JPH0521655A - 半導体装置および半導体装置用パツケージ - Google Patents
半導体装置および半導体装置用パツケージInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄型化かつ軽量化された樹脂パッケージを有
する半導体装置において、遮光性が十分に保証された半
導体装置を提供することともに、薄型半導体装置の遮光
性を十分に保証できる半導体装置用パッケージを提供す
る。 【構成】 半導体チップ２が、遮光性を有する樹脂パッ
ケージ１で直接被覆された半導体装置１０において、樹
脂パッケージ１上に遮光のための膜５をさらに備える半
導体装置。
する半導体装置において、遮光性が十分に保証された半
導体装置を提供することともに、薄型半導体装置の遮光
性を十分に保証できる半導体装置用パッケージを提供す
る。 【構成】 半導体チップ２が、遮光性を有する樹脂パッ
ケージ１で直接被覆された半導体装置１０において、樹
脂パッケージ１上に遮光のための膜５をさらに備える半
導体装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置または半
導体装置用パッケージに関し、特に、半導体チップを光
から保護するための半導体装置の改良に関する。
導体装置用パッケージに関し、特に、半導体チップを光
から保護するための半導体装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、多くの場合、半導体チップは成形
された樹脂で直接封止され、半導体装置として製品化さ
れる。半導体チップを覆うため、主としてエポキシ樹脂
が用いられ、必要に応じてカーボンブラック等の着色剤
およびフィラー等が樹脂に添加される。従来の半導体装
置において、このような樹脂材料は半導体チップを光か
ら守っている。
された樹脂で直接封止され、半導体装置として製品化さ
れる。半導体チップを覆うため、主としてエポキシ樹脂
が用いられ、必要に応じてカーボンブラック等の着色剤
およびフィラー等が樹脂に添加される。従来の半導体装
置において、このような樹脂材料は半導体チップを光か
ら守っている。
【０００３】また、受光素子を有する半導体装置に関し
て、受光素子以外の部分へ光が照射されないようにする
遮光手段がいくつか報告されてきた。たとえば、特開昭
６２−２０５６４９は、受光素子とこれに接続されるＩ
Ｃが光を透過する樹脂で封止された半導体装置におい
て、受光素子に光を照射する窓を残して上記樹脂が遮光
性の塗料で覆われる半導体装置を開示している。特開平
１−１４７８５３は、フォトダイオード等の受光素子と
増幅回路が同一基板上に形成されたＩＣと、それを覆う
フォトレジストとがクリアモールドパッケージに封入さ
れた受光素子モジュールを開示している。このモジュー
ルにおいて、フレームは受光素子以外の部分に光が当た
らないようＩＣを覆う一方、受光素子に光を照射できる
よう窓を有している。特開平１−１５２６６４は、受光
素子内蔵集積回路ペレットが光を透過する樹脂パッケー
ジに封入された半導体装置において、受光素子に対応す
る位置に貫通孔を有するプレートを樹脂パッケージの表
面に密着させた半導体装置を開示している。このプレー
トは、たとえばＡｌにより形成され、光を遮断する。し
たがって、このプレートにより受光素子のみに光を照射
することができる。
て、受光素子以外の部分へ光が照射されないようにする
遮光手段がいくつか報告されてきた。たとえば、特開昭
６２−２０５６４９は、受光素子とこれに接続されるＩ
Ｃが光を透過する樹脂で封止された半導体装置におい
て、受光素子に光を照射する窓を残して上記樹脂が遮光
性の塗料で覆われる半導体装置を開示している。特開平
１−１４７８５３は、フォトダイオード等の受光素子と
増幅回路が同一基板上に形成されたＩＣと、それを覆う
フォトレジストとがクリアモールドパッケージに封入さ
れた受光素子モジュールを開示している。このモジュー
ルにおいて、フレームは受光素子以外の部分に光が当た
らないようＩＣを覆う一方、受光素子に光を照射できる
よう窓を有している。特開平１−１５２６６４は、受光
素子内蔵集積回路ペレットが光を透過する樹脂パッケー
ジに封入された半導体装置において、受光素子に対応す
る位置に貫通孔を有するプレートを樹脂パッケージの表
面に密着させた半導体装置を開示している。このプレー
トは、たとえばＡｌにより形成され、光を遮断する。し
たがって、このプレートにより受光素子のみに光を照射
することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、ノート型パーソ
ナルコンピュータおよび電子手帳の普及に伴って、ＩＣ
は小型化および薄型化が進められてきた。そして、ダイ
