JPH0546270Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、半導体素子を基板上に実装し、そ
の後半導体素子をプラスチツク樹脂で封止し、半
導体素子を保護する実装方法に関する。

〔考案の概要〕

近年、半導体素子は高密度、高集積化により、
入出力端子数が増加する傾向にある。このような
要請に応え半導体素子の封止技術も多端子化に対
応する技術が開発されはじめている。本考案はそ
の多端子化対応のプラスチツクパツケージの封止
構造に関しなされたもので、半導体素子をフイル
ムキヤリヤ方式により接合した後、トランスフア
ーモールドによりプラスチツク樹脂封止する構造
に関する。

〔従来の技術〕

従来のプラスチツクパツケージは、リードフレ
ーム上に半導体素子をダイボンドし、半導体素子
のアルミパツドと、リードフレームのボンデング
ポスト間を金やアルミニウムの細線で接続した
後、トランスフアーモールドされていたが、リー
ドフレームのボンデングポストのピツチが約
250μm以下にできず、この為、多ピン化になると
半導体素子が大きくなるという欠点があつた。こ
の欠点を取り除く為、最近、第３図に示すような
リードフレーム方式からテープキヤリヤ方式に移
行しつつある。しかし、このテープキヤリヤ１の
方式による半導体素子４のプラスチツク樹脂５に
よる封止方法の多くは、液状のプラスチツク樹脂
を半導体素子の表面に塗布し、加熱硬化してい
た。

〔考案が解決しようとする課題〕 従来の製造方法で製造されたプラスチツクパツ
ケージは、高温高湿下に長時間放置すると半導体
素子表面のバツシベーシヨンのピンホール等の欠
陥からアルミ配線等に腐食が発生し、半導体素子
の機能が停止するという問題点があつた。

〔課題を解決するための手段〕

本考案は上記問題点を解決するため、封止方法
にトランスフアーモールド方法を用いてプラスチ
ツク樹脂で封止するものである。

〔作用〕

プラスチツク樹脂封止をトランスフアーモール
ドにしたことにより、封止樹脂の高密度化により
高温高湿下において、長時間放置しても故障の少
ない半導体素子の実装が可能となつた。

〔実施例〕

以下に本考案の実施例を図面に基づいて説明す
る。第１図は本考案によるフイルムキヤリヤの基
板の平面図で、第２図は本考案におけるトランス
フアーモールド時の状態を示す断面図で、第３図
は従来のプラスチツク樹脂封止構造の断面図であ
る。

第１図において、図示は省略して１個で示した
が、フイルムキヤリヤよりなる基板１の上に設置
された電極パターン２の先端部２′と、半導体素
子４を熱圧着例えば金錫共晶により接合後したも
のである。次に第２図の断面図で示すように、ト
ランスフアーモールド型の下型８に前記基板１を
セツトして上型７をクランプする。プリヒートし
た封止樹脂５をポツトにセツト（図示省略）し、
液化た封止樹脂５をプランジヤー（図示省略）で
押し出し、上型７に設けたゲート６から基板開孔
部３′に注入し、半導体素子４を封止樹脂５でモ
ールドする。この時、液化した封止樹脂５が、半
導体素子４の上側と下側に均一に流動しないと、
半導体素子４が傾いてしまい、電極パターン２の
先端部分と半導体素子４のエツジ部がシヨートす
る。また極端な場合には半導体素子４の一方向
が、上型７もしくは下型８と接してしまい、パツ
ケージの外側から半導体素子４が見えてしまうと
いう不具合を生ずる。そこで本考案ではこの不具
合をなくす為に、基板開孔部３′を設け、上型７
に施したゲート６から注入された封止樹脂５は、
この基板開孔部３′に沿つて注入され、上型７と
下型８に均一に流動するようにした。

また上型７と下型８に注入された封止樹脂５は
型内を充填するがコーナー部に気泡が発生する。
この気泡を取り除く為、基板開孔部３″を１個所
以上設置し、その先の上型７もしくは下型８に気
泡溜り（図示せず）を配設することにより封止部
分における気泡の発生が防止できる。さらに前記
上型７と下型８の間に均一に封止樹脂５が流動す
ることを加速する効果がある。

封止樹脂５をモールドした後、第１図に示す４
隅のＡ−A′部分をプレスで切断し、フイルムキ
ヤリヤ方式のトランスフアーモールドパツケージ
ができあがる。

尚、基板開孔部３は、パツケージの基板への実
装のため設置したものであり、基板開孔部３′お
よび基板開孔部３″は封止樹脂外径部５′より内側
まで開孔されていなければならない。以上の実施
例はトランスフアーモールドについて説明した
が、他の射出成型においても同様に行うことがで
きる。

〔考案の効果〕

本考案は、以上説明したように製造されるの
で、封止樹脂５が、半導体素子４の上下に均一に
充填され、トランスフアーモールドの成型圧力に
より、封止樹脂５の密度が高くなり、また電極パ
ターン２との接合性もよく高温高湿下に長時間放
置しても、故障の少ない信頼性の高い半導体素子
４の実装が可能となつた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の基板の平面図、第２図は本考
案のトランスフアーモールド状態のＢ−B′の切
り口で示す断面図、第３図は従来のプラスチツク
樹脂封止構造の一つの例を示す断面図である。 １……基板、２……電極パターン、３……基板
開孔部、３′……基板開孔部（ゲート部分）、３″
……基板開孔部（気泡逃げ部分）、４……半導体
素子、５……封止樹脂、６……ゲート、７……上
型、８……下型。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 半導体素子をフイルムキヤリヤよりなる高分子
   基板上に接続配線を介して固定し、トランスフア
   ーモールドや、射出成型でプラスチツク封止する
   構造において、封止される四角形の４隅の１個所
   に樹脂を注入するゲートを設置し、残りの少なく
   とも１個所以上の隅にエアー逃げ部を設け、ゲー
   ト部分およびエアー逃げ部分に対応するフイルム
   キヤリヤに開孔部を設けた事を特徴とするプラス
   チツクパツケージの構造。