JPH05190471A - 成膜処理装置 - Google Patents
成膜処理装置Info
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- JPH05190471A JPH05190471A JP2568692A JP2568692A JPH05190471A JP H05190471 A JPH05190471 A JP H05190471A JP 2568692 A JP2568692 A JP 2568692A JP 2568692 A JP2568692 A JP 2568692A JP H05190471 A JPH05190471 A JP H05190471A
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Abstract
(57)【要約】
［目的］被処理基板の不所望な部分への成膜を防止また
は除去して、パーティクルの発生源をつくらないように
する。 ［構成］半導体ウエハ１２の外周側に、エッチングガス
案内板３０が断面Ｌ形の環状支持板３２の内周縁部に取
付固定される。このエッチングガス案内板３０は半導体
ウエハ１２の外周に沿って延び、半導体ウエハ１２とは
接触せず、半導体ウエハ１２の外周縁部との間に所定の
間隙Ｇを形成している。また、エッチングガスを導入す
るためのガス管またはチューブ３４が処理室１０の下部
に引かれ、そのガス吐出口３４ａが遮光板２０の内側に
位置している。ガス吐出口３４ａより出たエッチングガ
スは上昇して、半導体ウエハ１２の裏面に沿って半導体
ウエハ１２の外周端側へ周り、エッチングガス案内板３
０で案内されながら上記間隙Ｇを通って半導体ウエハ１
２の表面側へ出て、排気口２６へ送られる。
は除去して、パーティクルの発生源をつくらないように
する。 ［構成］半導体ウエハ１２の外周側に、エッチングガス
案内板３０が断面Ｌ形の環状支持板３２の内周縁部に取
付固定される。このエッチングガス案内板３０は半導体
ウエハ１２の外周に沿って延び、半導体ウエハ１２とは
接触せず、半導体ウエハ１２の外周縁部との間に所定の
間隙Ｇを形成している。また、エッチングガスを導入す
るためのガス管またはチューブ３４が処理室１０の下部
に引かれ、そのガス吐出口３４ａが遮光板２０の内側に
位置している。ガス吐出口３４ａより出たエッチングガ
スは上昇して、半導体ウエハ１２の裏面に沿って半導体
ウエハ１２の外周端側へ周り、エッチングガス案内板３
０で案内されながら上記間隙Ｇを通って半導体ウエハ１
２の表面側へ出て、排気口２６へ送られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ等の被処
理基板に被膜を堆積させて成膜する装置に関する。
理基板に被膜を堆積させて成膜する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】成膜処理は、大別して、被処理基板を直
接酸化または窒化して該被処理基板の表面を酸化膜また
は窒化膜に変質させる処理と、外部から被処理基板上に
化学的または物理的に被膜を堆積させる処理とに分類さ
れる。ＣＶＤ (Chemical VaporDoposition)やＰＶＤ (P
hysical Vapor Doposition)等の成膜技術は後者の処理
を行うためのものである。たとえば、ＣＶＤ装置では、
適当なヒータによって被処理基板を加熱しながら所定の
反応ガスを供給し、そのガスの反応生成物または分解生
成物を半導体ウエハ上に堆積させる。また、ＰＶＤ装置
として代表的なスパッタ装置では、相対向する一対の電
極間にプラズマを発生させ、陰極上に置いたターゲット
をプラズマ中のイオンではじき飛ばし、陽極上に置いた
被処理基板上に被膜を堆積させる。
接酸化または窒化して該被処理基板の表面を酸化膜また
