JP2946781B2 - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、POS、FAシステム等の
バ−コ−ドリ−ダ用又はレ−ザプリンタ−等の光源用半
導体レ−ザに関し、特に高出力で横モ−ド制御が可能で
あり、発振波長が680ｎｍ以下のＡｌＧａＩｎＰ系可視
光半導体レ−ザの構造に関する。
バ−コ−ドリ−ダ用又はレ−ザプリンタ−等の光源用半
導体レ−ザに関し、特に高出力で横モ−ド制御が可能で
あり、発振波長が680ｎｍ以下のＡｌＧａＩｎＰ系可視
光半導体レ−ザの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の横モ−ド制御型のＡｌＧａＩｎＰ
系可視光半導体レ−ザの一例は、昭和61年秋季応用物理
学会予稿集の第165頁に報告されている。
系可視光半導体レ−ザの一例は、昭和61年秋季応用物理
学会予稿集の第165頁に報告されている。
【０００３】従来の上記半導体レ−ザを図３(a)、(b)に
基づいて説明すると、図３(a)は、従来の横モ−ド制御
型のＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レ−ザの構造を示す
斜視図であり、図３(b)は、図３(a)のE-E線断面図であ
る。図３(a)、(b)中、１はｎ−ＧａＡｓ基板であり、こ
の基板１上にｎ−ＧａＡｓバッファ−層２が形成されて
いる。そして、このバッファ−層２上にはｎ−ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層３、ＧａＩｎＰ活性層４、ｐ−ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層５、ｐ−ＧａＩｎＰキャップ層６、
ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７及びｐ−ＧａＡｓコンタクト
層８からなるダブルヘテロ接合構造が形成されている。
基づいて説明すると、図３(a)は、従来の横モ−ド制御
型のＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レ−ザの構造を示す
斜視図であり、図３(b)は、図３(a)のE-E線断面図であ
る。図３(a)、(b)中、１はｎ−ＧａＡｓ基板であり、こ
の基板１上にｎ−ＧａＡｓバッファ−層２が形成されて
いる。そして、このバッファ−層２上にはｎ−ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層３、ＧａＩｎＰ活性層４、ｐ−ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層５、ｐ−ＧａＩｎＰキャップ層６、
ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７及びｐ−ＧａＡｓコンタクト
層８からなるダブルヘテロ接合構造が形成されている。
【０００４】この構造を有する半導体レ−ザ用結晶は、
通常、MOVPE法によつて製造されるが、段差を形成した
基板上にＡｌＧａＩｎＰ層を積層することは、技術的に
困難なため、図３(a)に示すように、ＧａＩｎＰ活性層
４上に段差を有したｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５を
形成し、この段差部にｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７を形成
することにより、自己整合的に電流狭窄と光導波作用が
なされる。
通常、MOVPE法によつて製造されるが、段差を形成した
基板上にＡｌＧａＩｎＰ層を積層することは、技術的に
困難なため、図３(a)に示すように、ＧａＩｎＰ活性層
４上に段差を有したｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５を
形成し、この段差部にｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７を形成
することにより、自己整合的に電流狭窄と光導波作用が
なされる。
【０００５】ここで、図３(a)、(b)の従来構造の半導体
レ−ザについて、その製造工程を簡単に述べると、ま
ず、１回目のMOVPE成長によってｎ−ＧａＡｓバッファ
−層２からｐ−ＧａＩｎＰキャップ層６までの５層構造
を順次形成する。続いて、キャップ層６上に写真蝕刻法
により幅５μｍのＳｉＯ2膜を用いたストライプ状のマ
スクを形成し、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５の途中
までエッチングして、ストライプ状のメサ部を形成す
る。
レ−ザについて、その製造工程を簡単に述べると、ま
ず、１回目のMOVPE成長によってｎ−ＧａＡｓバッファ
−層２からｐ−ＧａＩｎＰキャップ層６までの５層構造
を順次形成する。続いて、キャップ層６上に写真蝕刻法
により幅５μｍのＳｉＯ2膜を用いたストライプ状のマ
スクを形成し、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５の途中
