JPH0529383A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0529383A JPH0529383A JP18254291A JP18254291A JPH0529383A JP H0529383 A JPH0529383 A JP H0529383A JP 18254291 A JP18254291 A JP 18254291A JP 18254291 A JP18254291 A JP 18254291A JP H0529383 A JPH0529383 A JP H0529383A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ＴＡＢフィルムと半導体チップをボンディン
グする際、塵や熱の影響を受け難くし、しかもガードリ
ングを設けることなくボンディングを精度良く行い、Ｔ
ＡＢフィルムと半導体チップの剥がれを生じ難くして信
頼性を向上させることができる半導体装置の製造方法を
提供。 【構成】 絶縁性フィルム１にリード部分を残して貫通
穴２が形成され、該リード部分の該絶縁性フィルム１表
面にリードとなる導電性膜３が形成され、該導電性膜３
とコンタクトするように導電性バンプ４が形成されてな
るＴＡＢフィルム５の該導電性バンプ４と半導体チップ
６の導電性バンプ７のボンディングを、該半導体チップ
６表面を保護できるように、かつ該導電性膜３が形成さ
れている側と反対側の該リード部分の該絶縁性フィルム
１上に絶縁性保護膜８を予め形成した後に行う。
グする際、塵や熱の影響を受け難くし、しかもガードリ
ングを設けることなくボンディングを精度良く行い、Ｔ
ＡＢフィルムと半導体チップの剥がれを生じ難くして信
頼性を向上させることができる半導体装置の製造方法を
提供。 【構成】 絶縁性フィルム１にリード部分を残して貫通
穴２が形成され、該リード部分の該絶縁性フィルム１表
面にリードとなる導電性膜３が形成され、該導電性膜３
とコンタクトするように導電性バンプ４が形成されてな
るＴＡＢフィルム５の該導電性バンプ４と半導体チップ
６の導電性バンプ７のボンディングを、該半導体チップ
６表面を保護できるように、かつ該導電性膜３が形成さ
れている側と反対側の該リード部分の該絶縁性フィルム
１上に絶縁性保護膜８を予め形成した後に行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、ＴＡＢ法による集積回路装置の組立時のチップ
表面保護及びリード曲がりの防止等を実現することがで
きる半導体装置の製造方法に関する。近時、ＴＡＢフィ
ルムと半導体チップをボンディングする際、半導体チッ
プ表面に塵等による傷を付き難くすることができるとと
もに、ＴＡＢフィルムや半導体チップに必要以上の熱を
かかり難くすることができ、しかもガードリングを設け
ることなくＴＡＢフィルムと半導体チップのボンディン
グを精度良く行うことができ、ＴＡＢフィルムと半導体
チップの剥がれを生じ難くして信頼性を向上させること
ができる半導体装置の製造方法が要求されている。
に係り、ＴＡＢ法による集積回路装置の組立時のチップ
表面保護及びリード曲がりの防止等を実現することがで
きる半導体装置の製造方法に関する。近時、ＴＡＢフィ
ルムと半導体チップをボンディングする際、半導体チッ
プ表面に塵等による傷を付き難くすることができるとと
もに、ＴＡＢフィルムや半導体チップに必要以上の熱を
かかり難くすることができ、しかもガードリングを設け
ることなくＴＡＢフィルムと半導体チップのボンディン
グを精度良く行うことができ、ＴＡＢフィルムと半導体
チップの剥がれを生じ難くして信頼性を向上させること
ができる半導体装置の製造方法が要求されている。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＴＡＢ法により集積回路装置の組
立を行う半導体装置の製造方法については、特開平１−
１４４６４４号公報で報告されたものがあり、ここでは
ＴＡＢフィルムのバンプ電極と半導体チップのバンプ電
極をボンディングし、この後半導体チップを保護するよ
うに絶縁性保護膜を形成している。以下、具体的に図面
を用いて説明する。
立を行う半導体装置の製造方法については、特開平１−
１４４６４４号公報で報告されたものがあり、ここでは
ＴＡＢフィルムのバンプ電極と半導体チップのバンプ電
極をボンディングし、この後半導体チップを保護するよ
