JP2811663B2 - Radiation-sensitive resin composition - Google Patents

Radiation-sensitive resin composition

Info

Publication number
JP2811663B2
JP2811663B2 JP16613791A JP16613791A JP2811663B2 JP 2811663 B2 JP2811663 B2 JP 2811663B2 JP 16613791 A JP16613791 A JP 16613791A JP 16613791 A JP16613791 A JP 16613791A JP 2811663 B2 JP2811663 B2 JP 2811663B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mol
resin
xylenol
cresol
meta
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP16613791A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH04365046A (en
Inventor
利幸 大田
克巳 猪俣
喜次 勇元
孝夫 三浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Priority to JP16613791A priority Critical patent/JP2811663B2/en
Publication of JPH04365046A publication Critical patent/JPH04365046A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2811663B2 publication Critical patent/JP2811663B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、感放射性樹脂組成物に
関する。さらに詳しくは、紫外線、遠紫外線、X線、電
子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射線、プロトン
ビ−ムなどの放射線に感応する高集積回路作成用レジス
トとして好適な感放射線性樹脂組成物に関する。
The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition. More specifically, the present invention relates to a radiation-sensitive resin composition suitable as a resist for producing a highly integrated circuit which is sensitive to radiation such as ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, electron beams, molecular beams, gamma rays, synchrotron radiation, and proton beams. .

【0002】[0002]

【従来の技術】ポジ型レジストは、高解像度のレジスト
パターンを与えるので、集積回路の製造において多く用
いられているが、近年における集積回路の高集積化に伴
って、より解像度の向上したレジストパターンを形成で
きるポジ型レジストが望まれている。すなわち、ポジ型
レジストによって微細なレジストパターンを形成する場
合、放射線照射により形成される潜像をアルカリ性水溶
液からなる現像液で現像する際に、放射線照射部がウェ
ハーと接している部分(パターンの裾)まで速やかに現
像されることが必要である。
2. Description of the Related Art Positive resists are often used in the production of integrated circuits because they provide a high-resolution resist pattern. There is a demand for a positive resist capable of forming a resist. That is, when a fine resist pattern is formed by a positive resist, when a latent image formed by irradiation with radiation is developed with a developing solution composed of an alkaline aqueous solution, a portion where the radiation irradiation portion is in contact with the wafer (the bottom of the pattern). ) Must be developed promptly.

【0003】しかしながら、従来のボジ型レジストの場
合、形成すべきレジストパターンの間隔が0.8μm以
下になると、微細なパターン、ホールなどの露光量の少
ない部分での現像性およびパターン形状が不十分であっ
た。
However, in the case of the conventional body type resist, if the interval between the resist patterns to be formed is 0.8 μm or less, the developability and the pattern shape in a portion having a small exposure amount such as a fine pattern and a hole are insufficient. Met.

【0004】さらに集積回路の集積度の向上とともに、
ウェハーのエッチング方式が、従来のサイドエッチング
の大きいウェットエッチングから、サイドエッチングの
小さいドライエッチングに移行している。このドライエ
ッチングでは、エッチング時に熱によるレジストパター
ンが変化しないことが必要であるため、ポジ型レジスト
には耐熱性が必要であるが、従来のポジ型レジストは、
十分な耐熱性を備えているとはいい難いものであった。
[0004] Further, with the improvement of the degree of integration of integrated circuits,
The wafer etching method has shifted from conventional wet etching with large side etching to dry etching with small side etching. In this dry etching, it is necessary that the resist pattern does not change due to heat at the time of etching, so a positive resist needs heat resistance, but a conventional positive resist is
It was difficult to say that it had sufficient heat resistance.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、感放
射線性樹脂組成物を提供することにある。本発明の他の
目的は、現像性に優れていると共に、高感度かつ高解像
度であり、形成されるパターン形状、耐熱性、露光余
裕、残膜性などにも優れたポジ型レジストとして好適な
感放射線性樹脂組成物を提供することにある。本発明の
さらに他の目的および利点は以下の説明から明かとなろ
う。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a radiation-sensitive resin composition. Other objects of the present invention are excellent in developability, high sensitivity and high resolution, and the pattern shape to be formed, heat resistance, exposure allowance, suitable as a positive resist excellent in remaining film property and the like. An object of the present invention is to provide a radiation-sensitive resin composition. Still other objects and advantages of the present invention will become apparent from the following description.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、本発明
の上記目的および利点は、(A)パラクレゾール、キシ
レノールおよびトリメチルフェノールよりなる群から選
ばれる少なくとも1種の(ポリ)メチル置換フェノール
類(A1)並びにメタクレゾール(A2)とを、アルデ
ヒド類と重縮合して得られたアルカリ可溶性ノボラック
樹脂、および(B)下記構造式(1)
According to the present invention, the above objects and advantages of the present invention are as follows: (A) at least one (poly) methyl-substituted phenol selected from the group consisting of paracresol, xylenol and trimethylphenol; (A1) and an alkali-soluble novolak resin obtained by polycondensation of meta-cresol (A2) with aldehydes; and (B) a structural formula (1) shown below.

【0007】[0007]

【化2】 Embedded image

【0008】で表わされる化合物(以下、「化合物
(A)」という)のキノンジアジドスルホン酸エステル
の少なくとも1種、を含有することを特徴とする感放射
線性樹脂組成物によって達成される。
The radiation-sensitive resin composition is characterized by containing at least one quinonediazidesulfonic acid ester of a compound represented by the formula (hereinafter referred to as "compound (A)").

【0009】本発明において用いられるアルカリ可溶性
樹脂(以下、「樹脂(A)」と称する)は、メタクレゾ
ールと、パラクレゾール、キシレノールおよびトリメチ
ルフェノールよりなる群から選ばれる(ポリ)メチル置
換フェノールの1種または2種以上とアルデヒド類とを
重縮合して得られたノボラック樹脂である。
The alkali-soluble resin (hereinafter referred to as "resin (A)") used in the present invention is one of meta-cresol and (poly) methyl-substituted phenol selected from the group consisting of para-cresol, xylenol and trimethylphenol. It is a novolak resin obtained by polycondensing one or more kinds with an aldehyde.

【0010】ここで、キシレノールとしては2,3−キ
シレノール、2,5−キシレノール、3,4−キシレノー
ル、3,5−キシレノールが好ましい。また、トリメチ
ルフェノールとしては2,3,5−トリメチルフェノール
が好ましい。
Here, xylenol is preferably 2,3-xylenol, 2,5-xylenol, 3,4-xylenol, 3,5-xylenol. As the trimethylphenol, 2,3,5-trimethylphenol is preferable.

【0011】これらのメタクレゾールを必須成分とする
ノボラック樹脂における(ポリ)メチル置換フェノール
の組み合わせとしては、種々組み合わされることができ
るが以下のものが好適に使用される。
Various combinations of the (poly) methyl-substituted phenol in the novolak resin containing meta-cresol as an essential component can be used in various combinations, but the following are preferably used.

【0012】・メタクレゾールとパラクレゾール ・メタクレゾールと2,3−キシレノール、 ・メタクレゾールと2,3−キシレノールと3,4−キシ
レノール、 ・メタクレゾールと2,3−キシレノールと2,3,5−
トリメチルフェノール、 ・メタクレゾールとパラクレゾールと2,3−キシレノ
ール、 ・メタクレゾールと2,5−キシレノールと3,5−キシ
レノール、 ・メタクレゾールと2,5−キシレノールと2,3,5−
トリメチルフェノール、 ・メタクレゾールと3,4−キシレノール、 ・メタクレゾールと3,4−キシレノールと2,3,5−
トリメチルフェノール、 ・メタクレゾールと3,5−キシレノール、 ・メタクレゾールとパラクレゾールと3,5−キシレノ
ール、 ・メタクレゾールと3,5−キシレノールと2,3,5−
トリメチルフェノール、 ・メタクレゾールと2,3,5−トリメチルフェノール、 ・メタクレゾールとパラクレゾールと2,3,5−トリメ
チルフェノール。
Meta-cresol and para-cresol meta-cresol and 2,3-xylenol; meta-cresol and 2,3-xylenol and 3,4-xylenol; meta-cresol and 2,3-xylenol and 2,3,5 −
Trimethylphenol, meta-cresol, para-cresol and 2,3-xylenol, meta-cresol, 2,5-xylenol and 3,5-xylenol, meta-cresol and 2,5-xylenol and 2,3,5-
Trimethylphenol, ・ meta-cresol and 3,4-xylenol, ・ meta-cresol and 3,4-xylenol and 2,3,5-
Trimethylphenol, -meta-cresol and 3,5-xylenol, -meta-cresol and para-cresol and 3,5-xylenol, -meta-cresol and 3,5-xylenol and 2,3,5-
Trimethylphenol, -metacresol and 2,3,5-trimethylphenol, -metacresol, paracresol and 2,3,5-trimethylphenol.

