, m-cresol / 3,5-xylenol / 2,
3,5-Trimethylphenol = 95-35 / 5-70
/ 0-60, m-cresol / p-cresol = 90-
It is composed of 30/10 to 75 etc.

【０００９】また、前記フェノール類と重縮合させるア
ルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、トリオ
キサン、パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、ア
セトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニルアセト
アルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フ
ェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアル
デヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、
ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデ
ヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズ
アルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メチル
ベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−
メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒ
ド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール等
が好ましく、これらのうち、特にホルムアルデヒドが好
ましい。Examples of the aldehydes to be polycondensed with the phenols include formaldehyde, trioxane, paraformaldehyde, benzaldehyde, acetaldehyde, propylaldehyde, phenylacetaldehyde, α-phenylpropylaldehyde, β-phenylpropylaldehyde, o-hydroxy. Benzaldehyde, m-hydroxybenzaldehyde, p-hydroxybenzaldehyde, o-chlorobenzaldehyde,
m-chlorobenzaldehyde, p-chlorobenzaldehyde, o-nitrobenzaldehyde, m-nitrobenzaldehyde, p-nitrobenzaldehyde, o-methylbenzaldehyde, m-methylbenzaldehyde, p-
Methylbenzaldehyde, p-ethylbenzaldehyde, pn-butylbenzaldehyde, furfural and the like are preferable, and of these, formaldehyde is particularly preferable.

【００１０】アルデヒドとしてホルムアルデヒドを使用
する場合のホルムアルデヒド発生源としては、例えばホ
ルマリン、トリオキサン、パラホルムアルデヒド、およ
びメチルヘミホルマール、エチルヘミホルマール、プロ
ピルヘミホルマール、ブチルヘミホルマール、フェニル
ヘミホルマール等のヘミホルマール類を挙げることがで
きる。これらのうち、ホルマリンおよびブチルヘミホル
マールが特に好ましい。When formaldehyde is used as the aldehyde, examples of the formaldehyde source include formalin, trioxane, paraformaldehyde, and hemiformals such as methyl hemiformal, ethyl hemiformal, propyl hemiformal, butyl hemiformal, and phenyl hemiformal. Can be mentioned. Of these, formalin and butyl hemiformal are particularly preferred.

【００１１】前記アルデヒド類は単独でまたは２種以上
を組み合わせて使用することができる。アルデヒド類の
使用量は、フェノール類１モルに対して、０．７〜３モ
ルが好ましい。The aldehydes can be used alone or in combination of two or more. The amount of aldehydes used is preferably 0.7 to 3 mol per mol of phenols.

【００１２】前記フェノール類とアルデヒド類との重縮
合には、通常、酸性触媒が使用される。この酸性触媒と
しては、例えば塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢
酸等を挙げることができる。これらの酸性触媒の使用量
は、通常、フェノール類１モルに対して１×１０^-5〜５
×１０^-1モルである。An acid catalyst is usually used for the polycondensation of the phenols and the aldehydes. Examples of the acidic catalyst include hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, formic acid, oxalic acid, acetic acid and the like. The amount of these acidic catalysts used is usually 1 × 10 ^{−5 to} 5 per mol of phenols.
× 10 ^-1 mol.

【００１３】フェノール類とアルデヒド類との重縮合に
際しては、通常、水が反応媒質として使用されるが、用
いられるフェノール類がアルデヒド類の水溶液に溶解せ
ず、反応初期から不均一系となる場合は、親水性溶媒を
反応媒質として使用することもできる。この親水性溶媒
としては、例えばメタノール、エタノール、プロパノー
ル、ブタノール等のアルコール類、およびテトラヒドロ
フラン、ジオキサン等の環状エーテル類が挙げられる。
これらの反応媒質の使用量は、通常、反応原料１００重
量部当たり２０〜１，０００重量部である。In the polycondensation of phenols and aldehydes, water is usually used as the reaction medium, but when the phenols used do not dissolve in the aqueous solution of aldehydes and become a heterogeneous system from the beginning of the reaction. It is also possible to use hydrophilic solvents as reaction medium. Examples of the hydrophilic solvent include alcohols such as methanol, ethanol, propanol and butanol, and cyclic ethers such as tetrahydrofuran and dioxane.
The amount of these reaction media used is usually 20 to 1,000 parts by weight per 100 parts by weight of the reaction raw material.

【００１４】フェノール類とアルデヒド類との重縮合温
度は、反応原料の反応性に応じて適宜調節されるが、通
常１０〜２００°Ｃである。The polycondensation temperature of the phenols and the aldehydes is appropriately adjusted depending on the reactivity of the reaction raw materials, but is usually 10 to 200 ° C.

【００１５】フェノール類とアルデヒド類との重縮合方
法としては、フェノール類、アルデヒド類、酸性触媒等
を一括して仕込み反応させる方法、酸性触媒の存在下で
フェノール類、アルデヒド類等を徐々に添加しながら反
応させる方法等を採用することができる。As the polycondensation method of phenols and aldehydes, phenols, aldehydes, acidic catalysts and the like are charged all at once and reacted, or phenols, aldehydes and the like are gradually added in the presence of an acidic catalyst. While reacting, a method or the like can be adopted.

【００１６】重縮合反応の終了後、反応系内に存在する
未反応原料、酸性触媒、反応媒質等を除去するために、
一般的には、反応系を１３０〜２３０°Ｃに昇温させ、
減圧下、例えば２０〜５０ｍｍＨｇ程度の圧力下で揮発
分を除去して、生成したノボラック樹脂を回収する。After completion of the polycondensation reaction, in order to remove unreacted raw materials, acidic catalyst, reaction medium, etc. present in the reaction system,
Generally, the reaction system is heated to 130-230 ° C,
Volatile components are removed under reduced pressure, for example, under a pressure of about 20 to 50 mmHg, and the produced novolac resin is recovered.

【００１７】本発明において使用するアルカリ可溶性樹
脂のポリスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」
という。）は、従来から感放射線性樹脂組成物に使用さ
れているアルカリ可溶性樹脂の分子量の範囲から適宜選
定することができるが、２，０００〜２０，０００であ
ることが好ましく、さらに好ましくは３，０００〜２
０，０００である（以下、Ｍｗが３，０００〜２０，０
００の範囲内にあるアルカリ可溶性樹脂を「樹脂
（Ａ）」という）。Ｍｗが２０，０００を超えると、本
発明の組成物を基材上に均一に塗布することが困難とな
る場合があり、また現像性および感度が低下する傾向が
みられる。一方、Ｍｗが２，０００未満では、耐熱性が
低下する傾向を示す。特に、高分子量のノボラック樹脂
が望ましい場合は、前記重縮合反応によって得られたノ
ボラック樹脂を、エチレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート、ジオキサン、メタノール、酢酸エチル等
の良溶媒に溶解したのち、水、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプ
タン等の貧溶媒を混合して、析出したノボラック樹脂を
溶液層から分離することにより、分画された高分子量の
ノボラック樹脂を回収すればよい。The weight average molecular weight in terms of polystyrene (hereinafter referred to as "Mw") of the alkali-soluble resin used in the present invention.
That. ) Can be appropriately selected from the range of the molecular weight of the alkali-soluble resin conventionally used in the radiation-sensitive resin composition, but it is preferably 2,000 to 20,000, more preferably 3, 000-2
50,000 (hereinafter, Mw is 3,000 to 20,0)
Alkali-soluble resin in the range of 00 is referred to as "resin (A)"). If the Mw exceeds 20,000, it may be difficult to uniformly apply the composition of the present invention onto the substrate, and the developability and sensitivity tend to be lowered. On the other hand, when Mw is less than 2,000, heat resistance tends to decrease. In particular, when a high molecular weight novolac resin is desired, the novolac resin obtained by the polycondensation reaction is dissolved in a good solvent such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, dioxane, methanol or ethyl acetate, and then water or n-hexane is used. , N-heptane or the like may be mixed and the precipitated novolak resin may be separated from the solution layer to recover the fractionated high molecular weight novolak resin.

