JPH05315235A - 高粘度樹脂用コータカップ - Google Patents
高粘度樹脂用コータカップInfo
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- JPH05315235A JPH05315235A JP14343692A JP14343692A JPH05315235A JP H05315235 A JPH05315235 A JP H05315235A JP 14343692 A JP14343692 A JP 14343692A JP 14343692 A JP14343692 A JP 14343692A JP H05315235 A JPH05315235 A JP H05315235A
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- Japan
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- semiconductor substrate
- resin
- cutting plate
- flat portion
- viscosity resin
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 溶材の吐出等を行わずに、半導体基板の裏面
に樹脂飛沫が付着するのを防止することができるように
する。 【構成】 樹脂切り板５の平坦部５ａと半導体基板１と
の間に樹脂飛沫と一緒に気流が入り込んで半導体基板１
の裏面に樹脂飛沫が付着しにくくするのに、前記樹脂切
り板５の前記平坦部５ａと傾斜部５ｂとの境界部分１３
を前記半導体基板１の外周端に略対応させて設けるとと
もに、前記平坦部５ａと前記半導体基板１との隙間Ｘを
極めて小さくして設けた。
に樹脂飛沫が付着するのを防止することができるように
する。 【構成】 樹脂切り板５の平坦部５ａと半導体基板１と
の間に樹脂飛沫と一緒に気流が入り込んで半導体基板１
の裏面に樹脂飛沫が付着しにくくするのに、前記樹脂切
り板５の前記平坦部５ａと傾斜部５ｂとの境界部分１３
を前記半導体基板１の外周端に略対応させて設けるとと
もに、前記平坦部５ａと前記半導体基板１との隙間Ｘを
極めて小さくして設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体製造装置
において水平にしたウエハ等の基板上に高粘度樹脂を滴
下し、基板を回転させて、この基板上に均一な高粘度樹
脂膜を形成させるレジスト処理工程で使用する高粘度樹
脂用コータカップに関するものである。
において水平にしたウエハ等の基板上に高粘度樹脂を滴
下し、基板を回転させて、この基板上に均一な高粘度樹
脂膜を形成させるレジスト処理工程で使用する高粘度樹
脂用コータカップに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５及び図６は従来の高粘度樹脂用コー
タカップの一例として示すレジスト処理装置の要部を示
すもので、図５はその構成断面図、図６は図５のＢ部拡
大図である。図５及び図６において、この装置では半導
体基板５１をチャックして一体に回転するスピンチャッ
ク５２と、このスピンチャック５２を中心として、この
スピンチャック５２の外側を囲むようにして配設された
コータカップ５３とを備えている。
タカップの一例として示すレジスト処理装置の要部を示
すもので、図５はその構成断面図、図６は図５のＢ部拡
大図である。図５及び図６において、この装置では半導
体基板５１をチャックして一体に回転するスピンチャッ
ク５２と、このスピンチャック５２を中心として、この
スピンチャック５２の外側を囲むようにして配設された
コータカップ５３とを備えている。
【０００３】さらに詳述すると、コータカップ５３は、
円筒状をした本体部５４の上部に、樹脂切り板５５と、
この樹脂切り板５５の外周部の外側を上下方向より包み
込むようにして周回形成された排出樹脂材受部５６とが
設けられている。
円筒状をした本体部５４の上部に、樹脂切り板５５と、
この樹脂切り板５５の外周部の外側を上下方向より包み
込むようにして周回形成された排出樹脂材受部５６とが
設けられている。
【０００４】このうち、樹脂切り板５５は、中心にスピ
ンチャック５２を逃げる開口５７が形成され、また中心
から外周方向に向かって順次、平坦部５５ａと、外周方
向に進むに従って下側へ向かうようにして傾斜している
傾斜部５５ｂと、垂れ下がり部５５ｃとが形成されてい
る。
ンチャック５２を逃げる開口５７が形成され、また中心
から外周方向に向かって順次、平坦部５５ａと、外周方
向に進むに従って下側へ向かうようにして傾斜している
傾斜部５５ｂと、垂れ下がり部５５ｃとが形成されてい
る。
【０００５】一方、排出樹脂材受部５６には、樹脂切り
板５５の垂れ下がり部５５ｃの真下に対応する状態で排