は窒化膜に変質させる処理と、外部から被処理基板上に
化学的または物理的に被膜を堆積させる処理とに分類さ
れる。ＣＶＤ (Chemical VaporDoposition)やＰＶＤ (P
hysical Vapor Doposition)等の成膜技術は後者の処理
を行うためのものである。たとえば、ＣＶＤ装置では、
適当なヒータによって被処理基板を加熱しながら所定の
反応ガスを供給し、そのガスの反応生成物または分解生
成物を半導体ウエハ上に堆積させる。また、ＰＶＤ装置
として代表的なスパッタ装置では、相対向する一対の電
極間にプラズマを発生させ、陰極上に置いたターゲット
をプラズマ中のイオンではじき飛ばし、陽極上に置いた
被処理基板上に被膜を堆積させる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、歩留まり向
上の観点から、成膜は被処理基板の予め定められた部分
にだけ行われ、他の部分には行われないほうが望まし
い。たとえば、被処理基板が半導体ウエハの場合は、ウ
エハの表面（片面）だけが成膜され、ウエハの端側面や
裏面は成膜されないほうがよい。
上の観点から、成膜は被処理基板の予め定められた部分
にだけ行われ、他の部分には行われないほうが望まし
い。たとえば、被処理基板が半導体ウエハの場合は、ウ
エハの表面（片面）だけが成膜され、ウエハの端側面や
裏面は成膜されないほうがよい。
【０００４】しかしながら、上記のようなＣＶＤ装置、
ＰＶＤ装置等の成膜処理装置では、ガス分子またはスパ
ッタされた原子はどうしても半導体ウエハの端側面や裏
面に入射または侵入するため、そこにも被膜が形成され
る。このように半導体ウエハの端側面や裏面に形成され
た被膜は、半導体ウエハのアンローディング時あるいは
搬送時に接触・衝撃等によって剥れ落ちることがあり、
剥がれ落ちた被膜片は大きなパーティクル源となって歩
留まりを低下させる。
ＰＶＤ装置等の成膜処理装置では、ガス分子またはスパ
ッタされた原子はどうしても半導体ウエハの端側面や裏
面に入射または侵入するため、そこにも被膜が形成され
る。このように半導体ウエハの端側面や裏面に形成され
た被膜は、半導体ウエハのアンローディング時あるいは
搬送時に接触・衝撃等によって剥れ落ちることがあり、
剥がれ落ちた被膜片は大きなパーティクル源となって歩
留まりを低下させる。
【０００５】そこで、従来は、半導体ウエハの外周縁部
をリング状のカバーで押さえ付けることにより、ウエハ
の側面や裏面にガス分子等が侵入するのを防止して、そ
れらの部分に被膜が堆積しないようにしていた。しか
し、この方法は、強い押圧力で半導体ウエハをステージ
等に押し付ける手法であるために、その接触および擦れ
によってウエハ自体およびリングステージ表面が削れ
て、そこからパーティクルが発生するという不具合があ
り、根本的な解決法とはいえなかった。
をリング状のカバーで押さえ付けることにより、ウエハ
の側面や裏面にガス分子等が侵入するのを防止して、そ
れらの部分に被膜が堆積しないようにしていた。しか
し、この方法は、強い押圧力で半導体ウエハをステージ
等に押し付ける手法であるために、その接触および擦れ
によってウエハ自体およびリングステージ表面が削れ
て、そこからパーティクルが発生するという不具合があ
り、根本的な解決法とはいえなかった。
【０００６】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、非接触方式により被処理基板の不所望な部分へ
の成膜を防止または除去して、パーティクルを発生させ
ないようにした成膜処理装置を提供することを目的とす
る。
もので、非接触方式により被処理基板の不所望な部分へ
の成膜を防止または除去して、パーティクルを発生させ
ないようにした成膜処理装置を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の成膜処理装置は、被処理基板上に化学的