【0013】樹脂(A)合成に際してのこれらの(ポ
リ)メチル置換フェノールの使用量は、メタクレゾール
/パラクレゾールの場合には、通常95〜35/5〜6
5(モル比)、好ましくは80〜40/20〜60(モ
ル比)であり、メタクレゾール/2,3−キシレノール
の場合には、通常95〜10/5〜90(モル比)、好
ましくは80〜20/30〜70(モル比)であり、メ
タクレゾール/2,3−キシレノール/3,4−キシレノ
ールの場合には、通常90〜10/5〜85/5〜60
(モル比)、好ましくは80〜20/10〜70/10
〜50(モル比)であり、メタクレゾール/2,3−キ
シレノール/2,3,5−トリメチルフェノールの場合に
は、通常90〜10/5〜85/5〜60(モル比)、
好ましくは80〜20/10〜70/10〜50(モル
比)であり、メタクレゾール/パラクレゾール/2,3
−キシレノールの場合には、通常90〜10/5〜60
/5〜85(モル比)、好ましくは70〜20/10〜
50/10〜70(モル比)であり、メタクレゾール/
2,5−キシレノール/3,5−キシレノールの場合に
は、通常90〜10/5〜70/5〜70(モル比)、
好ましくは80〜20/10〜60/10〜60(モル
比)であり、メタクレゾール/2,5−キシレノール/
2,3,5−トリメチルフェノールの場合には、通常90
〜10/5〜70/5〜60(モル比)、好ましくは8
0〜20/10〜60/10〜50(モル比)であり、
メタクレゾール/3,4−キシレノールの場合には、通
常95〜50/5〜50(モル比)、好ましくは90〜
55/10〜45(モル比)であり、メタクレゾール/
3,4−キシレノール/2,3,5−トリメチルフェノー
ルの場合には、通常90〜20/5〜50/5〜60
(モル比)、好ましくは80〜30/10〜40/10
〜50(モル比)であり、メタクレゾール/3,5−キ
シレノールの場合には、通常95〜30/5〜70(モ
ル比)、好ましくは90〜40/10〜60(モル比)
であり、メタクレゾール/パラクレゾール/3,5−キ
シレノールの場合には、通常90〜15/5〜60/5
〜70(モル比)、好ましくは80〜30/10〜45
/10〜60(モル比)であり、メタクレゾール/3,
5−キシレノール/2,3,5−トリメチルフェノールの
場合には、通常90〜15/5〜60/5〜60(モル
比)、好ましくは80〜20/10〜50/10〜50
(モル比)であり、メタクレゾール/2,3,5−トリメ
チルフェノールの場合には、通常95〜40/5〜60
(モル比)、好ましくは90〜50/10〜50(モル
比)であり、メタクレゾール、パラクレゾールと2,3,
5−トリメチルフェノールの場合には、通常90〜10
/5〜60/5〜60(モル比)、好ましくは80〜2
0/10〜50/10〜50(モル比)である。
The amount of the (poly) methyl-substituted phenol used in the synthesis of the resin (A) is usually from 95 to 35/5 to 6 in the case of meta-cresol / para-cresol.
5 (molar ratio), preferably 80 to 40/20 to 60 (molar ratio), and in the case of metacresol / 2,3-xylenol, usually 95 to 10/5 to 90 (molar ratio), preferably 80 to 20/30 to 70 (molar ratio), and in the case of metacresol / 2,3-xylenol / 3,4-xylenol, usually 90 to 10/5 to 85/5 to 60
(Molar ratio), preferably 80 to 20/10 to 70/10
5050 (molar ratio), and in the case of metacresol / 2,3-xylenol / 2,3,5-trimethylphenol, usually 90 to 10/5 to 85/5 to 60 (molar ratio),
Preferably it is 80-20 / 10-70 / 10-50 (molar ratio), and meta-cresol / para-cresol / 2,3
-In the case of xylenol, usually 90 to 10/5 to 60
/ 5 to 85 (molar ratio), preferably 70 to 20/10
50/10 to 70 (molar ratio),
In the case of 2,5-xylenol / 3,5-xylenol, usually 90 to 10/5 to 70/5 to 70 (molar ratio),
It is preferably from 80 to 20/10 to 60/10 to 60 (molar ratio), and meta-cresol / 2,5-xylenol /
In the case of 2,3,5-trimethylphenol, usually 90
-10/5 to 70/5 to 60 (molar ratio), preferably 8
0 to 20/10 to 60/10 to 50 (molar ratio),
In the case of meta-cresol / 3,4-xylenol, usually 95 to 50/5 to 50 (molar ratio), preferably 90 to 50
55/10 to 45 (molar ratio),
In the case of 3,4-xylenol / 2,3,5-trimethylphenol, usually 90 to 20/5 to 50/5 to 60
(Molar ratio), preferably 80 to 30/10 to 40/10
メ タ 50 (molar ratio), and in the case of metacresol / 3,5-xylenol, usually 95 to 30/5 to 70 (molar ratio), preferably 90 to 40/10 to 60 (molar ratio)
In the case of meta-cresol / para-cresol / 3,5-xylenol, it is usually 90 to 15/5 to 60/5.
~ 70 (molar ratio), preferably 80 ~ 30/10 ~ 45
/ 10 to 60 (molar ratio), and meta-cresol / 3,
In the case of 5-xylenol / 2,3,5-trimethylphenol, usually 90 to 15/5 to 60/5 to 60 (molar ratio), preferably 80 to 20/10 to 50/10 to 50
(Molar ratio), and in the case of metacresol / 2,3,5-trimethylphenol, it is usually 95 to 40/5 to 60
(Molar ratio), preferably 90 to 50/10 to 50 (molar ratio).
In the case of 5-trimethylphenol, usually 90 to 10
/ 5 to 60/5 to 60 (molar ratio), preferably 80 to 2
0/10 to 50/10 to 50 (molar ratio).

【0014】また、ここで用いられるアルデヒド類とし
ては、例えばホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホ
ルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒ
ド、プロピルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、
α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピ
ルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアルデヒド、m−
ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベンズア
ルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、m−クロロベ
ンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデヒド、o−ニ
トロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズアルデヒド、
p−ニトロベンズアルデヒド、o−メチルベンズアルデ
ヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−メチルベンズ
アルデヒド、p−エチルベンズアルデヒド、p−n−ブ
チルベンズアルデヒド、フルフラールなどを挙げること
ができる。これらのうち特にホルムアルデヒドを好適に
用いることができる。これらのアルデヒド類も単独でま
たは2種以上を組み合わせて用いることができる。
The aldehydes used herein include, for example, formaldehyde, trioxane, paraformaldehyde, benzaldehyde, acetaldehyde, propylaldehyde, phenylacetaldehyde,
α-phenylpropylaldehyde, β-phenylpropylaldehyde, o-hydroxybenzaldehyde, m-
Hydroxybenzaldehyde, p-hydroxybenzaldehyde, o-chlorobenzaldehyde, m-chlorobenzaldehyde, p-chlorobenzaldehyde, o-nitrobenzaldehyde, m-nitrobenzaldehyde,
Examples thereof include p-nitrobenzaldehyde, o-methylbenzaldehyde, m-methylbenzaldehyde, p-methylbenzaldehyde, p-ethylbenzaldehyde, pn-butylbenzaldehyde, and furfural. Of these, formaldehyde can be particularly preferably used. These aldehydes can be used alone or in combination of two or more.

【0015】上記アルデヒド類の使用量は、(ポリ)メ
チル置換フェノールの合計両1モルに対し、0.7〜3
モルが好ましく、より好ましくは0.8〜1.5モルであ
る。
The amount of the aldehyde used is 0.7 to 3 based on 1 mole of the total of the (poly) methyl-substituted phenol.
Mole is preferable, and more preferably 0.8 to 1.5 mole.

【0016】(ポリ)メチル置換フェノールとアルデヒ
ド類との重縮合に用いられる触媒としては、塩酸、硝
酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸などの酸性触媒を挙げ
ることができる。これらの酸性触媒の使用量は、好まし
くは(ポリ)メチル置換フェノールの合計量1モルに対
し、1×10-5〜5×10-1モルである。
Examples of the catalyst used for the polycondensation of the (poly) methyl-substituted phenol with aldehydes include acidic catalysts such as hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, formic acid, oxalic acid and acetic acid. The use amount of these acidic catalysts is preferably 1 × 10 −5 to 5 × 10 −1 mol per 1 mol of the total amount of the (poly) methyl-substituted phenol.

【0017】重縮合反応においては、好ましくは反応媒
質として水が用いられるが、重縮合反応に用いられる
(ポリ)メチル置換フェノールがアルデヒド類の水溶液
に溶解せず、反応初期から不均一系になる場合は、反応
媒質として親水性溶媒を使用することもできる。これら
の親水性溶媒としては、例えばメタノ−ル、エタノ−
ル、プロパノ−ル、ブタノ−ルなどのアルコ−ル類、テ
トラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エ−テル類を
好ましいものとして挙げることができる。これらの反応
媒質の使用量は、好ましくは反応原料100重量部当
り、20〜1,000重量部である。
In the polycondensation reaction, water is preferably used as a reaction medium, but the (poly) methyl-substituted phenol used in the polycondensation reaction does not dissolve in the aqueous solution of aldehydes, and becomes a heterogeneous system from the beginning of the reaction. In such a case, a hydrophilic solvent can be used as a reaction medium. These hydrophilic solvents include, for example, methanol and ethanol.
Preferred are alcohols such as toluene, propanol and butanol, and cyclic ethers such as tetrahydrofuran and dioxane. The amount of these reaction media used is preferably 20 to 1,000 parts by weight per 100 parts by weight of the reaction raw materials.

【0018】重縮合の温度は、反応原料の反応性に応じ
て、適宜調整することができるが、通常10〜200
℃、好ましくは70〜150℃である。重縮合の方法と
しては、(ポリ)メチル置換フェノール類、アルデヒド
類、酸性触媒などを一括して仕込む方法、および酸性触
媒の存在下に(ポリ)メチル置換フェノール類、アルデ
ヒド類などを反応の進行とともに加えていく方法を採用
することができる。
The temperature of the polycondensation can be appropriately adjusted according to the reactivity of the reaction raw materials.
° C, preferably 70 to 150 ° C. The polycondensation method includes a method in which (poly) methyl-substituted phenols, aldehydes, and acidic catalysts are collectively charged, and a method in which (poly) methyl-substituted phenols and aldehydes are reacted in the presence of an acidic catalyst. And a method of adding them together.

【0019】重縮合反応終了後、系内に存在する未反応
原料、酸性触媒、反応媒質などを除去するため、一般的
には、反応系の温度を130℃〜230℃に上昇させ、
減圧下、例えば20〜50mmHg程度で揮発分を留去し、
生成した樹脂(A)を回収する。
After completion of the polycondensation reaction, the temperature of the reaction system is generally raised to 130 ° C. to 230 ° C. in order to remove unreacted raw materials, acidic catalyst, reaction medium and the like present in the system.
Volatile components are distilled off under reduced pressure, for example, at about 20 to 50 mmHg,
The generated resin (A) is recovered.

【0020】また本発明において用いる樹脂(A)は、
ポリスチレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」と称
する)が、好ましくは4,000〜20,000、特に好
ましくは5,000〜15,000の範囲にあることが望
ましい。Mwが20,000を超えると、本発明の組成
物をウェハーに均一に塗布しにくくなり、さらに現像性
および感度が低下し、またMwが4,000未満である
と、耐熱性が低下する傾向がある。
The resin (A) used in the present invention comprises:
The weight average molecular weight in terms of polystyrene (hereinafter, referred to as “Mw”) is preferably in the range of 4,000 to 20,000, particularly preferably in the range of 5,000 to 15,000. When Mw exceeds 20,000, it becomes difficult to uniformly apply the composition of the present invention to a wafer, and further, developability and sensitivity decrease. When Mw is less than 4,000, heat resistance tends to decrease. There is.

【0021】なお、Mwの高い樹脂(A)を得るために
は、例えば重縮合終了後に回収された樹脂(A)を、エ
チルセロソルブアセテート、ジオキサン、メタノール、
酢酸エチルなどの良溶媒に溶解したのち、水、n−ヘキ
サン、n−ヘプタンなどの貧溶媒を混合し、次いで析出
する樹脂溶液層を分離し、高分子量の樹脂(A)を回収
すればよい。
In order to obtain a resin (A) having a high Mw, for example, the resin (A) recovered after the completion of the polycondensation is treated with ethyl cellosolve acetate, dioxane, methanol,
After dissolving in a good solvent such as ethyl acetate, a poor solvent such as water, n-hexane or n-heptane is mixed, and then a resin solution layer to be separated is separated to recover a high molecular weight resin (A). .