出ガイド溝５８が設けられているとともに、この排出ガ
イド溝５８に連通して廃液口５９が設けられている。加
えて、排出樹脂材受部５６には、排出ガイド溝５８内に
排出された樹脂材が流れ込むことがない構造にして排気
口６０が形成されている。
板５５の垂れ下がり部５５ｃの真下に対応する状態で排
出ガイド溝５８が設けられているとともに、この排出ガ
イド溝５８に連通して廃液口５９が設けられている。加
えて、排出樹脂材受部５６には、排出ガイド溝５８内に
排出された樹脂材が流れ込むことがない構造にして排気
口６０が形成されている。
【０００６】そして、スピンチャック５２上に半導体基
板５１が取り付けられた状態では、半導体基板５１の裏
面（下面）と樹脂切り板５５の平坦部５５ａの上面との
間の隙間Ｘは約２ミリメートルで、半導体基板５１の最
外周から平坦部５５ａの最外周までの距離Ｌは約５ミリ
メートルとなる。
板５１が取り付けられた状態では、半導体基板５１の裏
面（下面）と樹脂切り板５５の平坦部５５ａの上面との
間の隙間Ｘは約２ミリメートルで、半導体基板５１の最
外周から平坦部５５ａの最外周までの距離Ｌは約５ミリ
メートルとなる。
【０００７】次に、この構造においてのスピンコートを
行う動作について説明すると、先ず半導体基板５１は、
スピンチャック５２上に吸着されて取り付けられ、その
上にポリイミド樹脂が滴下される。次いで、スピンチャ
ック５２が半導体基板５１と共に毎分４０００回転程度
で、また排気口６０より図示せぬ排気手段により強制的
に排気しながら約２０秒間回転させる。すると、半導体
基板５１上に滴下されたポリイミド樹脂が回転による遠
心力と、強制排気で半導体基板５１上に生ずる気流６４
によって拡散され、半導体基板５１上に均一なるポリイ
ミド膜６１が形成される。
行う動作について説明すると、先ず半導体基板５１は、
スピンチャック５２上に吸着されて取り付けられ、その
上にポリイミド樹脂が滴下される。次いで、スピンチャ
ック５２が半導体基板５１と共に毎分４０００回転程度
で、また排気口６０より図示せぬ排気手段により強制的
に排気しながら約２０秒間回転させる。すると、半導体
基板５１上に滴下されたポリイミド樹脂が回転による遠
心力と、強制排気で半導体基板５１上に生ずる気流６４
によって拡散され、半導体基板５１上に均一なるポリイ
ミド膜６１が形成される。
【０００８】また、余分に滴下されたポリイミド樹脂
は、この回転時の遠心力で振り切られて樹脂切り板５５
上に廃棄され、さらに排出ガイド溝５８を伝わって廃液
口５９より排出される。なお、この余分な材料として廃
棄される樹脂は、滴下されたポリイミド樹脂の約９９パ
ーセント以上になる。
は、この回転時の遠心力で振り切られて樹脂切り板５５
上に廃棄され、さらに排出ガイド溝５８を伝わって廃液
口５９より排出される。なお、この余分な材料として廃
棄される樹脂は、滴下されたポリイミド樹脂の約９９パ
ーセント以上になる。
【０００９】さらに、図６を用いて上記気流の説明をす
ると、この構造では排気口６０よりフルパワー状態で強
制排気を行った場合、樹脂切り板５５と排出樹脂材受部
５６との隙間において、樹脂切り板５５の下側へ回って
排気口６０内に流れるものと、半導体基板５１の下面と
樹脂切り板５５の間に存在する隙間に乱流を発生させな
がら流れるものとがある。ここで、半導体基板５１の下
面と樹脂切り板５５の間の隙間Ｘに流れ込もうとする気
流について見ると、この部分では乱流となり、ポリイミ
ド樹脂材の飛沫（ミスト）が半導体基板５１の裏面に付
着する。図５及び図６において、符号６２は、この飛沫
が半導体基板５１の裏面に付着してなるポリイミド樹脂
材を示している。
ると、この構造では排気口６０よりフルパワー状態で強
制排気を行った場合、樹脂切り板５５と排出樹脂材受部
５６との隙間において、樹脂切り板５５の下側へ回って
排気口６０内に流れるものと、半導体基板５１の下面と
樹脂切り板５５の間に存在する隙間に乱流を発生させな
がら流れるものとがある。ここで、半導体基板５１の下
面と樹脂切り板５５の間の隙間Ｘに流れ込もうとする気
流について見ると、この部分では乱流となり、ポリイミ
ド樹脂材の飛沫（ミスト）が半導体基板５１の裏面に付
着する。図５及び図６において、符号６２は、この飛沫
が半導体基板５１の裏面に付着してなるポリイミド樹脂
材を示している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
構造のレジスト処理装置では、半導体基板５１の下面と
樹脂切り板５５の間の隙間Ｘの部分に乱流が発生し、こ
の隙間Ｘに流れ込んだポリイミド樹脂の飛沫（ミスト）
が半導体基板５１の裏面に付着すると言う問題点があっ
た。そこで、現在では、この飛沫の除去方法として、半
導体基板５１に例えばジエチレングリコール，ジメチル
エーテル等の溶材を吐出させて除去する方法等も試みら