ナミックＲＡＭおよびＥＰＲＯＭ等のパッケージは、よ
り薄くかつ軽くされてきた。その結果、わずか１ｍｍ程
度の厚みしか有さないＴＳＯＰ（Thin Small Outline P
ackage）の実用化が相次いでいる。
ナルコンピュータおよび電子手帳の普及に伴って、ＩＣ
は小型化および薄型化が進められてきた。そして、ダイ
ナミックＲＡＭおよびＥＰＲＯＭ等のパッケージは、よ
り薄くかつ軽くされてきた。その結果、わずか１ｍｍ程
度の厚みしか有さないＴＳＯＰ（Thin Small Outline P
ackage）の実用化が相次いでいる。
【０００５】従来の半導体装置の樹脂パッケージは、光
を遮るため十分な厚みを有しているが、ＴＳＯＰを構成
する樹脂は薄く、このため光を半導体チップに到達させ
るおそれがあった。もし、光が樹脂を通過して半導体チ
ップに照射されると、ＲＯＭの場合、メモリの記憶内容
が消去されてしまうおそれがあり、またダイナミックＲ
ＡＭの場合、セル電荷のリークまたは回路部のリーク電
流の発生が誤動作をもたらすおそれがあった。誤動作の
程度は、光の強度および樹脂の厚みに依存するであろ
う。
を遮るため十分な厚みを有しているが、ＴＳＯＰを構成
する樹脂は薄く、このため光を半導体チップに到達させ
るおそれがあった。もし、光が樹脂を通過して半導体チ
ップに照射されると、ＲＯＭの場合、メモリの記憶内容
が消去されてしまうおそれがあり、またダイナミックＲ
ＡＭの場合、セル電荷のリークまたは回路部のリーク電
流の発生が誤動作をもたらすおそれがあった。誤動作の
程度は、光の強度および樹脂の厚みに依存するであろ
う。
【０００６】このような問題を解決するため、上述した
受光素子に関する技術を応用することができるが、いず
れの技術も、パッケージの薄型化および軽量化を保持し
ながら遮光を十分に保証するものではなかった。
受光素子に関する技術を応用することができるが、いず
れの技術も、パッケージの薄型化および軽量化を保持し
ながら遮光を十分に保証するものではなかった。
【０００７】この発明の目的は、薄型化かつ軽量化され
た樹脂パッケージを有する半導体装置において、遮光性
が十分に保証された半導体装置を提供することにある。
た樹脂パッケージを有する半導体装置において、遮光性
が十分に保証された半導体装置を提供することにある。
【０００８】また、この発明の他の目的は、ＴＳＯＰの
遮光性を十分に保証できる半導体装置用パッケージを提
供することにある。
遮光性を十分に保証できる半導体装置用パッケージを提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の発明に従って、半
導体チップが遮光性を有する樹脂で直接被覆された半導
体装置において、樹脂上に遮光のための膜をさらに備え
る半導体装置が提供される。ここで、樹脂は、たとえば
エポキシ系樹脂とすることができる。また、必要に応じ
てカーボンブラック等の着色剤およびフィラー等が樹脂
に添加されてもよい。
導体チップが遮光性を有する樹脂で直接被覆された半導
体装置において、樹脂上に遮光のための膜をさらに備え
る半導体装置が提供される。ここで、樹脂は、たとえば
エポキシ系樹脂とすることができる。また、必要に応じ
てカーボンブラック等の着色剤およびフィラー等が樹脂
に添加されてもよい。
【００１０】上記膜は、表面に金属が被覆され、かつ裏
面を黒色にしたシールとすることができる。この金属
は、たとえばアルミニウムまたは銀とすることができ
る。このシールは、半導体チップを封入した樹脂の表面
において、半導体チップを十分効果的に覆うよう、樹脂
上に張付けられるのが好ましい。シールは、樹脂表面全
体を実質的に覆ってもよいし、樹脂表面を部分的に覆っ
てもよい。また、半導体チップ上に堆積される樹脂の厚
みが２００μｍ以下であるか、または半導体装置自体の
厚みが１ｍｍ以下である場合、このようなシールは特に
遮光に関して顕著な役割を果たす。上記シールは、表面
で光を反射するとともに、裏面において光を吸収する。
このような二重の機構をシールに持たせることにより、
薄いシールで十分効果的な遮光を行なうことができる。
シールは嵩ばらず、かつ半導体装置の重量をさほど増加
させることもない。
面を黒色にしたシールとすることができる。この金属
は、たとえばアルミニウムまたは銀とすることができ
る。このシールは、半導体チップを封入した樹脂の表面
において、半導体チップを十分効果的に覆うよう、樹脂
上に張付けられるのが好ましい。シールは、樹脂表面全
体を実質的に覆ってもよいし、樹脂表面を部分的に覆っ
てもよい。また、半導体チップ上に堆積される樹脂の厚
みが２００μｍ以下であるか、または半導体装置自体の
厚みが１ｍｍ以下である場合、このようなシールは特に
遮光に関して顕著な役割を果たす。上記シールは、表面
で光を反射するとともに、裏面において光を吸収する。
