JPH05291679A

JPH05291679A - 半導体レーザ装置

Info

Publication number: JPH05291679A
Application number: JP8376392A
Authority: JP
Inventors: Chikashi Anayama; 親志穴山; Masato Kondo; 真人近藤; Toshiyuki Tanahashi; 俊之棚橋; Megumi Doumen; 恵堂免; Akira Furuya; 章古谷
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1992-04-06
Filing date: 1992-04-06
Publication date: 1993-11-05

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、発光領域から隣接領域に連続して形
成された活性層を有する半導体レーザ装置に関し、電流
閉じ込め特性を向上させた半導体レーザ装置を提供する
ことを目的とする。【構成】発光領域から隣接領域に連続して形成された活
性層６が第１導電型クラッド層５と第２導電型クラッド
層７との間に挟まれた半導体レーザ装置において、第１
導電型クラッド層５中に第１導電型クラッド層５よりも
抵抗率が高い第１導電型の高抵抗スペーサ層９が挿入さ
れ、高抵抗スペーサ層９の膜厚が、活性層６の発光領域
に対応する領域で薄く、活性層６の隣接領域に対応する
領域で厚いように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ装置、特に
発光領域から隣接領域に連続して形成された活性層が第
１導電型クラッド層と第２導電型クラッド層との間に挟
まれた半導体レーザ装置に関する。半導体レーザ装置の
うちＡｌＧａＩｎＰ系横モード制御型の０．６μｍ帯の
可視光レーザ装置は、ＰＯＳ、光ディスク装置、レーザ
プリンタ等の光情報処理装置の高性能化を実現するため
光源として大いに期待されている。

【０００２】このような光情報処理装置の可視光半導体
レーザ装置に対しては、低しきい値電流で高効率、高出
力の特性が要求されている。

【０００３】

【従来の技術】一般に、Ａｌを含む層上にＡｌを含む材
料を成長させるのは、同一装置内で連続的に形成する場
合を除いて非常に困難であることが知られている。この
ため、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ装置では、Ｇａ
Ａｓ／ＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ装置とは異なり、
屈折率変化をＡｌを含む材料を埋め込むことにより達成
することが困難であった。

【０００４】そこで、従来のＡｌＧａＩｎＰ系の半導体
レーザでは横モード制御するために様々な工夫がなされ
ている。図４に、横モード制御された従来のＡｌＧａＩ
ｎＰ系半導体レーザ装置を示す（特開昭６２−２００７
８６号公報）。ｎ型ＧａＡｓ基板２１上にｎ−ＡｌＧａ
ＩｎＰからなるｎ側クラッド層２２が形成され、ｎ側ク
ラッド層２２上にＧａＩｎＰからなる活性層２３が形成
され、活性層２３上にｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ側
第１クラッド層２４が形成されている。ｐ側第１クラッ
ド層２４までは表面が平坦になっている。

【０００５】ｐ側第１クラッド層２４上には、ｐ−Ｇａ
ＩｎＰからなるｐ側エッチングストップ層２５、ｐ−Ａ
ｌＧａＩｎＰからなるｐ側第２クラッド層２６、ｐ−Ｇ
ａＩｎＰからなるｐ側スパイク防止層２７、ｐ−ＧａＩ
ｎＰからなるｐ側第１コンタクト層２８が積層され、断
面がメサストライプ形状に形成されている。このメサス
トライプはｎ−ＧａＡｓからなるｎ型電流ブロック層２
９により埋込まれ、ｐ側第１コンタクト層２８及びｎ型
電流ブロック層２９上にはｐ−ＧａＡｓからなるｐ側第
２コンタクト層３０が形成されている。

【０００６】このように図４に示すＡｌＧａＩｎＰ系半
導体レーザ装置では、上部クラッド層であるｐ側第２ク
ラッド層２６のみをストライプ形状に形成することによ
り横方向の屈折率変化をつけている。しかしながら、メ
サストライプ形状の両端側の埋込み層であるｎ型電流ブ
ロック層２９が光を吸収するＧａＡｓから形成されてお
り、ロスガイド構造になっているので、量子効率の高い
半導体レーザ装置を得ることが困難であるという問題が
あった。