までエッチングして、ストライプ状のメサ部を形成す
る。
【０００６】次いで、２回目のMOVPE成長によって、ス
トライプ状のＳｉＯ2膜マスクを除くメサ部にｎ−Ｇａ
Ａｓ電流阻止層７を選択的に形成する。その後 、Ｓｉ
Ｏ2膜マスクを除去した後３回目のMOVPE成長によって全
面にｐ−ＧａＡｓコンタクト層８を成長形成し、コンタ
クト層８上にｐ側電極９、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ側
電極１０を形成することにより、図３(a)、(b)に示す構
造のレ−ザ素子が完成される。
トライプ状のＳｉＯ2膜マスクを除くメサ部にｎ−Ｇａ
Ａｓ電流阻止層７を選択的に形成する。その後 、Ｓｉ
Ｏ2膜マスクを除去した後３回目のMOVPE成長によって全
面にｐ−ＧａＡｓコンタクト層８を成長形成し、コンタ
クト層８上にｐ側電極９、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ側
電極１０を形成することにより、図３(a)、(b)に示す構
造のレ−ザ素子が完成される。
【０００７】この構造では、電流狭窄は、ｎ−ＧａＡｓ
電流阻止層７により行なわれる。また、ｐ−ＧａＩｎＰ
キャップ層６は、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５とｐ
−ＧａＡｓコンタクト層８とのバンド不連続により生ず
る電気抵抗の増大を防ぐ役割を有しており（例えば、昭
和62年度秋季応用物理学会予稿集、P.765 講演番号19
ａ−ZR−6）、そして、図３(b)に示すように、共振器方
向両端面まで形成されている。
電流阻止層７により行なわれる。また、ｐ−ＧａＩｎＰ
キャップ層６は、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５とｐ
−ＧａＡｓコンタクト層８とのバンド不連続により生ず
る電気抵抗の増大を防ぐ役割を有しており（例えば、昭
和62年度秋季応用物理学会予稿集、P.765 講演番号19
ａ−ZR−6）、そして、図３(b)に示すように、共振器方
向両端面まで形成されている。
【０００８】一方、横モ−ド制御は、段差を有したｐ−
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５のメサ両側部で ｎ−Ｇａ
Ａｓ電流阻止層７により光吸収ロスが生じるため、メサ
両側に屈折率分布が形成されることにより行なわれる。
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５のメサ両側部で ｎ−Ｇａ
Ａｓ電流阻止層７により光吸収ロスが生じるため、メサ
両側に屈折率分布が形成されることにより行なわれる。
【０００９】
【発明が解決しょうとする課題】近年、基本横モ−ドで
発振し、高出力動作を実現できるＡｌＧａＩｎＰ系可視
光半導体レ−ザの要求が高まっている。しかしながら、
前述のような従来の屈折率ガイド型半導体レ−ザでは、
ｐ−ＧａＩｎＰキャップ層６が共振器方向両端面まで形
成されているために（図３参照）、電流注入により活性
領域（ＧａＩｎＰ活性層４）内の温度が上昇し、更に、
この活性領域の端面においては、レ−ザ光が端面で吸収
されるために発熱が生じ、端面の温度が上昇し、光学損
傷が生じ易く、端面破壊出力が低下し、高出力動作が困
難となる。
発振し、高出力動作を実現できるＡｌＧａＩｎＰ系可視
光半導体レ−ザの要求が高まっている。しかしながら、
前述のような従来の屈折率ガイド型半導体レ−ザでは、
ｐ−ＧａＩｎＰキャップ層６が共振器方向両端面まで形
成されているために（図３参照）、電流注入により活性
領域（ＧａＩｎＰ活性層４）内の温度が上昇し、更に、
この活性領域の端面においては、レ−ザ光が端面で吸収
されるために発熱が生じ、端面の温度が上昇し、光学損
傷が生じ易く、端面破壊出力が低下し、高出力動作が困
難となる。
【００１０】本発明は、このような問題点を解決し、活
性領域端面の温度上昇を低減した高出力動作が可能なＡ
ｌＧａＩｎＰ系半導体レ−ザを提供することを目的とす
るものである。
性領域端面の温度上昇を低減した高出力動作が可能なＡ
ｌＧａＩｎＰ系半導体レ−ザを提供することを目的とす
るものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レ−ザ
は、共振器端面近傍に電流非注入領域を設け、電流注入
による共振器端面部の温度上昇を低減し、端面破壊出力
を高め、高出力動作を可能とするものである。
は、共振器端面近傍に電流非注入領域を設け、電流注入
による共振器端面部の温度上昇を低減し、端面破壊出力
を高め、高出力動作を可能とするものである。
【００１２】即ち、本発明は、半導体基板上に形成した
ダブルヘテロ接合構造部が（ＡｌXＧａ1-X）0.5Ｉｎ0.5
Ｐ系からなる半導体レ−ザにおいて、少なくとも活性層
が第１導電型の第１クラッド層と第２導電型のストライ
プ状メサ形状を有した第２クラッド層とで挟まれ、上記
ストライプ状メサ側部及び外部に第１導電型で活性層よ
り屈折率の大きい半導体層を具備し、共振器端部近傍を
除く第２グラッド層ストライプ状メサ上面のみに第２導