このような二重の機構をシールに持たせることにより、
薄いシールで十分効果的な遮光を行なうことができる。
シールは嵩ばらず、かつ半導体装置の重量をさほど増加
させることもない。
【００１１】また、上記膜は、気相で堆積された金属ま
たはセラミックスの層とすることができる。このとき、
半導体チップ上に堆積される樹脂の厚みが２００μｍ以
下であるか、または半導体自身の厚みが１ｍｍ以下であ
ることが好ましい。上記金属層は、たとえばアルミニウ
ム層または銀層とすることができる。また、上記セラミ
ックス層は、たとえばアルミナまたはＳｉＯ2 から本質
的に構成することができる。金属またはセラミックス層
は、樹脂の表面全体に形成されてもよく、また、樹脂表
面において半導体チップを十分に覆うことができる部分
に形成されてもよい。気相において堆積された金属また
はセラミックスの層は、非常に薄いにもかかわらず、十
分効果的に光を遮断する。このような層は、半導体装置
の大きさを保ち、しかもその重量をさほど変化させな
い。
たはセラミックスの層とすることができる。このとき、
半導体チップ上に堆積される樹脂の厚みが２００μｍ以
下であるか、または半導体自身の厚みが１ｍｍ以下であ
ることが好ましい。上記金属層は、たとえばアルミニウ
ム層または銀層とすることができる。また、上記セラミ
ックス層は、たとえばアルミナまたはＳｉＯ2 から本質
的に構成することができる。金属またはセラミックス層
は、樹脂の表面全体に形成されてもよく、また、樹脂表
面において半導体チップを十分に覆うことができる部分
に形成されてもよい。気相において堆積された金属また
はセラミックスの層は、非常に薄いにもかかわらず、十
分効果的に光を遮断する。このような層は、半導体装置
の大きさを保ち、しかもその重量をさほど変化させな
い。
【００１２】さらに上記膜は、樹脂と異なる屈折率を有
する絶縁材料から形成することができる。このような絶
縁材料は、たとえば、樹脂と同一材料であって表面部が
他の部分よりもゲル化が進んだもの、樹脂と分子量の分
布または重合度が異なるもの、および樹脂と異なる材料
であってテトラヒドロフランまたは熱硬化樹脂を主成分
とするものを含む。絶縁材料の膜は、たとえば、同一材
料の場合、樹脂表面の部分的な加熱によるゲル化、異質
材料の場合、溶融された絶縁材料中に樹脂モールドを浸
漬した後取出して乾燥もしくは光硬化する方法、または
樹脂モールドに絶縁材料を塗布する方法等により、形成
することができる。このとき、絶縁材料は、樹脂表面全
体を被覆してもよいし、樹脂表面の一部を被覆してもよ
い。また、絶縁材料の膜は、樹脂モールド上に１層もう
けられてもよいし、異なる絶縁材料の膜が樹脂モールド
上に２層以上重ねられてもよい。絶縁材料および樹脂モ
ールドは、外からの光を屈折させ、光の侵入を妨げる。
また、屈折率の異なる材料を重ねることにより、光の透
過率を減少させることができる。加えて、絶縁材料中に
光を吸収するための材料が添加されてもよい。このよう
な材料は、たとえば、金属の酸化物、硫化物および塩、
フェロシアン化合物等の無機顔料ならびにアゾ系および
フタロシアニン系等の有機顔料などを含む。
する絶縁材料から形成することができる。このような絶
縁材料は、たとえば、樹脂と同一材料であって表面部が
他の部分よりもゲル化が進んだもの、樹脂と分子量の分
布または重合度が異なるもの、および樹脂と異なる材料
であってテトラヒドロフランまたは熱硬化樹脂を主成分
とするものを含む。絶縁材料の膜は、たとえば、同一材
料の場合、樹脂表面の部分的な加熱によるゲル化、異質
材料の場合、溶融された絶縁材料中に樹脂モールドを浸
漬した後取出して乾燥もしくは光硬化する方法、または
樹脂モールドに絶縁材料を塗布する方法等により、形成
することができる。このとき、絶縁材料は、樹脂表面全
体を被覆してもよいし、樹脂表面の一部を被覆してもよ
い。また、絶縁材料の膜は、樹脂モールド上に１層もう
けられてもよいし、異なる絶縁材料の膜が樹脂モールド
上に２層以上重ねられてもよい。絶縁材料および樹脂モ
ールドは、外からの光を屈折させ、光の侵入を妨げる。
また、屈折率の異なる材料を重ねることにより、光の透
過率を減少させることができる。加えて、絶縁材料中に
光を吸収するための材料が添加されてもよい。このよう
な材料は、たとえば、金属の酸化物、硫化物および塩、
フェロシアン化合物等の無機顔料ならびにアゾ系および
フタロシアニン系等の有機顔料などを含む。
【００１３】第２の発明に従って、半導体チップが遮光
性を有する樹脂で直接被覆された半導体装置において、
樹脂中に光を吸収する材料がさらに混合される半導体装
置が提供される。光を吸収するための材料は、たとえ
ば、金属の酸化物、硫化物および塩、フェロシアン化合
物等の無機顔料ならびにアゾ系およびフタロシアニン系
