JPH11286594A - Resin composition for sealing and semiconductor-sealed device - Google Patents
Resin composition for sealing and semiconductor-sealed deviceInfo
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- JPH11286594A JPH11286594A JP10104165A JP10416598A JPH11286594A JP H11286594 A JPH11286594 A JP H11286594A JP 10104165 A JP10104165 A JP 10104165A JP 10416598 A JP10416598 A JP 10416598A JP H11286594 A JPH11286594 A JP H11286594A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、Pd、Au、Ag
メッキを施したフレームを用いた半導体パッケージにお
いて耐リフロークラック性等の信頼性に優れたエポキシ
樹脂組成物および半導体封止装置に関する。[0001] The present invention relates to Pd, Au, Ag
The present invention relates to an epoxy resin composition excellent in reliability such as reflow crack resistance in a semiconductor package using a plated frame and a semiconductor sealing device.
【0002】[0002]
【従来の技術】最近の半導体装置では、半田メッキに換
えて、PdやPd−Au等のプレプレーティングを施し
たフレームを採用した半導体パッケージが増加してい
る。2. Description of the Related Art In recent semiconductor devices, the number of semiconductor packages employing a frame plated with Pd or Pd-Au instead of solder plating is increasing.
【0003】従来のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノ
ール樹脂及び無機質充填剤からなる樹脂組成物によって
封止したPdやPd−Au等のプレプレーティングフレ
ームを採用した半導体装置は、該プレプレーティングフ
レームと封止樹脂との接着性が著しく悪いという欠点が
あった。特に吸湿した半導体装置を赤外線(IR)リフ
ロー方式で表面実装すると、封止樹脂とリードフレー
ム、あるいは封止樹脂と半導体チップとの間の剥がれが
生じて著しい耐湿劣化を起こし、電極の腐食による断線
や水分によるリーク電流を生じ、その結果、半導体装置
は、長期間の信頼性を保証することができないという欠
点があった。このため、耐湿性の影響が少なく、半導体
装置全体のIRリフローによる表面実装を行っても耐湿
劣化の少ない成形性のよい材料の開発が強く要望されて
いた。[0003] Conventional semiconductor devices employing a pre-plating frame of Pd or Pd-Au sealed with a resin composition comprising an epoxy resin, a novolak-type phenol resin and an inorganic filler, are not sealed with the pre-plating frame. There was a drawback that the adhesion to the resin was extremely poor. In particular, when a semiconductor device that has absorbed moisture is surface-mounted by an infrared (IR) reflow method, peeling occurs between the sealing resin and the lead frame or between the sealing resin and the semiconductor chip, causing remarkable moisture resistance deterioration and disconnection due to corrosion of the electrode. Leakage current due to moisture or moisture, and as a result, the semiconductor device has a drawback that long-term reliability cannot be guaranteed. For this reason, there has been a strong demand for the development of a material which has little influence on moisture resistance and has good moldability with little moisture resistance deterioration even if surface mounting of the entire semiconductor device is performed by IR reflow.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の欠点
を解消し、上記要望に応えるためになされたもので、P
d、Pd−Au、Ag等のプレプレーティングフレーム
との接着性が高く、特に耐リフロー性とリフロー後の信
頼性に優れた、成形性のよい、封止用樹脂組成物および
半導体封止装置を提供しようとするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks and to meet the above-mentioned demands.
d, Pd-Au, Ag, etc., high adhesiveness to a pre-plating frame, particularly excellent in reflow resistance and reliability after reflow, good moldability, sealing resin composition and semiconductor sealing device It is intended to provide.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、樹脂組成物に2-
ジ−n-ブチルアミノ−4,6-ジメルカプト−s-トリアジン
を配合することによって、Pd、Pd−Au、Ag等の
プレプレーティングフレームとの接着性を大幅に向上
し、上記目的が達成されることを見いだし、本発明を完
成したものである。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, have found that
By blending di-n-butylamino-4,6-dimercapto-s-triazine, the adhesion to a pre-plating frame of Pd, Pd-Au, Ag, etc. is greatly improved, and the above object is achieved. The present invention has been completed.
