JPH05315235A - 高粘度樹脂用コータカップ - Google Patents
高粘度樹脂用コータカップInfo
- Publication number
- JPH05315235A JPH05315235A JP14343692A JP14343692A JPH05315235A JP H05315235 A JPH05315235 A JP H05315235A JP 14343692 A JP14343692 A JP 14343692A JP 14343692 A JP14343692 A JP 14343692A JP H05315235 A JPH05315235 A JP H05315235A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- resin
- cutting plate
- flat portion
- viscosity resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 溶材の吐出等を行わずに、半導体基板の裏面
に樹脂飛沫が付着するのを防止することができるように
する。 【構成】 樹脂切り板5の平坦部5aと半導体基板1と
の間に樹脂飛沫と一緒に気流が入り込んで半導体基板1
の裏面に樹脂飛沫が付着しにくくするのに、前記樹脂切
り板5の前記平坦部5aと傾斜部5bとの境界部分13
を前記半導体基板1の外周端に略対応させて設けるとと
もに、前記平坦部5aと前記半導体基板1との隙間Xを
極めて小さくして設けた。
に樹脂飛沫が付着するのを防止することができるように
する。 【構成】 樹脂切り板5の平坦部5aと半導体基板1と
の間に樹脂飛沫と一緒に気流が入り込んで半導体基板1
の裏面に樹脂飛沫が付着しにくくするのに、前記樹脂切
り板5の前記平坦部5aと傾斜部5bとの境界部分13
を前記半導体基板1の外周端に略対応させて設けるとと
もに、前記平坦部5aと前記半導体基板1との隙間Xを
極めて小さくして設けた。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体製造装置
において水平にしたウエハ等の基板上に高粘度樹脂を滴
下し、基板を回転させて、この基板上に均一な高粘度樹
脂膜を形成させるレジスト処理工程で使用する高粘度樹
脂用コータカップに関するものである。
において水平にしたウエハ等の基板上に高粘度樹脂を滴
下し、基板を回転させて、この基板上に均一な高粘度樹
脂膜を形成させるレジスト処理工程で使用する高粘度樹
脂用コータカップに関するものである。
【0002】
【従来の技術】図5及び図6は従来の高粘度樹脂用コー
タカップの一例として示すレジスト処理装置の要部を示
すもので、図5はその構成断面図、図6は図5のB部拡
大図である。図5及び図6において、この装置では半導
体基板51をチャックして一体に回転するスピンチャッ
ク52と、このスピンチャック52を中心として、この
スピンチャック52の外側を囲むようにして配設された
コータカップ53とを備えている。
タカップの一例として示すレジスト処理装置の要部を示
すもので、図5はその構成断面図、図6は図5のB部拡
大図である。図5及び図6において、この装置では半導
体基板51をチャックして一体に回転するスピンチャッ
ク52と、このスピンチャック52を中心として、この
スピンチャック52の外側を囲むようにして配設された
コータカップ53とを備えている。
【0003】さらに詳述すると、コータカップ53は、
円筒状をした本体部54の上部に、樹脂切り板55と、
この樹脂切り板55の外周部の外側を上下方向より包み
込むようにして周回形成された排出樹脂材受部56とが
設けられている。
円筒状をした本体部54の上部に、樹脂切り板55と、
この樹脂切り板55の外周部の外側を上下方向より包み
込むようにして周回形成された排出樹脂材受部56とが
設けられている。
【0004】このうち、樹脂切り板55は、中心にスピ
ンチャック52を逃げる開口57が形成され、また中心
から外周方向に向かって順次、平坦部55aと、外周方
向に進むに従って下側へ向かうようにして傾斜している
傾斜部55bと、垂れ下がり部55cとが形成されてい
る。
ンチャック52を逃げる開口57が形成され、また中心
から外周方向に向かって順次、平坦部55aと、外周方
向に進むに従って下側へ向かうようにして傾斜している
傾斜部55bと、垂れ下がり部55cとが形成されてい
る。
【0005】一方、排出樹脂材受部56には、樹脂切り
板55の垂れ下がり部55cの真下に対応する状態で排
出ガイド溝58が設けられているとともに、この排出ガ
イド溝58に連通して廃液口59が設けられている。加
えて、排出樹脂材受部56には、排出ガイド溝58内に
排出された樹脂材が流れ込むことがない構造にして排気
口60が形成されている。