れている。しかし、この方法で使用するジエチレングリ
コール，ジメチルエーテル等の溶材は、人体等に悪い影
響を及ぼす虞がある等が考えられる。このため、従来よ
り人体に悪い影響を与えることのない別の方法等が要望
されていた。
構造のレジスト処理装置では、半導体基板５１の下面と
樹脂切り板５５の間の隙間Ｘの部分に乱流が発生し、こ
の隙間Ｘに流れ込んだポリイミド樹脂の飛沫（ミスト）
が半導体基板５１の裏面に付着すると言う問題点があっ
た。そこで、現在では、この飛沫の除去方法として、半
導体基板５１に例えばジエチレングリコール，ジメチル
エーテル等の溶材を吐出させて除去する方法等も試みら
れている。しかし、この方法で使用するジエチレングリ
コール，ジメチルエーテル等の溶材は、人体等に悪い影
響を及ぼす虞がある等が考えられる。このため、従来よ
り人体に悪い影響を与えることのない別の方法等が要望
されていた。
【００１１】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は溶材の吐出等を行わずに、半導体
基板の裏面に樹脂飛沫が付着するのを防止することがで
きる高粘度樹脂用コータカップを提供することにある。
のであり、その目的は溶材の吐出等を行わずに、半導体
基板の裏面に樹脂飛沫が付着するのを防止することがで
きる高粘度樹脂用コータカップを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、樹脂切り板の平坦部と半導体基板との間に樹脂飛沫
と共に気流が入り込んで半導体基板の裏面に付着しにく
くするために、前記樹脂切り板の前記平坦部と前記傾斜
部との境界部を前記半導体基板の外周端に略対応させて
設けるとともに、前記平坦部と前記半導体基板との隙間
を極めて小さくして設けたものである。また、さらに樹
脂切り板の平坦部と半導体基板との間に樹脂飛沫と一緒
に気流が入り込んで半導体基板の裏面に樹脂飛沫が付着
しにくくするためには、前記樹脂切り板の前記平坦部と
前記傾斜部との境界部を前記半導体基板の外周端に略対
応させて設けるとともに、前記樹脂切り板の前記平坦部
と前記半導体基板との間より、前記半導体基板の外側に
向かって気体を流すようにしても達成できる。
め、樹脂切り板の平坦部と半導体基板との間に樹脂飛沫
と共に気流が入り込んで半導体基板の裏面に付着しにく
くするために、前記樹脂切り板の前記平坦部と前記傾斜
部との境界部を前記半導体基板の外周端に略対応させて
設けるとともに、前記平坦部と前記半導体基板との隙間
を極めて小さくして設けたものである。また、さらに樹
脂切り板の平坦部と半導体基板との間に樹脂飛沫と一緒
に気流が入り込んで半導体基板の裏面に樹脂飛沫が付着
しにくくするためには、前記樹脂切り板の前記平坦部と
前記傾斜部との境界部を前記半導体基板の外周端に略対
応させて設けるとともに、前記樹脂切り板の前記平坦部
と前記半導体基板との間より、前記半導体基板の外側に
向かって気体を流すようにしても達成できる。
【００１３】
【作用】この構成によれば、樹脂切り板の平坦部と半導
体基板との間に樹脂飛沫と一緒に気流が入り込みにくく
なるので、半導体基板の裏面に樹脂飛沫が付着しにくく
なる。したがって、人体等に悪い影響を与える虞がある
と考えられる溶材等を使わずに、半導体基板の裏面に樹
脂飛沫が付着するのを防止することができる。
体基板との間に樹脂飛沫と一緒に気流が入り込みにくく
なるので、半導体基板の裏面に樹脂飛沫が付着しにくく
なる。したがって、人体等に悪い影響を与える虞がある
と考えられる溶材等を使わずに、半導体基板の裏面に樹
脂飛沫が付着するのを防止することができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施例としての
レジスト処理装置の要部構成を半導体基板を装着した状
態で示す断面図である。図１において、この装置では半
導体基板１をチャックして一体に回転するスピンチャッ
ク２と、このスピンチャック２を中心として、このスピ
ンチャック２の外側を囲むようにして配設されたコータ
カップ３とを備えている。
詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施例としての
レジスト処理装置の要部構成を半導体基板を装着した状
態で示す断面図である。図１において、この装置では半
導体基板１をチャックして一体に回転するスピンチャッ
ク２と、このスピンチャック２を中心として、このスピ
ンチャック２の外側を囲むようにして配設されたコータ
カップ３とを備えている。
【００１５】さらに詳述すると、コータカップ３は、円
筒状をした本体部４の上部に、樹脂切り板５と、この樹
脂切り板５の外周部の外側を上下方向より包み込むよう
にして周回形成された排出樹脂材受部６等が設けられて
いる。
筒状をした本体部４の上部に、樹脂切り板５と、この樹
脂切り板５の外周部の外側を上下方向より包み込むよう