【0006】即ち、本発明は、(A)エポキシ樹脂、
(B)ノボラック型フェノール樹脂、(C)2-ジ−n-ブ
チルアミノ−4,6-ジメルカプト−s-トリアジンおよび
(D)無機質充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対し
て、前記(C)の2-ジ−n-ブチルアミノ−4,6-ジメルカ
プト−s-トリアジンを0.0004〜0.2 重量%の割合で、ま
た前記(D)の無機質充填剤を25〜95重量%の割合で含
有してなることを特徴とする封止用樹脂組成物である。
またこの封止用樹脂組成物の硬化物によって、半導体チ
ップを封止してなることを特徴とする半導体封止装置で
ある。That is, the present invention provides (A) an epoxy resin,
(B) Novolak-type phenol resin, (C) 2-di-n-butylamino-4,6-dimercapto-s-triazine and (D) an inorganic filler are essential components, (C) 2-di-n-butylamino-4,6-dimercapto-s-triazine in a proportion of 0.0004 to 0.2% by weight and the inorganic filler of (D) in a proportion of 25 to 95% by weight. It is a resin composition for sealing characterized by becoming.
Further, there is provided a semiconductor encapsulation device wherein a semiconductor chip is encapsulated by a cured product of the encapsulating resin composition.
【0007】以下、本発明を詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail.
【0008】本発明に用いる(A)エポキシ樹脂として
は、その分子中にエポキシ基を少なくとも2 個有する化
合物である限り、分子構造、分子量など特に制限はな
く、一般に封止用材料として使用されているものを広く
包含することができる。例えば、ビフェニル型、ビスフ
ェノール型の芳香族系、シクロヘキサン誘導体等脂肪族
系、また、次の一般式で示されるエポキシノボラック系
のエポキシ樹脂等が挙げられる。The epoxy resin (A) used in the present invention is not particularly limited in molecular structure and molecular weight, as long as it is a compound having at least two epoxy groups in the molecule, and is generally used as a sealing material. Can be widely encompassed. For example, biphenyl type, bisphenol type aromatic type, aliphatic type such as cyclohexane derivative, and epoxy novolak type epoxy resin represented by the following general formula can be used.
【0009】[0009]
【化1】 (但し、式中、R1 は水素原子、ハロゲン原子又はアル
キル基を、R2 は水素原子又はアルキル基を、nは1 以
上の整数をそれぞれ表す)これらのエポキシ樹脂は、単
独もしくは2 種以上混合して用いることができる。本発
明に用いる(B)ノボラック型フェノール樹脂として
は、フェノール、アルキルフェノール等のフェノール類
とホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド等のアルデ
ヒド類とを反応させて得られるノボラック型フェノール
樹脂およびこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化もしく
はブチル化ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられ、
これらの樹脂は、単独もしくは2 種以上混合して用い
る。ノボラック型フェノール樹脂の配合割合は、前述し
たエポキシ樹脂のエポキシ基(a)とノボラック型フェ
ノール樹脂のフェノール性水酸基(b)との当量比
[(a)/(b)]が0.1 〜10の範囲内であることが望
ましい。当量比が0.1 未満もしくは10を超えると、耐熱
性、耐湿性、成形作業性および硬化物の電気特性が悪く
なり、いずれの場合も好ましくない。従って上記の範囲
内に限定するのが良い。本発明に用いる(C)2-ジ−n-
ブチルアミノ−4,6-ジメルカプト−s-トリアジンは、次
の構造式に示される。Embedded image (In the formula, R 1 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group, R 2 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and n represents an integer of 1 or more.) These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more. They can be used in combination. As the novolak type phenol resin (B) used in the present invention, novolak type phenol resins obtained by reacting phenols such as phenol and alkylphenol with aldehydes such as formaldehyde and paraformaldehyde, and modified resins thereof, for example, epoxidation Or butylated novolak type phenolic resin and the like,
These resins are used alone or in combination of two or more. The mixing ratio of the novolak type phenol resin is such that the equivalent ratio [(a) / (b)] of the epoxy group (a) of the epoxy resin to the phenolic hydroxyl group (b) of the novolak type phenol resin is in the range of 0.1 to 10. It is desirable to be within. If the equivalent ratio is less than 0.1 or more than 10, heat resistance, moisture resistance, molding workability, and electrical properties of the cured product are deteriorated, and any case is not preferable. Therefore, it is better to limit to the above range. (C) 2-di-n- used in the present invention
Butylamino-4,6-dimercapto-s-triazine is represented by the following structural formula.