板55の垂れ下がり部55cの真下に対応する状態で排
出ガイド溝58が設けられているとともに、この排出ガ
イド溝58に連通して廃液口59が設けられている。加
えて、排出樹脂材受部56には、排出ガイド溝58内に
排出された樹脂材が流れ込むことがない構造にして排気
口60が形成されている。
【0006】そして、スピンチャック52上に半導体基
板51が取り付けられた状態では、半導体基板51の裏
面(下面)と樹脂切り板55の平坦部55aの上面との
間の隙間Xは約2ミリメートルで、半導体基板51の最
外周から平坦部55aの最外周までの距離Lは約5ミリ
メートルとなる。
板51が取り付けられた状態では、半導体基板51の裏
面(下面)と樹脂切り板55の平坦部55aの上面との
間の隙間Xは約2ミリメートルで、半導体基板51の最
外周から平坦部55aの最外周までの距離Lは約5ミリ
メートルとなる。
【0007】次に、この構造においてのスピンコートを
行う動作について説明すると、先ず半導体基板51は、
スピンチャック52上に吸着されて取り付けられ、その
上にポリイミド樹脂が滴下される。次いで、スピンチャ
ック52が半導体基板51と共に毎分4000回転程度
で、また排気口60より図示せぬ排気手段により強制的
に排気しながら約20秒間回転させる。すると、半導体
基板51上に滴下されたポリイミド樹脂が回転による遠
心力と、強制排気で半導体基板51上に生ずる気流64
によって拡散され、半導体基板51上に均一なるポリイ
ミド膜61が形成される。
行う動作について説明すると、先ず半導体基板51は、
スピンチャック52上に吸着されて取り付けられ、その
上にポリイミド樹脂が滴下される。次いで、スピンチャ
ック52が半導体基板51と共に毎分4000回転程度
で、また排気口60より図示せぬ排気手段により強制的
に排気しながら約20秒間回転させる。すると、半導体
基板51上に滴下されたポリイミド樹脂が回転による遠
心力と、強制排気で半導体基板51上に生ずる気流64
によって拡散され、半導体基板51上に均一なるポリイ
ミド膜61が形成される。
【0008】また、余分に滴下されたポリイミド樹脂
は、この回転時の遠心力で振り切られて樹脂切り板55
上に廃棄され、さらに排出ガイド溝58を伝わって廃液
口59より排出される。なお、この余分な材料として廃
棄される樹脂は、滴下されたポリイミド樹脂の約99パ
ーセント以上になる。
は、この回転時の遠心力で振り切られて樹脂切り板55
上に廃棄され、さらに排出ガイド溝58を伝わって廃液
口59より排出される。なお、この余分な材料として廃
棄される樹脂は、滴下されたポリイミド樹脂の約99パ
ーセント以上になる。
【0009】さらに、図6を用いて上記気流の説明をす
ると、この構造では排気口60よりフルパワー状態で強
制排気を行った場合、樹脂切り板55と排出樹脂材受部
56との隙間において、樹脂切り板55の下側へ回って
排気口60内に流れるものと、半導体基板51の下面と
樹脂切り板55の間に存在する隙間に乱流を発生させな
がら流れるものとがある。ここで、半導体基板51の下
面と樹脂切り板55の間の隙間Xに流れ込もうとする気
流について見ると、この部分では乱流となり、ポリイミ
ド樹脂材の飛沫(ミスト)が半導体基板51の裏面に付
着する。図5及び図6において、符号62は、この飛沫
が半導体基板51の裏面に付着してなるポリイミド樹脂
材を示している。
ると、この構造では排気口60よりフルパワー状態で強
制排気を行った場合、樹脂切り板55と排出樹脂材受部
56との隙間において、樹脂切り板55の下側へ回って
排気口60内に流れるものと、半導体基板51の下面と
樹脂切り板55の間に存在する隙間に乱流を発生させな
がら流れるものとがある。ここで、半導体基板51の下
面と樹脂切り板55の間の隙間Xに流れ込もうとする気
流について見ると、この部分では乱流となり、ポリイミ
ド樹脂材の飛沫(ミスト)が半導体基板51の裏面に付
着する。図5及び図6において、符号62は、この飛沫
が半導体基板51の裏面に付着してなるポリイミド樹脂
材を示している。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
構造のレジスト処理装置では、半導体基板51の下面と
樹脂切り板55の間の隙間Xの部分に乱流が発生し、こ
の隙間Xに流れ込んだポリイミド樹脂の飛沫(ミスト)
が半導体基板51の裏面に付着すると言う問題点があっ
た。そこで、現在では、この飛沫の除去方法として、半
導体基板51に例えばジエチレングリコール,ジメチル
エーテル等の溶材を吐出させて除去する方法等も試みら
れている。しかし、この方法で使用するジエチレングリ
コール,ジメチルエーテル等の溶材は、人体等に悪い影
響を及ぼす虞がある等が考えられる。このため、従来よ
り人体に悪い影響を与えることのない別の方法等が要望
