JPH05267638A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH05267638A JPH05267638A JP4064590A JP6459092A JPH05267638A JP H05267638 A JPH05267638 A JP H05267638A JP 4064590 A JP4064590 A JP 4064590A JP 6459092 A JP6459092 A JP 6459092A JP H05267638 A JPH05267638 A JP H05267638A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣＣＤ固体撮像素子特性の中の残像特性を向
上させるとともに、電子シャッター時の読み出しを低電
圧化する。 【構成】 ｎ型Ｓｉ基板１に、熱拡散法を用いて第１の
ｐ型ウエル２および第２のｐ型ウエル３を形成した後、
リンイオンを注入して垂直ＣＣＤ４を形成する。その
後、チャンネルストッパー６およびチャンネルドープ５
を形成する。次に、Ｓｉ基板１表面にゲート酸化膜７を
形成する。ゲート酸化膜７上にポリシリコンを堆積させ
る。レジスト９をパターンニングする。レジスト９を残
したポリシリコン電極８をマスクとして、セルフアライ
ンで読み出しゲートに喰い込むような方向にイオン注入
を行う。
上させるとともに、電子シャッター時の読み出しを低電
圧化する。 【構成】 ｎ型Ｓｉ基板１に、熱拡散法を用いて第１の
ｐ型ウエル２および第２のｐ型ウエル３を形成した後、
リンイオンを注入して垂直ＣＣＤ４を形成する。その
後、チャンネルストッパー６およびチャンネルドープ５
を形成する。次に、Ｓｉ基板１表面にゲート酸化膜７を
形成する。ゲート酸化膜７上にポリシリコンを堆積させ
る。レジスト９をパターンニングする。レジスト９を残
したポリシリコン電極８をマスクとして、セルフアライ
ンで読み出しゲートに喰い込むような方向にイオン注入
を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置の製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ビデオカメラに使用されているＣＣＤ固
体撮像装置の中のフォトダイオード部（光を光電変換に
より電荷として蓄える部分）について、その従来の製造
方法を図面を参照しながら説明する。図１２〜１４は従
来の製造方法の工程順断面図を示す。
体撮像装置の中のフォトダイオード部（光を光電変換に
より電荷として蓄える部分）について、その従来の製造
方法を図面を参照しながら説明する。図１２〜１４は従
来の製造方法の工程順断面図を示す。
【０００３】最初に図１２に示すように、ｎ型シリコン
（以下、Ｓｉと記す）基板１に第１のｐ型ウエル２を形
成する。その後、第２のｐ型ウエル３やフォトダイオー
ド部のｎ型領域であるｎ型ウエル１０を形成する。次
に、図１３に示すように、第２のｐ型ウエル３の中に垂
直電荷転送部（以下、垂直ＣＣＤと記す）であるｎ+型
領域４を形成する。この後、垂直ＣＣＤ４とｎ型ウエル
１０とを分離するためのチャンネルストッパー６と、読
み出し領域のしきい値電圧（Ｖｔ）を制御するためのチ
ャンネルドープ５をボロン（Ｂ）イオンのイオン注入で
形成する。チャンネルストッパー６は、ドーズ量が１０
13ｃｍ-2程度のＢを注入する。チャンネルドープ５はド
ーズ量が１０11ｃｍ-2程度のＢを注入するのが一般的で
ある。
（以下、Ｓｉと記す）基板１に第１のｐ型ウエル２を形
成する。その後、第２のｐ型ウエル３やフォトダイオー
ド部のｎ型領域であるｎ型ウエル１０を形成する。次
に、図１３に示すように、第２のｐ型ウエル３の中に垂
直電荷転送部（以下、垂直ＣＣＤと記す）であるｎ+型
領域４を形成する。この後、垂直ＣＣＤ４とｎ型ウエル
１０とを分離するためのチャンネルストッパー６と、読
み出し領域のしきい値電圧（Ｖｔ）を制御するためのチ
ャンネルドープ５をボロン（Ｂ）イオンのイオン注入で
形成する。チャンネルストッパー６は、ドーズ量が１０