うに絶縁性保護膜を形成している。以下、具体的に図面
を用いて説明する。
【０００３】図４、５は従来の半導体装置の製造方法の
一例を説明する図である。図４、５において、31は絶縁
性フィルムであり、この絶縁性フィルム31には、リード
部分を残して貫通穴38が形成されており、リード部分の
絶縁性フィルム31表面にリードとなる導電性膜32が形成
され、更に導電性膜32とコンタクトするようにバンプ電
極33が形成されている。この絶縁性フィルム31、貫通穴
38、導電性膜32及びバンプ電極33等からＴＡＢフィルム
34が構成されている。35はバンプ電極36が形成された半
導体チップであり、37はこの半導体チップ35を保護する
ために形成された絶縁性保護膜である。
一例を説明する図である。図４、５において、31は絶縁
性フィルムであり、この絶縁性フィルム31には、リード
部分を残して貫通穴38が形成されており、リード部分の
絶縁性フィルム31表面にリードとなる導電性膜32が形成
され、更に導電性膜32とコンタクトするようにバンプ電
極33が形成されている。この絶縁性フィルム31、貫通穴
38、導電性膜32及びバンプ電極33等からＴＡＢフィルム
34が構成されている。35はバンプ電極36が形成された半
導体チップであり、37はこの半導体チップ35を保護する
ために形成された絶縁性保護膜である。
【０００４】次に、その半導体装置の製造方法について
説明する。まず、図４（ａ）に示す如く絶縁性フィルム
31にリード部分を残して貫通穴38が形成され、リード部
分の絶縁性フィルム31表面にリードとなる導電性膜32が
形成され、更に導電性膜32とコンタクトするようにバン
プ電極33が形成され構成されたＴＡＢフィルム34を用
い、図４（ｂ）、（ｃ）に示すように、ＴＡＢフィルム
34のバンプ電極33と半導体チップ35のバンプ電極36をボ
ンディングしてＴＡＢフィルム34に半導体チップ35を接
着する。そして、半導体チップ35がＴＡＢフィルム34に
接着された側とは反対側のＴＡＢフィルム34表面から半
導体チップ35表面を保護するように絶縁性保護膜37をＴ
ＡＢフィルム34に熱接着することにより、図５（ｄ）、
（ｅ）に示すような半導体装置を得ることができる。
説明する。まず、図４（ａ）に示す如く絶縁性フィルム
31にリード部分を残して貫通穴38が形成され、リード部
分の絶縁性フィルム31表面にリードとなる導電性膜32が
形成され、更に導電性膜32とコンタクトするようにバン
プ電極33が形成され構成されたＴＡＢフィルム34を用
い、図４（ｂ）、（ｃ）に示すように、ＴＡＢフィルム
34のバンプ電極33と半導体チップ35のバンプ電極36をボ
ンディングしてＴＡＢフィルム34に半導体チップ35を接
着する。そして、半導体チップ35がＴＡＢフィルム34に
接着された側とは反対側のＴＡＢフィルム34表面から半
導体チップ35表面を保護するように絶縁性保護膜37をＴ
ＡＢフィルム34に熱接着することにより、図５（ｄ）、
（ｅ）に示すような半導体装置を得ることができる。
【０００５】また、その他の従来の半導体装置の製造方
法には、図６に示すように、リード部分の曲りを防止す
るために導電性膜32先端を保護するようにガードリング
41を形成したものも知られている。
法には、図６に示すように、リード部分の曲りを防止す
るために導電性膜32先端を保護するようにガードリング
41を形成したものも知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記した図４、５に示
す従来の半導体装置の製造方法では、ＴＡＢフィルム34
のバンプ電極33と半導体チップ35のバンプ電極36をボン
ディングした後、半導体チップ35表面を保護するように
絶縁性保護膜37を形成したため、ボンディング後の半導
体チップ35表面に傷を付かないようにすることができる
という利点があるが、ボンディングする際、半導体チッ
プ35表面が保護されていないため、半導体チップ35表面
に塵等により傷が付き易いという問題があった。また、
ボンディングする際の熱によって、ＴＡＢフィルム34や
半導体チップ35に必要以上の熱がかかり易く信頼性の点
で問題があった。
す従来の半導体装置の製造方法では、ＴＡＢフィルム34
のバンプ電極33と半導体チップ35のバンプ電極36をボン
ディングした後、半導体チップ35表面を保護するように
絶縁性保護膜37を形成したため、ボンディング後の半導
体チップ35表面に傷を付かないようにすることができる