されていた。
構造のレジスト処理装置では、半導体基板51の下面と
樹脂切り板55の間の隙間Xの部分に乱流が発生し、こ
の隙間Xに流れ込んだポリイミド樹脂の飛沫(ミスト)
が半導体基板51の裏面に付着すると言う問題点があっ
た。そこで、現在では、この飛沫の除去方法として、半
導体基板51に例えばジエチレングリコール,ジメチル
エーテル等の溶材を吐出させて除去する方法等も試みら
れている。しかし、この方法で使用するジエチレングリ
コール,ジメチルエーテル等の溶材は、人体等に悪い影
響を及ぼす虞がある等が考えられる。このため、従来よ
り人体に悪い影響を与えることのない別の方法等が要望
されていた。
【0011】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は溶材の吐出等を行わずに、半導体
基板の裏面に樹脂飛沫が付着するのを防止することがで
きる高粘度樹脂用コータカップを提供することにある。
のであり、その目的は溶材の吐出等を行わずに、半導体
基板の裏面に樹脂飛沫が付着するのを防止することがで
きる高粘度樹脂用コータカップを提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、樹脂切り板の平坦部と半導体基板との間に樹脂飛沫
と共に気流が入り込んで半導体基板の裏面に付着しにく
くするために、前記樹脂切り板の前記平坦部と前記傾斜
部との境界部を前記半導体基板の外周端に略対応させて
設けるとともに、前記平坦部と前記半導体基板との隙間
を極めて小さくして設けたものである。また、さらに樹
脂切り板の平坦部と半導体基板との間に樹脂飛沫と一緒
に気流が入り込んで半導体基板の裏面に樹脂飛沫が付着
しにくくするためには、前記樹脂切り板の前記平坦部と
前記傾斜部との境界部を前記半導体基板の外周端に略対
応させて設けるとともに、前記樹脂切り板の前記平坦部
と前記半導体基板との間より、前記半導体基板の外側に
向かって気体を流すようにしても達成できる。
め、樹脂切り板の平坦部と半導体基板との間に樹脂飛沫
と共に気流が入り込んで半導体基板の裏面に付着しにく
くするために、前記樹脂切り板の前記平坦部と前記傾斜
部との境界部を前記半導体基板の外周端に略対応させて
設けるとともに、前記平坦部と前記半導体基板との隙間
を極めて小さくして設けたものである。また、さらに樹
脂切り板の平坦部と半導体基板との間に樹脂飛沫と一緒
に気流が入り込んで半導体基板の裏面に樹脂飛沫が付着
しにくくするためには、前記樹脂切り板の前記平坦部と
前記傾斜部との境界部を前記半導体基板の外周端に略対
応させて設けるとともに、前記樹脂切り板の前記平坦部
と前記半導体基板との間より、前記半導体基板の外側に
向かって気体を流すようにしても達成できる。
【0013】
【作用】この構成によれば、樹脂切り板の平坦部と半導
体基板との間に樹脂飛沫と一緒に気流が入り込みにくく
なるので、半導体基板の裏面に樹脂飛沫が付着しにくく
なる。したがって、人体等に悪い影響を与える虞がある
と考えられる溶材等を使わずに、半導体基板の裏面に樹
脂飛沫が付着するのを防止することができる。
体基板との間に樹脂飛沫と一緒に気流が入り込みにくく
なるので、半導体基板の裏面に樹脂飛沫が付着しにくく
なる。したがって、人体等に悪い影響を与える虞がある
と考えられる溶材等を使わずに、半導体基板の裏面に樹
脂飛沫が付着するのを防止することができる。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。図1は本発明の第1の実施例としての
レジスト処理装置の要部構成を半導体基板を装着した状
態で示す断面図である。図1において、この装置では半
導体基板1をチャックして一体に回転するスピンチャッ
ク2と、このスピンチャック2を中心として、このスピ
ンチャック2の外側を囲むようにして配設されたコータ
カップ3とを備えている。
詳細に説明する。図1は本発明の第1の実施例としての
レジスト処理装置の要部構成を半導体基板を装着した状
態で示す断面図である。図1において、この装置では半
導体基板1をチャックして一体に回転するスピンチャッ
ク2と、このスピンチャック2を中心として、このスピ
ンチャック2の外側を囲むようにして配設されたコータ
カップ3とを備えている。
【0015】さらに詳述すると、コータカップ3は、円
筒状をした本体部4の上部に、樹脂切り板5と、この樹
脂切り板5の外周部の外側を上下方向より包み込むよう
にして周回形成された排出樹脂材受部6等が設けられて
いる。
筒状をした本体部4の上部に、樹脂切り板5と、この樹
脂切り板5の外周部の外側を上下方向より包み込むよう
にして周回形成された排出樹脂材受部6等が設けられて
いる。
【0016】このうち、樹脂切り板5は、中心にスピン
チャック2を逃げる開口7が形成されて、また中心から