【0022】また、樹脂(A)以外に前記樹脂(A)の
合成に用いられるフェノール類として例示した以外のフ
ェノール類、例えばフェノール、1−ナフトール、2−
ナフトールなどとフェノール類とホルムアルデヒド類の
縮合によって得られるアルカリ可溶性ノボラック樹脂を
本発明の効果を損なわない範囲で添加することもでき
る。
Further, in addition to the resin (A), phenols other than those exemplified as phenols used in the synthesis of the resin (A), for example, phenol, 1-naphthol, 2-phenol
An alkali-soluble novolak resin obtained by condensing phenols and formaldehyde with naphthol or the like can be added as long as the effects of the present invention are not impaired.

【0023】また、樹脂(A)のアルカリ溶解性を促進
するなどの目的で、低分子量のフェノール化合物を溶解
促進剤として添加することもできる。ここで使用される
低分子量化合物としては、ベンゼン環数2〜6程度のフ
ェノール化合物が好適であり、特に限定されるものでは
ないが、下記式(2a)〜(2h)で表わされる化合物
を例示することができる。
For the purpose of accelerating the alkali solubility of the resin (A), a low molecular weight phenol compound may be added as a dissolution accelerator. As the low molecular weight compound used herein, a phenol compound having about 2 to 6 benzene rings is suitable and is not particularly limited, but examples include compounds represented by the following formulas (2a) to (2h). can do.

【0024】[0024]

【化3】 Embedded image

【0025】[0025]

【化4】 Embedded image

【0026】かかる低分子量のフェノール化合物の配合
量は、樹脂(A)100重量部当り、好ましくは50重
量部以下、特に好ましくは5〜35重量部の範囲とする
ことが有利である。本発明において用いられるキノンジ
アジドスルホン酸エステルは上記構造式(1)で表わさ
れる化合物Aのキノンジアジドスルホン酸エステルであ
る。
The amount of the low molecular weight phenol compound to be added is preferably 50 parts by weight or less, particularly preferably 5 to 35 parts by weight, per 100 parts by weight of the resin (A). The quinonediazidesulfonic acid ester used in the present invention is the quinonediazidosulfonic acid ester of the compound A represented by the above structural formula (1).

【0027】この構造式(1)において、置換もしくは
非置換アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、
n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−
ブチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、クミル基、
クロロメチル基、トリクロロメチル基、ヒドロキシエチ
ル基、ヒドロキシプロピル基、メトキシエチル基、エト
キシエチル基などを挙げることができる。その中でもメ
チル基、エチル基などが好ましい。置換もしくは非置換
アリール基の例としては、フェニル基、1−ナフチル
基、2−ナフチル基、4−メチルフェニル基、4−ヒド
ロキシフェニル基、4−メトキシフェニル基、4−ニト
ロフェニル基、3−クロロフェニル基などを挙げること
ができる。その中でもフェニル基が好ましい。
In the structural formula (1), examples of the substituted or unsubstituted alkyl group include a methyl group, an ethyl group,
n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-
Butyl group, cyclohexyl group, benzyl group, cumyl group,
Examples thereof include a chloromethyl group, a trichloromethyl group, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a methoxyethyl group, and an ethoxyethyl group. Among them, a methyl group, an ethyl group and the like are preferable. Examples of the substituted or unsubstituted aryl group include a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 4-methylphenyl group, a 4-hydroxyphenyl group, a 4-methoxyphenyl group, a 4-nitrophenyl group, A chlorophenyl group and the like can be mentioned. Among them, a phenyl group is preferable.

【0028】アルキル置換アリール基の例としては、2
−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチ
ルフェニル基、4−t−ブチルフェニル基などを挙げる
ことができる。その中でも4−メチルフェニル基などが
好ましい。アルコール置換アリール基の例としては、2
−メトキシフェニル基、4−メトキシフェニル基、4−
t−ブトキシフェニル基、4−フェノキシフェニル基な
どを挙げることができる。その中でも4−メトキシフェ
ニル基が好ましい。非置換アリール基の例としては、フ
ェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基などを挙げ
ることができる。その中でもフェニル基が好ましい。
Examples of the alkyl-substituted aryl group include 2
-Methylphenyl group, 4-methylphenyl group, 4-ethylphenyl group, 4-t-butylphenyl group and the like. Among them, a 4-methylphenyl group and the like are preferable. Examples of alcohol-substituted aryl groups include 2
-Methoxyphenyl group, 4-methoxyphenyl group, 4-
Examples thereof include a t-butoxyphenyl group and a 4-phenoxyphenyl group. Among them, a 4-methoxyphenyl group is preferable. Examples of the unsubstituted aryl group include a phenyl group, a 1-naphthyl group, and a 2-naphthyl group. Among them, a phenyl group is preferable.

【0029】化合物Aの合成方法としては、例えば特開
昭61−11289号公報に示されているように、α,
β−不飽和カルボニル化合物と置換あるいは非置換フェ
ノール類を酸触媒存在下で反応させる方法を挙げること
ができる。
As a method for synthesizing compound A, for example, as disclosed in JP-A-61-11289, α,
Examples thereof include a method of reacting a β-unsaturated carbonyl compound with a substituted or unsubstituted phenol in the presence of an acid catalyst.

【0030】かかる構造式(1)で表わされる化合物
(A)の具体例としては、1,1,3−トリス(4−ヒド
ロキシフェニル)プロパン、1,1,3−トリス(3,5
−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,
1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロパン、1,1,3−トリス(3,5−ジメチル
−2−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,3−トリ
ス(4,5−ジメチル−2−ヒドロキシフェニル)プロ
パン、1,1,3−トリス(5−メチル−2−ヒドロキシ
フェニル)プロパン、1,3,3−トリス(3,5−ジメ
チル−4−ヒドロキシフェニル)ブタン、1,3,3−ト
リス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)ブ
タン、1,3,3−トリス(4,5−ジメチル−2−ヒド
ロキシフェニル)ブタン、1,3,3−トリス(4−ヒド
ロキシフェニル)ブタン、1,3,3−トリス(3,5−
ジメチル−2−ヒドロキシフェニル)ブタン、1,3,3
−トリス(5−メチル−2−ヒドロキシフェニル)ブタ
ン、1,1,3−トリス(4−ヒドロキシフェニル)ブタ
ン、
Specific examples of the compound (A) represented by the structural formula (1) include 1,1,3-tris (4-hydroxyphenyl) propane and 1,1,3-tris (3,5
-Dimethyl-4-hydroxyphenyl) propane, 1,
1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) propane, 1,1,3-tris (3,5-dimethyl-2-hydroxyphenyl) propane, 1,1,3-tris (4, 5-dimethyl-2-hydroxyphenyl) propane, 1,1,3-tris (5-methyl-2-hydroxyphenyl) propane, 1,3,3-tris (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) butane 1,3,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) butane, 1,3,3-tris (4,5-dimethyl-2-hydroxyphenyl) butane, 1,3,3-tris (4-hydroxyphenyl) butane, 1,3,3-tris (3,5-
Dimethyl-2-hydroxyphenyl) butane, 1,3,3
-Tris (5-methyl-2-hydroxyphenyl) butane, 1,1,3-tris (4-hydroxyphenyl) butane,

【0031】 1,1,3−トリス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシ
フェニル)ブタン、 1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシ
フェニル)ブタン、 1,1,3−トリス(3,5−ジメチル−2−ヒドロキシ
フェニル)ブタン、 1,1,3−トリス(3,4−ジメチル−2−ヒドロキシ
フェニル)ブタン、 1,1,3−トリス(5−メチル−2−ヒドロキシフェニ
ル)ブタン、 1,1,3−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−3−フ
ェニルプロパン、 1,1,3−トリス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシ
フェニル)−3−フェニルプロパン、 1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシ
フェニル)−3−フェニルプロパン、 1,1,3−トリス(4,5−ジメチル−2−ヒドロキシ
フェニル)−3−フェニルプロパン、 1,1,3−トリス(3,5−ジメチル−2−ヒドロキシ
フェニル)−3−フェニルプロパン、 1,1,3−トリス(5−メチル−2−ヒドロキシフェニ
ル)−3−フェニルプロパン、 1,1,3−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−3−
(4−メトキシフェニル)−2−メチルプロパン、 1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシ
フェニル)−3−(4−メトキシフェニル)−2−メチ
ルプロパン、 1,1,3−トリス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシ
フェニル)−3−(4−メトキシフェニル)−2−メチ
ルプロパンなどを挙げることができる。
1,1,3-tris (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) butane, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) butane, 1,1,3 -Tris (3,5-dimethyl-2-hydroxyphenyl) butane, 1,1,3-tris (3,4-dimethyl-2-hydroxyphenyl) butane, 1,1,3-tris (5-methyl-2 -Hydroxyphenyl) butane, 1,1,3-tris (4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 1,1,3-tris (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 1,1,3-tris (4,5-dimethyl-2-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 1,1,3-g Lis (3,5-dimethyl-2-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 1,1,3-tris (5-methyl-2-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 1,1,3-tris ( 4-hydroxyphenyl) -3-
(4-methoxyphenyl) -2-methylpropane, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3- (4-methoxyphenyl) -2-methylpropane, 1,1, Examples thereof include 3-tris (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3- (4-methoxyphenyl) -2-methylpropane.

【0032】本発明における感放射線成分である上記化
合物(A)のキノンジアジドスルホン酸エステルとして
は、例えば化合物(A)の1,2−ベンゾキノンジアジ
ド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジ
アジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,1−ナフト
キノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,1−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルなどを挙
げることができる。中でも好ましいものは、1,2−ナ
フトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルまたは
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ルである。
The quinonediazide sulfonic acid ester of the compound (A) which is the radiation-sensitive component in the present invention includes, for example, 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid ester of the compound (A) and 1,2-naphthoquinonediazide- 4-sulfonic acid ester, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,1-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,1-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester and the like can be mentioned. . Among them, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester is preferable.

【0033】該感放射線成分は、例えば前述の化合物
(A)とナフトキノンジアジドスルホニルクロリドとの
エステル化反応により得ることができる。エステル化反
応におけるエステル化率は、化合物(A)の水酸基1個
当り、好ましくは20%〜100%、より好ましくは4
0%〜95%である。
The radiation-sensitive component can be obtained, for example, by an esterification reaction of the above-mentioned compound (A) with naphthoquinonediazidosulfonyl chloride. The esterification rate in the esterification reaction is preferably 20% to 100%, more preferably 4%, per one hydroxyl group of the compound (A).
0% to 95%.

