JPH05267324A - Mos型半導体装置の製造方法 - Google Patents
Mos型半導体装置の製造方法Info
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- JPH05267324A JPH05267324A JP5866292A JP5866292A JPH05267324A JP H05267324 A JPH05267324 A JP H05267324A JP 5866292 A JP5866292 A JP 5866292A JP 5866292 A JP5866292 A JP 5866292A JP H05267324 A JPH05267324 A JP H05267324A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
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- H01L29/66575—Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate
- H01L29/6659—Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate with both lightly doped source and drain extensions and source and drain self-aligned to the sides of the gate, e.g. lightly doped drain [LDD] MOSFET, double diffused drain [DDD] MOSFET
- H01L29/66598—Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate with both lightly doped source and drain extensions and source and drain self-aligned to the sides of the gate, e.g. lightly doped drain [LDD] MOSFET, double diffused drain [DDD] MOSFET forming drain [D] and lightly doped drain [LDD] simultaneously, e.g. using implantation through the wings a T-shaped layer, or through a specially shaped layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】サイドウォールを有するLDD構造のMOS型
半導体装置はサイドウォールの応力によりシリコン基板
に結晶欠陥が誘起され易いのを防ぎ、高い歩留でLDD
のMOS型半導体装置が得られる製造方法を提供するこ
とにある。 【構成】下層の多結晶シリコン電極4Aの寸法より上層
のシリサイド電極5Aの寸法が大きい2層ゲート電極を
形成し、寸法の大きいシリサイド電極5A上から、質量
数の異なる同タイプの不純物イオンを異なる加速エネル
ギーで注入してLDD構造を形成する。 【効果】本発明によれば、サイドウォールが存在しない
ため、良好な歩留でLDD構造のMOS型半導体装置を
生産することができる。
半導体装置はサイドウォールの応力によりシリコン基板
に結晶欠陥が誘起され易いのを防ぎ、高い歩留でLDD
のMOS型半導体装置が得られる製造方法を提供するこ
とにある。 【構成】下層の多結晶シリコン電極4Aの寸法より上層
のシリサイド電極5Aの寸法が大きい2層ゲート電極を
形成し、寸法の大きいシリサイド電極5A上から、質量
数の異なる同タイプの不純物イオンを異なる加速エネル
ギーで注入してLDD構造を形成する。 【効果】本発明によれば、サイドウォールが存在しない
ため、良好な歩留でLDD構造のMOS型半導体装置を
生産することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はMOS型半導体装置の製
造方法に関し、特にLDD構造のMOS型半導体装置の
製造方法に関する。
造方法に関し、特にLDD構造のMOS型半導体装置の
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のLDD構造のMOS型半導体装置
は、図2に示すように、シリコン基板1上に素子分離用
フィールド酸化膜2を形成したのち、下層のゲート電極
となる多結晶シリコン膜及び上層のゲート電極となるタ
ングステンシリサイド膜を形成したのちパターニングし
て下層のポリシリコン電極4A,及び上層のタングステ
ンシリサイド電極5Aを形成する。
は、図2に示すように、シリコン基板1上に素子分離用
フィールド酸化膜2を形成したのち、下層のゲート電極
となる多結晶シリコン膜及び上層のゲート電極となるタ
ングステンシリサイド膜を形成したのちパターニングし
て下層のポリシリコン電極4A,及び上層のタングステ
ンシリサイド電極5Aを形成する。
【0003】次いで、低濃度層6をイオン注入により形
成し、酸化シリコン膜を堆積し、ドライエッチングによ
り前記酸化シリコン膜のエッチバックを行ないゲート電
極側面部のみに酸化シリコン膜からなるサイドウォール
8を形成後、高濃度層7をイオン注入により形成してい
た。
成し、酸化シリコン膜を堆積し、ドライエッチングによ
り前記酸化シリコン膜のエッチバックを行ないゲート電
極側面部のみに酸化シリコン膜からなるサイドウォール
8を形成後、高濃度層7をイオン注入により形成してい
た。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のLDD構造のMOS型半導体装置の製造方法
は、酸化シリコンのサイドウォールの応力によりシリコ
