JPH05226934A - 広帯域電圧制御発振器 - Google Patents
広帯域電圧制御発振器Info
- Publication number
- JPH05226934A JPH05226934A JP4059754A JP5975492A JPH05226934A JP H05226934 A JPH05226934 A JP H05226934A JP 4059754 A JP4059754 A JP 4059754A JP 5975492 A JP5975492 A JP 5975492A JP H05226934 A JPH05226934 A JP H05226934A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- gate
- circuit
- voltage
- controlled oscillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 発振周波数が広帯域にわたり、その出力電力
が制御可能であるとともに、モノリシックマイクロ波集
積回路化を可能にする。 【構成】 一個のＦＥＴ１４と、該ＦＥＴのゲート端子
及びソース端子に、それぞれ接続されるインダクタ１
７，１８とバラクタ１５，１６とで形成される回路とか
らなる発振部１１と、該発振部の前記ＦＥＴの出力側に
接続される低インピーダンス回路３０と一個のデュアル
ゲートＦＥＴ３１を有する増幅回路３２とからなる整合
回路１２とから構成され、前記バラクタへの逆印加電圧
を変えて、広帯域にわたり発振周波数を変化させるとと
もに、前記デュアルゲートＦＥＴの第２ゲートへの利得
制御電圧を変えて出力電力を制御する。
が制御可能であるとともに、モノリシックマイクロ波集
積回路化を可能にする。 【構成】 一個のＦＥＴ１４と、該ＦＥＴのゲート端子
及びソース端子に、それぞれ接続されるインダクタ１
７，１８とバラクタ１５，１６とで形成される回路とか
らなる発振部１１と、該発振部の前記ＦＥＴの出力側に
接続される低インピーダンス回路３０と一個のデュアル
ゲートＦＥＴ３１を有する増幅回路３２とからなる整合
回路１２とから構成され、前記バラクタへの逆印加電圧
を変えて、広帯域にわたり発振周波数を変化させるとと
もに、前記デュアルゲートＦＥＴの第２ゲートへの利得
制御電圧を変えて出力電力を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は広帯域電圧制御発振器に
関し、特に計測器のほか、レーダ、衛星放送受信機など
に使用される電圧制御発振器（ＶＣＯ）に関する。
関し、特に計測器のほか、レーダ、衛星放送受信機など
に使用される電圧制御発振器（ＶＣＯ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の広帯域電圧制御発振器と
しては、例えば図２の構成図に示すものがある。この発
振器Ｇは、発振器部１、整合回路（１／４波長変換器）
部２、広帯域増幅器部３及び可変減衰器部４とから構成
されており、これらはそれぞれ独立に設計されていた。
しては、例えば図２の構成図に示すものがある。この発
振器Ｇは、発振器部１、整合回路（１／４波長変換器）
部２、広帯域増幅器部３及び可変減衰器部４とから構成
されており、これらはそれぞれ独立に設計されていた。
【０００３】すなわち、広帯域発振器を有する発振部１
と、その整合回路２と、それから得られた発振出力を増
幅する回路を有する広帯域増幅器部３と、その出力電力
を調整する減衰回路を有する可変減衰器部４との四個の
独立した構成ユニットを相互に接続して使用されてい
た。
と、その整合回路２と、それから得られた発振出力を増
幅する回路を有する広帯域増幅器部３と、その出力電力
を調整する減衰回路を有する可変減衰器部４との四個の
独立した構成ユニットを相互に接続して使用されてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の広帯域電圧制御発振器Ｇにあっては、各構成
ユニットにおける部品点数が多く、全体としての小型
化、低価格化にあたり、不利であるとともに、モノリシ
ックマイクロ波集積回路（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃｍｉｃ
ｒｏｗａｖｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉ
ｔ）化することが困難であるという問題点があった。
うな従来の広帯域電圧制御発振器Ｇにあっては、各構成
ユニットにおける部品点数が多く、全体としての小型
化、低価格化にあたり、不利であるとともに、モノリシ
ックマイクロ波集積回路（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃｍｉｃ
ｒｏｗａｖｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉ
ｔ）化することが困難であるという問題点があった。
【０００５】本発明はかかる点に鑑みなされたもので、
その目的は前記問題点を解消し、発振周波数が広帯域に
わたり、かつその出力電力が制御可能であるとともに、
モノリシックマイクロ波集積回路化できる広帯域電圧制
御発振器を提供することにある。
その目的は前記問題点を解消し、発振周波数が広帯域に
わたり、かつその出力電力が制御可能であるとともに、
モノリシックマイクロ波集積回路化できる広帯域電圧制
御発振器を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明の広帯域電圧制御発振器の構成は、一個の電界
効果トランジスタ（以下、単にＦＥＴという）と、該Ｆ
ＥＴのゲート端子及びソース端子に、それぞれ接続され
るインダクタとバラクタとの直列回路とからなり、該バ
ラクタにその静電容量を変えるための逆印加電圧が加え
られるようにされた発振部と、該発振部の前記ＦＥＴの
出力側に接続される、抵抗器とインダクタとで形成され
る低インピーダンス回路と、一個のデュアルゲートＦＥ
Ｔを有する増幅回路とからなり、該デュアルゲートＦＥ
Ｔの第２ゲートに利得制御電圧が加えられるようにされ
た整合回路とから構成される。
の本発明の広帯域電圧制御発振器の構成は、一個の電界
効果トランジスタ（以下、単にＦＥＴという）と、該Ｆ
ＥＴのゲート端子及びソース端子に、それぞれ接続され
るインダクタとバラクタとの直列回路とからなり、該バ
ラクタにその静電容量を変えるための逆印加電圧が加え
られるようにされた発振部と、該発振部の前記ＦＥＴの
出力側に接続される、抵抗器とインダクタとで形成され
る低インピーダンス回路と、一個のデュアルゲートＦＥ
Ｔを有する増幅回路とからなり、該デュアルゲートＦＥ
Ｔの第２ゲートに利得制御電圧が加えられるようにされ
た整合回路とから構成される。
【０００７】そして、前記バラクタへの逆印加電圧を変
えて広帯域にわたり発振周波数を変化させるとともに、
前記デュアルゲートＦＥＴの第２ゲートへの利得制御電
圧を変えて出力電力を制御することを特徴とする。
えて広帯域にわたり発振周波数を変化させるとともに、
前記デュアルゲートＦＥＴの第２ゲートへの利得制御電
圧を変えて出力電力を制御することを特徴とする。
【０００８】
【作用】以上のように本発明は構成されているので、発
振部の前記ＦＥＴのゲート端子及びソース端子に、それ
ぞれ接続された前記バラクタに加えられる逆印加電圧を
変えて発振周波数を広帯域に変化させる。他方、整合回
路の前記デュアルゲートＦＥＴの第２ゲートに加えられ
る利得制御電圧を変えて、出力電力を制御する。
振部の前記ＦＥＴのゲート端子及びソース端子に、それ
ぞれ接続された前記バラクタに加えられる逆印加電圧を
変えて発振周波数を広帯域に変化させる。他方、整合回
路の前記デュアルゲートＦＥＴの第２ゲートに加えられ
る利得制御電圧を変えて、出力電力を制御する。
【０００９】従って、広帯域にわたって出力電力平坦度
に優れ、しかも、広いダイナミックレンジの出力制御特
性を得ることができる。
に優れ、しかも、広いダイナミックレンジの出力制御特
性を得ることができる。
【００１０】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の好適な実施例
を例示的に詳しく説明する。図１は本発明の広帯域電圧
制御発振器の一実施例を示す構成回路図であり、該発振
器１０は発振部１１と整合回路部１２とから構成されて
おり、該整合回路部１２の負荷として５０Ω負荷抵抗器
１３が接続されている。
を例示的に詳しく説明する。図１は本発明の広帯域電圧
制御発振器の一実施例を示す構成回路図であり、該発振
器１０は発振部１１と整合回路部１２とから構成されて
おり、該整合回路部１２の負荷として５０Ω負荷抵抗器
１３が接続されている。
【００１１】図１において、発振部１１は、発振用能動
素子としてのＦＥＴ１４と、該ＦＥＴ１４のゲート端子
及びソース端子には、それぞれ発振周波数可変用のバラ
クタ（所謂、可変容量ダイオード）１５，１６と、該バ
ラクタ１５，１６とともに発振周波数を決定するゲート
インダクタ１７、ソースインダクタ１８との直列回路が
接続されている。
素子としてのＦＥＴ１４と、該ＦＥＴ１４のゲート端子
及びソース端子には、それぞれ発振周波数可変用のバラ
クタ（所謂、可変容量ダイオード）１５，１６と、該バ
ラクタ１５，１６とともに発振周波数を決定するゲート
インダクタ１７、ソースインダクタ１８との直列回路が
接続されている。
【００１２】前記バラクタ１５，１６に並列に付加され
た補償インダクタ１９，２０は、周波数補正及び広帯域
化を行なうと同時に、前記バラクタ１５，１６及びＦＥ
Ｔ１４のバイアスコイルの働きをかねている。前記バラ
クタ１５，１６への静電容量を変えるための制御電圧
は、逆印加電圧入力端子２１から加えられる。なお、２
２，２３，２４，２５は直流阻止コンデンサである。