13ｃｍ-2程度のＢを注入する。チャンネルドープ５はド
ーズ量が１０11ｃｍ-2程度のＢを注入するのが一般的で
ある。
【０００４】次に、図１４に示すように、ゲート酸化膜
７を形成後、ポリシリコン電極８をドライエッチング法
で形成して、フォトダイオード部の電荷を垂直ＣＣＤ４
に読み出す構造にする。その後、暗電流対策のためにｎ
型ウエル１０とゲート酸化膜７との界面を、ドーズ量が
１０14ｃｍ-2程度のＢでイオン注入する。この際、埋め
込みフォトダイオードとなるｐ+型領域１３をポリシリ
コン電極８をマスクにして形成するのが一般的となって
いる。
７を形成後、ポリシリコン電極８をドライエッチング法
で形成して、フォトダイオード部の電荷を垂直ＣＣＤ４
に読み出す構造にする。その後、暗電流対策のためにｎ
型ウエル１０とゲート酸化膜７との界面を、ドーズ量が
１０14ｃｍ-2程度のＢでイオン注入する。この際、埋め
込みフォトダイオードとなるｐ+型領域１３をポリシリ
コン電極８をマスクにして形成するのが一般的となって
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来法では、読み出し
のポリシリコン電極８はｎ型ウエル１０及び垂直ＣＣＤ
４を形成した後に形成される。この時、読み出しのＶｔ
がポリシリコン電極８の垂直ＣＣＤ４から突き出したそ
の大きさや、チャンネルドープ５の濃度や大きさによ
り、微妙に変化する。このためＶｔを精度よく制御する
ことが非常に困難であった。しかも、チャンネルドープ
５のＶｔ値や不純物の深さの微妙な変化が固体撮像装置
の読み出し特性の１つである残像特性や電子シャッター
時の読み出し電圧に非常に大きな悪影響を与える。
のポリシリコン電極８はｎ型ウエル１０及び垂直ＣＣＤ
４を形成した後に形成される。この時、読み出しのＶｔ
がポリシリコン電極８の垂直ＣＣＤ４から突き出したそ
の大きさや、チャンネルドープ５の濃度や大きさによ
り、微妙に変化する。このためＶｔを精度よく制御する
ことが非常に困難であった。しかも、チャンネルドープ
５のＶｔ値や不純物の深さの微妙な変化が固体撮像装置
の読み出し特性の１つである残像特性や電子シャッター
時の読み出し電圧に非常に大きな悪影響を与える。
【０００６】本発明は上記問題点に鑑み、フォトダイオ
ードの電荷を垂直ＣＣＤに読み出し易くなり、ＣＣＤの
残像特性や電子シャッター時の読み出し低電圧化の大幅
な改善ができ、フォトダイオード部と垂直ＣＣＤ部の分
離耐圧の向上が図られ、チャンネルストッパー領域の濃
度の低減が可能となり、垂直ＣＣＤの電荷容量の増加を
図りうることを目的とする固体撮像装置の製造方法を提
供するものである。
ードの電荷を垂直ＣＣＤに読み出し易くなり、ＣＣＤの
残像特性や電子シャッター時の読み出し低電圧化の大幅
な改善ができ、フォトダイオード部と垂直ＣＣＤ部の分
離耐圧の向上が図られ、チャンネルストッパー領域の濃
度の低減が可能となり、垂直ＣＣＤの電荷容量の増加を
図りうることを目的とする固体撮像装置の製造方法を提
供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板にウ
エルを形成する工程と、前記ウエル内に垂直電荷転送部
を形成する工程と、前記半導体基板表面に絶縁膜を形成
する工程と、前記絶縁膜上に導電膜を堆積する工程と、
前記導電膜上にレジストをパターンニングする工程と、
前記レジストを残したポリシリコン電極をマスクとし
て、注入角度１０度以上の傾斜イオン注入によって、少
なくとも読み出しゲートに喰い込む方向にのみリンイオ
ンを加速電圧３００ｋｅＶ〜１ＭｅＶで、セルフアライ
ンでフォトダイオードを形成する。
に本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板にウ
エルを形成する工程と、前記ウエル内に垂直電荷転送部
を形成する工程と、前記半導体基板表面に絶縁膜を形成
する工程と、前記絶縁膜上に導電膜を堆積する工程と、
前記導電膜上にレジストをパターンニングする工程と、
前記レジストを残したポリシリコン電極をマスクとし