【0010】[0010]
【化2】 また、2-ジ−n-ブチルアミノ−4,6-ジメルカプト−s-ト
リアジンには、更に他の加硫促進剤と酸化亜鉛を併用す
ることもできる。Embedded image Further, other vulcanization accelerators and zinc oxide can be used in combination with 2-di-n-butylamino-4,6-dimercapto-s-triazine.
【0011】2-ジ−n-ブチルアミノ−4,6-ジメルカプト
−s-トリアジンの配合割合は、全体の樹脂組成物に対し
て0.0004〜0.2 重量%含有することが望ましい。この割
合が0.0004重量%未満では、Pd、Pd−Au、Ag等
のプレプレーティングフレームとの接着力の向上に効果
なく、また、0.2 重量%を超えると、封止樹脂の硬化等
に悪影響を与え、実用に適さず好ましくない。The compounding ratio of 2-di-n-butylamino-4,6-dimercapto-s-triazine is desirably 0.0004 to 0.2% by weight based on the whole resin composition. When the proportion is less than 0.0004% by weight, it has no effect on the improvement of the adhesion to the pre-plating frame of Pd, Pd-Au, Ag, etc., and when it exceeds 0.2% by weight, it has an adverse effect on the curing of the sealing resin and the like. Given, unsuitable for practical use.
【0012】本発明に用いる(D)無機質充填剤として
は、シリカ粉末、アルミナ粉末、三酸化アンチモン、タ
ルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、クレー、マイ
カ、ベンガラ、ガラス繊維等が挙げられ、これらは単独
又は2 種以上混合して使用することができる。これらの
中でも特にシリカ粉末やアルミナ粉末が好ましく、よく
使用される。無機質充填剤の配合割合は、全体の樹脂組
成物に対して25〜95重量%の割合で含有することが望ま
しい。その割合が25重量%未満では、耐熱性、耐湿性、
半田耐熱性、機械的特性および成形性が悪くなり、ま
た、95重量%を超えるとカサバリが大きくなり、成形性
に劣り実用に適さない。The inorganic filler (D) used in the present invention includes silica powder, alumina powder, antimony trioxide, talc, calcium carbonate, titanium white, clay, mica, red iron oxide, glass fiber and the like. Alternatively, two or more kinds can be used in combination. Among these, silica powder and alumina powder are particularly preferable and are often used. The inorganic filler is desirably contained in a proportion of 25 to 95% by weight based on the whole resin composition. If the proportion is less than 25% by weight, heat resistance, moisture resistance,
Solder heat resistance, mechanical properties, and moldability deteriorate, and if it exceeds 95% by weight, burrs increase, resulting in poor moldability and not suitable for practical use.
【0013】本発明の封止用樹脂組成物は、エポキシ樹
脂、ノボラック型フェノール樹脂、2-ジ−n-ブチルアミ
ノ−4,6-ジメルカプト−s-トリアジンおよび無機質充填
剤を必須成分とするが、本発明の目的に反しない限度に
おいて、また必要に応じて、例えば天然ワックス類、合
成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エス
テル類、パラフィン類等の離型剤、塩素化パラフィン、
ブロム化トルエン、ヘキサブロムベンゼン、三酸化アン
チモン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着
色剤、種々の硬化促進剤等を適宜、添加配合することが
できる。The encapsulating resin composition of the present invention comprises an epoxy resin, a novolak type phenol resin, 2-di-n-butylamino-4,6-dimercapto-s-triazine and an inorganic filler as essential components. A release agent such as a natural wax, a synthetic wax, a metal salt of a linear fatty acid, an acid amide, an ester, or a paraffin; paraffin,
Flame retardants such as brominated toluene, hexabromobenzene and antimony trioxide, coloring agents such as carbon black and red iron, various curing accelerators and the like can be appropriately added and blended.
【0014】本発明の封止用樹脂組成物を成形材料とし
て調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹
脂、ノボラック型フェノール樹脂、2-ジ−n-ブチルアミ
ノ−4,6-ジメルカプト−s-トリアジン、無機質充填剤お
よびその他の成分を配合し、ミキサー等によって十分均
一に混合した後、さらに熱ロールによる溶融混合処理又
はニーダ等による混合処理を行い、次いで冷却固化さ
せ、適当な大きさに粉砕して成形材料とすることができ
る。こうして得られた成形材料は、半導体装置をはじめ
とする電子部品あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁等
に適用すれば、優れた特性と信頼性を付与させることが
できる。The general methods for preparing the encapsulating resin composition of the present invention as a molding material include epoxy resin, novolak type phenol resin, 2-di-n-butylamino-4,6-dimercapto- After blending s-triazine, inorganic filler and other components and mixing them sufficiently uniformly with a mixer, etc., further perform a melt mixing process with a hot roll or a mixing process with a kneader, etc., and then cool and solidify to obtain an appropriate size. Into a molding material. If the molding material thus obtained is applied to sealing, coating, insulating, etc. of electronic parts or electric parts such as semiconductor devices, excellent properties and reliability can be imparted.