電型のＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層を具備し、共振器両端面近傍
の前記第２導電型のＧａ 0.5 Ｉｎ 0.5 Ｐ層を除去すること
により形成される電流非注入領域の幅が５μｍ乃至１０
μｍであることを特徴とする半導体レ−ザである。
ダブルヘテロ接合構造部が（ＡｌXＧａ1-X）0.5Ｉｎ0.5
Ｐ系からなる半導体レ−ザにおいて、少なくとも活性層
が第１導電型の第１クラッド層と第２導電型のストライ
プ状メサ形状を有した第２クラッド層とで挟まれ、上記
ストライプ状メサ側部及び外部に第１導電型で活性層よ
り屈折率の大きい半導体層を具備し、共振器端部近傍を
除く第２グラッド層ストライプ状メサ上面のみに第２導
電型のＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層を具備し、共振器両端面近傍
の前記第２導電型のＧａ 0.5 Ｉｎ 0.5 Ｐ層を除去すること
により形成される電流非注入領域の幅が５μｍ乃至１０
μｍであることを特徴とする半導体レ−ザである。
【００１３】
【作用】本発明において、共振器端面近傍のみｐ−Ｇａ
ＩｎＰキャップ層を除去した構成にすることにより、ｐ
−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とｐ−ＧａＡｓコンタクト
層とのバンド不連続接合が形成され、電気抵抗が増大す
るため電流非注入領域となる作用が生ずる。
ＩｎＰキャップ層を除去した構成にすることにより、ｐ
−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とｐ−ＧａＡｓコンタクト
層とのバンド不連続接合が形成され、電気抵抗が増大す
るため電流非注入領域となる作用が生ずる。
【００１４】この電流非注入領域の幅は、少なくとも５
μｍであれば、本発明の効果を損なうことはないが、好
ましくは、その上限が10μｍである。
μｍであれば、本発明の効果を損なうことはないが、好
ましくは、その上限が10μｍである。
【００１５】
【実施例】次に、図１(a)〜(d)及び図２(a)、(b)に基づ
いて本発明を詳細に説明する。図１(a)〜(d)は、本発明
の一実施例を示す図であり、図２(a)、(b)は、本発明の
他の実施例を示す図である。
いて本発明を詳細に説明する。図１(a)〜(d)は、本発明
の一実施例を示す図であり、図２(a)、(b)は、本発明の
他の実施例を示す図である。
【００１６】（実施例１）図１(a)は、本発明の一実施
例の半導体レ−ザの構造を示す斜視図であり、図１
(b)、(c)及び(d)は、各々図１(a)に示すA-A線断面図、B
-B線断面図及びC-C線断面図である。
例の半導体レ−ザの構造を示す斜視図であり、図１
(b)、(c)及び(d)は、各々図１(a)に示すA-A線断面図、B
-B線断面図及びC-C線断面図である。
【００１７】まず、原料としてメタル系３族有機金属
（トリメチルインジウム、トリエチルガリウム、トリメ
チルアルミニウム）と５族水素化物（ＰＨ3、ＡｓＨ3）
とを用いた減圧下でのMOVPE法により、面方位(100)のｎ
−ＧａＡｓ基板１１（ｎ濃度２×1018ｃｍ-3）上に、厚
さ0.5μｍのｎ−ＧａＡｓバッファ−層１２（ｎ濃度１
× 1017ｃｍ-3）、厚さ１μｍのｎ−（Ａｌ0.6Ｇ
ａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１３（ｎ濃度５×1017
ｃｍ-3）、厚さ0.06μｍのＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層１
４、厚さ １μｍのｐ−（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層１５（ｐ濃度３×1017ｃｍ-3）、厚さ0.1
μｍのｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐキャップ層１６（ｐ濃度１
×1018ｃｍ-3）を、順次成長してダブルヘテロウェハ−
を形成する。
（トリメチルインジウム、トリエチルガリウム、トリメ
チルアルミニウム）と５族水素化物（ＰＨ3、ＡｓＨ3）
とを用いた減圧下でのMOVPE法により、面方位(100)のｎ
−ＧａＡｓ基板１１（ｎ濃度２×1018ｃｍ-3）上に、厚
さ0.5μｍのｎ−ＧａＡｓバッファ−層１２（ｎ濃度１
× 1017ｃｍ-3）、厚さ１μｍのｎ−（Ａｌ0.6Ｇ
ａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１３（ｎ濃度５×1017
ｃｍ-3）、厚さ0.06μｍのＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層１
４、厚さ １μｍのｐ−（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層１５（ｐ濃度３×1017ｃｍ-3）、厚さ0.1
μｍのｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐキャップ層１６（ｐ濃度１
×1018ｃｍ-3）を、順次成長してダブルヘテロウェハ−
を形成する。