た補償インダクタ１９，２０は、周波数補正及び広帯域
化を行なうと同時に、前記バラクタ１５，１６及びＦＥ
Ｔ１４のバイアスコイルの働きをかねている。前記バラ
クタ１５，１６への静電容量を変えるための制御電圧
は、逆印加電圧入力端子２１から加えられる。なお、２
２，２３，２４，２５は直流阻止コンデンサである。
【００１３】前記整合回路１２は、前記発振部１１のＦ
ＥＴ１４の出力側に接続される低インピーダンス回路３
０と、デュアルゲートＦＥＴ３１を有する増幅回路３２
とからなる。
ＥＴ１４の出力側に接続される低インピーダンス回路３
０と、デュアルゲートＦＥＴ３１を有する増幅回路３２
とからなる。
【００１４】前記低インピーダンス回路３０は、橋絡抵
抗器３３、終端抵抗器３４及びＴ型に接続された３個の
インダクタ３５，３６，３７からなり、前記増幅回路３
２は、能動素子としての前記デュアルゲートＦＥＴ３１
のほか、利得調整用インダクタ３８、直流阻止コンデン
サ３９とからなる。
抗器３３、終端抵抗器３４及びＴ型に接続された３個の
インダクタ３５，３６，３７からなり、前記増幅回路３
２は、能動素子としての前記デュアルゲートＦＥＴ３１
のほか、利得調整用インダクタ３８、直流阻止コンデン
サ３９とからなる。
【００１５】前記デュアルゲートＦＥＴ３１への利得制
御電圧は、第２ゲート電圧入力端子４０から加えられ
る。
御電圧は、第２ゲート電圧入力端子４０から加えられ
る。
【００１６】次に、その動作について説明すると、発振
部１１の発振周波数は、前記バラクタ１５，１６への逆
印加電圧を変えてその共振回路の静電容量を変化させ、
それにより広帯域にわたって変化する。すなわち、前記
バラクタ１５，１６の可変容量の変化範囲が広いほど、
広帯域な発振周波数範囲が得られる。
部１１の発振周波数は、前記バラクタ１５，１６への逆
印加電圧を変えてその共振回路の静電容量を変化させ、
それにより広帯域にわたって変化する。すなわち、前記
バラクタ１５，１６の可変容量の変化範囲が広いほど、
広帯域な発振周波数範囲が得られる。
【００１７】前記バラクタ１５，１６として、例えばＧ
ａＡｓハイパーアブラプトバラクタを採用すれば、その
容量可変範囲が大きく、１０対１の変化比が得られる広
帯域発振が実現できる。
ａＡｓハイパーアブラプトバラクタを採用すれば、その
容量可変範囲が大きく、１０対１の変化比が得られる広
帯域発振が実現できる。
【００１８】整合回路１２の低インピーダンス回路３０
は、その入力インピーダンスＺｍを前記発振部１１の出
力インピーダンスＺｄと、広い発振周波数帯域にわたっ
て整合がとれるように、橋絡抵抗器３３、終端抵抗器３
４及び３個のインダクタ３５，３６，３７は最適に設計
されている。
は、その入力インピーダンスＺｍを前記発振部１１の出
力インピーダンスＺｄと、広い発振周波数帯域にわたっ
て整合がとれるように、橋絡抵抗器３３、終端抵抗器３
４及び３個のインダクタ３５，３６，３７は最適に設計
されている。
【００１９】前記低インピーダンス回路３０に後続する
増幅回路３２は、前記発振周波数を電力増幅する作用を
有し、特にデュアルゲートＦＥＴ３１の第２ゲートに加
えられる利得制御電圧を変えることにより、該増幅回路
３２の利得が該制御電圧に応じて変化し、前記負荷抵抗
器１３に所要の発振電力を出力することができる。
増幅回路３２は、前記発振周波数を電力増幅する作用を
有し、特にデュアルゲートＦＥＴ３１の第２ゲートに加
えられる利得制御電圧を変えることにより、該増幅回路
３２の利得が該制御電圧に応じて変化し、前記負荷抵抗
器１３に所要の発振電力を出力することができる。
【００２０】ここで、前記デュアルゲートＦＥＴ３１
は、二個のシングルゲートＦＥＴのカスケード接続した
ものと等価であり、第２ゲートは後段のシングルゲート
ＦＥＴのゲートの役割をする。従って、前記第２ゲート
に加えられる電圧を変えると、後段のシンルゲートＦＥ
Ｔの利得が変わり、デュアルゲートＦＥＴ全体の利得が
調整されることになる。
は、二個のシングルゲートＦＥＴのカスケード接続した
ものと等価であり、第２ゲートは後段のシングルゲート
ＦＥＴのゲートの役割をする。従って、前記第２ゲート
に加えられる電圧を変えると、後段のシンルゲートＦＥ
Ｔの利得が変わり、デュアルゲートＦＥＴ全体の利得が
調整されることになる。
【００２１】なお、本発明の技術は前記実施例における
技術に限定されるものではなく、同様な機能を果す他の
態様の手段によってもよく、また本発明の技術は前記構
成の範囲内において種々の変更、付加が可能である。
技術に限定されるものではなく、同様な機能を果す他の
態様の手段によってもよく、また本発明の技術は前記構
成の範囲内において種々の変更、付加が可能である。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明の
広帯域電圧制御発振器によれば、発振部のＦＥＴのゲー
ト端子及びソース端子に、それぞれインダクタとバラク
タとで形成される回路を接続し、整合回路部の増幅素子