て、注入角度１０度以上の傾斜イオン注入によって、少
なくとも読み出しゲートに喰い込む方向にのみリンイオ
ンを加速電圧３００ｋｅＶ〜１ＭｅＶで、セルフアライ
ンでフォトダイオードを形成する。
【０００８】また、半導体基板にウエルを形成する工程
と、前記ウエル内に垂直電荷転送部を形成する工程と、
前記半導体基板表面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶
縁膜上に導電膜を堆積する工程と、前記導電膜上にレジ
ストをパターンニングする工程と、前記レジストを残し
たポリシリコン電極をマスクとして、注入角度が０度−
７度で、かつリンイオンを加速電圧１００ｋｅＶ〜１Ｍ
ｅＶのイオン注入であって、加速電圧の異なる条件で２
回行い、同時にセルフアラインでフォトダイオードを形
成する。
と、前記ウエル内に垂直電荷転送部を形成する工程と、
前記半導体基板表面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶
縁膜上に導電膜を堆積する工程と、前記導電膜上にレジ
ストをパターンニングする工程と、前記レジストを残し
たポリシリコン電極をマスクとして、注入角度が０度−
７度で、かつリンイオンを加速電圧１００ｋｅＶ〜１Ｍ
ｅＶのイオン注入であって、加速電圧の異なる条件で２
回行い、同時にセルフアラインでフォトダイオードを形
成する。
【０００９】
【作用】上記手段を用いることにより、フォトダイオー
ドの電荷を垂直ＣＣＤに読み出し易くなり、ＣＣＤの残
像特性や電子シャッター時の読み出し低電圧化の大幅な
改善が可能となる。また、１０度以上の大傾斜イオン注
入機を用いてフォトダイオードｎ領域を形成することに
より、フォトダイオード部と垂直ＣＣＤ部の分離耐圧の
向上を図ることが可能となり、チャンネルストッパー領
域の濃度の低減が可能となり、垂直ＣＣＤの電荷容量の
増加を図ることも可能である。
ドの電荷を垂直ＣＣＤに読み出し易くなり、ＣＣＤの残
像特性や電子シャッター時の読み出し低電圧化の大幅な
改善が可能となる。また、１０度以上の大傾斜イオン注
入機を用いてフォトダイオードｎ領域を形成することに
より、フォトダイオード部と垂直ＣＣＤ部の分離耐圧の
向上を図ることが可能となり、チャンネルストッパー領
域の濃度の低減が可能となり、垂直ＣＣＤの電荷容量の
増加を図ることも可能である。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施例の工程順断面図を図１〜４
に示す。
に示す。
【００１１】図１に示すように、ｎ型Ｓｉ基板１に、熱
拡散法を用いて第１のｐ型ウエル２および第２のｐ型ウ
エル３を形成した後、リン（Ｐ）イオンを注入して垂直
ＣＣＤ４を形成する。その後、Ｂをドーズ量１０13ｃｍ
-2程度注入し、チャンネルストッパー６および１０11ｃ
ｍ-2程度注入してチャンネルドープ５を形成する。
拡散法を用いて第１のｐ型ウエル２および第２のｐ型ウ
エル３を形成した後、リン（Ｐ）イオンを注入して垂直
ＣＣＤ４を形成する。その後、Ｂをドーズ量１０13ｃｍ
-2程度注入し、チャンネルストッパー６および１０11ｃ
ｍ-2程度注入してチャンネルドープ５を形成する。
【００１２】次に、図２に示すように、Ｓｉ基板１表面
を約１０００Å程度熱酸化してゲート酸化膜７を形成す
る。その後、ゲート酸化膜７上に減圧ＣＶＤ法を用いて
約３０００Åポリシリコンを堆積させる。そして、読み
出し電極形成のため、レジスト９をパターンニングす
る。その後、レジスト９をマスクにドライエッチングを
用いてポリシリコン電極８を形成する。
を約１０００Å程度熱酸化してゲート酸化膜７を形成す
る。その後、ゲート酸化膜７上に減圧ＣＶＤ法を用いて
約３０００Åポリシリコンを堆積させる。そして、読み
出し電極形成のため、レジスト９をパターンニングす
る。その後、レジスト９をマスクにドライエッチングを
用いてポリシリコン電極８を形成する。
【００１３】次に、図３に示すように、レジスト９を残
したポリシリコン電極８をマスクとして、セルフアライ
ンで読み出しゲートに喰い込むような方向にイオン注入