【００１８】続いて、キャップ層１６上に写真蝕刻法に
より、幅5μｍ、長さ280μｍの長方形状のＳｉＯ2膜を
形成する。次いで、ＨＣｌ系のエッチング液を用いて、
幅5μｍ、長さ280μｍの長方形状のＳｉＯ2膜領域を除
く部分のｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐキャップ層１６のみを選
択的にエッチング除去する。次に、２回目の写真蝕刻法
により、１回目の長方形状のＳｉＯ2膜上に、幅5μｍの
ストライプ状のＳｉＯ2膜を形成する。
より、幅5μｍ、長さ280μｍの長方形状のＳｉＯ2膜を
形成する。次いで、ＨＣｌ系のエッチング液を用いて、
幅5μｍ、長さ280μｍの長方形状のＳｉＯ2膜領域を除
く部分のｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐキャップ層１６のみを選
択的にエッチング除去する。次に、２回目の写真蝕刻法
により、１回目の長方形状のＳｉＯ2膜上に、幅5μｍの
ストライプ状のＳｉＯ2膜を形成する。
【００１９】そこで、Ｈ2ＳＯ4系のエッチング液を用い
て、図１(c)、(d)に示すように、ｐ−（Ａｌ0.6Ｇ
ａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１５の途中までエッチ
ングし、ストライプ状メサ部の両側のクラッド層１５の
厚さを0.2〜0.3μｍとなるように制御する。
て、図１(c)、(d)に示すように、ｐ−（Ａｌ0.6Ｇ
ａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１５の途中までエッチ
ングし、ストライプ状メサ部の両側のクラッド層１５の
厚さを0.2〜0.3μｍとなるように制御する。
【００２０】これにより、１回目の 長方形状のＳｉＯ2
膜下は、図１(d)に示すように、ｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ
キャップ層１６が最上層となるメサ部、２回目のストラ
イプ状のＳｉＯ2膜下のうち 長方形状のＳｉＯ2膜を除
くメサ部の最上層は、図１(c)に示すように、ｐ−（Ａ
ｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐ0.5クラッド層１５が設け
られる。また、長方形状のＳｉＯ2膜の長手方向が共振
器方向であり、長さ280μｍの長方形状のＳｉＯ2膜が30
0μｍのピッチで配置されている。
膜下は、図１(d)に示すように、ｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ
キャップ層１６が最上層となるメサ部、２回目のストラ
イプ状のＳｉＯ2膜下のうち 長方形状のＳｉＯ2膜を除
くメサ部の最上層は、図１(c)に示すように、ｐ−（Ａ
ｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐ0.5クラッド層１５が設け
られる。また、長方形状のＳｉＯ2膜の長手方向が共振
器方向であり、長さ280μｍの長方形状のＳｉＯ2膜が30
0μｍのピッチで配置されている。
【００２１】次に、２回目のMOVPE成長によって、スト
ライプ状のＳｉＯ2膜マスクを除くメサ部に、厚さ0.6μ
ｍ（平坦部）のｎ−ＧａＡｓ電流阻止層１７（ｎ濃度１
×101 8ｃｍ-3）を選択的に成長形成する。その後、Ｓｉ
Ｏ2膜マスクを除去した後３回目のMOVPE成長によって、
全表面に厚さ3μｍのｐ−ＧａＡｓコンタクト層１８
（ｐ濃度５×1018ｃｍ-3）を成長形成し、コンタクト層
１８上にｐ側電極１９、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上にｎ側
電極２０を形成することによって、本発明のレ−ザ用ウ
エハ−が完成する。
ライプ状のＳｉＯ2膜マスクを除くメサ部に、厚さ0.6μ
ｍ（平坦部）のｎ−ＧａＡｓ電流阻止層１７（ｎ濃度１
×101 8ｃｍ-3）を選択的に成長形成する。その後、Ｓｉ
Ｏ2膜マスクを除去した後３回目のMOVPE成長によって、
全表面に厚さ3μｍのｐ−ＧａＡｓコンタクト層１８
（ｐ濃度５×1018ｃｍ-3）を成長形成し、コンタクト層
１８上にｐ側電極１９、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上にｎ側
電極２０を形成することによって、本発明のレ−ザ用ウ
エハ−が完成する。
【００２２】ここで、図１(b)に示すように、B-B断面領
域には、ｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐキャップ層１６が形成さ
れていないため、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１８とｐ−
（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐ0.5クラッド層１５と
の接合が形成され、バンド不連続による電気抵抗増大と
なり、電流非注入領域となる。また、この領域は共振器
両端面から10μｍ（図中、Ｘ）共振器内部まで形成され
ており、電流注入による端面近傍の発熱の影響を低減で