にして周回形成された排出樹脂材受部６等が設けられて
いる。
【００１６】このうち、樹脂切り板５は、中心にスピン
チャック２を逃げる開口７が形成されて、また中心から
外周方向に向かって順次、平坦部５ａと、外周方向に進
むに従い下側へ傾斜している傾斜部５ｂと、垂れ下がり
部５ｃとが形成されている。そして、平坦部５ａと傾斜
部５ｂとの境界部分１３は、この境界部分１３を真上に
延ばしたとき、この真上に延ばされた線、すなわち図１
中に点線１４とスピンチャック２上に吸着されて取り付
けられている半導体基板１の外周端とが一致するように
して設定されている。さらに、スピンチャック２上に半
導体基板１が取り付けられた状態では、半導体基板１の
裏面（下面）と樹脂切り板５の平坦部５ａの上面との間
の隙間Ｘは約１ミリメートルか、これよりも若干小さく
設定される。
チャック２を逃げる開口７が形成されて、また中心から
外周方向に向かって順次、平坦部５ａと、外周方向に進
むに従い下側へ傾斜している傾斜部５ｂと、垂れ下がり
部５ｃとが形成されている。そして、平坦部５ａと傾斜
部５ｂとの境界部分１３は、この境界部分１３を真上に
延ばしたとき、この真上に延ばされた線、すなわち図１
中に点線１４とスピンチャック２上に吸着されて取り付
けられている半導体基板１の外周端とが一致するように
して設定されている。さらに、スピンチャック２上に半
導体基板１が取り付けられた状態では、半導体基板１の
裏面（下面）と樹脂切り板５の平坦部５ａの上面との間
の隙間Ｘは約１ミリメートルか、これよりも若干小さく
設定される。
【００１７】一方、排出樹脂材受部６には、樹脂切り板
５の垂れ下がり部５ｃの真下に対応する状態で排出ガイ
ド溝８が設けられているとともに、この排出ガイド溝８
に連通して廃液口９が設けられている。加えて、排出樹
脂材受部６には、排出ガイド溝８内に排出された樹脂材
が流れ込むことがない構造にして排気口１０が形成され
ている。
５の垂れ下がり部５ｃの真下に対応する状態で排出ガイ
ド溝８が設けられているとともに、この排出ガイド溝８
に連通して廃液口９が設けられている。加えて、排出樹
脂材受部６には、排出ガイド溝８内に排出された樹脂材
が流れ込むことがない構造にして排気口１０が形成され
ている。
【００１８】次に、この構造においてのスピンコートを
行う動作について説明する。先ず、半導体基板１は、ス
ピンチャック２上に吸着されて取り付けられ、その上に
ポリイミド樹脂が滴下される。次いで、排気口１０より
図示せぬ排気手段によって強制的に排気させながら、ス
ピンチャック２を半導体基板１と共に毎分４０００回転
程度で約２０秒間回転させる。すると、半導体基板１上
に滴下されたポリイミド樹脂が回転による遠心力と、強
制排気で半導体基板１上に生ずる気流によって拡散さ
れ、半導体基板１上に均一なるポリイミド膜１１が形成
される。また、このとき滴下されたポリイミド樹脂の中
の不要な材料は約９９パーセントに及び、この不要な樹
脂材が、半導体基板１の回転による遠心力で振り切られ
て樹脂切り板５上に廃棄され、さらに排出ガイド溝８を
伝わって廃液口９より排出される。
行う動作について説明する。先ず、半導体基板１は、ス
ピンチャック２上に吸着されて取り付けられ、その上に
ポリイミド樹脂が滴下される。次いで、排気口１０より
図示せぬ排気手段によって強制的に排気させながら、ス
ピンチャック２を半導体基板１と共に毎分４０００回転
程度で約２０秒間回転させる。すると、半導体基板１上
に滴下されたポリイミド樹脂が回転による遠心力と、強
制排気で半導体基板１上に生ずる気流によって拡散さ
れ、半導体基板１上に均一なるポリイミド膜１１が形成
される。また、このとき滴下されたポリイミド樹脂の中
の不要な材料は約９９パーセントに及び、この不要な樹
脂材が、半導体基板１の回転による遠心力で振り切られ
て樹脂切り板５上に廃棄され、さらに排出ガイド溝８を
伝わって廃液口９より排出される。
【００１９】そして、このポリイミド膜１１の形成時に
は、平坦部５ａと傾斜部５ｂとの境界部分１３が、この
境界部分１３より真上に延ばした点線１４と、半導体基
板１がスピンチャック２上に吸着されて取り付けられた
状態で、半導体基板１の外周端とが一致するようにして
設定されており、またスピンチャック２上に半導体基板
１が取り付けられた状態では、半導体基板１の裏面（下
面）と樹脂切り板５の平坦部５ａの上面との間の隙間Ｘ
が約１ミリメートル以下に設定されているので乱流の発
生が低減され、ポリイミド樹脂材の飛沫が半導体基板１
と樹脂切り板５との間から入るのが抑えられる。
は、平坦部５ａと傾斜部５ｂとの境界部分１３が、この
境界部分１３より真上に延ばした点線１４と、半導体基
板１がスピンチャック２上に吸着されて取り付けられた
状態で、半導体基板１の外周端とが一致するようにして
設定されており、またスピンチャック２上に半導体基板
１が取り付けられた状態では、半導体基板１の裏面（下