【0015】本発明の半導体封止装置は、上記のように
して得られた封止用樹脂を用いて、半導体チップを封止
することにより容易に製造することができる。封止の最
も一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法が
あるが、射出成形、圧縮成形、注型等による封止も可能
である。封止用樹脂組成物を封止の際に加熱して硬化さ
せ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃
以上に加熱して硬化させることが望ましい。封止を行う
半導体装置としては、例えば集積回路、大規模集積回
路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等で特に限
定されるものではない。The semiconductor sealing device of the present invention can be easily manufactured by sealing a semiconductor chip using the sealing resin obtained as described above. The most common sealing method is a low-pressure transfer molding method, but sealing by injection molding, compression molding, casting or the like is also possible. The sealing resin composition is heated and cured at the time of sealing, and finally a semiconductor sealing device sealed with a cured product of this composition is obtained. 150 ° C for curing by heating
It is desirable to cure by heating as described above. The semiconductor device for sealing is not particularly limited, for example, with an integrated circuit, a large-scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode, and the like.
【0016】[0016]
【作用】本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装
置は、樹脂成分として2-ジ−n-ブチルアミノ−4,6-ジメ
ルカプト−s-トリアジンを用いたことによって、目的と
する特性が得られるものである。即ち、2-ジ−n-ブチル
アミノ−4,6-ジメルカプト−s-トリアジンは樹脂組成物
のPd、Pd−Au、Ag等のプレプレーティングフレ
ームとの接着力を向上させ、半導体パッケージにおいて
耐リフロークラック性等の信頼性を向上させることがで
きる。The resin composition for encapsulation and the semiconductor encapsulation device of the present invention have the desired properties by using 2-di-n-butylamino-4,6-dimercapto-s-triazine as a resin component. Is obtained. That is, 2-di-n-butylamino-4,6-dimercapto-s-triazine improves the adhesive strength between the resin composition and a pre-plating frame of Pd, Pd-Au, Ag, etc., and is resistant to semiconductor packages. Reliability, such as reflow cracking, can be improved.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】次に本発明を実施例によって説明
するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるも
のではない。以下の実施例及び比較例において「%」と
は「重量%」を意味する。Next, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following Examples and Comparative Examples, “%” means “% by weight”.
【0018】実施例1 クレゾールノボラックエポキシ樹脂(エポキシ当量215
)19%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノール
当量107 )9 %、次の化3に示した化合物0.04%、Example 1 Cresol novolak epoxy resin (epoxy equivalent 215)
) 19%, 9% of novolak type phenol resin (phenol equivalent 107), 0.04% of the compound shown in the following chemical formula 3,
【0019】[0019]
【化3】 溶融シリカ粉末80%、エステル系ワックス類 0.2%、硬
化促進剤0.19%およびシランカップリング剤0.4 %を配
合し、常温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを
冷却粉砕して成形材料を製造した。この成形材料を170
℃に加熱した金型内にトランスファー注入し、硬化させ
て成形品(封止品)をつくった。この成形品について、
耐湿性等の特性を試験したので、その結果を表1に示し
た。特に耐湿性において本発明の顕著な効果が認められ
た。Embedded image Mix 80% fused silica powder, 0.2% ester wax, 0.19% curing accelerator and 0.4% silane coupling agent, mix at room temperature, knead at 90-95 ° C, cool and pulverize and mold The material was manufactured. 170
Transfer was injected into a mold heated to ℃ and cured to form a molded product (sealed product). About this molded product,
Properties such as moisture resistance were tested, and the results are shown in Table 1. In particular, a remarkable effect of the present invention was recognized on moisture resistance.