を行う。すなわち基板に垂直な方向から１５度の傾きを
持つ注入角度でＰイオンを、加速電圧７００ｋｅＶで、
ドーズ量１０12ｃｍ-2程度注入する。このようにして、
フォトダイオードとなるｎ型ウエル１０を形成する。こ
の時、レジスト９の膜厚は、Ｐイオンが突き抜けないよ
うに約３μｍの厚さのレジストを使用する。
したポリシリコン電極８をマスクとして、セルフアライ
ンで読み出しゲートに喰い込むような方向にイオン注入
を行う。すなわち基板に垂直な方向から１５度の傾きを
持つ注入角度でＰイオンを、加速電圧７００ｋｅＶで、
ドーズ量１０12ｃｍ-2程度注入する。このようにして、
フォトダイオードとなるｎ型ウエル１０を形成する。こ
の時、レジスト９の膜厚は、Ｐイオンが突き抜けないよ
うに約３μｍの厚さのレジストを使用する。
【００１４】その後、埋め込みフォトダイオード形成を
行なうため、図４に示すように、レジスト９を除去した
後、ポリシリコン電極８をマスクにしてＢイオンを加速
電圧５０ｋｅＶ、ドーズ量１０14ｃｍ-2程度イオン注入
する。このようにして埋め込みフォトダイオードとなる
ｐ+型領域１３を形成する。
行なうため、図４に示すように、レジスト９を除去した
後、ポリシリコン電極８をマスクにしてＢイオンを加速
電圧５０ｋｅＶ、ドーズ量１０14ｃｍ-2程度イオン注入
する。このようにして埋め込みフォトダイオードとなる
ｐ+型領域１３を形成する。
【００１５】上記手法で作成した固体撮像装置は、読み
出しのＶｔ制御のチャンネルドープ５がフォトダイオー
ドであるｎ型ウエル１０と加わる。このため、不純物濃
度の薄い領域がフォトダイオードと垂直ＣＣＤ４との間
に形成される。このため、フォトダイオードの電荷を垂
直ＣＣＤ４へ読み出し易くなる。
出しのＶｔ制御のチャンネルドープ５がフォトダイオー
ドであるｎ型ウエル１０と加わる。このため、不純物濃
度の薄い領域がフォトダイオードと垂直ＣＣＤ４との間
に形成される。このため、フォトダイオードの電荷を垂
直ＣＣＤ４へ読み出し易くなる。
【００１６】また、フォトダイオードと垂直ＣＣＤ４と
の分離部は、大傾斜イオン注入を用いるため、隣のフォ
トダイオードのポリシリコン電極マスク８の蔭となる。
このためフォトダイオードのｎ型ウエル１０とチャンネ
ルストッパー６との距離が大きくなり、より分離耐圧が
向上するようになる。
の分離部は、大傾斜イオン注入を用いるため、隣のフォ
トダイオードのポリシリコン電極マスク８の蔭となる。
このためフォトダイオードのｎ型ウエル１０とチャンネ
ルストッパー６との距離が大きくなり、より分離耐圧が
向上するようになる。
【００１７】次に、通常の７度または０度の注入角度を
有する注入機を用いて、上記特徴を出す方法について、
図１，２，５，６，８の順に工程順断面図を示す。
有する注入機を用いて、上記特徴を出す方法について、
図１，２，５，６，８の順に工程順断面図を示す。
【００１８】まず、図１，２は前記説明したように、垂
直ＣＣＤ４形成後ポリシリコン電極８を約３μｍの厚さ
のレジスト９で形成する。
直ＣＣＤ４形成後ポリシリコン電極８を約３μｍの厚さ
のレジスト９で形成する。
【００１９】その後、図５に示すように、通常の０度の
注入角度でＰイオンを加速電圧５００ｋｅＶ、ドーズ量
１０12ｃｍ-2程度注入する。これによってフォトダイオ
ードである第１のｎ型ウエル１１を形成する。
注入角度でＰイオンを加速電圧５００ｋｅＶ、ドーズ量
１０12ｃｍ-2程度注入する。これによってフォトダイオ
ードである第１のｎ型ウエル１１を形成する。
【００２０】その後、図６に示すように、同一マスクを
用いて、Ｐイオンを加速電圧３００ｋｅＶ、ドーズ量１
０11ｃｍ-2程度注入する。これによってフォトダイオー
ドとなる第２のｎ型ウエル１２を形成する。
用いて、Ｐイオンを加速電圧３００ｋｅＶ、ドーズ量１
０11ｃｍ-2程度注入する。これによってフォトダイオー
ドとなる第２のｎ型ウエル１２を形成する。
【００２１】最後に、図８に示すように、レジスト９を
除去後、埋め込みフォトダイオードとなるｐ+型領域１
３を形成する。この時、ポリシリコン電極８をマスクに