き、高出力動作が可能となる。また、この実施例では、
電流非注入領域の幅Ｘ：10μｍの場合であるが、１０μ
ｍ≧Ｘ≧５μｍであれば、本発明の効果を損なうことは
ない。
域には、ｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐキャップ層１６が形成さ
れていないため、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１８とｐ−
（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐ0.5クラッド層１５と
の接合が形成され、バンド不連続による電気抵抗増大と
なり、電流非注入領域となる。また、この領域は共振器
両端面から10μｍ（図中、Ｘ）共振器内部まで形成され
ており、電流注入による端面近傍の発熱の影響を低減で
き、高出力動作が可能となる。また、この実施例では、
電流非注入領域の幅Ｘ：10μｍの場合であるが、１０μ
ｍ≧Ｘ≧５μｍであれば、本発明の効果を損なうことは
ない。
【００２３】（実施例２）図２(a)は、本発明の他の実
施例の半導体レ−ザの構造を示す斜視図であり、図２
(b)は、図２(a)のD-D線断面図である。
施例の半導体レ−ザの構造を示す斜視図であり、図２
(b)は、図２(a)のD-D線断面図である。
【００２４】MOVPE法によるダベルヘテロ構造の成長
は、前述の実施例１と同じ方法で行なう。この実施例で
は、１回目のMOVPE成長により活性層１４上に、厚さ0.2
〜0.3μｍのｐ−（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラ
ッド層１５を成長形成した後、厚さ40オングストローム
のｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチング停止層２１（ｐ濃度
３×１０17ｃｍ-3）を成長形成し、更に、上記クラッド
層１５を厚さ0.7μｍ形成している点で前 述の実施例１
と異なる。
は、前述の実施例１と同じ方法で行なう。この実施例で
は、１回目のMOVPE成長により活性層１４上に、厚さ0.2
〜0.3μｍのｐ−（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラ
ッド層１５を成長形成した後、厚さ40オングストローム
のｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチング停止層２１（ｐ濃度
３×１０17ｃｍ-3）を成長形成し、更に、上記クラッド
層１５を厚さ0.7μｍ形成している点で前 述の実施例１
と異なる。
【００２５】この実施例では、エッチング停止層２１が
形成されていることにより、ストライプ状メサ部の両側
のクラッド層１５の厚さをエッチングにより制御性良く
形成できる利点を有している。ここで、エッチング停止
層２１厚さは、発振光に対して吸収を受けないようにす
るために、40オングストロームと薄く形成する必要があ
る。
形成されていることにより、ストライプ状メサ部の両側
のクラッド層１５の厚さをエッチングにより制御性良く
形成できる利点を有している。ここで、エッチング停止
層２１厚さは、発振光に対して吸収を受けないようにす
るために、40オングストロームと薄く形成する必要があ
る。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
共振器両端面近傍の第２導電型のＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層
（ｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐキャップ層１６）を除去するこ
とにより、電流非注入領域が形成され、レ−ザ発振の
際、端面近傍の発熱が低減でき、高出力動作が可能とな
り、通常、3〜5ｍＷの定格出力であるのに対して約3倍
の10〜15ｍＷの高出力動作が実現できる効果が生ずる。
共振器両端面近傍の第２導電型のＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ層
（ｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐキャップ層１６）を除去するこ
とにより、電流非注入領域が形成され、レ−ザ発振の
際、端面近傍の発熱が低減でき、高出力動作が可能とな
り、通常、3〜5ｍＷの定格出力であるのに対して約3倍
の10〜15ｍＷの高出力動作が実現できる効果が生ずる。
【図１】図１(a)は、本発明の一実施例の半導体レ−ザ
の構造を示す斜視図であり、図１(b)、(c)及び(d)は、
各々図１(a)に示すA-A線断面図、B-B線断面図及びC-C線
断面図である。
の構造を示す斜視図であり、図１(b)、(c)及び(d)は、
各々図１(a)に示すA-A線断面図、B-B線断面図及びC-C線
断面図である。
【図２】図２(a)は、本発明の他の実施例の半導体レ−
ザの構造を示す斜視図であり、図２(b)は、図２(a)のD-
D線断面図である。
ザの構造を示す斜視図であり、図２(b)は、図２(a)のD-