または物理的な方法によって被膜を堆積せしめる成膜処
理装置において、前記被処理基板の所定の部分と間隙を
あけて対向するように配設されたエッチングガス案内手
段と、前記間隙にエッチングガスを流すエッチングガス
供給手段とを具備する構成とした。
めに、本発明の成膜処理装置は、被処理基板上に化学的
または物理的な方法によって被膜を堆積せしめる成膜処
理装置において、前記被処理基板の所定の部分と間隙を
あけて対向するように配設されたエッチングガス案内手
段と、前記間隙にエッチングガスを流すエッチングガス
供給手段とを具備する構成とした。
【０００８】
【作用】成膜中、前記間隙にエッチングガスが流れるこ
とによって、反応ガス等が前記間隙に侵入したり、ある
いは前記間隙を通ることができなくなり、間隙内の被処
理基板部分およびその先の被処理基板部分で被膜が堆積
しにくく、たとえ堆積してもエッチングガスによってす
ぐに除去され、被膜形成までには至らない。また成膜後
に、前記間隙にエッチングガスを流すことも可能であ
り、間隙付近に形成された不要な被膜はエッチングガス
によって除去される。このように、本発明では、リング
カバーのような被処理基板に直接接触する部材を使わず
に、不所望な部分への成膜を防止する。
とによって、反応ガス等が前記間隙に侵入したり、ある
いは前記間隙を通ることができなくなり、間隙内の被処
理基板部分およびその先の被処理基板部分で被膜が堆積
しにくく、たとえ堆積してもエッチングガスによってす
ぐに除去され、被膜形成までには至らない。また成膜後
に、前記間隙にエッチングガスを流すことも可能であ
り、間隙付近に形成された不要な被膜はエッチングガス
によって除去される。このように、本発明では、リング
カバーのような被処理基板に直接接触する部材を使わず
に、不所望な部分への成膜を防止する。
【０００９】
【実施例】以下、添付図を参照して本発明の実施例を説
明する。図１は一実施例による枚葉式ＣＶＤ装置の全体
構成を示す断面図、図２はウエハ支持部の構成を示す平
面図、および図３〜図６はエッチング案内部の種々の構
成例を示す断面図である。
明する。図１は一実施例による枚葉式ＣＶＤ装置の全体
構成を示す断面図、図２はウエハ支持部の構成を示す平
面図、および図３〜図６はエッチング案内部の種々の構
成例を示す断面図である。
【００１０】図１において、この実施例のＣＶＤ装置の
処理室１０はたとえばＡｌ（アルミニウム）からなる円
筒状のチャンバで、処理室１０の中央部に被処理体であ
る半導体ウエハ１２が配置される。このＣＶＤ装置で
は、サセプタ（基板設置台）を使用せず、後述するよう
に、１２０゜間隔で配設した３本のピンで半導体ウエハ
１２を平行に三点支持するようにしている。
処理室１０はたとえばＡｌ（アルミニウム）からなる円
筒状のチャンバで、処理室１０の中央部に被処理体であ
る半導体ウエハ１２が配置される。このＣＶＤ装置で
は、サセプタ（基板設置台）を使用せず、後述するよう
に、１２０゜間隔で配設した３本のピンで半導体ウエハ
１２を平行に三点支持するようにしている。
【００１１】処理室１０の底面中央部には石英板１４が
取り付つけられ、この石英板１４の下に加熱用のハロゲ
ンランプ１６が配設されている。成膜時には、ハロゲン
ランプ１６からの光が石英板１４を介して半導体ウエハ
１２の裏面に照射することにより、半導体ウエハ１２が
加熱される。石英板１４の周縁部に隣接してリング状の
支持部材１８が処理室１０に固着され、この支持部材１
８の内周縁上に筒状の遮光板２０が立設されている。ま
た、処理室１０の底面にはハロゲンランプ１６を囲むよ
うに有底筒状の遮光板２２が取付されている。これらの
遮光板２０，２２により、ハロゲンランプ１６の光は半
導体ウエハ１２に効率的に供給されると同時に、温度測