【０００７】これに対して、段差を有する基板上にダブ
ルヘテロ構造を形成すると活性層に段差がついて半導体
レーザ装置の横モード制御が可能となることが知られて
いる。本願発明者は、このようにして横モード制御を行
うＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ装置を提案している
（特願平２−１５９９９７号）。本願発明者により提案
されている半導体レーザ装置を図５に示す。

【０００８】ｐ型ＧａＡｓ基板１の表面にはメサストラ
イプ形状が形成されている。ｐ型ＧａＡｓ基板１のメサ
ストライプ形状はｎ−ＧａＡｓからなるｎ型電流ブロッ
ク層２により埋め込まれ、メサストライプ形状の斜面が
緩斜面になっている。ｐ型ＧａＡｓ基板１及びｎ型電流
ブロック層２上には、ｐ−ＧａＡｓからなるバッファ層
３、ｐ−（Ａｌ_0.1Ｇａ_0.9）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからｐ−
（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐに組成が徐々に変
化するｐ側スパイク防止層４、ｐ−（Ａｌ_0.7Ｇ
ａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなるｐ側クラッド層５、Ｇ
ａ_0.4Ｉｎ_0. ₆Ｐからなる活性層６、ｎ−（Ａｌ_0.7Ｇ
ａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなるｎ側クラッド層７が、
メサストライプ形状に沿った形状に積層されている。ｎ
側クラッド層７上にはｎ−ＧａＡｓからなるコンタクト
層８が形成されている。

【０００９】このように図５に示す半導体レーザ装置で
は、湾曲した活性層６により光の横モード制御が行われ
る。このため、ロスガイド構造ではなく光の吸収損失を
考慮する必要がない。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示す半導体レーザ装置では、電流狭窄のためのｎ型電流
ブロック層２が活性層６から離れているため、バッファ
層３、ｐ側スパイク防止層４、ｐ側クラッド層５におい
て電流が拡がり、電流閉じ込め特性に問題があり、半導
体レーザ装置として所望の特性が得られないという問題
があった。

【００１１】本発明の目的は、電流閉じ込め特性を向上
させた半導体レーザ装置を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的は、発光領域か
ら隣接領域に連続して形成された活性層が第１導電型ク
ラッド層と第２導電型クラッド層との間に挟まれた半導
体レーザ装置において、前記第１導電型クラッド層中に
前記第１導電型クラッド層よりも抵抗率が高い第１導電
型の高抵抗スペーサ層が挿入され、前記高抵抗スペーサ
層の膜厚が、前記活性層の発光領域に対応する領域で薄
く、前記活性層の隣接領域に対応する領域で厚いことを
特徴とする半導体レーザ装置によって達成される。

【００１３】上記目的は、発光領域から隣接領域に連続
して形成された活性層が第１導電型クラッド層と第２導
電型クラッド層との間に挟まれた半導体レーザ装置にお
いて、前記第１導電型クラッド層と前記活性層間に第２
導電型のリモートジャンクション層が挿入され、前記リ
モートジャンクション層の膜厚が、前記活性層の発光領
域に接する領域で、前記活性層の発光領域への電流注入
時に前記活性層との間で形成される空乏層の厚さよりも
薄く、前記活性層の隣接領域に接する領域で、前記空乏
層の厚さよりも厚いことを特徴とする半導体レーザ装置
によって達成される。

【００１４】

【作用】本発明によれば、第１導電型クラッド層中に第
１導電型クラッド層よりも抵抗率が高い第１導電型の高
抵抗スペーサ層を挿入し、その高抵抗スペーサ層の膜厚
が、活性層の発光領域に対応する領域で薄く、活性層の
隣接領域に対応する領域で厚くなるようにしたので、活
性層の発光領域に比べてその隣接領域の方が抵抗が高く
なり電流が流れにくくなって活性層の発光領域に電流を
集中させることができる。