【００１８】さらに、本発明においては、低分子量のフ
ェノール化合物をアルカリ可溶性樹脂と組み合わせて使
用することもでき、それにより、アルカリ可溶性樹脂の
アルカリ溶解性が改善される。この低分子量のフェノー
ル化合物としては、特に限定されるものではないが、ベ
ンゼン環数が２〜６程度のものが好ましい。その具体例
としては、下記式で表される化合物を挙げることができ
る。Further, in the present invention, a low molecular weight phenol compound may be used in combination with an alkali-soluble resin, whereby the alkali solubility of the alkali-soluble resin is improved. The low molecular weight phenol compound is not particularly limited, but preferably has a benzene ring number of about 2 to 6. Specific examples thereof include compounds represented by the following formula.

【化３】 、[Chemical 3] ,

【化４】 、[Chemical 4] ,

【化５】 、[Chemical 5] ,

【化６】 、[Chemical 6] ,

【化７】 、[Chemical 7] ,

【化８】 、[Chemical 8] ,

【化９】 、[Chemical 9] ,

【化１０】 〔ここで、ａ、ｂおよびｃはそれぞれ０〜３の整数であ
り（但し、ａ、ｂおよびｃが同時に０となることはな
い）、ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ０〜３の整数であ
る。〕これらの低分子量のフェノール化合物の使用量
は、通常、アルカリ可溶性樹脂１００重量部当たり、５
０重量部以下である。[Chemical 10] [Here, a, b and c are each an integer of 0 to 3 (however, a, b and c are not 0 at the same time), and x, y and z are each an integer of 0 to 3] .. ] The amount of these low molecular weight phenol compounds used is usually 5 per 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.
It is 0 parts by weight or less.

【００１９】また本発明において、特に樹脂（Ａ）を用
いる場合は、低分子量のアルカリ可溶性ノボラック樹脂
および／またはアルカリ可溶性レゾール樹脂（以下これ
らを「樹脂（Ｂ）」という。）を併用することもでき
る。In the present invention, particularly when the resin (A) is used, a low molecular weight alkali-soluble novolac resin and / or an alkali-soluble resole resin (hereinafter referred to as "resin (B)") may be used in combination. it can.

【００２０】前記樹脂（Ｂ）は、フェノール類とアルデ
ヒド類との重縮合によって得られるものであるが、該フ
ェノール類としては、前記アルカリ可溶性樹脂のノボラ
ック樹脂について挙げたもの、並びにフェノール、１−
ナフトール、２−ナフトール等の他のフェノール類を使
用することができる。また該アルデヒド類としては、前
記ノボラック樹脂について挙げたものを使用することが
できる。このアルデヒド類の使用量は、通常、フェノー
ル類１モルに対して０．２〜０．８モルである。この重
縮合反応には、前記ノボラック樹脂の製造に使用される
ような酸性触媒のほか、塩基性触媒も使用することがで
きる。The resin (B) is obtained by polycondensation of phenols and aldehydes. As the phenols, those mentioned for the novolak resin of the alkali-soluble resin, phenol, 1-
Other phenols such as naphthol, 2-naphthol can be used. Further, as the aldehydes, those listed for the novolak resin can be used. The amount of the aldehydes used is usually 0.2 to 0.8 mol per mol of the phenols. In this polycondensation reaction, a basic catalyst can be used in addition to the acidic catalyst used in the production of the novolak resin.

【００２１】このような樹脂（Ｂ）の具体例としては、
フェノール／ホルムアルデヒド重縮合樹脂、ｏ−クレゾ
ール／ホルムアルデヒド重縮合樹脂、ｍ−クレゾール／
ホルムアルデヒド重縮合樹脂、ｐ−クレゾール／ホルム
アルデヒド重縮合樹脂、ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾー
ル／ホルムアルデヒド重縮合樹脂等を挙げることができ
る。Specific examples of such a resin (B) include:
Phenol / formaldehyde polycondensation resin, o-cresol / formaldehyde polycondensation resin, m-cresol /
Examples thereof include formaldehyde polycondensation resin, p-cresol / formaldehyde polycondensation resin, m-cresol / p-cresol / formaldehyde polycondensation resin and the like.

【００２２】樹脂（Ｂ）のＭｗは、通常２００〜１，５
００であり、好ましくは３００〜１，０００である。The Mw of the resin (B) is usually 200 to 1,5.
00, and preferably 300 to 1,000.

【００２３】樹脂（Ｂ）の配合量は、通常、樹脂（Ａ）
１００重量部に対して、５０重量部以下である。The amount of the resin (B) compounded is usually the resin (A).
It is 50 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight.

【００２４】次に、一般式（１）で表される化合物にお
いて、X¹〜X⁹は同一でも異なってもよく、水素原子、ア
ルキル基、アルコキシ基または−OD基( 但し、D は水素
原子であるかもしくはキノンジアジド基を有する有機基
である。）を示すが、X¹〜X⁹の少なくとも１つ、好まし
くは１〜４つは−OD基でなければならない。X¹〜X⁹のう
ち、アルキル基としては炭素数４以下のものが好まし
く、その例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等
を挙げることができる。また、アルコキシ基としては炭
素数４以下のものが好ましく、その例としては、メトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等を挙げ
ることができる。また、−OD基におけるD のうち、キノ
ンジアジド基を有する有機基としては、例えば１，２−
ベンゾキノンジアジド−４−スルホニル基、１，２−ナ
フトキノンジアジド−４−スルホニル基、１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホニル基、１，２−ナフト
キノンジアジド−６−スルホニル基、２，１−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホニル基、２，１−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホニル基等のキノンジアジドスル
ホニル基が好ましい。そのうち、特に１，２−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホニル基、１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホニル基等の１，２−ナフトキノ
ンジアジドスルホニル基が好ましい。また、一般式
（１）で表される化合物において、R は水素原子または
アルキル基を示すが、このアルキル基の例としては、前
記X¹〜X⁹の場合と同様のものを挙げることができる。Next, in the compound represented by the general formula (1), X ^{1 to} X ⁹ may be the same or different, and a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group or an -OD group (where D is a hydrogen atom) Or an organic group having a quinonediazide group), but at least one, preferably 1 to 4 of X ^{1 to} X ⁹ must be an -OD group. Of X ^{1 to} X ⁹ , the alkyl group is preferably one having 4 or less carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group and the like. Can be mentioned. The alkoxy group preferably has 4 or less carbon atoms, and examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. In addition, as the organic group having a quinonediazide group among D in the -OD group, for example, 1,2-
Benzoquinonediazide-4-sulfonyl group, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl group, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group, 1,2-naphthoquinonediazide-6-sulfonyl group, 2,1-naphthoquinonediazide A quinonediazidesulfonyl group such as a -4-sulfonyl group and a 2,1-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group is preferable. Among them, a 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl group, a 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group and a 1,2-naphthoquinonediazidesulfonyl group are particularly preferable. Further, in the compound represented by the general formula (1), R represents a hydrogen atom or an alkyl group, and examples of the alkyl group include the same ones as in the case of the above X ^{1 to} X ^9. ..