外周方向に向かって順次、平坦部5aと、外周方向に進
むに従い下側へ傾斜している傾斜部5bと、垂れ下がり
部5cとが形成されている。そして、平坦部5aと傾斜
部5bとの境界部分13は、この境界部分13を真上に
延ばしたとき、この真上に延ばされた線、すなわち図1
中に点線14とスピンチャック2上に吸着されて取り付
けられている半導体基板1の外周端とが一致するように
して設定されている。さらに、スピンチャック2上に半
導体基板1が取り付けられた状態では、半導体基板1の
裏面(下面)と樹脂切り板5の平坦部5aの上面との間
の隙間Xは約1ミリメートルか、これよりも若干小さく
設定される。
チャック2を逃げる開口7が形成されて、また中心から
外周方向に向かって順次、平坦部5aと、外周方向に進
むに従い下側へ傾斜している傾斜部5bと、垂れ下がり
部5cとが形成されている。そして、平坦部5aと傾斜
部5bとの境界部分13は、この境界部分13を真上に
延ばしたとき、この真上に延ばされた線、すなわち図1
中に点線14とスピンチャック2上に吸着されて取り付
けられている半導体基板1の外周端とが一致するように
して設定されている。さらに、スピンチャック2上に半
導体基板1が取り付けられた状態では、半導体基板1の
裏面(下面)と樹脂切り板5の平坦部5aの上面との間
の隙間Xは約1ミリメートルか、これよりも若干小さく
設定される。
【0017】一方、排出樹脂材受部6には、樹脂切り板
5の垂れ下がり部5cの真下に対応する状態で排出ガイ
ド溝8が設けられているとともに、この排出ガイド溝8
に連通して廃液口9が設けられている。加えて、排出樹
脂材受部6には、排出ガイド溝8内に排出された樹脂材
が流れ込むことがない構造にして排気口10が形成され
ている。
5の垂れ下がり部5cの真下に対応する状態で排出ガイ
ド溝8が設けられているとともに、この排出ガイド溝8
に連通して廃液口9が設けられている。加えて、排出樹
脂材受部6には、排出ガイド溝8内に排出された樹脂材
が流れ込むことがない構造にして排気口10が形成され
ている。
【0018】次に、この構造においてのスピンコートを
行う動作について説明する。先ず、半導体基板1は、ス
ピンチャック2上に吸着されて取り付けられ、その上に
ポリイミド樹脂が滴下される。次いで、排気口10より
図示せぬ排気手段によって強制的に排気させながら、ス
ピンチャック2を半導体基板1と共に毎分4000回転
程度で約20秒間回転させる。すると、半導体基板1上
に滴下されたポリイミド樹脂が回転による遠心力と、強
制排気で半導体基板1上に生ずる気流によって拡散さ
れ、半導体基板1上に均一なるポリイミド膜11が形成
される。また、このとき滴下されたポリイミド樹脂の中
の不要な材料は約99パーセントに及び、この不要な樹
脂材が、半導体基板1の回転による遠心力で振り切られ
て樹脂切り板5上に廃棄され、さらに排出ガイド溝8を
伝わって廃液口9より排出される。
行う動作について説明する。先ず、半導体基板1は、ス
ピンチャック2上に吸着されて取り付けられ、その上に
ポリイミド樹脂が滴下される。次いで、排気口10より
図示せぬ排気手段によって強制的に排気させながら、ス
ピンチャック2を半導体基板1と共に毎分4000回転
程度で約20秒間回転させる。すると、半導体基板1上
に滴下されたポリイミド樹脂が回転による遠心力と、強
制排気で半導体基板1上に生ずる気流によって拡散さ
れ、半導体基板1上に均一なるポリイミド膜11が形成
される。また、このとき滴下されたポリイミド樹脂の中
の不要な材料は約99パーセントに及び、この不要な樹
脂材が、半導体基板1の回転による遠心力で振り切られ
て樹脂切り板5上に廃棄され、さらに排出ガイド溝8を
伝わって廃液口9より排出される。
【0019】そして、このポリイミド膜11の形成時に
は、平坦部5aと傾斜部5bとの境界部分13が、この
境界部分13より真上に延ばした点線14と、半導体基
板1がスピンチャック2上に吸着されて取り付けられた
状態で、半導体基板1の外周端とが一致するようにして
設定されており、またスピンチャック2上に半導体基板
1が取り付けられた状態では、半導体基板1の裏面(下
面)と樹脂切り板5の平坦部5aの上面との間の隙間X
が約1ミリメートル以下に設定されているので乱流の発
生が低減され、ポリイミド樹脂材の飛沫が半導体基板1
と樹脂切り板5との間から入るのが抑えられる。
は、平坦部5aと傾斜部5bとの境界部分13が、この
境界部分13より真上に延ばした点線14と、半導体基
板1がスピンチャック2上に吸着されて取り付けられた
状態で、半導体基板1の外周端とが一致するようにして
設定されており、またスピンチャック2上に半導体基板
1が取り付けられた状態では、半導体基板1の裏面(下
面)と樹脂切り板5の平坦部5aの上面との間の隙間X
が約1ミリメートル以下に設定されているので乱流の発