【００１５】また、本発明によれば、第１導電型クラッ
ド層と活性層間に第２導電型のリモートジャンクション
層を挿入し、そのリモートジャンクション層の膜厚が、
活性層の発光領域に接する領域で、活性層の発光領域へ
の電流注入時に活性層との間で形成される空乏層の厚さ
よりも薄く、活性層の隣接領域に接する領域で、空乏層
の厚さよりも厚くなるようにしたので、リモートジャン
クション層の膜厚差に基づいて、活性層の隣接領域に接
するリモートジャンクション層にのみ空乏化されない部
分が残り、この部分が電流ブロック層として機能して活
性層の発光領域に電流を集中させることができる。

【００１６】

【実施例】本発明の第１の実施例による半導体レーザ装
置を図１を用いて説明する。図５に示す半導体レーザ装
置と同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略
又は簡略にする。Ｚｎがドープされ不純物濃度が１×１
０¹⁹ｃｍ^-3のｐ型ＧａＡｓ基板１の表面には約１．８μ
ｍ高さのメサストライプ形状が形成されている。ｐ型Ｇ
ａＡｓ基板１のメサストライプ形状は、Ｓｅがドープさ
れ不純物濃度が２×１０¹⁸ｃｍ^-3のｎ−ＧａＡｓからな
る約１μｍ厚のｎ型電流ブロック層２により埋め込ま
れ、メサストライプ形状の斜面が緩斜面になっている。

【００１７】ｐ型ＧａＡｓ基板１及びｎ型電流ブロック
層２上には、Ｚｎがドープされ不純物濃度が６×１０¹⁶
ｃｍ^-3のｐ−ＧａＡｓからなる約５０ｎｍ厚のバッファ
層３、Ｍｇがドープされ不純物濃度が３×１０¹⁷ｃｍ^-3
でｐ−（Ａｌ_0.1Ｇａ_0.9） _0.5Ｉｎ_0.5Ｐからｐ−
（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐに組成が徐々に変
化する約０．１μｍ厚のｐ側スパイク防止層４、Ｍｇが
ドープされ不純物濃度が５×１０¹⁷ｃｍ^-3のｐ−（Ａｌ
_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる約０．５μｍ厚
のｐ側クラッド層５がメサストライプ形状に沿った形状
に積層されている。

【００１８】ｐ側クラッド層５上には、Ｍｇがドープさ
れ不純物濃度が２×１０¹⁷ｃｍ^-3のｐ−（Ａｌ_0.7Ｇａ
_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなるｐ型高抵抗スペーサ層９
が形成されている。このｐ型高抵抗スペーサ層９は、ｐ
側クラッド層５より高い２．０〜２．５Ω・ｃｍの比抵
抗を有しており、メサストライプ形状中央の平坦部分は
膜厚が０．１μｍであるのに対し、隣接する緩斜面の方
が膜厚が０．２μｍと厚くなるように形成されている。

【００１９】ｐ型高抵抗スペーサ層９上には、アンドー
プのＧａ_0.4Ｉｎ_0.6Ｐからなる約０．０８μｍ厚の活
性層６、Ｓｅがドープされ不純物濃度が８×１０¹⁷ｃｍ
^-3のｎ−（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる
約０．６μｍ厚のｎ側クラッド層７がメサストライプ形
状に沿った形状に形成されている。ｎ側クラッド層７上
には、Ｓｅがドープされ不純物濃度が２×１０¹⁸ｃｍ^-3
のｎ−ＧａＡｓからなるコンタクト層８が全面に形成さ
れている。

【００２０】このように本実施例によれば、ｐ側クラッ
ド層５上に形成されたｐ型高抵抗スペーサ層９が高抵抗
であり、メサストライプ形状中央の平坦部分に比べて隣
接する緩斜面上で膜厚が厚くなるように形成されている
ので、活性層６の隣接領域の方が抵抗が高くなり電流が
流れにくくなって活性層６中央の発光領域に電流を集中
させることができる。