【００２５】一般式（１）で表される化合物において、
D が水素原子であるとき、即ち前記OD基が水酸基である
化合物（以下、「化合物（ａ）」という。）の具体例と
しては、下記式で表される化合物を挙げることができ
る。In the compound represented by the general formula (1),
Specific examples of the compound in which D 2 is a hydrogen atom, that is, the OD group is a hydroxyl group (hereinafter, referred to as “compound (a)”) include compounds represented by the following formulas.

【化１１】 、[Chemical 11] ,

【化１２】 、[Chemical formula 12] ,

【化１３】 、[Chemical 13] ,

【化１４】 、[Chemical 14] ,

【化１５】 、[Chemical 15] ,

【化１６】 、[Chemical 16] ,

【化１７】 、[Chemical 17] ,

【化１８】 、[Chemical 18] ,

【化１９】 、[Chemical 19] ,

【化２０】 、[Chemical 20] ,

【化２１】 、[Chemical 21] ,

【化２２】 、[Chemical formula 22] ,

【化２３】 、[Chemical formula 23] ,

【化２４】 、[Chemical formula 24] ,

【化２５】 、[Chemical 25] ,

【化２６】 、[Chemical formula 26] ,

【化２７】 、[Chemical 27] ,

【化２８】 [Chemical 28]

【００２６】前記化合物（ａ）は、例えばフェノール類
とケイ皮酸類とを酸性触媒の存在下で反応させる方法や
ＳＹＮＴＨＥＴＩＣ ＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮ，１
７（６），７２３−７２７（１９８７）の示されるよう
なフェノール類とベンズアルデヒド類およびメルドラム
酸とを塩基性触媒の存在下で反応させる方法によって製
造することができる。ここにおけるフェノール類として
は、レゾルシノール、カテコール、ハイドロキノン、２
−メチルレゾルシノール、メチルハイドロキノン、フロ
ログリシノール、ピロガロール、ヒドロキシハイドロキ
ノン等が好ましい。The compound (a) can be obtained by, for example, reacting phenols with cinnamic acids in the presence of an acidic catalyst, or SYNTHETIC COMMUNICATION, 1
7 (6), 723-727 (1987), and a method of reacting a phenol with a benzaldehyde and Meldrum's acid in the presence of a basic catalyst. Phenols used here include resorcinol, catechol, hydroquinone, and 2
-Methylresorcinol, methylhydroquinone, phlorogricinol, pyrogallol, hydroxyhydroquinone and the like are preferable.

【００２７】一般式（１）で表される化合物において、
D の一部または全部がキノンジアジド基を有する有機基
であるもの( 以下、「化合物（ｂ）」という。）として
は、D が水素原子である化合物（ａ）の１，２−ナフト
キノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、１，２
−ナフトキノンジアジド−６−スルホン酸エステル、
２，１−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、２，１−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エ
ステル、１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン
酸エステル等を挙げることができる。これらのうち、好
ましい化合物は、１，２−ナフトキノンジアジド−４−
スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル等の１，２−キノンジアジドス
ルホン酸エステルである。In the compound represented by the general formula (1),
A compound in which a part or all of D is an organic group having a quinonediazide group (hereinafter referred to as "compound (b)") includes 1,2-naphthoquinonediazide-4 of compound (a) in which D is a hydrogen atom. -Sulfonic acid ester, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 1,2
-Naphthoquinonediazide-6-sulfonic acid ester,
Examples thereof include 2,1-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,1-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, and 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid ester. Of these, preferred compounds are 1,2-naphthoquinonediazide-4-
Sulfonate, 1,2-naphthoquinonediazide-
1,2-quinonediazide sulfonic acid ester such as 5-sulfonic acid ester.

【００２８】前記化合物（ｂ）は、例えば化合物（ａ）
と１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロ
リド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル
クロリド等のキノンジアジドスルホニルハライドとを、
塩基性触媒の存在下でエステル化反応させることにより
得ることができる。この場合の化合物（ａ）とキノンジ
アジドスルホニルハライドとの反応割合は、化合物
（ａ）のフェノール性水酸基１グラム当量当たり、キノ
ンジアジドスルホニルハライドが０．２〜１モルである
のが好ましく、特に好ましくは０．４〜１モルである。The compound (b) is, for example, the compound (a).
And 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride and other quinonediazidesulfonyl halides,
It can be obtained by carrying out an esterification reaction in the presence of a basic catalyst. In this case, the reaction ratio between the compound (a) and the quinonediazidesulfonyl halide is preferably 0.2 to 1 mol of the quinonediazidesulfonyl halide per 1 gram equivalent of the phenolic hydroxyl group of the compound (a), particularly preferably 0. 4 to 1 mol.

【００２９】本発明においては、一般式（１）で表され
る化合物は、単独でまたは２種以上を組み合わせて使用
される。その使用量は、通常、アルカリ可溶性樹脂１０
０重量部に対して、５〜５０重量部であり、特に１０〜
３０重量部が好ましい。このように一般式（１）で表さ
れる化合物を配合することにより、現像時のスカムの発
生や現像残りが低減される結果、現像性に優れ、またパ
ターン形状、寸法忠実度およびフォーカス許容性が改善
される。In the present invention, the compound represented by the general formula (1) is used alone or in combination of two or more kinds. The amount used is usually 10
5 to 50 parts by weight, especially 10 to 0 parts by weight
30 parts by weight is preferred. By thus compounding the compound represented by the general formula (1), generation of scum during development and residual development are reduced, resulting in excellent developability, pattern shape, dimensional fidelity and focus tolerance. Is improved.