等の有機顔料などを含む。また、半導体チップ上に堆積
される樹脂の厚みが２００μｍ以下であるか、または半
導体装置自体の厚みが１ｍｍ以下である場合、特に吸収
剤は遮光に関して顕著な役割を果たす。吸収剤の添加に
より、樹脂モールドの遮光性はさらに向上させられる。
性を有する樹脂で直接被覆された半導体装置において、
樹脂中に光を吸収する材料がさらに混合される半導体装
置が提供される。光を吸収するための材料は、たとえ
ば、金属の酸化物、硫化物および塩、フェロシアン化合
物等の無機顔料ならびにアゾ系およびフタロシアニン系
等の有機顔料などを含む。また、半導体チップ上に堆積
される樹脂の厚みが２００μｍ以下であるか、または半
導体装置自体の厚みが１ｍｍ以下である場合、特に吸収
剤は遮光に関して顕著な役割を果たす。吸収剤の添加に
より、樹脂モールドの遮光性はさらに向上させられる。
【００１４】第３の発明に従って、半導体チップが遮光
性を有する樹脂で被覆された半導体装置において、半導
体チップの表面が黒色物質を混合したポリイミドで被覆
される半導体装置が提供される。黒色物質は、たとえば
炭素等を含む。黒色のポリイミド膜は、半導体チップを
保護するとともに、半導体チップを光から守る。
性を有する樹脂で被覆された半導体装置において、半導
体チップの表面が黒色物質を混合したポリイミドで被覆
される半導体装置が提供される。黒色物質は、たとえば
炭素等を含む。黒色のポリイミド膜は、半導体チップを
保護するとともに、半導体チップを光から守る。
【００１５】第４の発明に従って、半導体チップが樹脂
で被覆された半導体装置を遮光のため覆う半導体装置用
パッケージであって、配線基板上に実装された１つまた
は２つ以上の半導体装置を覆うことを特徴とする半導体
装置用パッケージが提供される。半導体チップ上に堆積
される樹脂の厚みが２００μｍ以下であるか、または半
導体装置自体の厚みが１ｍｍ以下である場合、このパッ
ケージは特に効果的である。パッケージは、たとえば、
樹脂、セラミックスまたは金属から形成することができ
る。パッケージは、配線基板上に実装された１つまたは
２つ以上の半導体装置を覆い、半導体装置を光から守
る。
で被覆された半導体装置を遮光のため覆う半導体装置用
パッケージであって、配線基板上に実装された１つまた
は２つ以上の半導体装置を覆うことを特徴とする半導体
装置用パッケージが提供される。半導体チップ上に堆積
される樹脂の厚みが２００μｍ以下であるか、または半
導体装置自体の厚みが１ｍｍ以下である場合、このパッ
ケージは特に効果的である。パッケージは、たとえば、
樹脂、セラミックスまたは金属から形成することができ
る。パッケージは、配線基板上に実装された１つまたは
２つ以上の半導体装置を覆い、半導体装置を光から守
る。
【００１６】
【作用】以上述べてきたように、第１の発明によれば、
表面で光を反射し、かつ裏面で光を吸収するシールが、
光を遮断して、半導体チップを保護する。第２の発明に
よれば、半導体チップは吸収剤が添加された樹脂モール
ドによって光から守られる。第３の発明によれば、半導
体チップは黒色のポリイミド膜により光から保護され
る。第４の発明によれば、パッケージが、配線基板上に
実装された半導体装置を覆い、光から守る。
表面で光を反射し、かつ裏面で光を吸収するシールが、
光を遮断して、半導体チップを保護する。第２の発明に
よれば、半導体チップは吸収剤が添加された樹脂モール
ドによって光から守られる。第３の発明によれば、半導
体チップは黒色のポリイミド膜により光から保護され
る。第４の発明によれば、パッケージが、配線基板上に
実装された半導体装置を覆い、光から守る。
【００１７】
【実施例】以下に第１の実施例について示す。図１を参
照して、半導体装置１０において、基板７上に設けられ
た半導体チップ２は、リード端子３にワイヤ４で接続さ
れ、かつ成形された樹脂パッケージ１内に封入されてい
る。樹脂パッケージ１は、カーボンブラックおよびフィ
ラーが添加されたエポキシ樹脂からなる。加えて、樹脂
パッケージ１の上面には遮光シール５が張られている。
半導体装置１０において、半導体チップ２の厚みｄ1 は
約４５０μｍ、基板７の厚みｄ2 は約１５０μｍ、チッ
プ上に堆積された樹脂の厚みｄ3は約２００μｍであ
る。また、樹脂パッケージ１の厚みＤは約１ｍｍであ
る。
照して、半導体装置１０において、基板７上に設けられ
た半導体チップ２は、リード端子３にワイヤ４で接続さ
れ、かつ成形された樹脂パッケージ１内に封入されてい
る。樹脂パッケージ１は、カーボンブラックおよびフィ
ラーが添加されたエポキシ樹脂からなる。加えて、樹脂
パッケージ１の上面には遮光シール５が張られている。
半導体装置１０において、半導体チップ２の厚みｄ1 は
約４５０μｍ、基板７の厚みｄ2 は約１５０μｍ、チッ
プ上に堆積された樹脂の厚みｄ3は約２００μｍであ