【００２１】なお、本実施例の半導体レーザ装置におい
て、活性層６とｎ側クラッド層７の間に、Ｓｅがドープ
されたｎ−ＡｌＧａＩｎＰからなる約０．３μｍ厚のガ
イド層（図示せず）を設けてもよい。また、ｎ側クラッ
ド層７とコンタクト層８の間に、ｎ−ＧａＩｎＰからな
るｎ側スパイク防止層（図示せず）を設けてもよい。次
に、本実施例の半導体レーザ装置の製造方法について説
明する。

【００２２】まず、ｐ型ＧａＡｓ基板１上にスパッタリ
ングによりシリコン酸化膜（図示せず）を堆積し、スト
ライプ状の開口部を形成するようにシリコン酸化膜をパ
ターニングする。次に、シリコン酸化膜をマスクとして
ｐ型ＧａＡｓ基板１をエッチングし、斜面に（１１１）
Ｂ面が現れるような深さ１．８μｍのメサストライプ形
状を形成する。

【００２３】次に、ＭＯＶＰＥ法により、Ｓｅがドープ
され不純物濃度が２×１０¹⁸ｃｍ^-3のｎ−ＧａＡｓから
なる約１μｍ厚のｎ型電流ブロック層２をｐ型ＧａＡｓ
基板１上に成長し、メサストライプを埋め込む。次に、
シリコン酸化膜をＨＦ溶液により剥離する。次に、ＭＯ
ＶＰＥ法により、ｐ型ＧａＡｓ基板１及びｎ型電流ブロ
ック層２上に、Ｚｎがドープされ不純物濃度が６×１０
¹⁶ｃｍ^-3のｐ−ＧａＡｓからなる約５０ｎｍ厚のバッフ
ァ層３、Ｍｇがドープされ不純物濃度が３×１０¹⁷ｃｍ
^-3でｐ−（Ａｌ_0.1Ｇａ_0.9）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからｐ−
（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐに組成が徐々に変
化する約０．１μｍ厚のｐ側スパイク防止層４、Ｍｇが
ドープされ不純物濃度が５×１０¹⁷ｃｍ^-3のｐ−（Ａｌ
_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる約０．５μｍ厚
のｐ側クラッド層５、Ｍｇがドープされ不純物濃度が２
×１０¹⁷ｃｍ^-3のｐ−（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ
_0.5Ｐからなるｐ型高抵抗スペーサ層９、アンドープの
Ｇａ_0.4Ｉｎ_0.6Ｐからなる約０．０８μｍ厚の活性層
６、Ｓｅがドープされ不純物濃度が８×１０¹⁷ｃｍ^-3の
ｎ−（Ａｌ _0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる約
０．６μｍ厚のｎ側クラッド層７、Ｓｅがドープされ不
純物濃度が２×１０¹⁸ｃｍ^-3のｎ−ＧａＡｓからなるコ
ンタクト層８を順次形成する。

【００２４】これらバッファ層３、ｐ側スパイク防止層
４、ｐ側クラッド層５、ｐ型高抵抗スペーサ層９、活性
層６、ｎ側クラッド層７は、成長する下地の結晶面に応
じて、メサストライプ中央の平坦部分が薄く、斜面部分
が厚く形成される。本発明の第２の実施例による半導体
レーザ装置を図２を用いて説明する。図１に示す第１の
実施例の半導体レーザ装置と同一の構成要素には同一の
符号を付して説明を省略又は簡略にする。

【００２５】ｐ型ＧａＡｓ基板１の表面にはメサストラ
イプ形状が形成され、このメサストライプ形状はｎ型電
流ブロック層２により埋め込まれ、メサストライプ形状
の斜面が緩斜面になっている。ｐ型ＧａＡｓ基板１及び
ｎ型電流ブロック層２上には、バッファ層３、ｐ側スパ
イク防止層４、ｐ側クラッド層５がメサストライプ形状
に沿った形状に積層されている。

【００２６】ｐ側クラッド層５上には、アンドープのｎ
^-−（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ _0.5Ｐからなるｎ型
リモートジャンクション層１０が形成されている。この
ｎ型リモートジャンクション層１０は、メサストライプ
形状中央の平坦部分は膜厚が０．１μｍであるのに対
し、隣接する緩斜面の方が膜厚が０．２μｍと厚くなる
ように形成されている。