D線断面図である。
【図３】図３(a)は、従来の横モ−ド制御型のＡｌＧａ
ＩｎＰ系可視光半導体レ−ザの構造を示す斜視図であ
り、図３(b)は、図３(a)のE-E線断面図である。
ＩｎＰ系可視光半導体レ−ザの構造を示す斜視図であ
り、図３(b)は、図３(a)のE-E線断面図である。
１、１１…ｎ−ＧａＡｓ基板 ２、１２…ｎ−ＧａＡｓバッファ−層 ３…………ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ４…………ＧａＩｎＰ活性層 ５…………ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ６…………ｐ−ＡｌＧａＩｎＰキャップ層 ７、１７…ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層 ８、１８…ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ９、１９…ｐ側電極 １０、２０…ｎ側電極 １３…………ｎ−（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラ
ッド層 １４…………Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層 １５…………ｐ−（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラ
ッド層 １６…………ｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐキャップ層 ２１…………ｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチング停止層
ッド層 １４…………Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層 １５…………ｐ−（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラ
ッド層 １６…………ｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐキャップ層 ２１…………ｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチング停止層
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板上に形成したダブルヘテロ接合
構造部が（ＡｌXＧａ1-X）0.5Ｉｎ0.5Ｐ系からなる半導
体レ−ザにおいて、少なくとも活性層が第１導電型の第
１クラッド層と第２導電型のストライプ状メサ形状を有
した第２クラッド層とで挟まれ、上記ストライプ状メサ
側部及び外部に第１導電型で活性層より屈折率の大きい
半導体層を具備し、共振器端部近傍を除く第２グラッド
層ストライプ状メサ上面のみに第２導電型のＧａ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐ層を具備し、共振器両端面近傍の前記第２導電
型のＧａ 0.5 Ｉｎ 0.5 Ｐ層を除去することにより形成され
る電流非注入領域の幅が５μｍ乃至１０μｍであること
を特徴とする半導体レ−ザ。 - 【請求項２】第２導電型のストライプ状メサ形状を有し
た第２クラッド層は、その層の間にエッチング停止層が
形成されてなる請求項１記載の半導体レ−ザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3139891A JP2946781B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3139891A JP2946781B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613694A JPH0613694A (ja) | 1994-01-21 |
| JP2946781B2 true JP2946781B2 (ja) | 1999-09-06 |
Family
ID=12330157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3139891A Expired - Fee Related JP2946781B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2946781B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08330669A (ja) * | 1995-06-05 | 1996-12-13 | Nec Corp | 半導体レーザ |
-
1991
- 1991-02-01 JP JP3139891A patent/JP2946781B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0613694A (ja) | 1994-01-21 |
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