る。また、樹脂パッケージ１の厚みＤは約１ｍｍであ
る。
【００１８】図２を参照して、遮光シール５は、たとえ
ば、Ａｌ等の金属蒸着層１１、黒色に着色されたシリコ
ン系接着材層１２、およびポリエステルフィルムなどの
保護膜１３等を台紙１４上に積層して形成される。金属
蒸着層１１は光を反射し、かつ接着材層１２は光を吸収
する。シール５は、樹脂パッケージ１とともに外部から
の光の侵入を防ぐ。
ば、Ａｌ等の金属蒸着層１１、黒色に着色されたシリコ
ン系接着材層１２、およびポリエステルフィルムなどの
保護膜１３等を台紙１４上に積層して形成される。金属
蒸着層１１は光を反射し、かつ接着材層１２は光を吸収
する。シール５は、樹脂パッケージ１とともに外部から
の光の侵入を防ぐ。
【００１９】以下に第２の実施例について説明する。図
３を参照して、半導体装置２０は、遮光シールを除いて
実施例１に示す半導体装置と同様の構造および寸法を有
している。また、半導体装置２０の樹脂パッケージ１
は、第１の実施例と同様、カーボンブラックおよびフィ
ラーが添加されたエポキシ樹脂からなる。
３を参照して、半導体装置２０は、遮光シールを除いて
実施例１に示す半導体装置と同様の構造および寸法を有
している。また、半導体装置２０の樹脂パッケージ１
は、第１の実施例と同様、カーボンブラックおよびフィ
ラーが添加されたエポキシ樹脂からなる。
【００２０】一方、樹脂パッケージ１の上面には、ＣＶ
Ｄによりアルミナ層２１が形成されている。アルミナ層
２１の厚みは約１００μｍである。半導体装置の厚みを
増加させないため、アルミナ層２１の厚みは１００μｍ
以下がより好ましい。アルミナ層２１は外からの光を遮
断する。なお、アルミナの代わりに、ＳｉＯ2 等のセラ
ミックス、またはＡｌ、ＡｇおよびＷ等の金属をパッケ
ージ上に堆積させてもよい。ただし、金属を蒸着させる
場合、リード端子と金属膜とが接触しないよう留意しな
ければならない。
Ｄによりアルミナ層２１が形成されている。アルミナ層
２１の厚みは約１００μｍである。半導体装置の厚みを
増加させないため、アルミナ層２１の厚みは１００μｍ
以下がより好ましい。アルミナ層２１は外からの光を遮
断する。なお、アルミナの代わりに、ＳｉＯ2 等のセラ
ミックス、またはＡｌ、ＡｇおよびＷ等の金属をパッケ
ージ上に堆積させてもよい。ただし、金属を蒸着させる
場合、リード端子と金属膜とが接触しないよう留意しな
ければならない。
【００２１】以下に第３の実施例について示す。図４を
参照して、半導体装置３０は、遮光シールを除いて第１
の実施例に示す半導体装置と同様の構造および寸法を有
している。また、半導体装置３０の樹脂パッケージ１
は、実施例１と同様の材料から構成されている。一方、
樹脂パッケージ１の表面は、ほぼ全面的に、樹脂パッケ
ージと同一材料であってゲル化が促進されたものからな
る膜３１により被われている。膜３１は、少なくともそ
の表面において、加熱によりゲル化が促進されている。
なお膜３１は、樹脂パッケージと異なる材料、たとえば
ポリエステル樹脂から構成することができる。この場
合、溶解されたポリエステル液に、樹脂パッケージ１を
浸漬し、かつ硬化および乾燥することによって膜３１は
形成される。膜３１は、パッケージ樹脂と異なる屈折率
を有し、光の侵入を防止するため効果的に作用する。
参照して、半導体装置３０は、遮光シールを除いて第１
の実施例に示す半導体装置と同様の構造および寸法を有
している。また、半導体装置３０の樹脂パッケージ１
は、実施例１と同様の材料から構成されている。一方、
樹脂パッケージ１の表面は、ほぼ全面的に、樹脂パッケ
ージと同一材料であってゲル化が促進されたものからな
る膜３１により被われている。膜３１は、少なくともそ
の表面において、加熱によりゲル化が促進されている。
なお膜３１は、樹脂パッケージと異なる材料、たとえば
ポリエステル樹脂から構成することができる。この場
合、溶解されたポリエステル液に、樹脂パッケージ１を
浸漬し、かつ硬化および乾燥することによって膜３１は
形成される。膜３１は、パッケージ樹脂と異なる屈折率
を有し、光の侵入を防止するため効果的に作用する。
【００２２】以下に第４の実施例について説明する。図
５を参照して、半導体装置４０において、基板７上に設
けられた半導体チップ２は、リード端子３にワイヤ４で
接続され、かつ成形された樹脂パッケージ４１内に封入
されている。樹脂パッケージ４１は、カーボンブラック
の他に紫外から赤外領域までの範囲の光を吸収する黒色
の酸化鉄またはアニリンブラックを全体にわたって均一
に含有する。なお、樹脂パッケージ４１は、金属の酸化
物、硫化物および塩、フェロシアン化合物等の無機顔料
ならびにアゾ系およびフタロシアニン系等の有機顔料の
少なくとも１つを含むことができる。