にデュアルゲートＦＥＴを採用し、前記バラクタに加え
られる逆印加電圧を変えて発振周波数を広帯域に変化さ
せるとともに、前記デュアルゲートＦＥＴの第２ゲート
に加えられる利得制御電圧を変えて、発振出力電力を制
御する。
広帯域電圧制御発振器によれば、発振部のＦＥＴのゲー
ト端子及びソース端子に、それぞれインダクタとバラク
タとで形成される回路を接続し、整合回路部の増幅素子
にデュアルゲートＦＥＴを採用し、前記バラクタに加え
られる逆印加電圧を変えて発振周波数を広帯域に変化さ
せるとともに、前記デュアルゲートＦＥＴの第２ゲート
に加えられる利得制御電圧を変えて、発振出力電力を制
御する。
【００２３】又、前記発振部及び整合回路部を構成する
各部品は小型化できるので、モノリシックマイクロ波集
積回路化に極めて有利である。
各部品は小型化できるので、モノリシックマイクロ波集
積回路化に極めて有利である。
【図１】本発明の広帯域電圧制御発振器の一実施例を示
す構成回路図である。
す構成回路図である。
【図２】従来の広帯域電圧制御発振器の構成図である。
１０ 広帯域電圧制御発振器 １１ 発振部 １２ 整合回路部 １４ ＦＥＴ（電界効果トランジスタ） １５，１６ バラクタ（可変容量ダイオード） １７，１８，３５，３６，３７ インダクタ ２１ 逆印加電圧入力端子 ３０ 低インピーダンス回路 ３１ デュアルゲートＦＥＴ ３２ 増幅回路 ３３，３４ 抵抗器 ４０ 第２ゲート電圧入力端子
Claims (1)
- 【請求項１】 一個の電界効果トランジスタ（以下、単
にＦＥＴという）と、該ＦＥＴのゲート端子及びソース
端子に、それぞれ接続ささるインダクタとバラクタとで
形成される回路とからなり、該バラクタにその静電容量
を変えるための逆印加電圧が加えられるようにされた発
振部と、 該発振部の前記ＦＥＴの出力側に接続される、抵抗器と
インダクタとで形成される低インピーダンス回路と、一
個のデュアルゲートＦＥＴを有する増幅回路とからな
り、該デュアルゲートＦＥＴの第２ゲートに利得制御電
圧が加えられるようにされた整合回路とから構成され、 前記バラクタへの逆印加電圧を変えて、広帯域にわたり
発振周波数を変化させるとともに、前記デュアルゲート
ＦＥＴの第２ゲートへの利得制御電圧を変えて、出力電
力を制御することを特徴とする広帯域電圧制御発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4059754A JPH05226934A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 広帯域電圧制御発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4059754A JPH05226934A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 広帯域電圧制御発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226934A true JPH05226934A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=13122363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4059754A Pending JPH05226934A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 広帯域電圧制御発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226934A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08242133A (ja) * | 1995-03-06 | 1996-09-17 | Nec Corp | 発振器 |
| KR100354241B1 (ko) * | 1999-01-05 | 2002-09-26 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 전압제어발진기 |
-
1992
- 1992-02-14 JP JP4059754A patent/JPH05226934A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08242133A (ja) * | 1995-03-06 | 1996-09-17 | Nec Corp | 発振器 |
| KR100354241B1 (ko) * | 1999-01-05 | 2002-09-26 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 전압제어발진기 |
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