【００３０】本発明において、化合物（ｂ）を使用しな
い場合は、化合物（ｂ）以外のキノンジアジド基を有す
る化合物（以下、「化合物（ｃ）」という。）を配合す
ることが必要である。化合物（ｃ）としては、１，２−
ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、
１，２−ナフトキノンジアジド−６−スルホン酸エステ
ル、２，１−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エ
ステル、２，１−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸エステル、１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル等を挙げることができ、１，２−ナフト
キノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等の１，
２−キノンジアジドスルホン酸エステルが好ましい。こ
れらの化合物（ｃ）は、化合物（ｂ）を使用する場合に
も配合することができる。In the present invention, when the compound (b) is not used, it is necessary to add a compound having a quinonediazide group other than the compound (b) (hereinafter referred to as "compound (c)"). As the compound (c), 1,2-
Naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 1,
2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester,
1,2-naphthoquinonediazide-6-sulfonic acid ester, 2,1-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,1-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid ester Examples thereof include 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester.
2-quinonediazide sulfonic acid ester is preferred. These compounds (c) can be blended also when using the compound (b).

【００３１】化合物（ｃ）の具体例としては、２，３，
４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′
−テトラヒドロキシベンゾフェノン、３′−メトキシ−
２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，２′，５，５′−テトラメチル−２″，４，４′−
トリヒドロキシトリフェニルメタン、１，１，１−トリ
ス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−４′−［１−（４−ヒド
ロキシフェニル）−１−メチルエチル］−１−フェニル
エタン、２，４，４−トリメチル−２′，４′，７−ト
リヒドロキシ−２−フェニルフラバン等のフェノール性
水酸基含有化合物の１，２−ナフトキノンジアジド−４
−スルホン酸エステルあるいは１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸エステル、並びに前記樹脂
（Ｂ）の水酸基の水素原子を、例えば該水素原子１グラ
ム当量当たり０．２〜１モル、好ましくは０．４〜１モ
ルの割合で、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホニル基で置換した１，２−キノンジアジド−５−スル
ホン酸エステルを挙げることができる。Specific examples of the compound (c) include 2,3
4-trihydroxybenzophenone, 2,3,4,4 '
-Tetrahydroxybenzophenone, 3'-methoxy-
2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone,
2,2 ', 5,5'-tetramethyl-2 ", 4,4'-
Trihydroxytriphenylmethane, 1,1,1-tris (4-hydroxyphenyl) ethane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -4 ′-[1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl ] 1,2-naphthoquinonediazide-4, which is a compound containing a phenolic hydroxyl group such as 1-phenylethane and 2,4,4-trimethyl-2 ', 4', 7-trihydroxy-2-phenylflavan
-Sulfonic acid ester or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, and the hydrogen atom of the hydroxyl group of the resin (B) are, for example, 0.2 to 1 mol, preferably 0. An example is 1,2-quinonediazide-5-sulfonic acid ester substituted with a 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group at a ratio of 4 to 1 mol.

【００３２】本発明における化合物（ｃ）の配合量は、
アルカリ可溶性樹脂１００重量部に対して、好ましくは
１００重量部以下、さらに好ましくは５〜５０重量部で
ある。The compounding amount of the compound (c) in the present invention is
The amount is preferably 100 parts by weight or less, more preferably 5 to 50 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.

【００３３】以上のように、本発明の組成物には、化合
物（ｂ）および／または化合物（ｃ）が含有されるが、
本発明の組成物中におけるキノンジアジド基を有する成
分、即ち化合物（ｂ）および化合物（ｃ）の合計量は、
組成物の現像特性、レジストパターンの特性等を考慮し
て適宜選定される。組成物の固形分中のキノンジアジド
基の含有率は、好ましくは５〜３５重量％、さらに好ま
しくは１０〜２０重量％である。As described above, the composition of the present invention contains the compound (b) and / or the compound (c),
The total amount of the component having a quinonediazide group, that is, the compound (b) and the compound (c) in the composition of the present invention is
It is appropriately selected in consideration of the developing characteristics of the composition and the characteristics of the resist pattern. The content of the quinonediazide group in the solid content of the composition is preferably 5 to 35% by weight, more preferably 10 to 20% by weight.

【００３４】さらに、本発明の組成物には、場合によ
り、増感剤、界面活性剤等の各種添加剤を配合すること
ができる。前記増感剤は、レジストの放射線に対する感
度を向上させるものであり、その例としては、２Ｈ−ピ
リド−（３，２−ｂ）−１，４−オキサジン−３（４
Ｈ）−オン類、１０Ｈ−ピリド−（３，２−ｂ）−１，
４−ベンゾチアジン類、ウラゾール類、ヒダントイン
類、パルビツール酸類、グリシン無水物類、１−ヒドロ
キシベンゾトリアゾール類、アロキサン類、マレイミド
類等を挙げることができる。これらの増感剤の配合量
は、アルカリ可溶性樹脂１００重量部に対して、好まし
くは５０重量部以下である。Further, various additives such as a sensitizer and a surfactant can be optionally added to the composition of the present invention. The sensitizer improves the sensitivity of the resist to radiation, and examples thereof include 2H-pyrido- (3,2-b) -1,4-oxazine-3 (4.
H) -ones, 10H-pyrido- (3,2-b) -1,
4-benzothiazines, urazoles, hydantoins, parbituric acids, glycine anhydrides, 1-hydroxybenzotriazoles, alloxans, maleimides and the like can be mentioned. The blending amount of these sensitizers is preferably 50 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.

【００３５】また前記界面活性剤は、塗布性や現像性等
を改良する作用を有し、その例としては、ポリオキシエ
チレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイル
エーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテ
ル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリ
エチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコ
ールジステアレート等のノニオン系界面活性剤のほか、
オルガノポリシロキサンポリマーであるＫＰ３４１（商
品名、信越化学工業製）、アクリル酸系またはメタクリ
ル酸系重合体であるポリフローＮｏ．７５、Ｎｏ．９５
（商品名、共栄社油脂化学工業製）、およびエフトップ
ＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（商品名、新秋田
化成製）、メガファックスＦ１７１、Ｆ１７２、Ｆ１７
３（商品名、大日本インキ製）、フロラードＦＣ４３
０、ＦＣ４３１（商品名、住友スリーエム製）、アサヒ
ガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ−１０
１、ＳＣ−１０２、ＳＣ−１０３、ＳＣ−１０４、ＳＣ
−１０５、ＳＣ−１０６（商品名、旭硝子製）等のフッ
素系界面活性剤が挙げられる。これらの界面活性剤の配
合量は、組成物の固形分１００重量部に対して、好まし
くは２重量部以下である。The above-mentioned surfactant has an effect of improving the coatability and developability, and examples thereof include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octylphenyl ether and polyoxy. In addition to nonionic surfactants such as ethylene nonyl phenyl ether, polyethylene glycol dilaurate, polyethylene glycol distearate,
KP341 (trade name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) which is an organopolysiloxane polymer, and Polyflow No. which is an acrylic acid-based or methacrylic acid-based polymer. 75, No. 95
(Trade name, manufactured by Kyoeisha Yushi Kagaku Kogyo Co., Ltd.), and F-top EF301, EF303, EF352 (trade name, manufactured by Shin-Akita Kasei), Megafax F171, F172, F17.
3 (trade name, made by Dainippon Ink), Florard FC43
0, FC431 (trade name, manufactured by Sumitomo 3M), Asahi Guard AG710, Surflon S-382, SC-10
1, SC-102, SC-103, SC-104, SC
Fluorine-based surfactants such as -105 and SC-106 (trade name, manufactured by Asahi Glass) can be mentioned. The content of these surfactants is preferably 2 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the solid content of the composition.