してＢイオンを加速電圧５０ｋｅＶ、ドーズ量１０14ｃ
ｍ-2程度注入する。これによって埋め込みフォトダイオ
ードを形成する。
除去後、埋め込みフォトダイオードとなるｐ+型領域１
３を形成する。この時、ポリシリコン電極８をマスクに
してＢイオンを加速電圧５０ｋｅＶ、ドーズ量１０14ｃ
ｍ-2程度注入する。これによって埋め込みフォトダイオ
ードを形成する。
【００２２】ここで、Ｐイオンを加速電圧５００ｋｅ
Ｖ、３００ｋｅＶとで注入することにより、読み出しゲ
ートのチャンネルドープ５の不純物濃度が深さ方向に不
純物濃度差が出来る。このため、フォトダイオードの電
荷を読み出し易くすることが出来る。
Ｖ、３００ｋｅＶとで注入することにより、読み出しゲ
ートのチャンネルドープ５の不純物濃度が深さ方向に不
純物濃度差が出来る。このため、フォトダイオードの電
荷を読み出し易くすることが出来る。
【００２３】また、１５度の大傾斜イオン注入と通常の
７度または０度の注入角度のイオン注入を組み合わせる
ことにより、より残像特性や電子シャッターの読み出し
時の低電圧化され固体撮像装置を得ることができる。
７度または０度の注入角度のイオン注入を組み合わせる
ことにより、より残像特性や電子シャッターの読み出し
時の低電圧化され固体撮像装置を得ることができる。
【００２４】この工程順断面図を図１，２，５，７，８
の順に示す。ここでは、図７だけ説明を加える。図７
は、前記説明したように、レジスト９を残したポリシリ
コン電極８をマスクにして、Ｐイオンを最初通常の０度
の注入角度で加速電圧５００ｋｅＶ、しら歩ドーズ量１
０12ｃｍ-2程度注入する。このようにしてフォトダイオ
ードとなる第１のｎ型ウエル１１を形成後、同一マスク
を使用してＰイオンを注入する。この時、読み出しのポ
リシリコン電極８に喰い込む方向に１５度の大傾斜注入
角度で加速電圧３００ｋｅＶ、ドーズ量１０11ｃｍ-2程
度注入する。このようにしてフォトダイオードである第
２のｎ型ウエル１２を形成する。これによって、フォト
ダイオードの電荷を読み出し易くする。
の順に示す。ここでは、図７だけ説明を加える。図７
は、前記説明したように、レジスト９を残したポリシリ
コン電極８をマスクにして、Ｐイオンを最初通常の０度
の注入角度で加速電圧５００ｋｅＶ、しら歩ドーズ量１
０12ｃｍ-2程度注入する。このようにしてフォトダイオ
ードとなる第１のｎ型ウエル１１を形成後、同一マスク
を使用してＰイオンを注入する。この時、読み出しのポ
リシリコン電極８に喰い込む方向に１５度の大傾斜注入
角度で加速電圧３００ｋｅＶ、ドーズ量１０11ｃｍ-2程
度注入する。このようにしてフォトダイオードである第
２のｎ型ウエル１２を形成する。これによって、フォト
ダイオードの電荷を読み出し易くする。
【００２５】また、同特性改善を得る方法の１つとし
て、レジスト９の形状を変える方法もある。
て、レジスト９の形状を変える方法もある。
【００２６】この一実施例について、図１，図９〜１１
の順に工程順断面図を示す。図１は、前記説明したよう
に、垂直ＣＣＤ４を第２のｐ型ウエル３中に形成し、そ
の後、Ｂイオンを注入してチャンネルストッパー６やチ
ャンネルドープ５を形成する。その後、図９に示すよう
に、約１０００Åのゲート酸化膜７の上に約３０００Å
のポリシリコン膜８を減圧ＣＶＤで堆積させる。そし
て、約３μｍの厚さのレジスト９をパターンニングする
際に、露光量を低くしてレジスト形状を台形にする。
の順に工程順断面図を示す。図１は、前記説明したよう
に、垂直ＣＣＤ４を第２のｐ型ウエル３中に形成し、そ
の後、Ｂイオンを注入してチャンネルストッパー６やチ
ャンネルドープ５を形成する。その後、図９に示すよう
に、約１０００Åのゲート酸化膜７の上に約３０００Å
のポリシリコン膜８を減圧ＣＶＤで堆積させる。そし
て、約３μｍの厚さのレジスト９をパターンニングする
際に、露光量を低くしてレジスト形状を台形にする。
【００２７】次に、図１０に示すように、通常の０度の
注入角度でＰイオンを５００ｋｅＶで１０12ｃｍ-2程度
注入して、フォトダイオードであるｎ型ウエル１０を形