５を参照して、半導体装置４０において、基板７上に設
けられた半導体チップ２は、リード端子３にワイヤ４で
接続され、かつ成形された樹脂パッケージ４１内に封入
されている。樹脂パッケージ４１は、カーボンブラック
の他に紫外から赤外領域までの範囲の光を吸収する黒色
の酸化鉄またはアニリンブラックを全体にわたって均一
に含有する。なお、樹脂パッケージ４１は、金属の酸化
物、硫化物および塩、フェロシアン化合物等の無機顔料
ならびにアゾ系およびフタロシアニン系等の有機顔料の
少なくとも１つを含むことができる。
【００２３】以下に第５の実施例について述べる。図６
を参照して、半導体装置５０において、基板７上の半導
体チップ６２の表面は、カーボンブラックが添加された
ポリイミドからなる吸収層６１により被覆されている。
半導体チップ６２は、たとえば図７に示すような構造を
有する。ｐ型シリコン基板５１中には、Ｎ+ 拡散層５２
が形成され、基板５１の上には、酸化膜５３、セルプレ
ート５４、スムースコート５５、ビット線５６、ナイト
ライドコート５７、およびワード線５９が形成されてい
る。ナイトライドコート５７上に吸収層６１が形成され
る。吸収層６１は、赤外光以下の波長を有する光を効果
的に吸収することができる。吸収層６１により、外から
の光の侵入はさらに食い止められる。
を参照して、半導体装置５０において、基板７上の半導
体チップ６２の表面は、カーボンブラックが添加された
ポリイミドからなる吸収層６１により被覆されている。
半導体チップ６２は、たとえば図７に示すような構造を
有する。ｐ型シリコン基板５１中には、Ｎ+ 拡散層５２
が形成され、基板５１の上には、酸化膜５３、セルプレ
ート５４、スムースコート５５、ビット線５６、ナイト
ライドコート５７、およびワード線５９が形成されてい
る。ナイトライドコート５７上に吸収層６１が形成され
る。吸収層６１は、赤外光以下の波長を有する光を効果
的に吸収することができる。吸収層６１により、外から
の光の侵入はさらに食い止められる。
【００２４】次に第６の実施例について説明する。図８
を参照して、配線基板８７上に実装された半導体装置８
０は、パッケージ８１により覆われる。パッケージ８１
は、エポキシ樹脂で形成され、基板８７に接着される。
半導体装置８０は、遮光シールを除いて第１の実施例で
示したと同様の構造および寸法を有する。
を参照して、配線基板８７上に実装された半導体装置８
０は、パッケージ８１により覆われる。パッケージ８１
は、エポキシ樹脂で形成され、基板８７に接着される。
半導体装置８０は、遮光シールを除いて第１の実施例で
示したと同様の構造および寸法を有する。
【００２５】半導体装置を覆うためのパッケージは、図
９に示すように１つの装置を覆ってもよいし（図９のパ
ッケージ９１ａ）、複数の装置を覆ってもよい（図９の
パッケージ９１ｂ）。なお、パッケージの材料は、上記
エポキシ樹脂に限定されず、たとえばシリコーン樹脂等
の他の樹脂、アルミナ等のセラミックスならびに金属等
を含む。また、パッケージを樹脂で形成する場合、樹脂
中に光を吸収および／または反射する材料を混合するこ
とができる。
９に示すように１つの装置を覆ってもよいし（図９のパ
ッケージ９１ａ）、複数の装置を覆ってもよい（図９の
パッケージ９１ｂ）。なお、パッケージの材料は、上記
エポキシ樹脂に限定されず、たとえばシリコーン樹脂等
の他の樹脂、アルミナ等のセラミックスならびに金属等
を含む。また、パッケージを樹脂で形成する場合、樹脂
中に光を吸収および／または反射する材料を混合するこ
とができる。
【００２６】なお、上記実施例において、樹脂パッケー
ジ中に、無機顔料または有機顔料で着色されたシリカを
混合することによって、遮光性能を向上させることがで
きる。
ジ中に、無機顔料または有機顔料で着色されたシリカを
混合することによって、遮光性能を向上させることがで
きる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明してきたように、第１〜第３の
発明に従えば、薄型化かつ軽量化された半導体装置の重
量およびサイズをほとんど変えることなく、遮光が補強
され、信頼性のより高い半導体装置を提供することがで
きる。また、第４の発明に従えば、配線基板に実装され
た半導体装置について、遮光を行ない、信頼性を向上さ
せることができる。以上の発明によれば、ダイナミック
ＲＡＭの光による誤動作、ならびにＲＯＭの光によるメ
モリ消去等のおそれがなくなる。
発明に従えば、薄型化かつ軽量化された半導体装置の重
量およびサイズをほとんど変えることなく、遮光が補強
され、信頼性のより高い半導体装置を提供することがで
きる。また、第４の発明に従えば、配線基板に実装され
た半導体装置について、遮光を行ない、信頼性を向上さ
せることができる。以上の発明によれば、ダイナミック