【００３６】さらに、本発明の組成物には、染料、顔
料、接着助剤、保存安定剤、消泡剤等を配合することも
できる。Further, the composition of the present invention may contain a dye, a pigment, an adhesion aid, a storage stabilizer, an antifoaming agent and the like.

【００３７】本発明の組成物を使用してレジストパター
ンを形成する際には、アルカリ可溶性樹脂、化合物
（ａ）、化合物（ｂ）および／または（ｃ）、並びに必
要に応じて配合される前記各種添加剤を、例えば固形分
濃度が２０〜４０重量％となるように溶剤に溶解し、孔
径０．２μｍ程度のフィルターで濾過することにより、
溶液として調製される。したがって、本発明の組成物
は、１つの態様においては、アルカリ可溶性樹脂、化
合物（ａ）、化合物（ｂ）および／または（ｃ）、並び
に必要に応じて配合される前記各種添加剤からなる組成
物を意味し、また他の態様においては、前記の組成
物を溶剤に溶解した溶液を意味するものであることは、
理解されなければならない。When a resist pattern is formed using the composition of the present invention, an alkali-soluble resin, compound (a), compound (b) and / or (c), and if necessary, the above-mentioned components are added. For example, various additives are dissolved in a solvent so that the solid content concentration becomes 20 to 40% by weight, and filtered with a filter having a pore size of about 0.2 μm.
Prepared as a solution. Therefore, the composition of the present invention is, in one aspect, a composition comprising an alkali-soluble resin, a compound (a), a compound (b) and / or (c), and the above-mentioned various additives optionally blended. And in another embodiment, a solution of the above composition in a solvent,
Must be understood.

【００３８】この溶液の調製に用いられる溶剤として
は、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコー
ルモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテ
ルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケト
ン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノ
ン、シクロヘキサノン、２−ヒドロキシプロピオン酸エ
チル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチ
ル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−
ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、３−メトキシプロ
ピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３
−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等を挙げるこ
とができる。さらに、これらの溶剤は、Ｎ−メチルホル
ムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル
ホルムアニリド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチル
スルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエ
ーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン
酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、
ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、
シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラ
クトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、エチレングリ
コールモノフェニルエーテルアセテート等の高沸点溶剤
と併用することもできる。The solvent used for preparing this solution is, for example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol. Monomethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, cyclohexanone, ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethoxy. Ethyl acetate, ethyl hydroxyacetate, 2-
Methyl hydroxy-3-methylbutyrate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, 3
-Ethyl ethoxypropionate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate and the like can be mentioned. Further, these solvents include N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylformanilide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethylsulfoxide, benzylethylether, dihexyl. Ether, acetonylacetone, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol,
Benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate,
It can be used in combination with a high boiling point solvent such as diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, ethylene glycol monophenyl ether acetate.

【００３９】溶液として調製された本発明の組成物は、
回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の塗布方法により、
例えばシリコンウエハー、アルミニウムで被覆されたウ
エハー等の基板上に塗布されて感放射線性層を形成し、
所定のマスクパターンを介して放射線を照射し、現像液
で現像することによって、パターンを形成する。本発明
の組成物をポジ型レジストとして使用する際には、基板
上に塗布後、予備焼成および放射線照射を行なったの
ち、７０〜１４０°Ｃで加熱処理する操作を行い、その
後現像することによって、本発明の効果をさらに向上さ
せることができる。The composition of the present invention prepared as a solution is
By coating method such as spin coating, cast coating, roll coating,
For example, a radiation-sensitive layer is formed by coating on a substrate such as a silicon wafer or a wafer coated with aluminum,
A pattern is formed by irradiating radiation through a predetermined mask pattern and developing with a developing solution. When the composition of the present invention is used as a positive resist, the composition is applied on a substrate, prebaked and irradiated with radiation, followed by heat treatment at 70 to 140 ° C., and then development. The effect of the present invention can be further improved.

【００４０】本発明の組成物に対する現像液としては、
例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリ
ウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニ
ア水、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルア
ミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メ
チルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリ
エタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリ
ン、ピロール、ピペリジン、１，８−ジアザビシクロ−
［５，４，０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシ
クロ−［４，３，０］−５−ノナン等のアルカリ性化合
物を、濃度が、例えば１〜１０重量％となるように溶解
したアルカリ性水溶液が使用される。また、前記現像液
には、水溶性有機溶剤、例えばメタノール、エタノール
等のアルコールや界面活性剤を適量添加することもでき
る。なお、このようなアルカリ性水溶液からなる現像液
を使用した場合は、一般的には、現像後、水で洗浄す
る。The developer for the composition of the present invention is:
For example, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, di-n-propylamine, triethylamine, methyldiethylamine, dimethylethanolamine, triethanolamine. , Tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, choline, pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo-
Alkaline compounds such as [5,4,0] -7-undecene and 1,5-diazabicyclo- [4,3,0] -5-nonane were dissolved to a concentration of, for example, 1 to 10% by weight. An alkaline aqueous solution is used. Further, a proper amount of a water-soluble organic solvent, for example, alcohol such as methanol or ethanol, or a surfactant can be added to the developer. When a developer containing such an alkaline aqueous solution is used, it is generally washed with water after development.

【００４１】[0041]