定装置等の周囲の装置から隔離されている。
取り付つけられ、この石英板１４の下に加熱用のハロゲ
ンランプ１６が配設されている。成膜時には、ハロゲン
ランプ１６からの光が石英板１４を介して半導体ウエハ
１２の裏面に照射することにより、半導体ウエハ１２が
加熱される。石英板１４の周縁部に隣接してリング状の
支持部材１８が処理室１０に固着され、この支持部材１
８の内周縁上に筒状の遮光板２０が立設されている。ま
た、処理室１０の底面にはハロゲンランプ１６を囲むよ
うに有底筒状の遮光板２２が取付されている。これらの
遮光板２０，２２により、ハロゲンランプ１６の光は半
導体ウエハ１２に効率的に供給されると同時に、温度測
定装置等の周囲の装置から隔離されている。
【００１２】処理室１０の上面中央部にはガス導入口２
４が設けられ、このガス導入口２４から反応ガスが導入
され、導入された反応ガスは真下の半導体ウエハ１２の
表面に供給される。そして、成膜のプロセスで発生した
ガスや余った反応ガス等は処理室側壁に設けられた排気
口２６より外部へ排出される。
４が設けられ、このガス導入口２４から反応ガスが導入
され、導入された反応ガスは真下の半導体ウエハ１２の
表面に供給される。そして、成膜のプロセスで発生した
ガスや余った反応ガス等は処理室側壁に設けられた排気
口２６より外部へ排出される。
【００１３】排気口２６と対向する処理室１０の側壁に
はゲートバルブ２８が設けられ、このゲートバルブ２８
を介してロボットアーム等のウエハ搬送機構が半導体ウ
エハ１２をローディングまたはアンローディングするよ
うになっている。
はゲートバルブ２８が設けられ、このゲートバルブ２８
を介してロボットアーム等のウエハ搬送機構が半導体ウ
エハ１２をローディングまたはアンローディングするよ
うになっている。
【００１４】半導体ウエハ１２の外周側には、たとえば
石英からなるリング状のエッチングガス案内板３０が断
面Ｌ形の環状支持板３２の内周縁部に取付固定されてい
る。このエッチングガス案内板３０は、半導体ウエハ１
２の外周に沿って延び、半導体ウエハ１２とは接触せ
ず、半導体ウエハ１２の外周縁部との間に所定の間隙Ｇ
を形成している。また、エッチングガスを導入するため
のガス管またはチューブ３４が処理室１０の下部に引か
れ、そのガス吐出口３４ａが遮光板２０の内側に位置し
ている。
石英からなるリング状のエッチングガス案内板３０が断
面Ｌ形の環状支持板３２の内周縁部に取付固定されてい
る。このエッチングガス案内板３０は、半導体ウエハ１
２の外周に沿って延び、半導体ウエハ１２とは接触せ
ず、半導体ウエハ１２の外周縁部との間に所定の間隙Ｇ
を形成している。また、エッチングガスを導入するため
のガス管またはチューブ３４が処理室１０の下部に引か
れ、そのガス吐出口３４ａが遮光板２０の内側に位置し
ている。
【００１５】ガス管３４はエッチングガス供給部（図示
せず）に接続されており、成膜中または成膜後に該エッ
チングガス供給部よりエッチングガスが所定の流量で供
給される。このエッチングガスは、半導体ウエハ１２上
に形成される被膜をエッチングできるようなものであ
る。たとえば、被膜がタングステン系の場合、ＣｌＦ3
ガスがそのままエッチングガスとして、あるいはＣｌＦ
3 ガスをＮ2 ガスもしくはＡｒガス等で所定の濃度に希
釈したものがエッチングガスとして供給される。
せず）に接続されており、成膜中または成膜後に該エッ
チングガス供給部よりエッチングガスが所定の流量で供
給される。このエッチングガスは、半導体ウエハ１２上
に形成される被膜をエッチングできるようなものであ
る。たとえば、被膜がタングステン系の場合、ＣｌＦ3
ガスがそのままエッチングガスとして、あるいはＣｌＦ
3 ガスをＮ2 ガスもしくはＡｒガス等で所定の濃度に希
釈したものがエッチングガスとして供給される。
【００１６】ガス吐出口３４ａより出たエッチングガス