成する。
注入角度でＰイオンを５００ｋｅＶで１０12ｃｍ-2程度
注入して、フォトダイオードであるｎ型ウエル１０を形
成する。
【００２８】最後に、図１１に示すように、レジスト９
を除去後、埋め込みフォトダイオードとなるｐ+型領域
１３を形成するために、ポリシリコン電極８をマスクに
して、Ｂイオンを加速電圧５０ｋｅＶ、ドーズ量１０14
ｃｍ-2程度注入する。このようにして埋め込みフォトダ
イオードを形成する。
を除去後、埋め込みフォトダイオードとなるｐ+型領域
１３を形成するために、ポリシリコン電極８をマスクに
して、Ｂイオンを加速電圧５０ｋｅＶ、ドーズ量１０14
ｃｍ-2程度注入する。このようにして埋め込みフォトダ
イオードを形成する。
【００２９】この実施例では、ポリシリコン電極８の上
のレジスト９が台形をしているため、レジスト９の厚さ
が薄い領域ではＰイオンが基板内部に突き抜ける。同時
にレジストの形が台形になっているため、読み出しのチ
ャンネルドープ５の領域内で垂直ＣＣＤ４の領域に近ず
くにつれ、除々に不純物濃度が基板表面側に行くにつれ
て薄くなる不純物プロファイルになり、より特性改善に
良い効果が期待できる。
のレジスト９が台形をしているため、レジスト９の厚さ
が薄い領域ではＰイオンが基板内部に突き抜ける。同時
にレジストの形が台形になっているため、読み出しのチ
ャンネルドープ５の領域内で垂直ＣＣＤ４の領域に近ず
くにつれ、除々に不純物濃度が基板表面側に行くにつれ
て薄くなる不純物プロファイルになり、より特性改善に
良い効果が期待できる。
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明では、ＣＣＤ固体撮
像素子のフォトダイオードと垂直ＣＣＤの間の通常読み
出しゲートのＶｔ制御領域において、不純物濃度差によ
り電荷の読み出し易いような道を注入角度のパラメータ
ーの導入によって高精度に形成することにより、残像特
性や電子シャッター時の読み出し電圧の低電圧化の向上
を図ることが可能となる。
像素子のフォトダイオードと垂直ＣＣＤの間の通常読み
出しゲートのＶｔ制御領域において、不純物濃度差によ
り電荷の読み出し易いような道を注入角度のパラメータ
ーの導入によって高精度に形成することにより、残像特
性や電子シャッター時の読み出し電圧の低電圧化の向上
を図ることが可能となる。
【図１】本発明の一実施例の製造工程を示す工程順断面
図
図
【図２】本発明の一実施例の製造工程を示す工程順断面
図
図
【図３】本発明の一実施例の製造工程を示す工程順断面
図
図
【図４】本発明の一実施例の製造工程を示す工程順断面
図
図
【図５】本発明の一実施例の製造工程を示す工程順断面
図
図
【図６】本発明の一実施例の製造工程を示す工程順断面
図
図
【図７】本発明の一実施例の製造工程を示す工程順断面
図
図
【図８】本発明の一実施例の製造工程を示す工程順断面
図
図
【図９】本発明の一実施例の製造工程を示す工程順断面
図
図
【図１０】本発明の一実施例の製造工程を示す工程順断
面図
面図
【図１１】本発明の一実施例の製造工程を示す工程順断
面図
面図
【図１２】従来の固体撮像装置の製造工程を示す工程順
断面図
断面図
【図１３】従来の固体撮像装置の製造工程を示す工程順
断面図
断面図
【図１４】従来の固体撮像装置の製造工程を示す工程順
断面図
断面図
１ Ｓｉ基板 ２，３ ｐ型ウエル ４ 垂直ＣＣＤ ５ チャンネルドープ ６ チャンネルストッパー
Claims (3)
- 【請求項１】半導体基板にウエルを形成する工程と、前
記ウエル内に垂直電荷転送部を形成する工程と、前記半
導体基板表面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上
に導電膜を堆積する工程と、前記導電膜上にレジストを
パターンニングする工程と、前記レジストを残したポリ
シリコン電極をマスクとして、注入角度１０度以上の傾
斜イオン注入によって、少なくとも読み出しゲートに喰
い込む方向にのみリンイオンを加速電圧３００ｋｅＶ〜
１ＭｅＶで、セルフアラインでフォトダイオードを形成
することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項２】前記レジストの断面形状が下部になるほど
大きくなる台形形状であることを特徴とする請求項１記
載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項３】半導体基板にウエルを形成する工程と、前
記ウエル内に垂直電荷転送部を形成する工程と、前記半
導体基板表面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上
に導電膜を堆積する工程と、前記導電膜上にレジストを
パターンニングする工程と、前記レジストを残したポリ
シリコン電極をマスクとして、注入角度が０度〜７度
で、かつリンイオンを加速電圧１００ｋｅＶ〜１ＭｅＶ
のイオン注入であって、加速電圧の異なる条件で２回行
い、同時にセルフアラインでフォトダイオードを形成す
ることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4064590A JP2853786B2 (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4064590A JP2853786B2 (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267638A true JPH05267638A (ja) | 1993-10-15 |
| JP2853786B2 JP2853786B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=13262626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4064590A Expired - Fee Related JP2853786B2 (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2853786B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6580105B1 (en) | 1998-12-24 | 2003-06-17 | Nec Electronic Corporation | Solid-state imaging device |
| US7345703B2 (en) | 2002-10-23 | 2008-03-18 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | CMOS image sensor including photodiodes having different depth according to wavelength of light |
-
1992
- 1992-03-23 JP JP4064590A patent/JP2853786B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6580105B1 (en) | 1998-12-24 | 2003-06-17 | Nec Electronic Corporation | Solid-state imaging device |
| US7345703B2 (en) | 2002-10-23 | 2008-03-18 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | CMOS image sensor including photodiodes having different depth according to wavelength of light |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2853786B2 (ja) | 1999-02-03 |
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