【実施例】以下、実施例および比較例により本発明をさ
らに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。ここで、Ｍｗの測定およびレジス
トの各種性能評価は、以下の方法により行なった。 Ｍｗ：東ソ−（株）製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００Ｈ６：
２本、Ｇ３０００Ｈ６：１本、Ｇ４０００Ｈ６：１本）
を用い、液量１．５ミリリットル／分、溶出溶媒テトラ
ヒドロフラン、カラム温度４０°Ｃの分析条件で、単分
散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロ
マトグラフ法（ＧＰＣ法）により測定した。 寸法忠実度：（株）ニコン製ＮＳＲ−１５０５ｉ６Ａ縮
小投影露光機（レンズの開口数：０．５０）により露光
時間を変化させて、波長３６５ｎｍのｉ線を用いて露光
したのち、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの
２．４重量％水溶液を用いて、２５°Ｃで６０秒間現像
し、水洗、乾燥して、ウエハー上にポジ型レジストパタ
ーンを形成させた。その際、ライン・アンド・スペース
パターンのマスク寸法を０．０２μｍ間隔で小さくしな
がら、０．５μｍのライン・アンド・スペースパターン
を１対１の幅に形成する露光時間で露光し、レジストの
ライン・アンド・スペースパターン寸法とマスクの設計
寸法との差を、走査型電子顕微鏡で測定して、パターン
寸法とマスクの設計寸法との差を求めた。形成されたパ
ターン寸法がマスクの設計寸法の±１０％以内である場
合を合格とし、合格したパターンにおけるマスクの最小
設計寸法を寸法忠実度とした。このマスクの最小設計寸
法が小さいほど、寸法忠実度が良好であることを示して
いる。 フォーカスレンジ：走査型電子顕微鏡を用い、０．５μ
ｍのライン・アンド・スペースパターンについて、解像
されるパターン寸法がマスクの設計寸法の±１０％以内
となる場合のフォーカスの振れ幅を、フォーカスレンジ
とした。フォーカスレンジが大きいほど、フォーカス許
容性が良好であることを示している。 現像性：スカムや現像残りの程度を走査型電子顕微鏡に
より調べた。EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to these Examples. Here, the measurement of Mw and the evaluation of various performances of the resist were performed by the following methods. Mw: GPC column (G2000H6: manufactured by Toso Co., Ltd.)
2 pieces, G3000H6: 1 piece, G4000H6: 1 piece)
Was measured by a gel permeation chromatograph method (GPC method) using monodisperse polystyrene as a standard under the analysis conditions of a liquid amount of 1.5 ml / min, an elution solvent of tetrahydrofuran, and a column temperature of 40 ° C. Dimensional fidelity: exposure time was changed using an NSR-1505i6A reduction projection exposure machine (lens numerical aperture: 0.50) manufactured by Nikon Corporation, and exposure was performed using i-line having a wavelength of 365 nm, and then tetramethylammonium hydroxy was used. Development was carried out at 25 ° C. for 60 seconds using an aqueous 2.4 wt% solution of water, and then washed and dried to form a positive resist pattern on the wafer. At that time, while reducing the mask dimension of the line and space pattern at 0.02 μm intervals, the line and space pattern of 0.5 μm is exposed at an exposure time for forming a 1: 1 width, and the resist line is exposed. The difference between the and-space pattern dimension and the mask design dimension was measured with a scanning electron microscope to obtain the difference between the pattern dimension and the mask design dimension. When the formed pattern dimension is within ± 10% of the mask design dimension, it is regarded as acceptable, and the minimum design dimension of the mask in the accepted pattern is defined as dimension fidelity. The smaller the minimum design dimension of this mask, the better the dimensional fidelity. Focus range: 0.5μ using scanning electron microscope
For the line-and-space pattern of m, the range of focus when the resolved pattern size is within ± 10% of the mask design size was defined as the focus range. The larger the focus range, the better the focus tolerance. Developability: The degree of scum and residual development was examined with a scanning electron microscope.

【００４２】〔樹脂（Ａ）の合成〕合成例１ 攪拌機、冷却管および温度計を備えたフラスコに、ｍ−
クレゾール６９．２ｇ（０．６４モル）、２，３−キシ
レノール９．８ｇ（０．０８モル）、３，４−キシレノ
ール９．８ｇ（０．０８モル）、３７重量％ホルムアル
デヒド水溶液３８．５ｇ（ホルムアルデヒド：０．４７
５モル）およびシュウ酸２水和物０．１９ｇ（０．００
１５モル）を仕込み、次いでフラスコを油浴中に浸し、
反応液の温度を１００°Ｃに保持して、攪拌下で６０分
間重縮合を行なった。その後、ｍ−クレゾール１７．３
ｇ（０．１６モル）２，３−キシレノール２．５ｇ
（０．０２モル）、３，４−キシレノール２．５ｇ
（０．０２モル）、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液
３８．５ｇ（ホルムアルデヒド：０．４７５モル）およ
びシュウ酸２水和物１．６９ｇ（０．０１３５モル）を
加えて、さらに１５０分間重縮合を行なった。次いで、
油浴温度を１８０°Ｃまで上昇させ、同時にフラスコ内
の圧力を３０〜５０ｍｍＨｇまで減圧して、水、シュウ
酸、未反応原料等を除去した。その後、溶融している樹
脂を室温まで冷却して回収した。この樹脂を、３−メト
キシプロピオン酸メチル中に固形分が３０重量％となる
ように溶解し、この樹脂溶液の重量に対して、０．５倍
量のトルエンおよび０．４倍量のｎ−ヘキサンを加えて
攪拌したのち、放置した。放置により２層に分離した下
層（樹脂溶液層）を取り出し、濃縮、脱水、乾燥して、
ノボラック樹脂を回収した。このノボラック樹脂を樹脂
（Ａ１）とする。樹脂（Ａ１）のＭｗは８，８００であ
った。[Synthesis of Resin (A)] Synthesis Example 1 In a flask equipped with a stirrer, a condenser and a thermometer, m-
Cresol 69.2 g (0.64 mol), 2,3-xylenol 9.8 g (0.08 mol), 3,4-xylenol 9.8 g (0.08 mol), 37 wt% formaldehyde aqueous solution 38.5 g ( Formaldehyde: 0.47
5 mol) and 0.19 g of oxalic acid dihydrate (0.00
15 mol), then the flask is immersed in an oil bath,
The temperature of the reaction solution was kept at 100 ° C, and polycondensation was performed for 60 minutes while stirring. Then, m-cresol 17.3
g (0.16 mol) 2,3-xylenol 2.5 g
(0.02 mol), 2.5 g of 3,4-xylenol
(0.02 mol), 37 wt% formaldehyde aqueous solution 38.5 g (formaldehyde: 0.475 mol) and oxalic acid dihydrate 1.69 g (0.0135 mol) were added, and polycondensation was further performed for 150 minutes. It was Then
The oil bath temperature was raised to 180 ° C., and at the same time, the pressure inside the flask was reduced to 30 to 50 mmHg to remove water, oxalic acid, unreacted raw materials and the like. Then, the molten resin was cooled to room temperature and collected. This resin was dissolved in methyl 3-methoxypropionate at a solid content of 30% by weight, and 0.5 times amount of toluene and 0.4 times amount of n- were added to the weight of the resin solution. Hexane was added and the mixture was stirred and then left to stand. The lower layer (resin solution layer) separated into two layers by standing is taken out, concentrated, dehydrated and dried,
The novolac resin was recovered. This novolac resin is referred to as resin (A1). The Mw of the resin (A1) was 8,800.