生が低減され、ポリイミド樹脂材の飛沫が半導体基板1
と樹脂切り板5との間から入るのが抑えられる。
【0020】したがって、この第1の実施例の構造の場
合では、人体等に悪い影響を与える虞があると考えられ
る溶材等を使わずに、半導体基板1の裏面に樹脂飛沫が
付着するのを確実に防止することができることになる。
合では、人体等に悪い影響を与える虞があると考えられ
る溶材等を使わずに、半導体基板1の裏面に樹脂飛沫が
付着するのを確実に防止することができることになる。
【0021】図2乃至図4は本発明の第2の実施例とし
てのレジスト処理装置の要部構成を示すもので、図2は
半導体基板を装着した状態で示すその概略断面図、図3
は半導体基板を装着していない状態で示すその上面図、
図4は図3のA部拡大図である。また、図2乃至図4に
おいて図1と同一符号を付したものは図1と同一のもの
を示している。
てのレジスト処理装置の要部構成を示すもので、図2は
半導体基板を装着した状態で示すその概略断面図、図3
は半導体基板を装着していない状態で示すその上面図、
図4は図3のA部拡大図である。また、図2乃至図4に
おいて図1と同一符号を付したものは図1と同一のもの
を示している。
【0022】そして、この第2の実施例としての装置で
は、第1の実施例の装置と同様に、半導体基板1をチャ
ックして一体に回転するスピンチャック2と、このスピ
ンチャック2を中心として、このスピンチャック2の外
側を囲むようにして配設されたコータカップ3とを備え
ている。
は、第1の実施例の装置と同様に、半導体基板1をチャ
ックして一体に回転するスピンチャック2と、このスピ
ンチャック2を中心として、このスピンチャック2の外
側を囲むようにして配設されたコータカップ3とを備え
ている。
【0023】さらに詳述すると、コータカップ3は、円
筒状をした本体部4の上部に、樹脂切り板5と、この樹
脂切り板5の外周部の外側を上下方向より包み込むよう
にして周回形成された排出樹脂材受部6と、樹脂切り板
5の内側に形成されたガス配管15等が設けられてい
る。
筒状をした本体部4の上部に、樹脂切り板5と、この樹
脂切り板5の外周部の外側を上下方向より包み込むよう
にして周回形成された排出樹脂材受部6と、樹脂切り板
5の内側に形成されたガス配管15等が設けられてい
る。
【0024】このうち、樹脂切り板5は、中心にスピン
チャック2を逃げる開口7が形成され、また中心から外
周方向に向かって順次、平坦部5aと、外周方向に進む
に従い下側へ傾斜している傾斜部5bと、垂れ下がり部
5cとが形成されている。そして、平坦部5aと傾斜部
5bとの境界部分13は、この境界部分13を真上に延
ばしたとき、この真上に延ばされた線、すなわち図2中
に点線14とスピンチャック2上に吸着されて取り付け
られている半導体基板1の外周端とが一致するようにし
て設定されている。さらに、スピンチャック2上に半導
体基板1が取り付けられた状態では、半導体基板1の裏
面(下面)と樹脂切り板5の平坦部5aの上面との間の
隙間Xは約1ミリメートルか、これよりも若干小さく設
定される。
チャック2を逃げる開口7が形成され、また中心から外
周方向に向かって順次、平坦部5aと、外周方向に進む
に従い下側へ傾斜している傾斜部5bと、垂れ下がり部
5cとが形成されている。そして、平坦部5aと傾斜部
5bとの境界部分13は、この境界部分13を真上に延
ばしたとき、この真上に延ばされた線、すなわち図2中
に点線14とスピンチャック2上に吸着されて取り付け
られている半導体基板1の外周端とが一致するようにし
て設定されている。さらに、スピンチャック2上に半導
体基板1が取り付けられた状態では、半導体基板1の裏
面(下面)と樹脂切り板5の平坦部5aの上面との間の
隙間Xは約1ミリメートルか、これよりも若干小さく設
定される。
【0025】一方、排出樹脂材受部6には、樹脂切り板
5の垂れ下がり部5cの真下に対応する状態で排出ガイ
ド溝8が設けられているとともに、この排出ガイド溝8
に連通して廃液口9が設けられている。加えて、排出樹
脂材受部6には、排出ガイド溝8内に排出された樹脂材
が流れ込むことがない構造にして排気口10が形成され
ている。
5の垂れ下がり部5cの真下に対応する状態で排出ガイ
ド溝8が設けられているとともに、この排出ガイド溝8
に連通して廃液口9が設けられている。加えて、排出樹
脂材受部6には、排出ガイド溝8内に排出された樹脂材
が流れ込むことがない構造にして排気口10が形成され
ている。
【0026】ガス配管15は、全体としてリング状に形
成されており、樹脂切り板5の開口7の内周面とスピン
チャック2の外周面との間に配設されている。また、上
面側には、樹脂切り板5の内面側に向いた斜め上方に向
かって開口された直径が略0.5ミリメートル程度のガ
ス吹き出し口16が複数点在して形成されている。そし