面）と樹脂切り板５の平坦部５ａの上面との間の隙間Ｘ
が約１ミリメートル以下に設定されているので乱流の発
生が低減され、ポリイミド樹脂材の飛沫が半導体基板１
と樹脂切り板５との間から入るのが抑えられる。
【００２０】したがって、この第１の実施例の構造の場
合では、人体等に悪い影響を与える虞があると考えられ
る溶材等を使わずに、半導体基板１の裏面に樹脂飛沫が
付着するのを確実に防止することができることになる。
合では、人体等に悪い影響を与える虞があると考えられ
る溶材等を使わずに、半導体基板１の裏面に樹脂飛沫が
付着するのを確実に防止することができることになる。
【００２１】図２乃至図４は本発明の第２の実施例とし
てのレジスト処理装置の要部構成を示すもので、図２は
半導体基板を装着した状態で示すその概略断面図、図３
は半導体基板を装着していない状態で示すその上面図、
図４は図３のＡ部拡大図である。また、図２乃至図４に
おいて図１と同一符号を付したものは図１と同一のもの
を示している。
てのレジスト処理装置の要部構成を示すもので、図２は
半導体基板を装着した状態で示すその概略断面図、図３
は半導体基板を装着していない状態で示すその上面図、
図４は図３のＡ部拡大図である。また、図２乃至図４に
おいて図１と同一符号を付したものは図１と同一のもの
を示している。
【００２２】そして、この第２の実施例としての装置で
は、第１の実施例の装置と同様に、半導体基板１をチャ
ックして一体に回転するスピンチャック２と、このスピ
ンチャック２を中心として、このスピンチャック２の外
側を囲むようにして配設されたコータカップ３とを備え
ている。
は、第１の実施例の装置と同様に、半導体基板１をチャ
ックして一体に回転するスピンチャック２と、このスピ
ンチャック２を中心として、このスピンチャック２の外
側を囲むようにして配設されたコータカップ３とを備え
ている。
【００２３】さらに詳述すると、コータカップ３は、円
筒状をした本体部４の上部に、樹脂切り板５と、この樹
脂切り板５の外周部の外側を上下方向より包み込むよう
にして周回形成された排出樹脂材受部６と、樹脂切り板
５の内側に形成されたガス配管１５等が設けられてい
る。
筒状をした本体部４の上部に、樹脂切り板５と、この樹
脂切り板５の外周部の外側を上下方向より包み込むよう
にして周回形成された排出樹脂材受部６と、樹脂切り板
５の内側に形成されたガス配管１５等が設けられてい
る。
【００２４】このうち、樹脂切り板５は、中心にスピン
チャック２を逃げる開口７が形成され、また中心から外
周方向に向かって順次、平坦部５ａと、外周方向に進む
に従い下側へ傾斜している傾斜部５ｂと、垂れ下がり部
５ｃとが形成されている。そして、平坦部５ａと傾斜部
５ｂとの境界部分１３は、この境界部分１３を真上に延
ばしたとき、この真上に延ばされた線、すなわち図２中
に点線１４とスピンチャック２上に吸着されて取り付け
られている半導体基板１の外周端とが一致するようにし
て設定されている。さらに、スピンチャック２上に半導
体基板１が取り付けられた状態では、半導体基板１の裏
面（下面）と樹脂切り板５の平坦部５ａの上面との間の
隙間Ｘは約１ミリメートルか、これよりも若干小さく設
定される。
チャック２を逃げる開口７が形成され、また中心から外
周方向に向かって順次、平坦部５ａと、外周方向に進む
に従い下側へ傾斜している傾斜部５ｂと、垂れ下がり部
５ｃとが形成されている。そして、平坦部５ａと傾斜部
５ｂとの境界部分１３は、この境界部分１３を真上に延
ばしたとき、この真上に延ばされた線、すなわち図２中
に点線１４とスピンチャック２上に吸着されて取り付け
られている半導体基板１の外周端とが一致するようにし
て設定されている。さらに、スピンチャック２上に半導
体基板１が取り付けられた状態では、半導体基板１の裏
面（下面）と樹脂切り板５の平坦部５ａの上面との間の
隙間Ｘは約１ミリメートルか、これよりも若干小さく設
定される。
【００２５】一方、排出樹脂材受部６には、樹脂切り板
５の垂れ下がり部５ｃの真下に対応する状態で排出ガイ
ド溝８が設けられているとともに、この排出ガイド溝８
に連通して廃液口９が設けられている。加えて、排出樹
脂材受部６には、排出ガイド溝８内に排出された樹脂材
が流れ込むことがない構造にして排気口１０が形成され
ている。
５の垂れ下がり部５ｃの真下に対応する状態で排出ガイ
ド溝８が設けられているとともに、この排出ガイド溝８
に連通して廃液口９が設けられている。加えて、排出樹
脂材受部６には、排出ガイド溝８内に排出された樹脂材
が流れ込むことがない構造にして排気口１０が形成され
ている。
【００２６】ガス配管１５は、全体としてリング状に形
成されており、樹脂切り板５の開口７の内周面とスピン
チャック２の外周面との間に配設されている。また、上
面側には、樹脂切り板５の内面側に向いた斜め上方に向
かって開口された直径が略０．５ミリメートル程度のガ