【００４３】合成例２ オートクレーブに、ｍ−クレゾール６９．２ｇ（０．６
４モル）、２，３−キシレノール９．８ｇ（０．０８モ
ル）、３，４−キシレノール９．８ｇ（０．０８モ
ル）、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液６１．０ｇ
（ホルムアルデヒド：０．７５モル）、シュウ酸２水和
物６．３ｇ（０．０５モル）、水５２．６ｇおよびジオ
キサン１８２ｇを仕込み、次いでオートクレーブを油浴
中に浸し、反応液の温度を１３０°Ｃに保持して、攪拌
下で８時間重縮合を行なった。反応後、室温まで冷却
し、内容物をビーカーに取り出した。ビーカー内で２層
に分離した下層を取り出し、濃縮、脱水、乾燥して、ノ
ボラック樹脂を回収した。このノボラック樹脂を樹脂
（Ａ２）とする。樹脂（Ａ２）のＭｗは７，８００であ
った。 Synthesis Example 2 69.2 g (0.6%) of m-cresol was placed in an autoclave.
4 mol), 9.8 g (0.08 mol) of 2,3-xylenol, 9.8 g (0.08 mol) of 3,4-xylenol, and 61.0 g of 37% by weight formaldehyde aqueous solution.
(Formaldehyde: 0.75 mol), oxalic acid dihydrate 6.3 g (0.05 mol), water 52.6 g and dioxane 182 g were charged, and then the autoclave was immersed in an oil bath and the temperature of the reaction solution was adjusted to 130. The temperature was kept at ° C and polycondensation was carried out for 8 hours under stirring. After the reaction, it was cooled to room temperature and the contents were taken out into a beaker. The lower layer separated into two layers in the beaker was taken out, concentrated, dehydrated and dried to recover the novolak resin. This novolac resin is referred to as resin (A2). The Mw of the resin (A2) was 7,800.

【００４４】合成例３ オートクレーブに、ｍ−クレゾール６４．９ｇ（０．６
モル）、２，３−キシレノール３６．７ｇ（０．３モ
ル）、３，４−キシレノール１２．２ｇ（０．１モ
ル）、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液７７．１ｇ
（ホルムアルデヒド：０．９モル）、シュウ酸２水和物
６．３ｇ（０．０５モル）、水７９．４ｇおよびジオキ
サン３８３．９ｇを仕込み、次いでオートクレーブを油
浴中に浸し、反応液の温度を１３０°Ｃに保持して、攪
拌下で８時間重縮合を行なった。反応後、室温まで冷却
し、内容物をビーカーに取り出した。ビーカー内で２層
に分離した下層を取り出し、濃縮、脱水、乾燥して、ノ
ボラック樹脂を回収した。このノボラック樹脂を樹脂
（Ａ３）とする。樹脂（Ａ３）のＭｗは８，５００であ
った。 Synthesis Example 3 64.9 g (0.6 g) of m-cresol was placed in an autoclave.
Mol), 3,3-xylenol 36.7 g (0.3 mol), 3,4-xylenol 12.2 g (0.1 mol), 37 wt% formaldehyde aqueous solution 77.1 g
(Formaldehyde: 0.9 mol), oxalic acid dihydrate 6.3 g (0.05 mol), water 79.4 g and dioxane 383.9 g were charged, then the autoclave was immersed in an oil bath, and the temperature of the reaction solution was increased. Was maintained at 130 ° C, and polycondensation was carried out for 8 hours with stirring. After the reaction, it was cooled to room temperature and the contents were taken out into a beaker. The lower layer separated into two layers in the beaker was taken out, concentrated, dehydrated and dried to recover the novolak resin. This novolac resin is referred to as resin (A3). The Mw of the resin (A3) was 8,500.

【００４５】〔樹脂（Ｂ）の合成〕合成例４ 合成例１で用いたものと同様のフラスコに、ｍ−クレゾ
ール６４．８ｇ（０．６０モル）、ｐ−クレゾール４
３．２ｇ（０．４０モル）、３７重量％ホルムアルデヒ
ド水溶液２４．３ｇ（ホルムアルデヒド：０．３０モ
ル）およびシュウ酸２水和物０．３０ｇ（０．００２４
モル）を仕込み、次いでフラスコを油浴中に浸し、反応
液の温度を１００°Ｃに保持して、攪拌下で４０分間重
縮合を行なった。次いで、合成例１と同様にして水、シ
ュウ酸、未反応原料等を除去し、冷却して、ノボラック
樹脂を回収した。このノボラック樹脂を樹脂（Ｂ１）と
する。樹脂（Ｂ１）のＭｗは８００であった。[Synthesis of Resin (B)] Synthesis Example 4 m-cresol 64.8 g (0.60 mol) and p-cresol 4 were placed in the same flask as used in Synthesis Example 1.
3.2 g (0.40 mol), 37 wt% formaldehyde aqueous solution 24.3 g (formaldehyde: 0.30 mol) and oxalic acid dihydrate 0.30 g (0.0024)
Mol), then the flask was immersed in an oil bath, the temperature of the reaction solution was kept at 100 ° C., and polycondensation was carried out for 40 minutes under stirring. Then, in the same manner as in Synthesis Example 1, water, oxalic acid, unreacted raw materials, etc. were removed and cooled to recover the novolac resin. This novolac resin is referred to as resin (B1). The Mw of the resin (B1) was 800.

【００４６】〔化合物（ｂ）の合成〕ここで、（ａ−
１）は式[Synthesis of Compound (b)] Here, (a-
1) is the formula

【化１６】で表される化合物、（ａ−２）は式The compound (a-2) represented by the formula:

【化１７】で表される化合物、（ａ−３）は式The compound (a-3) represented by the formula:

【化２３】で表される化合物である。It is a compound represented by:

【００４７】合成例５ 攪拌機、滴下ロートおよび温度計を備えたフラスコに、
遮光下で、化合物（ａ−１）２７．２ｇ（０．１モ
ル）、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
クロリド６７．１ｇ（０．２５モル）およびジオキサン
２５０ｇを仕込み、攪拌しながら溶解させた。次いで、
フラスコを温度３０°Ｃに保持した水浴中に浸し、反応
液の温度が３０°Ｃで一定になった時点で、溶液中にト
リエチルアミン２７．８ｇ（０．２８モル）を、反応液
温度が３５°Ｃを越えないように、滴下ロートを用いて
徐々に添加した。その後、析出したトリエチルアミン塩
酸塩を濾別し、濾液を大量の希塩酸中に注いで、生成物
を析出させた。析出した生成物を濾過し、４０°Ｃに保
持された加熱真空乾燥器内で一昼夜乾燥して、化合物
（ｂ−１）を得た。 Synthesis Example 5 In a flask equipped with a stirrer, a dropping funnel and a thermometer,
27.2 g (0.1 mol) of the compound (a-1), 67.1 g (0.25 mol) of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride and 250 g of dioxane were charged under shading and while stirring. Dissolved. Then
The flask was immersed in a water bath maintained at a temperature of 30 ° C, and when the temperature of the reaction solution became constant at 30 ° C, 27.8 g (0.28 mol) of triethylamine was added to the solution, and the temperature of the reaction solution was 35%. It was gradually added using a dropping funnel so that the temperature did not exceed ° C. Then, the precipitated triethylamine hydrochloride was filtered off, and the filtrate was poured into a large amount of dilute hydrochloric acid to precipitate the product. The precipitated product was filtered and dried overnight in a heating vacuum dryer maintained at 40 ° C to obtain a compound (b-1).