という利点があるが、ボンディングする際、半導体チッ
プ35表面が保護されていないため、半導体チップ35表面
に塵等により傷が付き易いという問題があった。また、
ボンディングする際の熱によって、ＴＡＢフィルム34や
半導体チップ35に必要以上の熱がかかり易く信頼性の点
で問題があった。
【０００７】次に、上記した図６に示す従来の半導体装
置の製造方法では、リードとなる導電性膜32先端にガー
ドリング41を形成したため、リード部分の曲がりを防止
することができるという利点があるが、ＴＡＢフィルム
34の四隅でリードとなる導電性膜32の本数の違いによる
ストレス差（リード本数違いにより加重のかかり方が異
なるストレス差）が生じ、所望の加重が加わらないとこ
ろがあって所望のボンディングが行い難く、ＴＡＢフィ
ルム34が半導体チップ35から剥がれてしまうという問題
があった。また、多ピンになると、ピンとピンの間のス
ペースが非常に小さくなるため、ガードリング41が形成
できなくなることがあった。
置の製造方法では、リードとなる導電性膜32先端にガー
ドリング41を形成したため、リード部分の曲がりを防止
することができるという利点があるが、ＴＡＢフィルム
34の四隅でリードとなる導電性膜32の本数の違いによる
ストレス差（リード本数違いにより加重のかかり方が異
なるストレス差）が生じ、所望の加重が加わらないとこ
ろがあって所望のボンディングが行い難く、ＴＡＢフィ
ルム34が半導体チップ35から剥がれてしまうという問題
があった。また、多ピンになると、ピンとピンの間のス
ペースが非常に小さくなるため、ガードリング41が形成
できなくなることがあった。
【０００８】そこで本発明では、ＴＡＢフィルムと半導
体チップをボンディングする際、半導体チップ表面に塵
等による傷を付き難くすることができるとともに、ＴＡ
Ｂフィルムや半導体チップに必要以上の熱をかかり難く
することができ、しかもガードリングを設けることなく
ＴＡＢフィルムと半導体チップのボンディングを精度良
く行うことができ、ＴＡＢフィルムと半導体チップの剥
がれを生じ難くして信頼性を向上させることができる半
導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
体チップをボンディングする際、半導体チップ表面に塵
等による傷を付き難くすることができるとともに、ＴＡ
Ｂフィルムや半導体チップに必要以上の熱をかかり難く
することができ、しかもガードリングを設けることなく
ＴＡＢフィルムと半導体チップのボンディングを精度良
く行うことができ、ＴＡＢフィルムと半導体チップの剥
がれを生じ難くして信頼性を向上させることができる半
導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の製造方法は上記目的達成のため、絶縁性フィルムにリ
ード部分を残して貫通穴が形成され、該リード部分の該
絶縁性フィルム表面にリードとなる導電性膜が形成さ
れ、該導電性膜とコンタクトするように導電性バンプが
形成されてなるＴＡＢ（Tape Aotomted Bonding)フィル
ム５の該導電性バンプと半導体チップの導電性バンプの
ボンディングを、該半導体チップ表面を保護できるよう
に、かつ該導電性膜が形成されている側と反対側の該リ
ード部分の該絶縁性フィルム上に絶縁性保護膜を予め形
成した後に行う工程を含むものである。
の製造方法は上記目的達成のため、絶縁性フィルムにリ
ード部分を残して貫通穴が形成され、該リード部分の該
絶縁性フィルム表面にリードとなる導電性膜が形成さ
れ、該導電性膜とコンタクトするように導電性バンプが
形成されてなるＴＡＢ（Tape Aotomted Bonding)フィル
ム５の該導電性バンプと半導体チップの導電性バンプの
ボンディングを、該半導体チップ表面を保護できるよう
に、かつ該導電性膜が形成されている側と反対側の該リ
ード部分の該絶縁性フィルム上に絶縁性保護膜を予め形
成した後に行う工程を含むものである。
【００１０】本発明においては、前記ボンディングを行
う際、前記絶縁性保護膜を前記ボンディング時の熱によ
って軟化させて前記半導体チップ表面に密着させる工程
を含むようにしてもよい。
う際、前記絶縁性保護膜を前記ボンディング時の熱によ
って軟化させて前記半導体チップ表面に密着させる工程
を含むようにしてもよい。
【００１１】
【作用】本発明では、図１、２に示すように、ＴＡＢフ
ィルム５の導電性バンプ４と半導体チップ６の導電性バ