ン基板に結晶欠陥が形成されやすく、歩留が低下する。
それと共に製造工程が長いという欠点があった。
た従来のLDD構造のMOS型半導体装置の製造方法
は、酸化シリコンのサイドウォールの応力によりシリコ
ン基板に結晶欠陥が形成されやすく、歩留が低下する。
それと共に製造工程が長いという欠点があった。
【0005】本発明の目的は、酸化シリコンのサイドウ
ォールの応力によりシリコン基板に発生する結晶欠陥の
形成を防ぎ、高い歩留でLDD構造のMOS型半導体装
置が簡易な工程で得られるMOS型半導体装置の製造方
法を提供することにある。
ォールの応力によりシリコン基板に発生する結晶欠陥の
形成を防ぎ、高い歩留でLDD構造のMOS型半導体装
置が簡易な工程で得られるMOS型半導体装置の製造方
法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のMOS型半導体
装置の製造方法は、半導体基板上の酸化シリコン膜上
に、多結晶シリコン膜とシリサイド膜を順次形成したの
ち、パターニングして多結晶シリコンとシリサイド膜の
2層からなるゲート電極を形成するLDD構造のMOS
型半導体装置の製造方法であって、前記多結晶シリコン
電極の寸法より、寸法が大きい前記シリサイド電極上方
から質量数の異なる同タイプの不純物イオンを、異なる
加速エネルギーで注入するものである。
装置の製造方法は、半導体基板上の酸化シリコン膜上
に、多結晶シリコン膜とシリサイド膜を順次形成したの
ち、パターニングして多結晶シリコンとシリサイド膜の
2層からなるゲート電極を形成するLDD構造のMOS
型半導体装置の製造方法であって、前記多結晶シリコン
電極の寸法より、寸法が大きい前記シリサイド電極上方
から質量数の異なる同タイプの不純物イオンを、異なる
加速エネルギーで注入するものである。
【0007】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の一実施例のLDD構造のMOS型半
導体装置の製造方法を説明するために工程順に示した半
導体装置の断面図である。
る。図1は本発明の一実施例のLDD構造のMOS型半
導体装置の製造方法を説明するために工程順に示した半
導体装置の断面図である。
【0008】まず、図1(a)に示すよに、シリコン基
板1上に厚さ600nmの素子分離用のフィールド酸化
膜2を形成したのち、MOSトランジスタを形成する能
動領域にゲート絶縁膜となる酸化シリコン膜3を25n
mの厚さに形成する。
板1上に厚さ600nmの素子分離用のフィールド酸化
膜2を形成したのち、MOSトランジスタを形成する能
動領域にゲート絶縁膜となる酸化シリコン膜3を25n
mの厚さに形成する。
【0009】次に、図1(b)に示すように、減圧CV
D法により下層のゲート電極となる多結晶シリコン膜4
を200nmの厚さに形成する。
D法により下層のゲート電極となる多結晶シリコン膜4
を200nmの厚さに形成する。
【0010】次いで、図1(c)に示すように、スパッ
タ方法によりタングステンシリサイド膜5を230nm
の厚さに形成する。
タ方法によりタングステンシリサイド膜5を230nm
の厚さに形成する。
【0011】次いで、図1(d)に示すように、フォト
リソグラフィー工程により、パターニングし、上層のタ
ングステンシリサイド膜5を、SF6 のエッチングガス
を用い12Paの圧力でドライエッチングを行ない上層
のタングステンシリサイド電極5Aを形成し、前述のタ
ングステンシリサイド電極5Aの寸法より小さくなる様
に、CCl2 F2 −N2 系のエッチングガスを用いて1
8Paの圧力で下層の多結晶シリコン膜4をエッチング
して多結晶シリコン電極4Aを形成する。
リソグラフィー工程により、パターニングし、上層のタ
ングステンシリサイド膜5を、SF6 のエッチングガス
を用い12Paの圧力でドライエッチングを行ない上層
のタングステンシリサイド電極5Aを形成し、前述のタ
ングステンシリサイド電極5Aの寸法より小さくなる様
に、CCl2 F2 −N2 系のエッチングガスを用いて1
8Paの圧力で下層の多結晶シリコン膜4をエッチング
して多結晶シリコン電極4Aを形成する。
【0012】次いで、タングステンシリサイド電極5A
を通過するが、ポリシリコン電極4Aを通過しない加速
エネルギー、例えばB+ の場合100keV程度で5×
1013atm/ccのイオンを注入し低濃度層6を形成
する。
を通過するが、ポリシリコン電極4Aを通過しない加速
エネルギー、例えばB+ の場合100keV程度で5×
1013atm/ccのイオンを注入し低濃度層6を形成
する。
【0013】次いで、タングステン電極5Aを通過しな
い加速エネルギー、例えばBF2 の場合30keV程度
で5×1015atm/ccのイオンを注入し高濃度層7
を形成することにより、LDD構造のMOS型半導体装
置を製造することができる。
い加速エネルギー、例えばBF2 の場合30keV程度
で5×1015atm/ccのイオンを注入し高濃度層7
を形成することにより、LDD構造のMOS型半導体装
置を製造することができる。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように本発明は多結晶シリ
コン膜とシリサイド膜からなるゲート電極を用いるLD
D構造のMOS型半導体装置において、サイドウォール
が存在せず、サイドウォールに起因したシリコン基板に
発生する結晶欠陥が全く無く、良好な歩留を得られると
いう効果を有し、それと共に、サイドウォール形成工程
が不要であり製造工程が短縮され低コストで製造できる
という効果を有する。
コン膜とシリサイド膜からなるゲート電極を用いるLD
D構造のMOS型半導体装置において、サイドウォール
が存在せず、サイドウォールに起因したシリコン基板に
発生する結晶欠陥が全く無く、良好な歩留を得られると
いう効果を有し、それと共に、サイドウォール形成工程
が不要であり製造工程が短縮され低コストで製造できる
という効果を有する。