【0034】これらの感放射線成分は、1種単独でも2
種以上組み合わせても用いることができる。本発明の組
成物中における化合物(A)のキノンジアジドスルホン
酸エステルの含有割合は、樹脂(A)100重量部当
り、好ましくは0.5〜90重量部、より好ましくは2
〜50重量部である。
These radiation-sensitive components may be used alone or in combination.
A combination of more than one species can be used. The content of the quinonediazide sulfonic acid ester of the compound (A) in the composition of the present invention is preferably 0.5 to 90 parts by weight, more preferably 2 to 100 parts by weight per 100 parts by weight of the resin (A).
5050 parts by weight.

【0035】また、本発明の効果を損なわない範囲にお
いて、化合物(A)のキノンジアジドスルホン酸エステ
ル以外のキノンジアジドスルホン酸を併用してもよい。
このようなキノンジアジドスルホン酸エステルとして
は、例えば2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、
2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
3’−メトキシ−2,3,4,4’−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン、2,2’,5,5’−テトラメチル−2”,
4,4’−トリヒドロキシベンゾフェニルメタン、1,
1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,
1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエ
タン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−4−
[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチ
ル]−1−フェニルエタン、2,4,4−トリメチル−
2’,4’,7−トリヒドロキシ−2−フェニルフラバン
などの1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸
エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホ
ン酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸エステルなどを挙げることができる。
Further, a quinonediazidesulfonic acid other than the quinonediazidesulfonic acid ester of the compound (A) may be used in combination as long as the effects of the present invention are not impaired.
Such quinonediazide sulfonic acid esters include, for example, 2,3,4-trihydroxybenzophenone,
2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone,
3′-methoxy-2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ′, 5,5′-tetramethyl-2 ″,
4,4'-trihydroxybenzophenylmethane,
1,1-tris (4-hydroxyphenyl) ethane, 1,
1-bis (4-hydroxyphenyl) -1-phenylethane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -4-
[1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] -1-phenylethane, 2,4,4-trimethyl-
1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid ester such as 2 ', 4', 7-trihydroxy-2-phenylflavan, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester or 1,2-naphthoquinonediazide- 5
-Sulfonic acid esters and the like.

【0036】本発明の組成物には、適宜増感剤、界面活
性剤などの各種配合剤を配合することができる。増感剤
は、レジストの感度を向上させるために配合される。こ
のような増感剤としては、例えば2H−ピリド−(3,
2−b)−1,4−オキサジン−3(4H)−オン類、
10H−ピリド−(3,2−b)−(1,4)−ベンジ
チアジン類、ウラゾール類、ヒダントイン類、パルビツ
ール酸類、グリシン無水物類、1−ヒドロキシベンゾト
リアゾール類、アロキサン類、マレイミド類などが挙げ
られる。これらの増感剤の配合量は、樹脂(A)100
重量部に対し、好ましくは50重量部以下、より好まし
くは30重量部以下である。
Various components such as a sensitizer and a surfactant can be appropriately added to the composition of the present invention. The sensitizer is blended to improve the sensitivity of the resist. Examples of such a sensitizer include 2H-pyrido- (3,
2-b) -1,4-oxazin-3 (4H) -ones,
10H-pyrido- (3,2-b)-(1,4) -bendithiazines, urazoles, hydantoins, parbituric acids, glycine anhydrides, 1-hydroxybenzotriazoles, alloxanes, maleimides and the like. Can be The compounding amount of these sensitizers is 100 (resin) (A).
The amount is preferably 50 parts by weight or less, more preferably 30 parts by weight or less based on parts by weight.

【0037】また界面活性剤は、組成物の塗布性や現像
性を改良するために配合される。このような界面活性剤
としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシ
エチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレ
ンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジ
ラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等
のノニオン系界面活性剤;エフトップ EF301,E
F303,EF352(商品名、新秋田化成社製)、メ
ガファックス F171,F172,F173(商品
名、大日本インキ社製)、フロラード FC430,F
C431(商品名、住友スリーエム社製)、アサヒガー
ド AG710,サーフロン S−382,SC−10
1,SC−102,SC−103,SC−104,SC
−105,SC−106(商品名、旭硝子社製)などの
フッソ系界面活性剤;オルガノシロキサンポリマーKP
341(商品名、信越化学工業社製);アクリル酸系ま
たはメタクリル酸系(共)重合体ポリフローNo.7
5、No.95(商品名、共栄社油脂化学工業社製)が
挙げられる。
A surfactant is blended in order to improve the coatability and developability of the composition. Examples of such surfactants include nonionic surfactants such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene nonyl phenyl ether, polyethylene glycol dilaurate, and polyethylene glycol distearate. Activator; F-top EF301, E
F303, EF352 (trade name, manufactured by Shin-Akita Kasei), Megafax F171, F172, F173 (trade name, manufactured by Dainippon Ink), Florad FC430, F
C431 (trade name, manufactured by Sumitomo 3M Limited), Asahigard AG710, Surflon S-382, SC-10
1, SC-102, SC-103, SC-104, SC
-Surfactants such as -105, SC-106 (trade name, manufactured by Asahi Glass Co.); organosiloxane polymer KP
No. 341 (trade name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.); acrylic or methacrylic acid (co) polymer polyflow No. 7
5, No. 95 (trade name, manufactured by Kyoeisha Yushi Kagaku Kogyo KK).

【0038】これらの界面活性剤の配合量は、組成物の
固形分100重量部当り、好ましくは2重量部以下であ
る。さらに本発明の組成物には、放射線照射部の潜像を
可視化させ、放射線照射時のハレーションの影響を少な
くするために、染料や顔料を配合することができ、また
接着性を改善するために、接着助剤を配合することもで
きる。さらに必要に応じて保存安定剤、消泡剤なども配
合することができる。
The amount of these surfactants is preferably not more than 2 parts by weight per 100 parts by weight of the solid content of the composition. Further, in the composition of the present invention, in order to visualize the latent image of the radiation-irradiated portion and to reduce the influence of halation at the time of radiation irradiation, a dye or a pigment can be blended, and to improve the adhesiveness. And an adhesion aid. Further, if necessary, a storage stabilizer, an antifoaming agent and the like can be added.

【0039】本発明の組成物は、前述した樹脂(A)お
よび化合物(A)のキノンジアジドスルホン酸エステル
ならびに前述した各種配合剤を、例えば固形分濃度が2
0〜40重量%となるように溶剤に溶解させ、孔径0.
2μm程度のフィルターで濾過することによって有利に
調製することができる。
The composition of the present invention comprises the resin (A) and the quinonediazide sulfonic acid ester of the compound (A) and the various compounding agents described above, for example, having a solid content of 2%.
It is dissolved in a solvent so as to have a pore size of 0 to 40% by weight.
It can be advantageously prepared by filtering through a filter of about 2 μm.

【0040】この際に用いられる溶剤としては、例えば
エチレングリコ−ルモノメチルエ−テル、エチレングリ
コ−ルモノエチルエ−テル、メチルセロソルブアセテ−
ト、エチルセロソルブアセテ−ト、ジエチレングリコ−
ルモノメチルエ−テル、ジエチレングリコ−ルモノエチ
ルエ−テル、プロピレングリコ−ルメチルエ−テルアセ
テ−ト、プロピレングリコ−ルプロピルエ−テルアセテ
−ト、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノン、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2
−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキ
シ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ
−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシプロピオン
酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エト
キシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メ
チル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン
酸プロピル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどを用いること
ができる。これらの有機溶剤は単独で、または2種以上
の組合せで使用される。
The solvent used at this time is, for example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate.
G, ethyl cellosolve acetate, diethylene glyco-
Monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol propyl ether acetate, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, ethyl 2-hydroxypropionate, 2
Ethyl hydroxy-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, 3 -Methyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, ethyl acetate, butyl acetate and the like can be used. These organic solvents are used alone or in combination of two or more.

【0041】さらに、N−メチルホルムアミド、N,N
−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアニリド、
N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベ
ンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニ
ルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1
−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコー
ル、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチ
ル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エ
チレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテ−
トなどの高沸点溶剤を添加することもできる。
Further, N-methylformamide, N, N
-Dimethylformamide, N-methylformanilide,
N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethylsulfoxide, benzylethylether, dihexylether, acetonylacetone, isophorone, caproic acid, caprylic acid,
-Octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, phenyl cellosolve acetate
A high-boiling solvent such as a solvent can also be added.

【0042】本発明の組成物は、これを回転塗布、流し
塗布、ロ−ル塗布などによって、例えばシリコンウェハ
ーまたはアルミニウムが被覆されたウェハーに塗布する
ことにより感放射線層を形成し、所定のマスクパターン
を介して該感放射線層に放射線を照射し、現像液で現像
することによりパターンの形成が行われる。
The composition of the present invention is applied to a silicon wafer or a wafer coated with aluminum, for example, by spin coating, flow coating, roll coating, etc. to form a radiation-sensitive layer, and a predetermined mask is formed. The pattern is formed by irradiating the radiation-sensitive layer with radiation through the pattern and developing with a developer.

【0043】また本発明の組成物をポジ型レジストとし
て使用する際には、ウェハーなどの上に該組成物を塗布
し、プレベークおよび放射線照射を行った後、70〜1
40℃で加熱する操作を行い、その後に現像することに
よって、本発明の効果をさらに向上させることもでき
る。
When the composition of the present invention is used as a positive resist, the composition is coated on a wafer or the like, prebaked and irradiated, and then treated with 70 to 1
The effect of the present invention can be further improved by performing an operation of heating at 40 ° C. and then performing development.

【0044】本発明の組成物の現像液としては、例えば
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア水、
エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、
ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジ
エチルアミン、ジメチルエタノ−ルアミン、トリエタノ
−ルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、
テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロ
−ル、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,
0)−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ−(4,
3,0)−5−ノナンなどのアルカリ性化合物を、濃度
が、例えば1〜10重量%となるように溶解してなるア
ルカリ性水溶液が使用される。
As the developer of the composition of the present invention, for example, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate,
Sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia,
Ethylamine, n-propylamine, diethylamine,
Di-n-propylamine, triethylamine, methyldiethylamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide,
Tetraethylammonium hydroxide, choline, pyrrol, piperidine, 1,8-diazabicyclo (5,4,
0) -7-undecene, 1,5-diazabicyclo- (4,
An alkaline aqueous solution obtained by dissolving an alkaline compound such as 3,0) -5-nonane at a concentration of, for example, 1 to 10% by weight is used.

