JPH05243413A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH05243413A JPH05243413A JP4040799A JP4079992A JPH05243413A JP H05243413 A JPH05243413 A JP H05243413A JP 4040799 A JP4040799 A JP 4040799A JP 4079992 A JP4079992 A JP 4079992A JP H05243413 A JPH05243413 A JP H05243413A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dam frame
- circuit board
- wall surface
- semiconductor device
- encapsulating resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 封入樹脂の熱硬化過程において該封入樹脂に
気泡が残り難い半導体装置の構造を提供する。 【構成】 回路用基板５への搭載時にその内壁面６と該
回路用基板５との挟持角が鈍角となるようなダム枠３
を、回路用基板５に実装した半導体ブロックを囲むよう
該回路用基板５に接着固定し、該ダム枠３内に熱硬化性
の低粘度封入樹脂４を流し込み、該封入樹脂４を加熱に
より熱硬化して構成した。
気泡が残り難い半導体装置の構造を提供する。 【構成】 回路用基板５への搭載時にその内壁面６と該
回路用基板５との挟持角が鈍角となるようなダム枠３
を、回路用基板５に実装した半導体ブロックを囲むよう
該回路用基板５に接着固定し、該ダム枠３内に熱硬化性
の低粘度封入樹脂４を流し込み、該封入樹脂４を加熱に
より熱硬化して構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回路用基板に実装した
半導体ブロックを囲むようダム枠を該回路用基板上に装
着し、該ダム枠内に封入樹脂を流し込み、該封入樹脂を
硬化させて成る半導体装置の構造に関するものである。
半導体ブロックを囲むようダム枠を該回路用基板上に装
着し、該ダム枠内に封入樹脂を流し込み、該封入樹脂を
硬化させて成る半導体装置の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来例を示す断面図である。
【０００３】従来例の半導体装置１１は、プラスチック
等で一体成型されたダム枠１３を、回路用基板５に実装
した半導体ブロック２を囲むよう前記回路用基板５上に
接着固定し、該ダム枠１３内に低粘度の封入樹脂４を流
し込み、該封入樹脂４を熱硬化させて構成されている。
等で一体成型されたダム枠１３を、回路用基板５に実装
した半導体ブロック２を囲むよう前記回路用基板５上に
接着固定し、該ダム枠１３内に低粘度の封入樹脂４を流
し込み、該封入樹脂４を熱硬化させて構成されている。
【０００４】尚、本明細書において「半導体ブロック」
とは、図に示したような半導体チップのみならず、封入
されていない半導体チップをその一部に有して構成され
ている回路又は装置をも言う（例えば、混成集積回路装
置等）。又、「回路用基板」とは、複数の電子部品を搭
載する基板であれば足り、プリント基板のみならず、混
成集積回路を搭載する基板等をも含む。
とは、図に示したような半導体チップのみならず、封入
されていない半導体チップをその一部に有して構成され
ている回路又は装置をも言う（例えば、混成集積回路装
置等）。又、「回路用基板」とは、複数の電子部品を搭
載する基板であれば足り、プリント基板のみならず、混
成集積回路を搭載する基板等をも含む。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】然しながら従来の構成
においては、封入樹脂４を前記ダム枠１３内に流し込む
際に該封入樹脂４の層に気泡２０が混じってしまう。該
気泡２０は湿気を含みやすく、その湿気により半導体ブ
ロック２やプリント基板５が品質劣化し易く、半導体装
置１１自体の品質を落とす要因となっている。該封入樹
脂４を熱硬化する過程（一般的には、回路用基板５を水
平に保った状態で、１００度Ｃで１時間加熱する）にお
いて、気泡２０が熱膨張してその浮力により上昇（本明
細書においては、回路用基板５を基準に半導体ブロック
２のある方向を「上方向」とする）して該封入樹脂４の
層から飛び出すので、或る程度の脱泡（気泡抜き）は成
されるが、完全に脱泡し切れないことが多い。特に、図
３に示すように、ダム枠１３の内壁面に付着している気
泡２０は、封入樹脂４の熱硬化処理を行っても該内壁面
から離脱しにくく、又、該内壁面の付近に存在している
気泡２０は、上昇中に該内壁面に付着してしまうので脱