は上昇して、半導体ウエハ１２の裏面に沿って半導体ウ
エハ１２の外周端側へ周り、エッチングガス案内板３０
で案内されながら上記間隙Ｇを通って半導体ウエハ１２
の表面側へ出て、排気口２６へ送られる。その際、間隙
Ｇにおいて、エッチングガスは逆方向からくる反応ガス
の侵入を妨げ、半導体ウエハ１２の表面部分に被膜が堆
積しているときは、その被膜をエッチングして除去す
る。
は上昇して、半導体ウエハ１２の裏面に沿って半導体ウ
エハ１２の外周端側へ周り、エッチングガス案内板３０
で案内されながら上記間隙Ｇを通って半導体ウエハ１２
の表面側へ出て、排気口２６へ送られる。その際、間隙
Ｇにおいて、エッチングガスは逆方向からくる反応ガス
の侵入を妨げ、半導体ウエハ１２の表面部分に被膜が堆
積しているときは、その被膜をエッチングして除去す
る。
【００１７】なお、図１では、半導体ウエハ１２に向け
て１つのガス吐出口３４ａからエッチングガスを供給す
るように示しているが、半導体ウエハ１２の円周方向で
エッチングガスの供給を均一化するように、たとえば１
２０゜間隔で３つのガス吐出口を設けてもよい。
て１つのガス吐出口３４ａからエッチングガスを供給す
るように示しているが、半導体ウエハ１２の円周方向で
エッチングガスの供給を均一化するように、たとえば１
２０゜間隔で３つのガス吐出口を設けてもよい。
【００１８】筒状遮光板２０の外側には環状の支持板３
６が配設され、この支持板３６に、図２に示すように９
０゜間隔で配設された４本のプッシャピン３８の基端部
が固着されている。半導体ウエハ１２をローディングま
たはアンローディングする時は、図示しない昇降機構に
よって支持板３６が点線３６’の位置まで上昇すること
により、各プッシャピン３８が点線位置３８’まで上昇
し、ウエハ搬送機構との間で半導体ウエハ１２の受け渡
しを行うようになっている。
６が配設され、この支持板３６に、図２に示すように９
０゜間隔で配設された４本のプッシャピン３８の基端部
が固着されている。半導体ウエハ１２をローディングま
たはアンローディングする時は、図示しない昇降機構に
よって支持板３６が点線３６’の位置まで上昇すること
により、各プッシャピン３８が点線位置３８’まで上昇
し、ウエハ搬送機構との間で半導体ウエハ１２の受け渡
しを行うようになっている。
【００１９】また、底部の環状支持部材１８の上面に
は、図２に示すように１２０゜間隔で３本の支持ピン４
０が垂直に立設されており、半導体ウエハ１２はこれら
３本の支持ピン４０によって水平に支持される。これら
３本の支持ピン４０の中の少なくとも１本を熱電対のプ
ローブピンで構成してよく、そうすることによって半導
体ウエハ１２の温度測定を行うことができる。なお、図
２において、円筒状の遮光板２０は、各プッシャピン３
８および各支持ピン４０が位置するところで局所的に内
側に凹んでいる。
は、図２に示すように１２０゜間隔で３本の支持ピン４
０が垂直に立設されており、半導体ウエハ１２はこれら
３本の支持ピン４０によって水平に支持される。これら
３本の支持ピン４０の中の少なくとも１本を熱電対のプ
ローブピンで構成してよく、そうすることによって半導
体ウエハ１２の温度測定を行うことができる。なお、図
２において、円筒状の遮光板２０は、各プッシャピン３
８および各支持ピン４０が位置するところで局所的に内
側に凹んでいる。
【００２０】次に、図３〜図６につきエッチングガス案
内板３０のいくつかの構成例を説明する。図中、図解を
容易にするため、遮光板２０、プッシャピン３８、支持
ピン４０等を省略している。
内板３０のいくつかの構成例を説明する。図中、図解を
容易にするため、遮光板２０、プッシャピン３８、支持
ピン４０等を省略している。
【００２１】まず、図３の例は、半導体ウエハ１２の端
側面１２ａに間隙Ｇをあけて対向するようにエッチング
ガス案内板３０の内径をウエハ１２の外径よりもわずか