【0045】また該現像液には、水溶性有機溶媒、例え
ばメタノ−ル、エタノ−ルなどのアルコ−ル類や界面活
性剤を適量添加して使用することもできる。なお、この
ようなアルカリ性水溶液からなる現像液を用いて現像を
行った場合は、一般には引き続き水でリンスを行う。
The developer may be used after adding a suitable amount of a water-soluble organic solvent, for example, alcohols such as methanol and ethanol and a surfactant. When development is performed using a developing solution composed of such an alkaline aqueous solution, rinsing is generally continued with water.

【0046】[0046]

【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれらの実施例によって、なんら制限され
るものではない。なお、実施例中のMwの測定およびレ
ジストの評価は、以下の方法により行ったものである。
EXAMPLES The present invention will be described in detail below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. The measurement of Mw and the evaluation of the resist in the examples were performed by the following methods.

【0047】Mw:東ソー社製GPCカラム(G200
0H6 2本、G3000H6 1本、G4000H6
1本)を用い、流量1.5ml/分、溶出溶媒テトラヒド
ロフラン、カラム温度40℃の分析条件で、単分散ポリ
スチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグ
ラフ法により測定した。
Mw: Tosoh GPC column (G200
0H6 2 pieces, G3000H6 1 piece, G4000H6
The measurement was performed by gel permeation chromatography using monodisperse polystyrene as a standard under the analysis conditions of 1.5 ml / min, an elution solvent of tetrahydrofuran, and a column temperature of 40 ° C.

【0048】感度:ニコン社製NSR−1755G7A
縮小投影露光機(レンズの開口数;0.54)で露光時
間を変化させ、波長436nmのg線を用いて露光を行
うか、またはニコン社製NSR−1755i7A縮小投
影露光機(レンズ開口数;0.50)で露光時間を変化
させ、波長365nmのi線を用いて露光を行い、つい
でテトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.4重量%
水溶液を現像液として用い、25℃で60秒間現像し、
水でリンスし、乾燥してウェハー上にレジストパターン
を形成させ、0.6μmのライン・アンド・スペースパ
ターン(1L1S)を1対1の幅に形成する露光時間
(以下、これを「最適露光時間」という)を求めた。
Sensitivity: NSR-1755G7A manufactured by Nikon Corporation
The exposure time is changed using a reduction projection exposure machine (lens numerical aperture; 0.54), and exposure is performed using g-line having a wavelength of 436 nm, or a Nikon NSR-1755i7A reduction projection exposure machine (lens numerical aperture; The exposure time was changed at 0.50), exposure was performed using i-rays having a wavelength of 365 nm, and then 2.4% by weight of tetramethylammonium hydroxide.
Using an aqueous solution as a developer, develop at 25 ° C. for 60 seconds,
Rinsing with water and drying to form a resist pattern on the wafer, and an exposure time for forming a 0.6 μm line-and-space pattern (1L1S) in a one-to-one width (hereinafter referred to as “optimal exposure time”) ").

【0049】解像度:最適露光時間で露光した時に解像
されている最小のレジストパターンの寸法を測定した。 残膜率:最適露光時間における現像後のパターンの厚さ
を現像前のレジスト膜の厚さで割り、この値を100倍
して%の単位をつけて表わした。
Resolution: The dimension of the smallest resist pattern resolved when exposed at the optimum exposure time was measured. Remaining film ratio: The thickness of the pattern after development at the optimum exposure time was divided by the thickness of the resist film before development, and this value was multiplied by 100 to give a unit of%.

【0050】現像性:スカムや現像残りの程度を走査型
電子顕微鏡にて観察し、調べた。 耐熱性:クリーンオーブン中にレジストパターンを形成
したウェハーを入れて、パターンが崩れ始めたときの温
度を測定した。
Developability: The degree of scum and the amount of undeveloped residue were observed and examined with a scanning electron microscope. Heat resistance: The wafer at which the resist pattern was formed was placed in a clean oven, and the temperature at which the pattern began to collapse was measured.

【0051】パターン形状:走査型電子顕微鏡を用い、
0.6μmのレジストパターンの現像後の方形状断面の
下辺Aと上辺Bを測定し、0.85≦B/A≦1である
場合を、パターン形状が良好であると判定した。但し、
パターン形状が裾を引いていたり逆テーパー状になって
いる場合は、B/Aが上記範囲に入っていても良好と判
断しない。
Pattern shape: Using a scanning electron microscope,
The lower side A and the upper side B of the rectangular cross section of the 0.6 μm resist pattern after development were measured, and when 0.85 ≦ B / A ≦ 1, the pattern shape was determined to be good. However,
When the pattern shape has a skirt or a reverse tapered shape, it is not determined that B / A is good even if B / A is within the above range.

【0052】<樹脂(A)の合成> 合成例1 攪拌機、冷却管および温度計を装着したフラスコに、 メタクレゾール 64.8g(0.60モル) パラクレゾール 43.3g(0.40モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 105g (ホルムアルデヒド:1.3モル) および シュウ酸2水和物 1.26g(0.01モル) を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保
持して攪拌しながら180分間重縮合を行ったのちに、
油浴温度を180℃まで上昇させ、同時にフラスコ内の
圧力を30〜50mmHgまで減圧し、水、シュウ酸、未反
応のホルムアルデヒド、メタクレゾール、パラクレゾー
ルなどを除去した。次いで溶融した樹脂を室温に戻して
回収しMwを測定したところ8,000であった。この
樹脂を、樹脂(A1)という。
<Synthesis of Resin (A)> Synthesis Example 1 In a flask equipped with a stirrer, a condenser and a thermometer, 64.8 g (0.60 mol) of meta-cresol 43.3 g (0.40 mol) of para-cresol 37 A 105 wt% aqueous solution of formaldehyde (formaldehyde: 1.3 mol) and oxalic acid dihydrate 1.26 g (0.01 mol) were charged, the flask was immersed in an oil bath, and the mixture was stirred while maintaining the internal temperature at 100 ° C. After 180 minutes of polycondensation,
The temperature of the oil bath was raised to 180 ° C., and simultaneously the pressure in the flask was reduced to 30 to 50 mmHg to remove water, oxalic acid, unreacted formaldehyde, meta-cresol, para-cresol and the like. Next, the melted resin was returned to room temperature and collected, and the Mw was measured. This resin is referred to as resin (A1).

【0053】合成例2 合成例1で用いたのと同様のフラスコに、 メタクレゾール 80.0g(0.74モル) 2,3−キシレノール 31.8g(0.26モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 180g (ホルムアルデヒド:1.8モル) および シュウ酸2水和物 1.26g(0.01モル) を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保
持して攪拌しながら60分間重縮合を行ったのちに、 メタクレゾール 28.1g(0.26モル) および 2,3−キシレノール 90.4g(0.74モル) を加えてさらに120分間重縮合を行った。その後、合
成例1と同様に樹脂を回収しMwを測定したところ4,
000であった。この樹脂を、樹脂(A2)という。
Synthesis Example 2 In a flask similar to that used in Synthesis Example 1, 80.0 g (0.74 mol) of meta-cresol 31.8 g (0.26 mol) of 2,3-xylenol 180 g of 37% by weight aqueous formaldehyde solution (Formaldehyde: 1.8 mol) and oxalic acid dihydrate 1.26 g (0.01 mol) were charged, and the flask was immersed in an oil bath. After that, 28.1 g (0.26 mol) of meta-cresol and 90.4 g (0.74 mol) of 2,3-xylenol were added, and polycondensation was further performed for 120 minutes. Thereafter, the resin was recovered and Mw was measured in the same manner as in Synthesis Example 1, and
000. This resin is referred to as resin (A2).

【0054】合成例3 合成例1で用いたのと同様のフラスコに、 メタクレゾール 86.5g(0.80モル) パラクレゾール 64.9g(0.60モル) 2,3−キシレノール 9.77g(0.08モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 150g (ホルムアルデヒド:1.85モル) および シュウ酸2水和物 1.26g(0.01モル) を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保
持して攪拌しながら40分間重縮合を行ったのちに、 メタクレゾール 21.6g(0.20モル) および 2,3−キシレノール 39.1g(0.32モル) を加えてさらに120分間重縮合を行った。その後、合
成例1と同様に樹脂を回収した。この樹脂をエチルセロ
ソルブアセテートに固形分が30重量%になるように溶
解したのち、この樹脂溶液の重量に対し、0.3倍のメ
タノールおよび0.75倍の水を加えて攪拌し放置し
た。放置することにより2層に分離したのち、樹脂溶液
層(下層)を取り出し、濃縮し脱水し乾燥して樹脂を回
収しMwを測定したところ5,800であった。この樹
脂を、樹脂(A3)という。
Synthesis Example 3 In a flask similar to that used in Synthesis Example 1, 86.5 g (0.80 mol) of meta-cresol 64.9 g (0.60 mol) of para-cresol 9.77 g of 2,3-xylenol ( 0.08 mol) A 37% by weight aqueous formaldehyde solution (150 g, formaldehyde: 1.85 mol) and oxalic acid dihydrate (1.26 g, 0.01 mol) were charged, and the flask was immersed in an oil bath. After performing polycondensation for 40 minutes while stirring, 21.6 g (0.20 mol) of meta-cresol and 39.1 g (0.32 mol) of 2,3-xylenol were added, and the mixture was further polymerized for 120 minutes. Condensation was performed. Thereafter, the resin was recovered in the same manner as in Synthesis Example 1. This resin was dissolved in ethyl cellosolve acetate so as to have a solid content of 30% by weight. Then, 0.3 times methanol and 0.75 times water were added to the weight of the resin solution, and the mixture was stirred and allowed to stand. After being separated into two layers by leaving to stand, the resin solution layer (lower layer) was taken out, concentrated, dehydrated and dried to collect the resin, and the Mw was 5,800. This resin is referred to as resin (A3).

【0055】合成例4 オートクレーブに メタクレゾール 110.0g(1.02モル) 2,3−キシレノール 62.3g(0.51モル) 2,3,5−トリメチルフェノール 23.2g(0.17モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 150g (ホルムアルデヒド:1.70モル) シュウ酸2水和物 4.28g(0.034モル) 水 59.7g および ジオキサン 440g を仕込み、オートクレーブを油浴に浸し、内温を130
℃に保持して攪拌しながら8時間重縮合を行い、反応
後、室温まで戻し、内容物をビーカーに取り出した。こ
のビーカー中で2層に分離したのち、下層を取り出し、
濃縮し脱水し乾燥して樹脂を回収しMwを測定したとこ
ろ9,200であった。この樹脂を、樹脂(A4)とい
う。
Synthesis Example 4 In an autoclave, 110.0 g (1.02 mol) of meta-cresol 62.3 g (0.51 mol) of 2,3-xylenol 23.2 g (0.17 mol) of 2,3,5-trimethylphenol 150 g of a 37% by weight aqueous solution of formaldehyde (formaldehyde: 1.70 mol) 4.28 g (0.034 mol) of oxalic acid dihydrate 59.7 g of water and 440 g of dioxane were charged, the autoclave was immersed in an oil bath, and the internal temperature was lowered to 130.
Polycondensation was carried out for 8 hours while stirring at a temperature of ℃ C. After the reaction, the temperature was returned to room temperature, and the contents were taken out into a beaker. After separating into two layers in this beaker, take out the lower layer,
After concentration, dehydration and drying, the resin was recovered and its Mw was measured to be 9,200. This resin is referred to as resin (A4).