て、このガス吹き出し口16からは、エアまたは窒素ガ
ス(N2 )等のクリーンな気体(以下、これを「クリー
ンガス」と言う)が、排気で生じる気流を乱すことがな
いように、排気口10から排気する流量よりも少なくし
て毎分0.1〜0.3リットル程度流される。
成されており、樹脂切り板5の開口7の内周面とスピン
チャック2の外周面との間に配設されている。また、上
面側には、樹脂切り板5の内面側に向いた斜め上方に向
かって開口された直径が略0.5ミリメートル程度のガ
ス吹き出し口16が複数点在して形成されている。そし
て、このガス吹き出し口16からは、エアまたは窒素ガ
ス(N2 )等のクリーンな気体(以下、これを「クリー
ンガス」と言う)が、排気で生じる気流を乱すことがな
いように、排気口10から排気する流量よりも少なくし
て毎分0.1〜0.3リットル程度流される。
【0027】次に、この構造においてのスピンコートを
行う動作について説明する。先ず、半導体基板1は、ス
ピンチャック2上に吸着されて取り付けられ、その上に
ポリイミド樹脂が滴下される。次いで、排気口10より
排気するとともに、ガス管15のガス吹き出し口16よ
り半導体基板1の下面と樹脂切り板5との隙間に向かっ
て上記クリーンガスを噴出させながら、スピンチャック
2が半導体基板1と共に毎分4000回転程度で約20
秒間回転させる。すると、半導体基板1上に滴下された
ポリイミド樹脂が回転による遠心力と、強制排気で半導
体基板1上に生ずる気流によって拡散され、半導体基板
1上に均一なるポリイミド膜11が形成される。また、
このとき滴下されたポリイミド樹脂材の中の不要な材料
は約99パーセントに及び、この不要な樹脂材が半導体
基板1の回転による遠心力で振り切られて樹脂切り板5
上に廃棄され、さらに排出ガイド溝8を伝わって廃液口
9より排出される。
行う動作について説明する。先ず、半導体基板1は、ス
ピンチャック2上に吸着されて取り付けられ、その上に
ポリイミド樹脂が滴下される。次いで、排気口10より
排気するとともに、ガス管15のガス吹き出し口16よ
り半導体基板1の下面と樹脂切り板5との隙間に向かっ
て上記クリーンガスを噴出させながら、スピンチャック
2が半導体基板1と共に毎分4000回転程度で約20
秒間回転させる。すると、半導体基板1上に滴下された
ポリイミド樹脂が回転による遠心力と、強制排気で半導
体基板1上に生ずる気流によって拡散され、半導体基板
1上に均一なるポリイミド膜11が形成される。また、
このとき滴下されたポリイミド樹脂材の中の不要な材料
は約99パーセントに及び、この不要な樹脂材が半導体
基板1の回転による遠心力で振り切られて樹脂切り板5
上に廃棄され、さらに排出ガイド溝8を伝わって廃液口
9より排出される。
【0028】そして、このポリイミド膜11の形成時に
は、平坦部5aと傾斜部5bとの境界部分13が、この
境界部分13より真上に延ばした図2中に点線14と、
半導体基板1がスピンチャック2上に吸着されて取り付
けられた状態で、半導体基板1の外周端とが一致するよ
うにして設定されているとともに、スピンチャック2上
に半導体基板1が取り付けられた状態では、半導体基板
1の裏面(下面)と樹脂切り板5の平坦部5aの上面と
の間の隙間Xが約1ミリメートル、あるいはこれよりも
若干小さく設定されているので乱流の発生を低減させる
ことができ、ポリイミド樹脂材の飛沫が半導体基板1と
樹脂切り板5との間から入るのを防ぐことができる。同
時に、半導体基板1と樹脂切り板5との間からはクリー
ンガスが常に流出されるので、この半導体基板1と樹脂
切り板5との間の部分からのガスの流出によって乱流が
できるのが防止される。また、この隙間に入り込もうと
するポリイミド樹脂材の飛沫はクリーンガスの流れによ
って押し戻されるので、飛沫の巻き込みを確実に防ぐこ
とができる。
は、平坦部5aと傾斜部5bとの境界部分13が、この
境界部分13より真上に延ばした図2中に点線14と、
半導体基板1がスピンチャック2上に吸着されて取り付
けられた状態で、半導体基板1の外周端とが一致するよ
うにして設定されているとともに、スピンチャック2上
に半導体基板1が取り付けられた状態では、半導体基板
1の裏面(下面)と樹脂切り板5の平坦部5aの上面と
の間の隙間Xが約1ミリメートル、あるいはこれよりも
若干小さく設定されているので乱流の発生を低減させる
ことができ、ポリイミド樹脂材の飛沫が半導体基板1と
樹脂切り板5との間から入るのを防ぐことができる。同
時に、半導体基板1と樹脂切り板5との間からはクリー
ンガスが常に流出されるので、この半導体基板1と樹脂
切り板5との間の部分からのガスの流出によって乱流が
できるのが防止される。また、この隙間に入り込もうと
するポリイミド樹脂材の飛沫はクリーンガスの流れによ
って押し戻されるので、飛沫の巻き込みを確実に防ぐこ
とができる。