【００２７】ｎ型リモートジャンクション層１０上には
活性層６が形成されている。活性層６上には、Ｓｅがド
ープされ不純物濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3のｎ−（Ａｌ
_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなるｎ型高抵抗スペ
ーサ層１１が形成されている。このｎ型高抵抗スペーサ
層１１は、メサストライプ形状中央の平坦部分は膜厚が
０．１μｍであるのに対し、隣接する緩斜面の方が膜厚
が０．２μｍと厚くなるように形成されている。

【００２８】ｎ型高抵抗スペーサ層１１上にはｎ側クラ
ッド層７がメサストライプ形状に沿った形状に形成さ
れ、ｎ側クラッド層７上にはコンタクト層８が全面に形
成されている。このように本実施例によれば、活性層６
のｐ側クラッド層５側にｎ型リモートジャンクション層
１０が接合し、このｎ型リモートジャンクション層１０
は、メサストライプ形状中央の平坦部分は薄く、隣接す
る緩斜面の方が厚くなるように形成されている。このた
め、活性層６に電流を注入するために半導体レーザ装置
に順バイアス電圧を印加すると、ｎ型リモートジャンク
ション層１０と活性層６との接合部分に空乏層が形成さ
れ、この空乏層はｎ型リモートジャンクション層１０内
にも拡がっていく。

【００２９】本実施例ではｎ型リモートジャンクション
層１０の平坦部分の膜厚を空乏層の厚さより薄くなるよ
うに形成し、緩斜面の膜厚を空乏層の厚さより厚くなる
ように形成する。したがって、ｎ型リモートジャンクシ
ョン層１０は、平坦部分において全て空乏化されて注入
電流に対する障壁とはならないが、緩斜面の部分におい
て空乏化されないｎ型半導体層が残るので注入電流に対
して障壁となり、活性層６中央の発光領域に電流を集中
させることができる。

【００３０】また、ＡｌＧａＩｎＰ系等の化合物半導体
にＺｎ、Ｓｉ、Ｓｅ等の不純物をドープするとディープ
レベル等の非発光性の欠陥が発生し、半導体レーザ装置
の発光効率を落とすという問題があったが、本実施例の
ように活性層６に接するｎ型リモートジャンクション層
１０がアンドープであるので、発光効率を上げることが
できる。

【００３１】さらに、本実施例によれば、活性層６とｎ
側クラッド層７との間に形成されたｎ型高抵抗スペーサ
層１１が高抵抗であり、メサストライプ形状中央の平坦
部分に比べて隣接する緩斜面上で膜厚が厚くなるように
形成されているので、活性層６の隣接領域の方が抵抗が
高くなり電流が流れにくくなって活性層６中央の発光領
域に電流を集中させることができる。

【００３２】本発明の第３の実施例による半導体レーザ
装置を図３を用いて説明する。図２に示す第２の実施例
の半導体レーザ装置と同一の構成要素には同一の符号を
付して説明を省略又は簡略にする。ｐ型ＧａＡｓ基板１
の表面にはメサストライプ形状が形成され、このメサス
トライプ形状はｎ型電流ブロック層２により埋め込ま
れ、メサストライプ形状の斜面が緩斜面になっている。

【００３３】ｐ型ＧａＡｓ基板１及びｎ型電流ブロック
層２上には、バッファ層３、ｐ側スパイク防止層４、ｐ
側クラッド層５がメサストライプ形状に沿った形状に積
層されている。ｐ側クラッド層５上には、Ｍｇがドープ
され不純物濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3のｐ−（Ａｌ_0.7Ｇ
ａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなるｐ型高抵抗スペーサ層
１２が形成されている。このｐ型高抵抗スペーサ層１２
は、ｐ側クラッド層５より高い２．０〜２．５Ω・ｃｍ
の比抵抗を有しており、メサストライプ形状中央の平坦
部分は膜厚が０．１μｍであるのに対し、隣接する緩斜
面の方が膜厚が０．２μｍと厚くなるように形成されて
いる。