【0056】合成例5 オートクレーブに メタクレゾール 97.3g(0.90モル) 2,3−キシレノール 36.7g(0.30モル) 3,4−キシレノール 36.7g(0.30モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 113g (ホルムアルデヒド:1.39モル) シュウ酸2水和物 9.45g(0.75モル) 水 121g および ジオキサン 576g を仕込み、オートクレーブを油浴に浸し、内温を130
℃に保持して攪拌しながら8時間重縮合を行い、反応
後、室温まで戻し、内容物をビーカーに取り出した。こ
のビーカー中で2層に分離したのち、下層を取り出し、
濃縮し脱水し乾燥して樹脂を回収しMwを測定したとこ
ろ7,500であった。この樹脂を、樹脂(A5)とい
う。
Synthesis Example 5 In an autoclave, 97.3 g (0.90 mol) of meta-cresol 36.7 g (0.30 mol) of 2,3-xylenol 36.7 g (0.30 mol) of 3,4-xylenol 37% by weight 113 g of formaldehyde aqueous solution (formaldehyde: 1.39 mol) 9.45 g (0.75 mol) of oxalic acid dihydrate 121 g of water and 576 g of dioxane were charged, and the autoclave was immersed in an oil bath.
Polycondensation was carried out for 8 hours while stirring at a temperature of ℃ C. After the reaction, the temperature was returned to room temperature, and the contents were taken out into a beaker. After separating into two layers in this beaker, take out the lower layer,
After concentration, dehydration and drying, the resin was recovered and Mw was measured to be 7,500. This resin is referred to as resin (A5).

【0057】合成例6 合成例1で用いたのと同様のフラスコに、 メタクレゾール 60.6g(0.56モル) 3,4−キシレノール 7.33g(0.06モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 73g (ホルムアルデヒド:0.90モル) および シュウ酸2水和物 1.26g(0.01モル) を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保
持して攪拌しながら60分間重縮合を行ったのちに、 メタクレゾール 15.1g(0.14モル) および 3,4−キシレノール 29.3g(0.24モル) を加えてさらに120分間重縮合を行った。その後、合
成例1と同様に樹脂を回収しMwを測定したところ4,
500であった。この樹脂を、樹脂(A6)という。
Synthesis Example 6 In a flask similar to that used in Synthesis Example 1, 60.6 g (0.56 mol) of meta-cresol, 7.33 g (0.06 mol) of 3,4-xylenol 73 g of a 37% by weight aqueous solution of formaldehyde (Formaldehyde: 0.90 mol) and oxalic acid dihydrate 1.26 g (0.01 mol) were charged, the flask was immersed in an oil bath, and polycondensation was carried out for 60 minutes while maintaining the internal temperature at 100 ° C. and stirring. After that, 15.1 g (0.14 mol) of meta-cresol and 29.3 g (0.24 mol) of 3,4-xylenol were added, and polycondensation was further performed for 120 minutes. Thereafter, the resin was recovered and Mw was measured in the same manner as in Synthesis Example 1, and
500. This resin is referred to as resin (A6).

【0058】合成例7 合成例1で用いたのと同様のフラスコに、 メタクレゾール 69.2g(0.64モル) 3,4−キシレノール 12.2g(0.10モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 75.5g (ホルムアルデヒド:0.93モル) および シュウ酸2水和物 0.50g(4×10-3モル) を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保
持して攪拌しながら60分間重縮合を行ったのちに、 メタクレゾール 17.3g(0.16モル) および 2,3,5−トリメチルフェノール 13.6g(0.10モル) を加えてさらに90分間重縮合を行った。その後、合成
例1と同様に樹脂を回収した。この樹脂をエチルセロソ
ルブアセテートに固形分が30重量%になるように溶解
したのち、この樹脂溶液の重量に対し、0.3倍のヘプ
タンを加えて攪拌し、放置した。放置することにより2
層に分離したのち、樹脂溶液層(下層)を取り出し、濃
縮し脱水し乾燥して樹脂を回収しMwを測定したところ
4,300であった。この樹脂を、樹脂(A7)とい
う。
Synthesis Example 7 In a flask similar to that used in Synthesis Example 1, 69.2 g (0.64 mol) of meta-cresol 12.2 g (0.10 mol) of 3,4-xylenol 37% by weight aqueous solution of formaldehyde 75 0.5 g (formaldehyde: 0.93 mol) and oxalic acid dihydrate 0.50 g (4 × 10 −3 mol) were charged, the flask was immersed in an oil bath, and the mixture was stirred while maintaining the internal temperature at 100 ° C. After performing the polycondensation for 60 minutes, 17.3 g (0.16 mol) of meta-cresol and 13.6 g (0.10 mol) of 2,3,5-trimethylphenol were added, and the polycondensation was further performed for 90 minutes. . Thereafter, the resin was recovered in the same manner as in Synthesis Example 1. This resin was dissolved in ethyl cellosolve acetate so as to have a solid content of 30% by weight. Then, heptane 0.3 times the weight of the resin solution was added, stirred, and allowed to stand. 2 by leaving
After separation into layers, the resin solution layer (lower layer) was taken out, concentrated, dehydrated and dried to collect the resin, and the Mw was measured to be 4,300. This resin is referred to as resin (A7).

【0059】合成例8 合成例1で用いたのと同様のフラスコに、 メタクレゾール 13.0g(0.12モル) 3,5−キシレノール 39.1g(0.32モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 75.5g (ホルムアルデヒド:0.93モル) および シュウ酸2水和物 0.126g(1×10-4モル) を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保
持して攪拌しながら30分間重縮合を行ったのちに、 メタクレゾール 51.9g(0.48モル) および 3,5−キシレノール 9.78g(0.08モル) を加えてさらに60分間重縮合を行った。その後、合成
例1と同様に樹脂を回収した。この樹脂をエチルセロソ
ルブアセテートに固形分が30重量%になるように溶解
したのち、この樹脂溶液の重量に対し、0.45倍のメ
タノールを加えて攪拌し、放置した。放置することによ
り2層に分離したのち、樹脂溶液層(下層)を取り出
し、濃縮し脱水し乾燥して樹脂を回収しMwを測定した
ところ4,000であった。この樹脂を、樹脂(A8)
という。
Synthesis Example 8 In the same flask as used in Synthesis Example 1, 13.0 g (0.12 mol) of meta-cresol 39.1 g (0.32 mol) of 3,5-xylenol 37% by weight aqueous solution of formaldehyde 75 0.5 g (formaldehyde: 0.93 mol) and 0.126 g (1 × 10 -4 mol) of oxalic acid dihydrate were charged, the flask was immersed in an oil bath, and the mixture was stirred while maintaining the internal temperature at 100 ° C. After performing the polycondensation for 30 minutes, 51.9 g (0.48 mol) of meta-cresol and 9.78 g (0.08 mol) of 3,5-xylenol were added, and the polycondensation was further performed for 60 minutes. Thereafter, the resin was recovered in the same manner as in Synthesis Example 1. This resin was dissolved in ethyl cellosolve acetate so as to have a solid content of 30% by weight. Then, methanol was added in an amount of 0.45 times the weight of the resin solution, stirred, and allowed to stand. After being separated into two layers by leaving to stand, the resin solution layer (lower layer) was taken out, concentrated, dehydrated and dried to collect the resin. The Mw was 4,000. Resin (A8)
That.

【0060】合成例9 合成例1で用いたのと同様のフラスコに、 メタクレゾール 13.0g(0.12モル) パラクレゾール 32.4g(0.30モル) 3,5−キシレノール 39.0g(0.32モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 56.9g (ホルムアルデヒド:0.70モル) および シュウ酸2水和物 0.083g(6.6×10-4モル) を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保
持して攪拌しながら30分間重縮合を行ったのちに、 メタクレゾール 51.9g(0.48モル) および 3,5−キシレノール 9.77g(0.08モル) を加えてさらに45分間重縮合を行った。その後、合成
例1と同様に樹脂を回収しMwを測定したところ8,9
00であった。この樹脂を、樹脂(A9)という。
Synthesis Example 9 In the same flask as used in Synthesis Example 1, 13.0 g (0.12 mol) of meta-cresol 32.4 g (0.30 mol) of para-cresol 39.0 g of 3,5-xylenol ( 0.39 mol) 56.9 g (formaldehyde: 0.70 mol) of a 37% by weight aqueous solution of formaldehyde and 0.083 g (6.6 × 10 -4 mol) of oxalic acid dihydrate were charged, and the flask was immersed in an oil bath. After conducting polycondensation for 30 minutes while stirring while maintaining the internal temperature at 100 ° C., 51.9 g (0.48 mol) of meta-cresol and 9.77 g (0.08 mol) of 3,5-xylenol were added. In addition, polycondensation was carried out for a further 45 minutes. Thereafter, the resin was recovered and Mw was measured in the same manner as in Synthesis Example 1 to find that it was 8,9.
00. This resin is referred to as resin (A9).

【0061】合成例10 合成例1で用いたのと同様のフラスコに、 メタクレゾール 13.0g(0.12モル) 3,5−キシレノール 29.3g(0.24モル) 2,3,5−トリメチルフェノール 2.72g(0.02モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 73.0g (ホルムアルデヒド:0.90モル) および シュウ酸2水和物 0.63g(5×10-3モル) を仕込み、フラスコ油浴に浸し、内温を100℃に保持
して攪拌しながら60分間重縮合を行ったのちに、 メタクレゾール 51.9g(0.48モル) 3,5−キシレノール 7.33g(0.06モル) および 2,3,5−トリメチルフェノール 10.9g(0.08モル) を加えてさらに120分間重縮合を行った。その後、合
成例1と同様に樹脂を回収しMwを測定したところ4,
300であった。この樹脂を、樹脂(A10)という。
Synthesis Example 10 In the same flask as used in Synthesis Example 1, 13.0 g (0.12 mol) of meta-cresol 29.3 g (0.24 mol) of 2,5-xylenol 2,3,5- 2.72 g (0.02 mol) of trimethylphenol, 73.0 g (formaldehyde: 0.90 mol) of a 37% by weight aqueous solution of formaldehyde and 0.63 g (5 × 10 −3 mol) of oxalic acid dihydrate were charged, and flask oil was added. After immersing in a bath and performing polycondensation for 60 minutes while stirring while maintaining the internal temperature at 100 ° C., 51.9 g (0.48 mol) of meta-cresol 7.33 g of 3,5-xylenol (0.06 mol) ) And 10.9 g (0.08 mol) of 2,3,5-trimethylphenol were added, and polycondensation was further carried out for 120 minutes. Thereafter, the resin was recovered and Mw was measured in the same manner as in Synthesis Example 1, and
It was 300. This resin is referred to as resin (A10).