【0029】したがって、この第2の実施例の構造の場
合でも第1の実施例の構造の場合と同様に、人体等に悪
い影響を与える虞があると考えられる溶材等を使わず
に、クリーンガスの吐出で半導体基板1の裏面に樹脂飛
沫が付着するのを確実に防止することができる。また、
この第2の実施例の場合では、半導体基板1と樹脂切り
板5との間からはクリーンガスが常に流出されるので、
半導体基板1の裏面(下面)と樹脂切り板5の平坦部5
aの上面との間の隙間Xが約1ミリメートルよりも若干
大きくても、乱流の発生を低減させることができ、半導
体基板1の裏面に樹脂飛沫が巻き込まれて付着するのを
確実に防止することができる。
合でも第1の実施例の構造の場合と同様に、人体等に悪
い影響を与える虞があると考えられる溶材等を使わず
に、クリーンガスの吐出で半導体基板1の裏面に樹脂飛
沫が付着するのを確実に防止することができる。また、
この第2の実施例の場合では、半導体基板1と樹脂切り
板5との間からはクリーンガスが常に流出されるので、
半導体基板1の裏面(下面)と樹脂切り板5の平坦部5
aの上面との間の隙間Xが約1ミリメートルよりも若干
大きくても、乱流の発生を低減させることができ、半導
体基板1の裏面に樹脂飛沫が巻き込まれて付着するのを
確実に防止することができる。
【0030】なお、上記各実施例では、半導体基板1に
ポリイミド樹脂によるレジスト膜を形成する場合に付い
て説明したが、ポリイミド樹脂に限ることなく、高粘度
の樹脂をレジスト処理する場合等に広く使用できるもの
である。
ポリイミド樹脂によるレジスト膜を形成する場合に付い
て説明したが、ポリイミド樹脂に限ることなく、高粘度
の樹脂をレジスト処理する場合等に広く使用できるもの
である。
【0031】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
樹脂切り板の平坦部と半導体基板との間に樹脂飛沫と一
緒に気流が入り込みにくくなるので、半導体基板の裏面
に樹脂材被膜が付着しにくくなる。したがって、人体等
に悪い影響を与える虞があると考えられる溶材等を使わ
ずに、半導体基板の裏面に樹脂飛沫が付着するのを確実
に防止することができる。
樹脂切り板の平坦部と半導体基板との間に樹脂飛沫と一
緒に気流が入り込みにくくなるので、半導体基板の裏面
に樹脂材被膜が付着しにくくなる。したがって、人体等
に悪い影響を与える虞があると考えられる溶材等を使わ
ずに、半導体基板の裏面に樹脂飛沫が付着するのを確実
に防止することができる。
【図1】本発明の第1の実施例として示すレジスト処理
装置の概略断面図である。
装置の概略断面図である。
【図2】本発明の第2の実施例として示すレジスト処理
装置の概略断面図である。
装置の概略断面図である。
【図3】図2に示した同上装置の上面図である。
【図4】図2のA部拡大図である。
【図5】従来のレジスト処理装置の要部構成断面図であ
る。
る。
【図6】図5のB部拡大図である。
1 半導体基板 2 スピンチャック 3 コータカップ 5 樹脂切り板 5a 平坦部 5b 傾斜部 6 排出樹脂材受部 8 排出ガイド溝 10 排気口 13 境界部分 15 ガス配管 16 ガス吹き出し口
Claims (3)
- 【請求項1】 水平に設けられた平坦部とこの平坦部よ
りも外側で外周方向へ進むに従って下側へ向かう傾斜部
とを有して成る樹脂切り板と、 前記樹脂切り板の下側より強制排気する手段とを備え、 前記樹脂切り板の上側に前記平坦部と隙間を介して面対
向させて回転自在に半導体基板を配し、前記半導体基板
上に滴下された高粘度樹脂が前記半導体基板の回転で振
り切られて落下してくる高粘度樹脂を受ける高粘度樹脂
用コータカップにおいて、 前記樹脂切り板の前記平坦部と前記傾斜部との境界部を
前記半導体基板の外周端に略対応させて設けるととも
に、前記平坦部と前記半導体基板との間に微少な隙間を
設けたことを特徴とする高粘度樹脂用コータカップ。 - 【請求項2】 水平に設けられた平坦部とこの平坦部よ
りも外側で外周方向へ進むに従って下側へ向かう傾斜部
とを有して成る樹脂切り板と、 前記樹脂切り板の下側より強制排気する手段とを備え、 前記樹脂切り板の上側に前記平坦部と隙間を介して面対
向させて回転自在に半導体基板を配し、前記半導体基板
上に滴下された高粘度樹脂が前記半導体基板の回転で振
り切られて落下してくる高粘度樹脂を受ける高粘度樹脂
用コータカップにおいて、 前記樹脂切り板の前記平坦部と前記半導体基板との隙間
より、前記半導体基板の外側に向かって流れる気体を生
成する手段を設けたことを特徴とする高粘度樹脂用コー
タカップ。 - 【請求項3】 前記樹脂切り板の前記平坦部と前記傾斜
部との境界部を前記半導体基板の外周端に略対応させて
設けるとともに、前記平坦部と前記半導体基板との隙間
を極めて小さくして設けた請求項2に記載の高粘度樹脂