ンプ７をボンディングする際、半導体チップ６表面を絶
縁性保護膜８で保護しているため、半導体チップ６表面
に塵等による傷を付き難くすることができるとともに、
ボンディングの際の熱を絶縁性保護膜８で逃がすことが
できるため、ＴＡＢフィルム５の導電性膜３や半導体チ
ップ６に必要以上の熱をかかり難くすることができる。
しかも、ＴＡＢフィルム５に絶縁性保護膜８を接着して
補強し固定した状態で半導体チップ６とボンディングす
るようにしたため、リード部分のＴＡＢフィルム５を変
形させないでボンディングすることができる。このた
め、リード部分の位置合わせ精度を向上させることがで
き、精度良くボンディングすることができる。従って、
ＴＡＢフィルム５と半導体チップ６の剥がれを生じ難く
することができる。
ィルム５の導電性バンプ４と半導体チップ６の導電性バ
ンプ７をボンディングする際、半導体チップ６表面を絶
縁性保護膜８で保護しているため、半導体チップ６表面
に塵等による傷を付き難くすることができるとともに、
ボンディングの際の熱を絶縁性保護膜８で逃がすことが
できるため、ＴＡＢフィルム５の導電性膜３や半導体チ
ップ６に必要以上の熱をかかり難くすることができる。
しかも、ＴＡＢフィルム５に絶縁性保護膜８を接着して
補強し固定した状態で半導体チップ６とボンディングす
るようにしたため、リード部分のＴＡＢフィルム５を変
形させないでボンディングすることができる。このた
め、リード部分の位置合わせ精度を向上させることがで
き、精度良くボンディングすることができる。従って、
ＴＡＢフィルム５と半導体チップ６の剥がれを生じ難く
することができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１、２は本発明の一実施例に則した半導体装置の製造方
法を説明する図である。図１、２において、１はポリイ
ミド等からなる絶縁性フィルムであり、この絶縁性フィ
ルム１にはリード部分を残して貫通穴２が形成されてお
り、リード部分の絶縁性フィルム１表面にリードとなる
銅等からなる導電性膜３が形成され、更に導電性膜３と
コンタクトするように金等からなる導電性バンプ４が形
成されている。この絶縁性フィルム１、貫通穴２、導電
性膜３及び導電性バンプ４等からＴＡＢフィルム５が構
成されている。６は金等からなる導電性バンプ７が形成
された半導体チップであり、８はエポキシ系樹脂等から
なる絶縁性保護膜である。
１、２は本発明の一実施例に則した半導体装置の製造方
法を説明する図である。図１、２において、１はポリイ
ミド等からなる絶縁性フィルムであり、この絶縁性フィ
ルム１にはリード部分を残して貫通穴２が形成されてお
り、リード部分の絶縁性フィルム１表面にリードとなる
銅等からなる導電性膜３が形成され、更に導電性膜３と
コンタクトするように金等からなる導電性バンプ４が形
成されている。この絶縁性フィルム１、貫通穴２、導電
性膜３及び導電性バンプ４等からＴＡＢフィルム５が構
成されている。６は金等からなる導電性バンプ７が形成
された半導体チップであり、８はエポキシ系樹脂等から
なる絶縁性保護膜である。
【００１３】次に、その半導体装置の製造方法について
説明する。まず、図１（ａ）に示す如く、絶縁性フィル
ム１にリード部分を残して貫通穴２が形成され、リード
部分の絶縁性フィルム１表面にリードとなる導電性膜３
が形成され、更に導電性膜３とコンタクトするように導
電性バンプ４が形成されてなるＴＡＢフィルム５を用
い、図１（ｂ）に示すように、この後ボンディングする
半導体チップ６表面を保護できるように、かつ導電性膜
３が形成されている側と反対側のリード部分の絶縁性フ
ィルム１上にエポキシ系樹脂からなる絶縁性保護膜８を
形成する。ここでの絶縁性フィルム１と絶縁性保護膜８
の熱接着は400℃と１分程度で行う。
説明する。まず、図１（ａ）に示す如く、絶縁性フィル
ム１にリード部分を残して貫通穴２が形成され、リード
部分の絶縁性フィルム１表面にリードとなる導電性膜３
が形成され、更に導電性膜３とコンタクトするように導
電性バンプ４が形成されてなるＴＡＢフィルム５を用
い、図１（ｂ）に示すように、この後ボンディングする
半導体チップ６表面を保護できるように、かつ導電性膜
３が形成されている側と反対側のリード部分の絶縁性フ
ィルム１上にエポキシ系樹脂からなる絶縁性保護膜８を
形成する。ここでの絶縁性フィルム１と絶縁性保護膜８
の熱接着は400℃と１分程度で行う。
【００１４】そして、図１（ｃ）に示す如く絶縁性保護