ＲＡＭの光による誤動作、ならびにＲＯＭの光によるメ
モリ消去等のおそれがなくなる。
【図１】第１の実施例としての半導体装置の概略を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】第１の実施例において使用される遮光シールの
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図３】第２の実施例としての半導体装置の概略を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】第３の実施例としての半導体装置の概略を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】第４の実施例としての半導体装置の概略を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】第５の実施例としての半導体装置の概略を示す
断面図である。
断面図である。
【図７】第５の実施例の半導体チップの構造についてそ
の概略を示す断面図である。
の概略を示す断面図である。
【図８】第６の実施例としての半導体装置用パッケージ
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図９】第６の実施例においてパッケージが半導体装置
を覆う様子を示す平面図である。
を覆う様子を示す平面図である。
１、４１ 樹脂パッケージ
２、６２ 半導体チップ
５ 遮光シール
２１ アルミナ層
３１ 膜
６１ 吸収層
８１ パッケージ
なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成４年２月２１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、ノート型パーソ
ナルコンピュータおよび電子手帳の普及に伴って、ＩＣ
は小型化および薄型化が進められたきた。そして、ダイ
ナミックＲＡＭおよびワンタイムＰＲＯＭ等のパッケー
ジは、より薄くかつ軽くされてきた。その結果、わずか
１ｍｍ程度の厚みしか有さないＴＳＯＰ（Thin Small O
utline Package）の実用化が相次いでいる。
ナルコンピュータおよび電子手帳の普及に伴って、ＩＣ
は小型化および薄型化が進められたきた。そして、ダイ
ナミックＲＡＭおよびワンタイムＰＲＯＭ等のパッケー
ジは、より薄くかつ軽くされてきた。その結果、わずか
１ｍｍ程度の厚みしか有さないＴＳＯＰ（Thin Small O
utline Package）の実用化が相次いでいる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】従来の半導体装置の樹脂パッケージは、光
を遮るため十分な厚みを有しているが、ＴＳＯＰを構成
する樹脂は薄く、このため光を半導体チップに到達させ
るおそれがあった。もし、光が樹脂を通過して半導体チ
ップに照射されると、フローティングゲート構造を有す
るＲＯＭの場合、メモリの記憶内容が消去されてしまう
おそれがあり、またダイナミックＲＡＭの場合、セル電
荷のリークまたは回路部のリーク電流の発生が誤動作を
もたらすおそれがあった。誤動作の程度は、光の強度お
よび樹脂の厚みに依存するであろう。
を遮るため十分な厚みを有しているが、ＴＳＯＰを構成
する樹脂は薄く、このため光を半導体チップに到達させ
るおそれがあった。もし、光が樹脂を通過して半導体チ
ップに照射されると、フローティングゲート構造を有す
るＲＯＭの場合、メモリの記憶内容が消去されてしまう
おそれがあり、またダイナミックＲＡＭの場合、セル電
荷のリークまたは回路部のリーク電流の発生が誤動作を
もたらすおそれがあった。誤動作の程度は、光の強度お
よび樹脂の厚みに依存するであろう。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 石川 昌彦
兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機
株式会社北伊丹製作所内
(72)発明者 早野 浩司
兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機
株式会社北伊丹製作所内
(72)発明者 森賀 南木
兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機
株式会社北伊丹製作所内
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体チップが遮光性を有する樹脂で直
接被覆された半導体装置において、 前記樹脂上に、遮光のための膜をさらに備える半導体装
置。 - 【請求項２】 半導体チップが遮光性を有する樹脂で直