ス吹き出し口１６が複数点在して形成されている。そし
て、このガス吹き出し口１６からは、エアまたは窒素ガ
ス（Ｎ2 ）等のクリーンな気体（以下、これを「クリー
ンガス」と言う）が、排気で生じる気流を乱すことがな
いように、排気口１０から排気する流量よりも少なくし
て毎分０．１〜０．３リットル程度流される。
成されており、樹脂切り板５の開口７の内周面とスピン
チャック２の外周面との間に配設されている。また、上
面側には、樹脂切り板５の内面側に向いた斜め上方に向
かって開口された直径が略０．５ミリメートル程度のガ
ス吹き出し口１６が複数点在して形成されている。そし
て、このガス吹き出し口１６からは、エアまたは窒素ガ
ス（Ｎ2 ）等のクリーンな気体（以下、これを「クリー
ンガス」と言う）が、排気で生じる気流を乱すことがな
いように、排気口１０から排気する流量よりも少なくし
て毎分０．１〜０．３リットル程度流される。
【００２７】次に、この構造においてのスピンコートを
行う動作について説明する。先ず、半導体基板１は、ス
ピンチャック２上に吸着されて取り付けられ、その上に
ポリイミド樹脂が滴下される。次いで、排気口１０より
排気するとともに、ガス管１５のガス吹き出し口１６よ
り半導体基板１の下面と樹脂切り板５との隙間に向かっ
て上記クリーンガスを噴出させながら、スピンチャック
２が半導体基板１と共に毎分４０００回転程度で約２０
秒間回転させる。すると、半導体基板１上に滴下された
ポリイミド樹脂が回転による遠心力と、強制排気で半導
体基板１上に生ずる気流によって拡散され、半導体基板
１上に均一なるポリイミド膜１１が形成される。また、
このとき滴下されたポリイミド樹脂材の中の不要な材料
は約９９パーセントに及び、この不要な樹脂材が半導体
基板１の回転による遠心力で振り切られて樹脂切り板５
上に廃棄され、さらに排出ガイド溝８を伝わって廃液口
９より排出される。
行う動作について説明する。先ず、半導体基板１は、ス
ピンチャック２上に吸着されて取り付けられ、その上に
ポリイミド樹脂が滴下される。次いで、排気口１０より
排気するとともに、ガス管１５のガス吹き出し口１６よ
り半導体基板１の下面と樹脂切り板５との隙間に向かっ
て上記クリーンガスを噴出させながら、スピンチャック
２が半導体基板１と共に毎分４０００回転程度で約２０
秒間回転させる。すると、半導体基板１上に滴下された
ポリイミド樹脂が回転による遠心力と、強制排気で半導
体基板１上に生ずる気流によって拡散され、半導体基板
１上に均一なるポリイミド膜１１が形成される。また、
このとき滴下されたポリイミド樹脂材の中の不要な材料
は約９９パーセントに及び、この不要な樹脂材が半導体
基板１の回転による遠心力で振り切られて樹脂切り板５
上に廃棄され、さらに排出ガイド溝８を伝わって廃液口
９より排出される。
【００２８】そして、このポリイミド膜１１の形成時に
は、平坦部５ａと傾斜部５ｂとの境界部分１３が、この
境界部分１３より真上に延ばした図２中に点線１４と、
半導体基板１がスピンチャック２上に吸着されて取り付
けられた状態で、半導体基板１の外周端とが一致するよ
うにして設定されているとともに、スピンチャック２上
に半導体基板１が取り付けられた状態では、半導体基板
１の裏面（下面）と樹脂切り板５の平坦部５ａの上面と
の間の隙間Ｘが約１ミリメートル、あるいはこれよりも
若干小さく設定されているので乱流の発生を低減させる
ことができ、ポリイミド樹脂材の飛沫が半導体基板１と
樹脂切り板５との間から入るのを防ぐことができる。同
時に、半導体基板１と樹脂切り板５との間からはクリー
ンガスが常に流出されるので、この半導体基板１と樹脂
切り板５との間の部分からのガスの流出によって乱流が
できるのが防止される。また、この隙間に入り込もうと
するポリイミド樹脂材の飛沫はクリーンガスの流れによ
って押し戻されるので、飛沫の巻き込みを確実に防ぐこ
とができる。
は、平坦部５ａと傾斜部５ｂとの境界部分１３が、この
境界部分１３より真上に延ばした図２中に点線１４と、
半導体基板１がスピンチャック２上に吸着されて取り付
けられた状態で、半導体基板１の外周端とが一致するよ
うにして設定されているとともに、スピンチャック２上
に半導体基板１が取り付けられた状態では、半導体基板
１の裏面（下面）と樹脂切り板５の平坦部５ａの上面と
の間の隙間Ｘが約１ミリメートル、あるいはこれよりも
若干小さく設定されているので乱流の発生を低減させる
ことができ、ポリイミド樹脂材の飛沫が半導体基板１と
樹脂切り板５との間から入るのを防ぐことができる。同
時に、半導体基板１と樹脂切り板５との間からはクリー
ンガスが常に流出されるので、この半導体基板１と樹脂
切り板５との間の部分からのガスの流出によって乱流が
できるのが防止される。また、この隙間に入り込もうと
するポリイミド樹脂材の飛沫はクリーンガスの流れによ
って押し戻されるので、飛沫の巻き込みを確実に防ぐこ