泡されないことが多く、半導体装置の品質を落とす要因
となっていた。
においては、封入樹脂４を前記ダム枠１３内に流し込む
際に該封入樹脂４の層に気泡２０が混じってしまう。該
気泡２０は湿気を含みやすく、その湿気により半導体ブ
ロック２やプリント基板５が品質劣化し易く、半導体装
置１１自体の品質を落とす要因となっている。該封入樹
脂４を熱硬化する過程（一般的には、回路用基板５を水
平に保った状態で、１００度Ｃで１時間加熱する）にお
いて、気泡２０が熱膨張してその浮力により上昇（本明
細書においては、回路用基板５を基準に半導体ブロック
２のある方向を「上方向」とする）して該封入樹脂４の
層から飛び出すので、或る程度の脱泡（気泡抜き）は成
されるが、完全に脱泡し切れないことが多い。特に、図
３に示すように、ダム枠１３の内壁面に付着している気
泡２０は、封入樹脂４の熱硬化処理を行っても該内壁面
から離脱しにくく、又、該内壁面の付近に存在している
気泡２０は、上昇中に該内壁面に付着してしまうので脱
泡されないことが多く、半導体装置の品質を落とす要因
となっていた。
【０００６】本発明は上記の問題点を改善するために成
されたものであり、その目的とするところは、封入樹脂
の熱硬化過程において該封入樹脂に気泡が残り難い半導
体装置を提供することにある。
されたものであり、その目的とするところは、封入樹脂
の熱硬化過程において該封入樹脂に気泡が残り難い半導
体装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ため本発明は、回路用基板に実装した半導体ブロックを
囲むようダム枠を回路用基板上に密着させ、該ダム枠内
に封入樹脂を流し込み、該封入樹脂を硬化させて成る半
導体装置において、前記ダム枠の内壁面と回路用基板と
の挟持角を鈍角としたことを特徴とするものである。
ため本発明は、回路用基板に実装した半導体ブロックを
囲むようダム枠を回路用基板上に密着させ、該ダム枠内
に封入樹脂を流し込み、該封入樹脂を硬化させて成る半
導体装置において、前記ダム枠の内壁面と回路用基板と
の挟持角を鈍角としたことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】該ダム枠は、封入樹脂の熱硬化過程において気
泡がその内壁面に付着しにくく、又、剥離し易いように
なっている。
泡がその内壁面に付着しにくく、又、剥離し易いように
なっている。
【０００９】
【実施例】以下に本発明を、その実施例を示す図に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００１０】図１は、本発明実施例を示す断面図であ
り、図２は、本発明実施例におけるダム枠を示す斜視図
である。
り、図２は、本発明実施例におけるダム枠を示す斜視図
である。
【００１１】図１において、１は半導体装置であり、プ
ラスチック等で一体成型した図２に示すダム枠３を、回
路用基板５に実装した半導体ブロックを囲むよう該回路
用基板５に接着固定し、該ダム枠３内に熱硬化性の低粘
度封入樹脂４を流し込み、該封入樹脂４を加熱により熱
硬化して構成されている。但し、前記ダム枠３は、図１
及び図２に示すようにその内壁面６と回路用基板５との
挟持角が鈍角を成すように、回路用基板５に接着固定さ
れている。即ち、該ダム枠３の内壁面６は、前記回路用
基板５に向かう下り傾斜となっている。
ラスチック等で一体成型した図２に示すダム枠３を、回
路用基板５に実装した半導体ブロックを囲むよう該回路
用基板５に接着固定し、該ダム枠３内に熱硬化性の低粘
度封入樹脂４を流し込み、該封入樹脂４を加熱により熱
硬化して構成されている。但し、前記ダム枠３は、図１
及び図２に示すようにその内壁面６と回路用基板５との
挟持角が鈍角を成すように、回路用基板５に接着固定さ
れている。即ち、該ダム枠３の内壁面６は、前記回路用
基板５に向かう下り傾斜となっている。
【００１２】前述のように、前記ダム枠３の内壁面６と
回路用基板５との挟持角を鈍角とすることにより、前記
封入樹脂４の熱硬化過程において、ダム枠３の内壁面６
付近にある気泡２０は、該ダム枠３の内壁面６に付着せ
ずに上昇し、ダム枠３の内壁面６に付着した気泡２０
も、従来に比して容易に該内壁面６から剥離し、上昇す
るので、従来に比して脱泡の効率が高く、ダム枠３内の
封入樹脂４の層から殆どの気泡２０が脱泡される。
回路用基板５との挟持角を鈍角とすることにより、前記
封入樹脂４の熱硬化過程において、ダム枠３の内壁面６
付近にある気泡２０は、該ダム枠３の内壁面６に付着せ
ずに上昇し、ダム枠３の内壁面６に付着した気泡２０
も、従来に比して容易に該内壁面６から剥離し、上昇す
るので、従来に比して脱泡の効率が高く、ダム枠３内の
封入樹脂４の層から殆どの気泡２０が脱泡される。
【００１３】
【発明の効果】前述のように本発明は、回路用基板に実