膜８が形成されたＴＡＢフィルム５の導電性バンプ４と
半導体チップ６の導電性バンプ４を500℃、１分程度で
ボンディングすることにより、図２（ｄ）、（ｅ）に示
すような半導体装置を得ることができる。すなわち、本
実施例では、半導体チップ６表面を保護できるように、
かつ導電性膜３が形成されている側と反対側のリード部
分の絶縁性フィルム１上に絶縁性保護膜８を予め形成し
た後、ＴＡＢフィルム５の導電性バンプ４と半導体チッ
プ６の導電性バンプ７のボンディングを行うようにして
いる。このように、ＴＡＢフィルム５の導電性バンプ４
と半導体チップ６の導電性バンプ７をボンディングする
際、半導体チップ６表面を絶縁性保護膜８で保護してい
るため、半導体チップ６表面に塵等による傷を付き難く
することができるとともに、ボンディングの際の熱を絶
縁性保護膜８で逃がすことができるため、ＴＡＢフィル
ム５の導電性膜３や半導体チップ６に必要以上の熱をか
かり難くすることができる。しかも、ＴＡＢフィルム５
に絶縁性保護膜８を接着し補強して固定した状態で半導
体チップ６とボンディングするようにしたため、リード
部分のＴＡＢフィルム５を変形させないでボンディング
することができる。このため、リード部分の位置合わせ
精度を向上させることができ、精度良くボンディングす
ることができる。従って、ＴＡＢフィルム５と半導体チ
ップ６の剥がれを生じ難くすることができ、信頼性を向
上させることができる。更に、ガードリングを設ける必
要もなくガードリング形成の手間及びガードリング形成
に伴う多ピンの際の問題も解消することができる。
膜８が形成されたＴＡＢフィルム５の導電性バンプ４と
半導体チップ６の導電性バンプ４を500℃、１分程度で
ボンディングすることにより、図２（ｄ）、（ｅ）に示
すような半導体装置を得ることができる。すなわち、本
実施例では、半導体チップ６表面を保護できるように、
かつ導電性膜３が形成されている側と反対側のリード部
分の絶縁性フィルム１上に絶縁性保護膜８を予め形成し
た後、ＴＡＢフィルム５の導電性バンプ４と半導体チッ
プ６の導電性バンプ７のボンディングを行うようにして
いる。このように、ＴＡＢフィルム５の導電性バンプ４
と半導体チップ６の導電性バンプ７をボンディングする
際、半導体チップ６表面を絶縁性保護膜８で保護してい
るため、半導体チップ６表面に塵等による傷を付き難く
することができるとともに、ボンディングの際の熱を絶
縁性保護膜８で逃がすことができるため、ＴＡＢフィル
ム５の導電性膜３や半導体チップ６に必要以上の熱をか
かり難くすることができる。しかも、ＴＡＢフィルム５
に絶縁性保護膜８を接着し補強して固定した状態で半導
体チップ６とボンディングするようにしたため、リード
部分のＴＡＢフィルム５を変形させないでボンディング
することができる。このため、リード部分の位置合わせ
精度を向上させることができ、精度良くボンディングす
ることができる。従って、ＴＡＢフィルム５と半導体チ
ップ６の剥がれを生じ難くすることができ、信頼性を向
上させることができる。更に、ガードリングを設ける必
要もなくガードリング形成の手間及びガードリング形成
に伴う多ピンの際の問題も解消することができる。
【００１５】次に、本発明においては、図３に示すよう
に、ＴＡＢフィルム５の導電性バンプ４と半導体チップ
６の導電性バンプ７のボンディングを行う際、エポキシ
系樹脂等からなる絶縁性保護膜８をボンディング時の熱
によって軟化させて半導体チップ６を密着させるように
してもよく、この場合、絶縁性保護膜８とは異なる絶縁
性保護膜を半導体チップ６に新たに密着させる工程を省
略することができ好ましい。
に、ＴＡＢフィルム５の導電性バンプ４と半導体チップ
６の導電性バンプ７のボンディングを行う際、エポキシ
系樹脂等からなる絶縁性保護膜８をボンディング時の熱
によって軟化させて半導体チップ６を密着させるように
してもよく、この場合、絶縁性保護膜８とは異なる絶縁
性保護膜を半導体チップ６に新たに密着させる工程を省
略することができ好ましい。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、ＴＡＢフィルムと半導
体チップをボンディングする際、半導体チップ表面に塵
等による傷を付き難くすることができるとともに、ＴＡ
Ｂフィルムや半導体チップに必要以上の熱をかかり難く
することができ、しかもガードリングを設けることなく
ＴＡＢフィルムと半導体チップのボンディングを精度良