とができる。
【００２９】したがって、この第２の実施例の構造の場
合でも第１の実施例の構造の場合と同様に、人体等に悪
い影響を与える虞があると考えられる溶材等を使わず
に、クリーンガスの吐出で半導体基板１の裏面に樹脂飛
沫が付着するのを確実に防止することができる。また、
この第２の実施例の場合では、半導体基板１と樹脂切り
板５との間からはクリーンガスが常に流出されるので、
半導体基板１の裏面（下面）と樹脂切り板５の平坦部５
ａの上面との間の隙間Ｘが約１ミリメートルよりも若干
大きくても、乱流の発生を低減させることができ、半導
体基板１の裏面に樹脂飛沫が巻き込まれて付着するのを
確実に防止することができる。
合でも第１の実施例の構造の場合と同様に、人体等に悪
い影響を与える虞があると考えられる溶材等を使わず
に、クリーンガスの吐出で半導体基板１の裏面に樹脂飛
沫が付着するのを確実に防止することができる。また、
この第２の実施例の場合では、半導体基板１と樹脂切り
板５との間からはクリーンガスが常に流出されるので、
半導体基板１の裏面（下面）と樹脂切り板５の平坦部５
ａの上面との間の隙間Ｘが約１ミリメートルよりも若干
大きくても、乱流の発生を低減させることができ、半導
体基板１の裏面に樹脂飛沫が巻き込まれて付着するのを
確実に防止することができる。
【００３０】なお、上記各実施例では、半導体基板１に
ポリイミド樹脂によるレジスト膜を形成する場合に付い
て説明したが、ポリイミド樹脂に限ることなく、高粘度
の樹脂をレジスト処理する場合等に広く使用できるもの
である。
ポリイミド樹脂によるレジスト膜を形成する場合に付い
て説明したが、ポリイミド樹脂に限ることなく、高粘度
の樹脂をレジスト処理する場合等に広く使用できるもの
である。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
樹脂切り板の平坦部と半導体基板との間に樹脂飛沫と一
緒に気流が入り込みにくくなるので、半導体基板の裏面
に樹脂材被膜が付着しにくくなる。したがって、人体等
に悪い影響を与える虞があると考えられる溶材等を使わ
ずに、半導体基板の裏面に樹脂飛沫が付着するのを確実
に防止することができる。
樹脂切り板の平坦部と半導体基板との間に樹脂飛沫と一
緒に気流が入り込みにくくなるので、半導体基板の裏面
に樹脂材被膜が付着しにくくなる。したがって、人体等
に悪い影響を与える虞があると考えられる溶材等を使わ
ずに、半導体基板の裏面に樹脂飛沫が付着するのを確実
に防止することができる。
【図１】本発明の第１の実施例として示すレジスト処理
装置の概略断面図である。
装置の概略断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例として示すレジスト処理
装置の概略断面図である。
装置の概略断面図である。
【図３】図２に示した同上装置の上面図である。
【図４】図２のＡ部拡大図である。
【図５】従来のレジスト処理装置の要部構成断面図であ
る。
る。
【図６】図５のＢ部拡大図である。
１ 半導体基板 ２ スピンチャック ３ コータカップ ５ 樹脂切り板 ５ａ 平坦部 ５ｂ 傾斜部 ６ 排出樹脂材受部 ８ 排出ガイド溝 １０ 排気口 １３ 境界部分 １５ ガス配管 １６ ガス吹き出し口
Claims (3)
- 【請求項１】 水平に設けられた平坦部とこの平坦部よ
りも外側で外周方向へ進むに従って下側へ向かう傾斜部
とを有して成る樹脂切り板と、 前記樹脂切り板の下側より強制排気する手段とを備え、 前記樹脂切り板の上側に前記平坦部と隙間を介して面対
向させて回転自在に半導体基板を配し、前記半導体基板
上に滴下された高粘度樹脂が前記半導体基板の回転で振
り切られて落下してくる高粘度樹脂を受ける高粘度樹脂
用コータカップにおいて、 前記樹脂切り板の前記平坦部と前記傾斜部との境界部を
前記半導体基板の外周端に略対応させて設けるととも
に、前記平坦部と前記半導体基板との間に微少な隙間を
設けたことを特徴とする高粘度樹脂用コータカップ。 - 【請求項２】 水平に設けられた平坦部とこの平坦部よ
りも外側で外周方向へ進むに従って下側へ向かう傾斜部
とを有して成る樹脂切り板と、 前記樹脂切り板の下側より強制排気する手段とを備え、 前記樹脂切り板の上側に前記平坦部と隙間を介して面対
向させて回転自在に半導体基板を配し、前記半導体基板
上に滴下された高粘度樹脂が前記半導体基板の回転で振
り切られて落下してくる高粘度樹脂を受ける高粘度樹脂
用コータカップにおいて、 前記樹脂切り板の前記平坦部と前記半導体基板との隙間
より、前記半導体基板の外側に向かって流れる気体を生
成する手段を設けたことを特徴とする高粘度樹脂用コー
タカップ。 - 【請求項３】 前記樹脂切り板の前記平坦部と前記傾斜
部との境界部を前記半導体基板の外周端に略対応させて
設けるとともに、前記平坦部と前記半導体基板との隙間
を極めて小さくして設けた請求項２に記載の高粘度樹脂
用コータカップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14343692A JPH05315235A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 高粘度樹脂用コータカップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14343692A JPH05315235A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 高粘度樹脂用コータカップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315235A true JPH05315235A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=15338668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14343692A Pending JPH05315235A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 高粘度樹脂用コータカップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315235A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09232206A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-09-05 | Hitachi Ltd | 塗布装置 |
| JP2000237667A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-09-05 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置及びスピン処理方法 |
| JP2001345543A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Sanyo Electric Co Ltd | フラックス転写装置 |
| JP2002299204A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Sanken Electric Co Ltd | スピンナー用治具、スピンナー及びスピン塗布方法 |
| JP2015146337A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置および接合システム |
| KR20190000823A (ko) * | 2017-06-23 | 2019-01-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액 처리 장치 |
-
1992
- 1992-05-08 JP JP14343692A patent/JPH05315235A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09232206A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-09-05 | Hitachi Ltd | 塗布装置 |
| JP2000237667A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-09-05 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置及びスピン処理方法 |
| JP2001345543A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Sanyo Electric Co Ltd | フラックス転写装置 |
| JP2002299204A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Sanken Electric Co Ltd | スピンナー用治具、スピンナー及びスピン塗布方法 |
| JP2015146337A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置および接合システム |
| KR20190000823A (ko) * | 2017-06-23 | 2019-01-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액 처리 장치 |
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