【0020】実施例2 ビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量213 )6.6 %
に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノール当量107
)3.2 %、前記した化3の化合物0.04%、シリカ粉末9
0%、エステル系ワックス類 0.2%、硬化触媒0.14%お
よびシランカップリング剤0.5 %を実施例1と同様に混
合、混練、粉砕して成形材料を製造した。また、実施例
1と同様にして成形品をつくり、耐湿性等の特性試験を
行ったのでその結果を表1に示した。特に耐湿性におい
て本発明の顕著な効果が認められた。Example 2 Biphenyl type epoxy resin (epoxy equivalent: 213) 6.6%
Novolak type phenol resin (phenol equivalent 107
) 3.2%, 0.04% of the compound of the above formula 3, silica powder 9
0%, ester waxes 0.2%, curing catalyst 0.14% and silane coupling agent 0.5% were mixed, kneaded and pulverized in the same manner as in Example 1 to produce a molding material. In addition, a molded product was prepared in the same manner as in Example 1, and a characteristic test such as moisture resistance was performed. The results are shown in Table 1. In particular, a remarkable effect of the present invention was recognized on moisture resistance.
【0021】実施例3 ビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量215 )5.0 %
に、フェノールアラルキル樹脂(フェノール当量175 )
4.15%、前記した化3の化合物0.04%、硬化触媒0.14
%、シランカップリング剤0.5 %、シリカ粉末90%およ
びエステル系ワックス0.2 %を実施例1と同様に混合、
混練、粉砕して成形材料を製造した。また、実施例1と
同様にして成形品をつくり、耐湿性等の特性を試験した
ので、その結果を表1に示した。特に耐湿性において本
発明の顕著な効果が認められた。Example 3 Biphenyl type epoxy resin (epoxy equivalent: 215) 5.0%
And phenol aralkyl resin (phenol equivalent 175)
4.15%, 0.04% of the compound of the above formula 3, 0.14 of curing catalyst
%, Silane coupling agent 0.5%, silica powder 90% and ester wax 0.2% as in Example 1.
The mixture was kneaded and pulverized to produce a molding material. In addition, a molded article was prepared in the same manner as in Example 1, and properties such as moisture resistance were tested. The results are shown in Table 1. In particular, a remarkable effect of the present invention was recognized on moisture resistance.
【0022】比較例 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量19
5 )12.5%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノー
ル当量104 )6.7 %、シリカ粉末80%、硬化促進剤0.19
%、エステル系ワックス類 0.2%およびシラン系カッ
プリング剤 0.4%を混合し、実施例1と同様にして成形
材料を製造した。この成形材料を用いて成形品とし、成
形品の諸特性について実施例1と同様にして試験を行
い、その結果を表1に示した。Comparative Example Cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent 19
5) To 12.5%, novolak type phenol resin (phenol equivalent: 104) 6.7%, silica powder 80%, curing accelerator 0.19
%, Ester waxes 0.2% and silane coupling agent 0.4% were mixed to produce a molding material in the same manner as in Example 1. A molded article was formed using this molding material, and a test was performed on various characteristics of the molded article in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【0023】[0023]
【表1】 *1 :トランスファー成形によって接着面積4 mm2 の成形品をつくり、これを 175 ℃,8 時間放置した後、剪断接着力を求めた。 *2 :トランスファー成形によって成形品をつくり、これを175 ℃,8 時間の後 硬化を行い、熱機器分析装置を用いて測定した。 *3 :成形材料を用いて、2 本以上のアルミニウム配線を有するシリコン製チッ プ(テスト用素子)をPdプレプレーティングフレームに接着し、175 ℃で2 分 間トランスファー成形して、QFP−208P,2.8 mmt の成形品をつくり、 これを175 ℃,8 時間の後硬化を行った。こうして得た成形品を予め、85℃,40 %RH,168 時間の吸湿処理した後、Max240 ℃のIRリフロー炉を4 回通し た。その後、127 ℃,2.5 気圧の飽和水蒸気中でPCTを行い、アルミニウムの 腐食による断線を不良として評価した。[Table 1] * 1: A molded article having an adhesive area of 4 mm 2 was prepared by transfer molding, left at 175 ° C. for 8 hours, and the shear adhesive strength was determined. * 2: A molded article was prepared by transfer molding, post-cured at 175 ° C for 8 hours, and measured using a thermal equipment analyzer. * 3: Using a molding compound, a silicon chip (test element) having two or more aluminum wirings is bonded to a Pd pre-plating frame, transfer-molded at 175 ° C for 2 minutes, and QFP-208P , making a molded article of 2.8 mm t, which 175 ° C., was cured after 8 hours. The molded article thus obtained was previously subjected to a moisture absorption treatment at 85 ° C. and 40% RH for 168 hours, and then passed through an IR reflow furnace at Max 240 ° C. four times. Thereafter, PCT was performed in saturated steam at 127 ° C. and 2.5 atm, and the disconnection due to aluminum corrosion was evaluated as defective.