く行うことができ、ＴＡＢフィルムと半導体チップの剥
がれを生じ難くして信頼性を向上させることができると
いう効果がある。
体チップをボンディングする際、半導体チップ表面に塵
等による傷を付き難くすることができるとともに、ＴＡ
Ｂフィルムや半導体チップに必要以上の熱をかかり難く
することができ、しかもガードリングを設けることなく
ＴＡＢフィルムと半導体チップのボンディングを精度良
く行うことができ、ＴＡＢフィルムと半導体チップの剥
がれを生じ難くして信頼性を向上させることができると
いう効果がある。
【図１】本発明の一実施例に則した半導体装置の製造方
法を説明する図である。
法を説明する図である。
【図２】本発明の一実施例に則した半導体装置の製造方
法を説明する図である。
法を説明する図である。
【図３】本発明に適用できる半導体装置の製造方法を説
明する図である。
明する図である。
【図４】従来例の半導体装置の製造方法の一例を説明す
る図である。
る図である。
【図５】従来例の半導体装置の製造方法の一例を説明す
る図である。
る図である。
【図６】従来例の半導体装置の製造方法の他の一例を説
明する図である。
明する図である。
１ 絶縁性フィルム
２ 貫通穴
３ 導電性膜
４ 導電性バンプ
５ ＴＡＢフィルム
６ 半導体チップ
７ 導電性バンプ
８ 絶縁性保護膜
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁性フィルム（１）にリード部分を残
して貫通穴（２）が形成され、該リード部分の該絶縁性
フィルム（１）表面にリードとなる導電性膜（３）が形
成され、該導電性膜（３）とコンタクトするように導電
性バンプ（４）が形成されてなるＴＡＢ（Tape Aotomte
d Bonding)フィルム５の該導電性バンプ（４）と半導体
チップ（６）の導電性バンプ（７）のボンディングを、
該半導体チップ（６）表面を保護できるように、かつ該
導電性膜（３）が形成されている側と反対側の該リード
部分の該絶縁性フィルム（１）上に絶縁性保護膜（８）
を予め形成した後に行う工程を含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記ボンディングを行う際、前記絶縁性
保護膜（８）を前記ボンディング時の熱によって軟化さ
せ前記半導体チップ（６）表面に密着させる工程を含む
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18254291A JPH0529383A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18254291A JPH0529383A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529383A true JPH0529383A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16120113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18254291A Withdrawn JPH0529383A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529383A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831869A (ja) * | 1994-05-09 | 1996-02-02 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法及びその実装検査方法 |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP18254291A patent/JPH0529383A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831869A (ja) * | 1994-05-09 | 1996-02-02 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法及びその実装検査方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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