装した半導体ブロックを囲むようダム枠を回路用基板上
に密着させ、該ダム枠内に封入樹脂を流し込み、該封入
樹脂を硬化させて成る半導体装置において、前記ダム枠
の内壁面と回路用基板との挟持角を鈍角としたことを特
徴とするものであり、ダム枠の内壁面に付着した気泡及
び該内壁面の付近にある気泡は、封入樹脂の熱硬化時に
ダム枠の内壁面に付着しにくく、又、容易に剥離される
ので、ダム枠内の封入樹脂の層に気泡が残りにくく、該
半導体装置の品質を向上させることが出来る。
装した半導体ブロックを囲むようダム枠を回路用基板上
に密着させ、該ダム枠内に封入樹脂を流し込み、該封入
樹脂を硬化させて成る半導体装置において、前記ダム枠
の内壁面と回路用基板との挟持角を鈍角としたことを特
徴とするものであり、ダム枠の内壁面に付着した気泡及
び該内壁面の付近にある気泡は、封入樹脂の熱硬化時に
ダム枠の内壁面に付着しにくく、又、容易に剥離される
ので、ダム枠内の封入樹脂の層に気泡が残りにくく、該
半導体装置の品質を向上させることが出来る。
【図１】本発明実施例を示す断面図。
【図２】本発明実施例のダム枠３を示す斜視図。
【図３】従来例を示す断面図。
１ 半導体装置 ２ 半導体ブロック ３ ダム枠 ４ 封入樹脂 ５ 回路用基板 ６ 内壁面
Claims (1)
- 【請求項１】 回路用基板に実装した半導体ブロックを
囲むようダム枠を該回路用基板上に装着し、該ダム枠内
に封入樹脂を流し込み、該封入樹脂を硬化させて成る半
導体装置において、 前記ダム枠の内壁面と回路用基板との挟持角を鈍角とし
たことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4040799A JPH05243413A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4040799A JPH05243413A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243413A true JPH05243413A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12590680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4040799A Pending JPH05243413A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243413A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5621242A (en) * | 1994-05-16 | 1997-04-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package having support film formed on inner leads |
| JP2010129985A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Nichia Corp | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-02-27 JP JP4040799A patent/JPH05243413A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5621242A (en) * | 1994-05-16 | 1997-04-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package having support film formed on inner leads |
| JP2010129985A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Nichia Corp | 半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040311 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040323 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20040405 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040405 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080604 |
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