に大きくしたものである。この構成によれば、下方から
送られてきたエッチングガスは、エッチングガス案内板
３０の内側面３０ａに案内されながら狭い間隙Ｇを高い
圧力で通って、半導体ウエハ１２の表面側に抜け出る。
これにより、反応ガスは半導体ウエハ１２の端側面１２
ａないし裏面側には回れ込めなくなり、それらの部分に
堆積しにくくなる。また、たとえ堆積してもエッチング
ガスによってすぐに除去される。この構成例は、半導体
ウエハ１２の端側面１２ａへの成膜を防止するのに特に
効果的である。
側面１２ａに間隙Ｇをあけて対向するようにエッチング
ガス案内板３０の内径をウエハ１２の外径よりもわずか
に大きくしたものである。この構成によれば、下方から
送られてきたエッチングガスは、エッチングガス案内板
３０の内側面３０ａに案内されながら狭い間隙Ｇを高い
圧力で通って、半導体ウエハ１２の表面側に抜け出る。
これにより、反応ガスは半導体ウエハ１２の端側面１２
ａないし裏面側には回れ込めなくなり、それらの部分に
堆積しにくくなる。また、たとえ堆積してもエッチング
ガスによってすぐに除去される。この構成例は、半導体
ウエハ１２の端側面１２ａへの成膜を防止するのに特に
効果的である。
【００２２】図４の例は、半導体ウエハ１２の裏面の周
縁部１２ｂに間隙Ｇをあけて対向するようにエッチング
ガス案内板３０をウエハ１２の下側に配設したものであ
る。この構成例によれば、エッチングガスは、エッチン
グガス案内板３０の上面の内周縁部３０ｂに案内されな
がら狭い間隙Ｇを高い圧力で通って、半導体ウエハ１２
の表面側に抜け出る。これにより、反応ガスは半導体ウ
エハ１２の裏面側には回れ込めなくなり、裏面側に被膜
が堆積しにくくなる。また、たとえ堆積してもエッチン
グガスにすぐに除去される。この構成例は、半導体ウエ
ハ１２の裏面への成膜を防止するのに好適である。
縁部１２ｂに間隙Ｇをあけて対向するようにエッチング
ガス案内板３０をウエハ１２の下側に配設したものであ
る。この構成例によれば、エッチングガスは、エッチン
グガス案内板３０の上面の内周縁部３０ｂに案内されな
がら狭い間隙Ｇを高い圧力で通って、半導体ウエハ１２
の表面側に抜け出る。これにより、反応ガスは半導体ウ
エハ１２の裏面側には回れ込めなくなり、裏面側に被膜
が堆積しにくくなる。また、たとえ堆積してもエッチン
グガスにすぐに除去される。この構成例は、半導体ウエ
ハ１２の裏面への成膜を防止するのに好適である。
【００２３】図５の例は、半導体ウエハ１２の端側面１
２ａおよび裏面の周縁部１２ｂにそれぞれ間隙Ｇ1,Ｇ2
をあけて対向するようにエッチング案内板３０の内側面
を段状に構成したものである。この構成例によれば、エ
ッチングガスは、エッチングガス案内板３０の段部３０
ｃに案内されながら間隙Ｇを通って、半導体ウエハ１２
の表面側に抜け出る。これによって、反応ガスは半導体
ウエハ１２の端側面への侵入および裏面側への回れ込み
を妨げられる。また、たとえそこに堆積してもエッチン
グガスによってすぐに除去される。この構成例は、半導
体ウエハ１２の端側面１２ａおよび裏面への成膜を同時
に防止するのに効果的である。
２ａおよび裏面の周縁部１２ｂにそれぞれ間隙Ｇ1,Ｇ2
をあけて対向するようにエッチング案内板３０の内側面
を段状に構成したものである。この構成例によれば、エ
ッチングガスは、エッチングガス案内板３０の段部３０
ｃに案内されながら間隙Ｇを通って、半導体ウエハ１２
の表面側に抜け出る。これによって、反応ガスは半導体
ウエハ１２の端側面への侵入および裏面側への回れ込み
を妨げられる。また、たとえそこに堆積してもエッチン
グガスによってすぐに除去される。この構成例は、半導
体ウエハ１２の端側面１２ａおよび裏面への成膜を同時
に防止するのに効果的である。
【００２４】図６の例は、半導体ウエハ１２の端側面１
２ａおよび表面の周縁部１２ｃにそれぞれ間隙Ｇ1,Ｇ3