接被覆された半導体装置において、 前記樹脂中に光を吸収する材料がさらに混合されている
半導体装置。 - 【請求項３】 半導体チップが遮光性を有する樹脂で被
覆された半導体装置において、前記半導体チップの表面
が、黒色物質を添加したポリイミドで被覆される半導体
装置。 - 【請求項４】 半導体チップが樹脂で被覆された半導体
装置を遮光のため覆う半導体装置用パッケージであっ
て、 配線基板上に実装された１つまたは２つ以上の前記半導
体装置を覆うことを特徴とする、半導体装置用パッケー
ジ。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3286350A JPH0521655A (ja) | 1990-11-28 | 1991-10-31 | 半導体装置および半導体装置用パツケージ |
| US07/792,872 US5317195A (en) | 1990-11-28 | 1991-11-19 | Semiconductor device improved in light shielding property and light shielding package |
| DE4143494A DE4143494C2 (de) | 1990-11-28 | 1991-11-25 | Halbleitereinrichtung insb. für eine Chipkarte mit Abschirmung gegenüber Lichteinwirkung und damit verbundene Fehlfunktionen |
| DE4143587A DE4143587C2 (de) | 1990-11-28 | 1991-11-25 | Halbleitereinrichtung mit Lichtabschirmung |
| DE4138665A DE4138665C2 (de) | 1990-11-28 | 1991-11-25 | Lichtgeschütztes Halbleiterbauelement |
| KR1019920002133A KR960011642B1 (ko) | 1990-05-17 | 1992-02-13 | 차광성이 개량된 반도체장치와 차광패키지 |
| US08/149,893 US5394014A (en) | 1990-11-28 | 1993-11-10 | Semiconductor device improved in light shielding property and light shielding package |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-127935 | 1990-11-28 | ||
| JP12793590 | 1990-11-28 | ||
| JP33539890 | 1990-11-28 | ||
| JP2-335398 | 1990-11-28 | ||
| JP3286350A JPH0521655A (ja) | 1990-11-28 | 1991-10-31 | 半導体装置および半導体装置用パツケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521655A true JPH0521655A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=27315650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3286350A Withdrawn JPH0521655A (ja) | 1990-05-17 | 1991-10-31 | 半導体装置および半導体装置用パツケージ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5317195A (ja) |
| JP (1) | JPH0521655A (ja) |
| DE (1) | DE4138665C2 (ja) |
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| DE19515188C2 (de) * | 1995-04-25 | 1998-02-19 | Siemens Ag | Chip-Abdeckung |
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| DE19515189C2 (de) * | 1995-04-25 | 2003-07-10 | Infineon Technologies Ag | Chip-Abdeckung |
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