【００４８】合成例６ 化合物（ａ−２）２７．２ｇ（０．１モル）、１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド６７．
１ｇ（０．２５モル）およびトリエチルアミン２７．８
ｇ（０．２８モル）を使用した以外は合成例５と同様に
して、化合物（ｂ−２）を得た。 Synthesis Example 6 27.2 g (0.1 mol) of compound (a-2), 1,2-
Naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride 67.
1 g (0.25 mol) and triethylamine 27.8
Compound (b-2) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 5 except that g (0.28 mol) was used.

【００４９】合成例７ 化合物（ａ−３）３０．０ｇ（０．１モル）、１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド６７．
１ｇ（０．２５モル）およびトリエチルアミン２７．８
ｇ（０．２８モル）を使用した以外は合成例５と同様に
して、化合物（ｂ−３）を得た。 Synthesis Example 7 Compound (a-3) 30.0 g (0.1 mol), 1,2-
Naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride 67.
1 g (0.25 mol) and triethylamine 27.8
Compound (b-3) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 5 except that g (0.28 mol) was used.

【００５０】〔化合物（ｃ）の合成〕合成例８ 樹脂（Ｂ１）１０．０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸クロリド１３．９ｇ、ジオキサン２
５０ｇおよびトリエチルアミン５．７５ｇを使用した以
外は合成例５と同様にして、化合物（ｃ−１）を得た。[Synthesis of Compound (c)] Synthesis Example 8 Resin (B1) 10.0 g, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride 13.9 g, dioxane 2
Compound (c-1) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 5 except that 50 g and 5.75 g of triethylamine were used.

【００５１】合成例９ ２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン２３．０ｇ
（０．１モル）、１，２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸クロリド６９．９ｇ（０．２６モル）および
トリエチルアミン２８．９ｇ（０．２９モル）を使用し
た以外は合成例５と同様にして、化合物（ｃ−２）を得
た。 Synthesis Example 9 2,3,4-trihydroxybenzophenone 23.0 g
(0.1 mol), 1,2-naphthoquinonediazide-5-
Compound (c-2) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 5 except that 69.9 g (0.26 mol) of sulfonic acid chloride and 28.9 g (0.29 mol) of triethylamine were used.

【００５２】合成例１０ ２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン２
４．６ｇ（０．１モル）、１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸クロリド１０７．５ｇ（０．４モ
ル）およびトリエチルアミン４４．５ｇ（０．４４モ
ル）を使用した以外は合成例５と同様にして、化合物
（ｃ−３）を得た。 Synthesis Example 10 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone 2
Synthesis Example 5 except that 4.6 g (0.1 mol), 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride 107.5 g (0.4 mol) and triethylamine 44.5 g (0.44 mol) were used. Compound (c-3) was obtained in the same manner as in.

【００５３】実施例１〜６および比較例１〜３ 表１に示す組成（但し、部は重量部である。）の樹脂
（Ａ）、低分子量のフェノール化合物または樹脂（Ｂ）
(*) 、式（１）で表される化合物、化合物（ｃ）および
溶剤を混合して、均一溶液としたのち、孔径０．２μｍ
のメンブレンフィルターで濾過して、組成物溶液を調製
した。得られた溶液を、シリコン酸化膜を有するシリコ
ンウエハー上にスピンナーを用いて塗布したのち、９０
°Ｃのホットプレート上で２分間予備焼成して、厚さ
１．２μｍのレジスト膜を形成し、レジストの各種性能
評価を行なった。評価結果を表２に示す。Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3 Resin (A) having a composition shown in Table 1 (where parts are parts by weight), a low molecular weight phenol compound or resin (B)
(*), The compound represented by the formula (1), the compound (c) and the solvent are mixed to form a uniform solution, and then the pore size is 0.2 μm.
The composition solution was prepared by filtering with a membrane filter of. The obtained solution was applied onto a silicon wafer having a silicon oxide film by using a spinner, and then 90
Pre-baking was performed for 2 minutes on a hot plate at ° C to form a resist film having a thickness of 1.2 µm, and various performance evaluations of the resist were performed. The evaluation results are shown in Table 2.

【００５４】[0054]

【表１】 表１において、低分子量のフェノール化合物および溶剤
の種類は、次の通りである。 α ：１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）
エタン β ：１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−
フェニルエタン Ｓ１：エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト Ｓ２：２−ヒドロキシプロピオン酸エチル Ｓ３：３−メトキシプロピオン酸メチル[Table 1] In Table 1, the types of low molecular weight phenolic compounds and solvents are as follows. α: 1,1,1-tris (4-hydroxyphenyl)
Ethane β: 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1-
Phenylethane S1: Ethylene glycol monoethyl ether acetate S2: Ethyl 2-hydroxypropionate S3: Methyl 3-methoxypropionate

【００５５】[0055]

【表２】 表２から明らかなように、本発明の組成物は、一般式
（１）で表される化合物を含有することにより、ポジ型
レジストとしての寸法忠実度およびフォーカス許容性が
極めて優れている。また、本発明の組成物は、レジスト
としてスカムや現像残りが少なく、現像性も良好であ
り、パターン形状にも優れたものであった。[Table 2] As is clear from Table 2, the composition of the present invention, which contains the compound represented by the general formula (1), has extremely excellent dimensional fidelity and focus tolerance as a positive resist. Further, the composition of the present invention had little scum as a resist and less development residue, good developability, and excellent pattern shape.

【００５６】[0056]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の感放射線
性樹脂組成物は、ポジ型レジストとして、特に寸法忠実
度およびフォーカス許容性が著しく優れ、また現像性も
良好であるるとともに、パターン形状にも優れたもので
ある。したがって、今後さらに高集積化が進むと考えら
れる集積回路製造用レジスト等として極めて有用であ
る。As described above in detail, the radiation-sensitive resin composition of the present invention is a positive resist, which is particularly excellent in dimensional fidelity and focus tolerance and has good developability. It is also excellent in pattern shape. Therefore, it is extremely useful as a resist or the like for manufacturing an integrated circuit, which is expected to have higher integration in the future.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三浦 孝夫 東京都中央区築地二丁目11番24号 日本合 成ゴム株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Takao Miura 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 アルカリ可溶性樹脂、および下記一般式
（１） 【化１】 〔一般式（１）において、X¹〜X⁹は同一でも異なっても
よく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基または−OD
基( 但し、D は水素原子であるかもしくはキノンジアジ
ド基を有する有機基である。）を示し、R は水素原子ま
たはアルキル基を示す。但し、X¹〜X⁹の少なくとも１つ
は−OD基であるものとする。〕で表される化合物を含有
し、且つ一般式（１）の D が全て水素原子である場合
には、キノンジアジド基を有する化合物をさらに含有す
ることを特徴とする感放射線性樹脂組成物。1. An alkali-soluble resin and the following general formula (1): [In the general formula (1), X ^{1 to} X ⁹ may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group or -OD.
A group (wherein D is a hydrogen atom or an organic group having a quinonediazide group) and R is a hydrogen atom or an alkyl group. However, at least one of X ^{1 to} X ⁹ is an —OD group. ] The radiation sensitive resin composition containing the compound represented by these, and when all D of General formula (1) is a hydrogen atom, it further contains the compound which has a quinonediazide group.