【図1】本発明の一実施例のLDD構造のMOS型半導
体装置の製造方法を説明するために工程順に示した半導
体装置の断面図である。
体装置の製造方法を説明するために工程順に示した半導
体装置の断面図である。
【図2】従来のLDD構造のMOS型半導体装置の構造
並に製造方法を説明するためのLDD構造のMOS型半
導体装置の断面図である。
並に製造方法を説明するためのLDD構造のMOS型半
導体装置の断面図である。
1 シリコン基板 2 フィールド酸化膜 3 酸化シリコン膜 4 多結晶シリコン膜 4A 多結晶シリコン電極 5 タングステンシリサイド膜 5A タングステンシリサイド電極 6 低濃度層 7 高濃度層 8 サイドウォール
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体基板上の酸化シリコン膜上に、多
結晶シリコン膜とシリサイド膜を順次形成したのち、パ
ターニングして多結晶シリコンとシリサイド膜の2層か
らなるゲート電極を形成するLDD構造のMOS型半導
体装置の製造方法において、前記2層からなるゲート電
極を下層の多結晶シリコン電極より上層のシリサイド電
極の寸法を大きく形成し、大きい寸法の前記シリサイド
電極上方より質量数の異なる同タイプの不純物イオン
を、異なる加速エネルギーで注入することを特徴とする
MOS型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5866292A JPH05267324A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | Mos型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5866292A JPH05267324A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | Mos型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05267324A true JPH05267324A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13090802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5866292A Pending JPH05267324A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | Mos型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05267324A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL1004810C2 (nl) * | 1996-12-04 | 1998-06-19 | United Microelectronics Corp | Verbeterde salicidewerkwijzetechnologie. |
FR2758210A1 (fr) * | 1996-10-16 | 1998-07-10 | United Microelectronics Corp | Technologie de fabrication de saliciure amelioree |
KR100636684B1 (ko) * | 2005-07-06 | 2006-10-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 셀 트랜지스터의 게이트구조 및 이를 갖는 반도체메모리소자의 제조방법 |
JP2007067322A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Denso Corp | Ldd構造の半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6344767A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JPS6344768A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP5866292A patent/JPH05267324A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6344767A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JPS6344768A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2758210A1 (fr) * | 1996-10-16 | 1998-07-10 | United Microelectronics Corp | Technologie de fabrication de saliciure amelioree |
NL1004810C2 (nl) * | 1996-12-04 | 1998-06-19 | United Microelectronics Corp | Verbeterde salicidewerkwijzetechnologie. |
KR100636684B1 (ko) * | 2005-07-06 | 2006-10-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 셀 트랜지스터의 게이트구조 및 이를 갖는 반도체메모리소자의 제조방법 |
JP2007067322A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Denso Corp | Ldd構造の半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980818 |