【0024】[0024]
【発明の効果】以上の説明および表1から明らかなよう
に、本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装置
は、Pd、Pd−Auメッキのインサートとの接着性に
優れ、IRリフロー後においても剥離することなく、耐
湿性に優れ、その結果、電極の腐食による断線や水分に
よるリーク電流の発生等を著しく低減することができ、
しかも長期間にわたって信頼性を保証することができ
る。As apparent from the above description and Table 1, the encapsulating resin composition and the semiconductor encapsulating apparatus of the present invention have excellent adhesiveness with Pd and Pd-Au plated inserts and have an IR reflow. Without exfoliation even after, excellent in moisture resistance, as a result, it is possible to significantly reduce the occurrence of leakage current due to disconnection or moisture due to electrode corrosion,
Moreover, reliability can be guaranteed for a long period of time.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31
Claims (2)
型フェノール樹脂、(C)2-ジ−n-ブチルアミノ−4,6-
ジメルカプト−s-トリアジンおよび(D)無機質充填剤
を必須成分とし、樹脂組成物に対して、前記(C)の2-
ジ−n-ブチルアミノ−4,6-ジメルカプト−s-トリアジン
を0.0004〜0.2 重量%の割合で、また前記(D)の無機
質充填剤を25〜95重量%の割合で含有してなることを特
徴とする封止用樹脂組成物。1. An epoxy resin, (B) a novolak type phenol resin, and (C) 2-di-n-butylamino-4,6-
Dimercapto-s-triazine and (D) an inorganic filler are essential components.
Di-n-butylamino-4,6-dimercapto-s-triazine in a ratio of 0.0004 to 0.2% by weight and the inorganic filler of (D) in a ratio of 25 to 95% by weight. A resin composition for sealing.
型フェノール樹脂、(C)2-ジ−n-ブチルアミノ−4,6-
ジメルカプト−s-トリアジンおよび(D)無機質充填剤
を必須成分とし、樹脂組成物に対して、前記(C)の2-
ジ−n-ブチルアミノ−4,6-ジメルカプト−s-トリアジン
を0.0004〜0.2 重量%の割合で、また前記(D)の無機
質充填剤を25〜95重量%の割合で含有した封止用樹脂組
成物の硬化物によって、半導体チップを封止してなるこ
とを特徴とする半導体封止装置。2. An epoxy resin, (B) a novolak type phenol resin, and (C) 2-di-n-butylamino-4,6-
Dimercapto-s-triazine and (D) an inorganic filler are essential components.
A sealing resin containing di-n-butylamino-4,6-dimercapto-s-triazine at a ratio of 0.0004 to 0.2% by weight and the inorganic filler (D) at a ratio of 25 to 95% by weight. A semiconductor sealing device, wherein a semiconductor chip is sealed with a cured product of a composition.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP10104165A JPH11286594A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Resin composition for sealing and semiconductor-sealed device |
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JP10104165A JPH11286594A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Resin composition for sealing and semiconductor-sealed device |
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JPH11286594A true JPH11286594A (en) | 1999-10-19 |
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JP (1) | JPH11286594A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020037657A (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-22 | 주환용 | The method of purification of circulating water on breeding fishery water |
JP2006104393A (en) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Epoxy resin composition and semiconductor device |
JP2007204679A (en) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Nitto Denko Corp | Epoxy resin composition for sealing semiconductor, process for its production and semiconductor device using it |
JP2007224167A (en) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Nitto Denko Corp | Semiconductor-sealing epoxy resin composition and semiconductor device sealed therewith |
WO2019181789A1 (en) * | 2018-03-23 | 2019-09-26 | 味の素株式会社 | Sealing adhesive |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP10104165A patent/JPH11286594A/en active Pending
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JPWO2019181789A1 (en) * | 2018-03-23 | 2021-03-18 | 味の素株式会社 | Sealing adhesive |
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