用コータカップ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14343692A JPH05315235A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 高粘度樹脂用コータカップ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14343692A JPH05315235A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 高粘度樹脂用コータカップ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05315235A true JPH05315235A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=15338668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14343692A Pending JPH05315235A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 高粘度樹脂用コータカップ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05315235A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09232206A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-09-05 | Hitachi Ltd | 塗布装置 |
JP2000237667A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-09-05 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置及びスピン処理方法 |
JP2001345543A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Sanyo Electric Co Ltd | フラックス転写装置 |
JP2002299204A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Sanken Electric Co Ltd | スピンナー用治具、スピンナー及びスピン塗布方法 |
JP2015146337A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置および接合システム |
KR20190000823A (ko) * | 2017-06-23 | 2019-01-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액 처리 장치 |
-
1992
- 1992-05-08 JP JP14343692A patent/JPH05315235A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09232206A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-09-05 | Hitachi Ltd | 塗布装置 |
JP2000237667A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-09-05 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置及びスピン処理方法 |
JP2001345543A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Sanyo Electric Co Ltd | フラックス転写装置 |
JP2002299204A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Sanken Electric Co Ltd | スピンナー用治具、スピンナー及びスピン塗布方法 |
JP2015146337A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置および接合システム |
KR20190000823A (ko) * | 2017-06-23 | 2019-01-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액 처리 장치 |
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