【0062】合成例11 オートクレーブに メタクレゾール 86.5g(0.8モル) 2,3,5−トリメチルフェノール 27.2g(0.2モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 75.1g (ホルムアルデヒド:0.925モル) シュウ酸2水和物 6.30g(0.05モル) 水 66.4g および ジオキサン 341.1g を仕込み、オートクレーブを油浴に浸し、内温を130
℃に保持して攪拌しながら7時間重縮合を行い、反応
後、室温まで戻し、内容物をビーカーに取り出した。こ
のビーカー中で2層に分離したのち、下層を取り出し、
濃縮し脱水し乾燥して樹脂を回収しMwを測定したとこ
ろ9,500であった。この樹脂を樹脂(A11)とい
う。
Synthesis Example 11 In an autoclave, 86.5 g (0.8 mol) of meta-cresol 27.2 g (0.2 mol) of 2,3,5-trimethylphenol 75.1 g of a 37% by weight aqueous solution of formaldehyde (formaldehyde: 0.925) Mol) 6.30 g (0.05 mol) of oxalic acid dihydrate, 66.4 g of water and 341.1 g of dioxane were charged, and the autoclave was immersed in an oil bath.
Polycondensation was carried out for 7 hours while stirring at a temperature maintained at ℃, and after the reaction, the temperature was returned to room temperature, and the contents were taken out into a beaker. After separating into two layers in this beaker, take out the lower layer,
After concentration, dehydration and drying, the resin was recovered and its Mw was measured to be 9,500. This resin is referred to as resin (A11).

【0063】合成例12 合成例1で用いたのと同様のフラスコに、 メタクレゾール 103.8g(0.96モル) パラクレゾール 43.3g(0.40モル) 2,3,5−トリメチルフェノール 10.9g(0.08モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 138g (ホルムアルデヒド:1.70モル) および シュウ酸2水和物 1.26g(0.01モル) を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保
持して攪拌しながら30分間重縮合を行ったのちに、 メタクレゾール 26.0g(0.24モル) および 2,3,5−トリメチルフェノール 43.69g(0.32モル) を加えてさらに40分間重縮合を行った。その後、合成
例1と同様に樹脂を回収した。この樹脂をエチルセロソ
ルブアセテートに固形分が30重量%になるように溶解
したのち、この樹脂溶液の重量に対し、等量のメタノー
ルと0.75倍の水を加えて攪拌し、放置した。放置す
ることにより2層に分離したのち、樹脂溶液層(下層)
を取り出し、濃縮し脱水し乾燥して樹脂を回収しMwを
測定したところ8,800であった。この樹脂を、樹脂
(A12)という。
Synthesis Example 12 In a flask similar to that used in Synthesis Example 1, 103.8 g (0.96 mol) of metacresol 43.3 g (0.40 mol) of paracresol 2,3,5-trimethylphenol 10 3.9 g (0.08 mol) of a 37% by weight aqueous formaldehyde solution (138 g, formaldehyde: 1.70 mol) and oxalic acid dihydrate 1.26 g (0.01 mol) were charged, and the flask was immersed in an oil bath. Was maintained at 100 ° C. and subjected to polycondensation for 30 minutes while stirring. Then, 26.0 g (0.24 mol) of metacresol and 43.69 g (0.32 mol) of 2,3,5-trimethylphenol were added. In addition, polycondensation was carried out for another 40 minutes. Thereafter, the resin was recovered in the same manner as in Synthesis Example 1. This resin was dissolved in ethyl cellosolve acetate so as to have a solid content of 30% by weight, an equal amount of methanol and 0.75 times water were added to the weight of the resin solution, and the mixture was stirred and allowed to stand. Separation into two layers by leaving to stand, resin solution layer (lower layer)
Was taken out, concentrated, dehydrated and dried to collect the resin, and the Mw was measured to be 8,800. This resin is referred to as resin (A12).

【0064】合成例13 合成例1で用いたのと同様のフラスコに、 メタクレゾール 21.6g(0.20モル) 3,5−キシレノール 58.6g(0.48モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 142g (ホルムアルデヒド:1.75モル) および シュウ酸2水和物 0.504g(4×10-3モル) を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保
持して攪拌しながら40分間重縮合を行ったのちに、 メタクレゾール 86.6g(0.80モル) 3,5−キシレノール 14.7g(0.12モル) および 2,5−キシレノール 48.9g(0.40モル) を加えてさらに100分間重縮合を行った。その後、合
成例1と同様に樹脂を回収しMwを測定したところ4,
050であった。この樹脂を、樹脂(A13)という。
Synthesis Example 13 In the same flask as used in Synthesis Example 1, 21.6 g (0.20 mol) of meta-cresol 58.6 g (0.48 mol) of 3,5-xylenol 142 g of 37% by weight aqueous solution of formaldehyde (Formaldehyde: 1.75 mol) and oxalic acid dihydrate (0.504 g, 4 × 10 −3 mol), the flask was immersed in an oil bath, and the temperature was maintained at 100 ° C. for 40 minutes while stirring. After the polycondensation, 86.6 g (0.80 mol) of meta-cresol, 14.7 g (0.12 mol) of 3,5-xylenol and 48.9 g (0.40 mol) of 2,5-xylenol were added. For another 100 minutes. Thereafter, the resin was recovered and Mw was measured in the same manner as in Synthesis Example 1, and
050. This resin is referred to as resin (A13).

【0065】合成例14 オートクレーブに メタクレゾール 70.3g(0.65モル) 2,5−キシレノール 24.4g(0.20モル) 2,3,5−トリメチルフェノール 20.4g(0.15モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 77.1g (ホルムアルデヒド:0.95モル) シュウ酸2水和物 2.52g(0.02モル) 水 37.8g および ジオキサン 259g を仕込み、オートクレーブを油浴に浸し、内温を130
℃に保持して攪拌しながら7時間重縮合を行い、反応
後、室温まで戻し、内容物をビーカーに取り出した。こ
のビーカー中で2層に分離したのち、下層を取り出し、
濃縮し脱水し乾燥して樹脂を回収しMwを測定したとこ
ろ9,900であった。この樹脂を樹脂(A14)とい
う。
Synthesis Example 14 In an autoclave, 70.3 g (0.65 mol) of metacresol 24.4 g (0.20 mol) of 2,5-xylenol 20.4 g (0.15 mol) of 2,3,5-trimethylphenol 77.1 g of a 37% by weight aqueous solution of formaldehyde (formaldehyde: 0.95 mol) 2.52 g (0.02 mol) of oxalic acid dihydrate 37.8 g of water and 259 g of dioxane were charged, and the autoclave was immersed in an oil bath, and the internal temperature was lowered. To 130
Polycondensation was carried out for 7 hours while stirring at a temperature maintained at ℃, and after the reaction, the temperature was returned to room temperature, and the contents were taken out into a beaker. After separating into two layers in this beaker, take out the lower layer,
After concentration, dehydration and drying, the resin was recovered and Mw was measured to be 9,900. This resin is referred to as resin (A14).

【0066】<化合物(A)の略称>以下において、化
合物(A)である、1,1,3−トリス(4−ヒドロキシ
フェニル)プロパンを化合物(A1)、1,1,3−トリ
ス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)プロ
パンを化合物(A2)、1,1,3−トリス(4−ヒドロ
キシフェニル)ブタンを化合物(A3)、1,1,3−ト
リス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−
3−フェニルプロパンを化合物(A4)、1,1,3−ト
リス(4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパ
ンを化合物(A5)、と略称する。
<Abbreviation of Compound (A)> In the following, 1,1,3-tris (4-hydroxyphenyl) propane, which is the compound (A), is referred to as the compound (A1), 1,1,3-tris (2 , 5-Dimethyl-4-hydroxyphenyl) propane was converted to compound (A2) and 1,1,3-tris (4-hydroxyphenyl) butane was converted to compound (A3), 1,1,3-tris (2,5-dimethyl -4-hydroxyphenyl)-
3-Phenylpropane is abbreviated as compound (A4), and 1,1,3-tris (4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane is abbreviated as compound (A5).

【0067】<感放射線性化合物の合成> 合成例17 遮光下で、攪拌機、滴下ロートおよび温度計を装着した
フラスコに、 化合物(A1) 32.0g(0.1モル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド 53.7g(0.2モル) および ジオキサン 100g を仕込、攪拌しながら溶解させた。次いで、フラスコを
30℃に保持した水浴中に浸し、内温が30℃一定とな
った時点で、この溶液に トリエチルアミン 22.3g(0.22モル) を、内温が35℃を超えないよう滴下ロートを用いてゆ
っくり滴下した。その後、析出したトリエチルアミン塩
酸塩を濾過により取り除き、濾液を大量の希塩酸中に注
ぎ込んで析出させ、次いで、析出物を濾取し、40℃に
保った加熱真空乾燥機で一昼夜乾燥して反応生成物を得
た。この反応生成物をNQD1という。
<Synthesis of Radiation-Sensitive Compound> Synthesis Example 17 32.0 g (0.1 mol) of compound (A1) 1,2-naphthoquinonediazide was placed in a flask equipped with a stirrer, a dropping funnel and a thermometer under light shielding. 53.7 g (0.2 mol) of -5-sulfonic acid chloride and 100 g of dioxane were charged and dissolved with stirring. Next, the flask was immersed in a water bath maintained at 30 ° C., and when the internal temperature became constant at 30 ° C., 22.3 g (0.22 mol) of triethylamine was added to this solution, and the internal temperature was kept at 35 ° C. The solution was slowly dropped using a dropping funnel. Thereafter, the precipitated triethylamine hydrochloride was removed by filtration, and the filtrate was poured into a large amount of dilute hydrochloric acid to cause precipitation. Then, the precipitate was collected by filtration, and dried all day and night with a heating vacuum dryer kept at 40 ° C. to obtain a reaction product. I got This reaction product is called NQD1.

【0068】合成例18 化合物(A2) 40.5g(0.1モル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド 67.2g(0.25モル) ジオキサン 100g および トリエチルアミン 27.9g(0.275モル) を使用した他は合成例17と同様にして反応生成物を得
た。この反応生成物をNQD2という。
Synthesis Example 18 40.5 g (0.1 mol) of compound (A2) 67.2 g (0.25 mol) of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride 100 g of dioxane and 27.9 g (0.2 mol) of triethylamine (275 mol) was used in the same manner as in Synthesis Example 17 to obtain a reaction product. This reaction product is called NQD2.