【００３４】ｐ型高抵抗スペーサ層１２上にはｎ型リモ
ートジャンクション層１０が形成され、ｎ型リモートジ
ャンクション層１０上には活性層６が形成されている。
活性層６上には、Ｍｇがドープされ不純物濃度が１×１
０¹⁷ｃｍ^-3のｐ−（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ
からなるｐ型リモートジャンクション層１３が形成され
ている。このｐ型リモートジャンクション層１３は、メ
サストライプ形状中央の平坦部分は膜厚が０．０２μｍ
であるのに対し、隣接する緩斜面の方が膜厚が０．０４
μｍと厚くなるように形成されている。

【００３５】ｐ型リモートジャンクション層１３上に
は、ｎ型高抵抗スペーサ層１１が形成されている。この
ｎ型高抵抗スペーサ層１１は、メサストライプ形状中央
の平坦部分は膜厚が０．１μｍであるのに対し、隣接す
る緩斜面の方が膜厚が０．２μｍと厚くなるように形成
されている。ｎ型高抵抗スペーサ層１１上にはｎ側クラ
ッド層７がメサストライプ形状に沿った形状に形成さ
れ、ｎ側クラッド層７上にはコンタクト層８が全面に形
成されている。

【００３６】このように本実施例によれば、活性層６の
ｐ側クラッド層５側にｎ型リモートジャンクション層１
０が接合し、活性層６のｎ側クラッド層７側にｐ型リモ
ートジャンクション層１３が接合し、これらｎ型リモー
トジャンクション層１０及びｐ型リモートジャンクショ
ン層１３は、メサストライプ形状中央の平坦部分は薄
く、隣接する緩斜面の方が厚くなるように形成されてい
る。

【００３７】このため、活性層６に電流を注入するため
に半導体レーザ装置に順バイアス電圧を印加すると、ｎ
型リモートジャンクション層１０と活性層６との接合部
分及び活性層６とｐ型リモートジャンクション層１３と
の接合部分において空乏層が形成される。本実施例では
ｎ型リモートジャンクション層１０及びｐ型リモートジ
ャンクション層１３の平坦部分の膜厚を空乏層の厚さよ
り薄くなるように形成し、緩斜面の膜厚を空乏層の厚さ
より厚くなるように形成する。したがって、ｎ型リモー
トジャンクション層１０及びｐ型リモートジャンクショ
ン層１３の平坦部分においては全て空乏化されて注入電
流に対する障壁とはならないが、緩斜面の部分において
空乏化されないｎ型半導体層及びｐ型半導体層が残るの
で注入電流に対して障壁となり、活性層６中央の発光領
域に電流を集中させることができる。

【００３８】また、本実施例によれば、ｐ側クラッド層
５側にｐ型高抵抗スペーサ層１２を設け、ｎ側クラッド
層７側にｎ型高抵抗スペーサ層１１を設け、これらｐ型
高抵抗スペーサ層１２及びｎ型高抵抗スペーサ層１１は
メサストライプ形状中央の平坦部分に比べて隣接する緩
斜面上で膜厚が厚くなるように形成されているので、活
性層６の隣接領域の方が抵抗が高くなり電流が流れにく
くなって活性層６中央の発光領域に電流を集中させるこ
とができる。

【００３９】本発明は上記実施例に限らず種々の変形が
可能である。例えば、上記実施例では高抵抗スペーサ層
をクラッド層と活性層の間に設けたが、クラッド層内で
あればどこに設けてもよい。また、活性層の片側に高抵
抗スペーサ層又はリモートジャンクション層を設けても
よいし、活性層の片側に高抵抗スペーサ層とリモートジ
ャンクション層を共に設けてもよいし、活性層の両側に
高抵抗スペーサ層又はリモートジャンクション層を設け
てもよいし、活性層の両側に高抵抗スペーサ層とリモー
トジャンクション層を共に設けてもよい。

【００４０】また、上記実施例ではＡｌＧａＩｎＰ系の
半導体レーザ装置であったが、ＡｌＧａＡｓ系の半導体
レーザ装置又はＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レーザ装置に
適用してもよい。さらに、上記実施例では下地の結晶面
の相違を利用して高抵抗スペーサ層とリモートジャンク
ション層の膜厚を変化させたが、他の方法により膜厚を
変化させてもよい。