【0069】合成例19 化合物(A3) 33.4g(0.1モル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド 67.2g(0.25モル) ジオキサン 100g および トリエチルアミン 27.9g(0.275モル) を使用した他は合成例17と同様にして反応生成物を得
た。この反応生成物をNQD3という。
Synthesis Example 19 Compound (A3) 33.4 g (0.1 mol) 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride 67.2 g (0.25 mol) Dioxane 100 g and triethylamine 27.9 g (0.2 mol) (275 mol) was used in the same manner as in Synthesis Example 17 to obtain a reaction product. This reaction product is called NQD3.

【0070】合成例20 化合物(A4) 48.1g(0.1モル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド 53.7g(0.20モル) ジオキサン 100g および トリエチルアミン 22.3g(0.22モル) を使用した他は合成例17と同様にして反応生成物を得
た。この反応生成物をNQD4という。
Synthesis Example 20 48.1 g (0.1 mol) of compound (A4) 53.7 g (0.20 mol) of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride 100 g of dioxane and 22.3 g of triethylamine (0.2 mol) The reaction product was obtained in the same manner as in Synthesis Example 17 except that (22 mol) was used. This reaction product is called NQD4.

【0071】合成例21 化合物(A5) 39.6g(0.1モル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド 53.7g(0.20モル) ジオキサン 100g および トリエチルアミン 22.3g(0.22モル) を使用した他は合成例17と同様にして反応生成物を得
た。この反応生成物物をNQD5という。
Synthesis Example 21 39.6 g (0.1 mol) of compound (A5) 53.7 g (0.20 mol) of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride 100 g of dioxane and 22.3 g of triethylamine (0.2 mol) The reaction product was obtained in the same manner as in Synthesis Example 17 except that (22 mol) was used. This reaction product is called NQD5.

【0072】合成例22 樹脂(B1) 10.0g 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド 53.7g ジオキサン 100g および トリエチルアミン 5.75g を使用した他は合成例17と同様にして感放射線性化合
物(I)を得た。
Synthesis Example 22 Radiation sensitivity was obtained in the same manner as in Synthesis Example 17 except that 10.0 g of resin (B1), 53.7 g of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride, 100 g of dioxane and 5.75 g of triethylamine were used. Compound (I) was obtained.

【0073】合成例23 樹脂(B2) 10.0g 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド 53.7g ジオキサン 100g および トリエチルアミン 6.86g を使用した他は合成例17と同様にして感放射線性化合
物(II)を得た。
Synthesis Example 23 Resin (B2) 10.0 g 1,2-Naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride 53.7 g Dioxane 100 g and triethylamine 6.86 g The same procedures as in Synthesis Example 17 except that radiation-sensitive was used. Compound (II) was obtained.

【0074】<実施例1〜18、比較例1〜6>樹脂
A、感放射線性化合物および溶剤を混合し、均一溶液と
したのち、孔径0.2μmのメンブランフィルターで濾
過し、組成物の溶液を調整した。得られた溶液を、シリ
コン酸化膜を有するシリコンウェハー上にスピンナーを
用いて塗布したのち、ホットプレート上で90℃にて
1.5分間プレベークして、厚さ1.2μmのレジスト膜
を形成し、レクチルを介して、前記のように波長436
nm(g線)または波長365nm(i線)を用いて露
光し現像しリンスし乾燥したのち、該組成物の感度、解
像度、耐熱性、残膜率、現像性およびパターン形状につ
いての評価を行った。結果を、使用した樹脂と併せて、
表1に示す。なお、実施例1〜9および比較例1〜3
は、g線を照射し、実施例10〜18および比較例4〜
6は、i線を照射した。
<Examples 1 to 18, Comparative Examples 1 to 6> After mixing Resin A, a radiation-sensitive compound and a solvent to form a uniform solution, the mixture was filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm to obtain a solution of the composition. Was adjusted. The obtained solution is applied on a silicon wafer having a silicon oxide film by using a spinner, and then prebaked on a hot plate at 90 ° C. for 1.5 minutes to form a resist film having a thickness of 1.2 μm. , Via reticle, wavelength 436 as described above.
Exposure using nm (g-line) or 365 nm (i-line), development, rinsing and drying, and evaluation of the composition for sensitivity, resolution, heat resistance, residual film ratio, developability and pattern shape. Was. The results, together with the resin used,
It is shown in Table 1. Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 3
Irradiates g-rays, Examples 10 to 18 and Comparative Examples 4 to
No. 6 irradiated i-line.

【0075】[0075]

【表1】 [Table 1]

【0076】(注1)添加量は重量部で示した。 (注2)樹脂(A)のXは、次のものである。メタクレ
ゾール/ホルマリン=1/0.9(モル比)の割合のモ
ノマーをシュウ酸触媒を用い、合成例1と同様の方法で
得られた、分子量Mw:9,600のノボラック樹脂。 (注3)溶解促進剤αおよびβは、次のものである。 α:1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタ
ン β:1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フ
ェニルエタン
(Note 1) The amount of addition was shown in parts by weight. (Note 2) X in the resin (A) is as follows. A novolak resin having a molecular weight Mw: 9,600 obtained by the same method as in Synthesis Example 1 using a monomer having a ratio of meta-cresol / formalin = 1 / 0.9 (molar ratio) using an oxalic acid catalyst. (Note 3) The dissolution promoters α and β are as follows. α: 1,1,1-tris (4-hydroxyphenyl) ethane β: 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1-phenylethane

【0077】(注4)感放射線性化合物IおよびII
は、次のものである。 I:2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン 1.0
モルと、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸クロリド2.6モルとの縮合物。 II:2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン 1モルと、1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸クロリド4.0モルとの縮合物。 (注5)溶剤の種類は、次の通りである。 S1:エチルセロソルブアセテート S2:2−ヒドロキシプロピオン酸エチル S3:3−メトキシプロピオン酸メチル
(Note 4) Radiation-sensitive compounds I and II
Is: I: 2,3,4-trihydroxybenzophenone 1.0
A condensate of the compound (1) with 2.6 mol of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride. II: Condensate of 1 mol of 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone with 4.0 mol of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride. (Note 5) The types of solvents are as follows. S1: Ethyl cellosolve acetate S2: Ethyl 2-hydroxypropionate S3: Methyl 3-methoxypropionate

【0078】[0078]

【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、現像
性に優れていると共に、高感度かつ高解像度であり、パ
ターン形状、耐熱性、露光余裕、残膜性にも優たポジ型
レジストとして好適に使用できる。
The radiation-sensitive resin composition of the present invention has excellent developability, high sensitivity and high resolution, and is excellent in pattern shape, heat resistance, exposure margin, and residual film property. It can be suitably used as a resist.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三浦 孝夫 東京都中央区築地二丁目11番24号 日本 合成ゴム株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−50851(JP,A) 特開 平4−1652(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G03F 7/004 - 7/18──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Takao Miura 2--11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. (56) References JP-A-4-50851 (JP, A) JP-A-Hei 4-1652 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) G03F 7/004-7/18

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 (A)パラクレゾール、キシレノールお
よびトリメチルフェノールよりなる群から選ばれる少な
くとも1種の(ポリ)メチル置換フェノール類並びにメ
タクレゾールとを、アルデヒド類と重縮合して得られた
アルカリ可溶性ノボラック樹脂、および(B)下記構造
式(1) 【化1】 で表わされる化合物のキノンジアジドスルホン酸エステ
ルの少なくとも1種、を含有することを特徴とする感放
射線性樹脂組成物。
1. An alkali-soluble compound obtained by polycondensing (A) at least one (poly) methyl-substituted phenol selected from the group consisting of paracresol, xylenol and trimethylphenol with aldehydes. Novolak resin, and (B) the following structural formula (1) A radiation-sensitive resin composition comprising at least one quinonediazidesulfonic acid ester of a compound represented by the formula:
JP16613791A 1991-06-12 1991-06-12 Radiation-sensitive resin composition Expired - Lifetime JP2811663B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16613791A JP2811663B2 (en) 1991-06-12 1991-06-12 Radiation-sensitive resin composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16613791A JP2811663B2 (en) 1991-06-12 1991-06-12 Radiation-sensitive resin composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04365046A JPH04365046A (en) 1992-12-17
JP2811663B2 true JP2811663B2 (en) 1998-10-15

Family

ID=15825727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16613791A Expired - Lifetime JP2811663B2 (en) 1991-06-12 1991-06-12 Radiation-sensitive resin composition

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2811663B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101229381B1 (en) * 2004-05-26 2013-02-05 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 Positive photosensitive resin composition, and interlayer dielectrics and microlenses made therefrom

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07281428A (en) * 1994-04-07 1995-10-27 Fuji Photo Film Co Ltd Positive type photoresist composition

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101229381B1 (en) * 2004-05-26 2013-02-05 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 Positive photosensitive resin composition, and interlayer dielectrics and microlenses made therefrom

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04365046A (en) 1992-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2927013B2 (en) Radiation-sensitive resin composition
JPH04343359A (en) Radiation-sensitive resin composition
JP2811663B2 (en) Radiation-sensitive resin composition
JP3209754B2 (en) Radiation-sensitive resin composition
JP3052412B2 (en) Radiation-sensitive resin composition
JP3060440B2 (en) Positive resist composition
JP2927014B2 (en) Radiation-sensitive resin composition
JP2985400B2 (en) Radiation-sensitive resin composition
JPH06242599A (en) Radiation sensitive resin composition
JP2888236B2 (en) Method for producing 1,2-naphthoquinonediazide compound
JP3235089B2 (en) Positive resist composition for i-line and pattern forming method
JP3240612B2 (en) Radiation-sensitive resin composition
JP4513228B2 (en) Radiation sensitive resin composition
JP2002244285A (en) Radiation sensitive resin composition
JP3063197B2 (en) Radiation-sensitive resin composition
JP3472994B2 (en) Radiation-sensitive resin composition
JP3180518B2 (en) Radiation-sensitive resin composition
JP2921519B2 (en) Radiation-sensitive resin composition
JP2921518B2 (en) Radiation-sensitive resin composition
JP3690015B2 (en) Radiation sensitive resin composition
JP3052960B2 (en) Radiation-sensitive resin composition
JP3052959B2 (en) Radiation-sensitive resin composition
JPH0689026A (en) Radiation sensitive resin composition
JPH0527429A (en) Radiation sensitive resin composition
JPH07225475A (en) Radiation sensitive resin composition

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980706

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080807

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090807

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090807

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090807

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100807

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100807

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110807

Year of fee payment: 13

EXPY Cancellation because of completion of term