【００４１】

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、第１導電
型クラッド層中に第１導電型クラッド層よりも抵抗率が
高い第１導電型の高抵抗スペーサ層を挿入し、その高抵
抗スペーサ層の膜厚が、活性層の発光領域に対応する領
域で薄く、活性層の隣接領域に対応する領域で厚くなる
ようにしたので、活性層の隣接領域の方が抵抗が高くな
り電流が流れにくくなって活性層の発光領域に電流を集
中させることができる。

【００４２】また、本発明によれば、第１導電型クラッ
ド層と活性層間に第２導電型のリモートジャンクション
層を挿入し、そのリモートジャンクション層の膜厚が、
活性層の発光領域に接する領域で、活性層の発光領域へ
の電流注入時に活性層との間で形成される空乏層の厚さ
よりも薄く、活性層の隣接領域に接する領域で、空乏層
の厚さよりも厚くなるようにしたので、活性層の隣接領
域に接するリモートジャンクション層にのみ空乏化され
ない部分が残り、この部分が電流ブロック層として機能
して活性層の発光領域に電流を集中させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例による半導体レーザ装置
の断面図である。

【図２】本発明の第２の実施例による半導体レーザ装置
の断面図である。

【図３】本発明の第３の実施例による半導体レーザ装置
の断面図である。

【図４】従来の半導体レーザ装置の断面図である。

【図５】提案されている半導体レーザ装置の断面図であ
る。

【符号の説明】

１…ｐ型ＧａＡｓ基板２…ｎ型電流ブロック層３…バッファ層４…ｐ側スパイク防止層５…ｐ側クラッド層６…活性層７…ｎ側クラッド層８…コンタクト層９…ｐ型高抵抗スペーサ層１０…ｎ型リモートジャンクション層１１…ｎ型高抵抗スペーサ層１２…ｐ型高抵抗スペーサ層１３…ｐ型リモートジャンクション層２１…ｎ型ＧａＡｓ基板２２…ｎ側クラッド層２３…活性層２４…ｐ側第１クラッド層２５…ｐ側エッチングストップ層２６…ｐ側第２クラッド層２７…ｐ側スパイク防止層２８…ｐ側第１コンタクト層２９…ｎ型電流ブロック層３０…ｐ側第２コンタクト層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者堂免恵神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者古谷章神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】発光領域から隣接領域に連続して形成さ
れた活性層が第１導電型クラッド層と第２導電型クラッ
ド層との間に挟まれた半導体レーザ装置において、前記第１導電型クラッド層中に前記第１導電型クラッド
層よりも抵抗率が高い第１導電型の高抵抗スペーサ層が
挿入され、前記高抵抗スペーサ層の膜厚が、前記活性層の発光領域
に対応する領域で薄く、前記活性層の隣接領域に対応す
る領域で厚いことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】請求項１記載の半導体レーザ装置におい
て、前記活性層と前記第２導電型クラッド層間に第１導電型
のリモートジャンクション層が挿入され、前記リモートジャンクション層の膜厚が、前記活性層の
発光領域に接する領域で、前記活性層の発光領域への電
流注入時に前記活性層との間で形成される空乏層の厚さ
よりも薄く、前記活性層の隣接領域に接する領域で、前
記空乏層の厚さよりも厚いことを特徴とする半導体レー
ザ装置。
【請求項３】発光領域から隣接領域に連続して形成さ
れた活性層が第１導電型クラッド層と第２導電型クラッ
ド層との間に挟まれた半導体レーザ装置において、前記第１導電型クラッド層と前記活性層間に第２導電型
のリモートジャンクション層が挿入され、前記リモートジャンクション層の膜厚が、前記活性層の
発光領域に接する領域で、前記活性層の発光領域への電
流注入時に前記活性層との間で形成される空乏層の厚さ
よりも薄く、前記活性層の隣接領域に接する領域で、前
記空乏層の厚さよりも厚いことを特徴とする半導体レー
ザ装置。