をあけて対向するようにエッチング案内板３０の内側面
を段状に構成したものである。この構成例によれば、エ
ッチングガスはエッチングガス案内板３０の段部３０ｄ
に案内されながら間隙Ｇを通って半導体ウエハ１２の表
面側に抜け出るので、反応ガスは半導体ウエハ１２の表
面の周縁部１２ｃへの侵入も妨げられ、たとえそこに堆
積してもエッチングガスによってすぐに除去される。こ
の構成例は、半導体ウエハ１２の表面の周縁部１２ｃお
よび端側面１２ａへの成膜を同時に防止するのに効果的
である。
２ａおよび表面の周縁部１２ｃにそれぞれ間隙Ｇ1,Ｇ3
をあけて対向するようにエッチング案内板３０の内側面
を段状に構成したものである。この構成例によれば、エ
ッチングガスはエッチングガス案内板３０の段部３０ｄ
に案内されながら間隙Ｇを通って半導体ウエハ１２の表
面側に抜け出るので、反応ガスは半導体ウエハ１２の表
面の周縁部１２ｃへの侵入も妨げられ、たとえそこに堆
積してもエッチングガスによってすぐに除去される。こ
の構成例は、半導体ウエハ１２の表面の周縁部１２ｃお
よび端側面１２ａへの成膜を同時に防止するのに効果的
である。
【００２５】このように、本実施例のＣＶＤ装置におい
ては、成膜中または成膜後に半導体ウエハ１２の外周縁
部とエッチングガス案内板３０との間隙Ｇにエッチング
ガスを流すようにしたので、半導体ウエハ１２の外周縁
部ないし裏面への成膜を効果的に除去することができ
る。そして、従来のリングカバーのように半導体ウエハ
１２に直接接触する成膜防止部材を使用しないので、接
触に起因するパーティクルはいっさい発生しない。
ては、成膜中または成膜後に半導体ウエハ１２の外周縁
部とエッチングガス案内板３０との間隙Ｇにエッチング
ガスを流すようにしたので、半導体ウエハ１２の外周縁
部ないし裏面への成膜を効果的に除去することができ
る。そして、従来のリングカバーのように半導体ウエハ
１２に直接接触する成膜防止部材を使用しないので、接
触に起因するパーティクルはいっさい発生しない。
【００２６】上記した図３〜図６の構成例の外にも種々
の変形が可能である。たとえば、上記した実施例では、
エッチングガス案内板を半導体ウエハ１２の外周縁部に
対して間隙をあけて対向するように構成したが、それに
限定されるものではなく、被処理基板の任意の部分に対
して間隙をあけて対向するように構成することも可能で
ある。
の変形が可能である。たとえば、上記した実施例では、
エッチングガス案内板を半導体ウエハ１２の外周縁部に
対して間隙をあけて対向するように構成したが、それに
限定されるものではなく、被処理基板の任意の部分に対
して間隙をあけて対向するように構成することも可能で
ある。
【００２７】また、上記実施例では、半導体ウエハ１２
を３本の支持ピン４０によって三点支持し、ハロゲンラ
ンプ１６からの光を石英板１４を介して半導体ウエハ１
２に照射して加熱したが、サセプタを使用することも可
能である。その場合、半導体ウエハをサセプタに直接載
置するよりもリングまたはピン等を介して離間させて支
持し、サセプタからの熱を輻射によって半導体ウエハに
伝えるように構成したほうが、エッチングガス案内板の
配置構成を簡単にすることができる。
を３本の支持ピン４０によって三点支持し、ハロゲンラ
ンプ１６からの光を石英板１４を介して半導体ウエハ１
２に照射して加熱したが、サセプタを使用することも可
能である。その場合、半導体ウエハをサセプタに直接載
置するよりもリングまたはピン等を介して離間させて支
持し、サセプタからの熱を輻射によって半導体ウエハに
伝えるように構成したほうが、エッチングガス案内板の
配置構成を簡単にすることができる。
【００２８】また、上記実施例はＣＶＤ装置に係るもの
であったが、スパッタ装置等の他の成膜処理装置にも本
発明は適用可能である。
であったが、スパッタ装置等の他の成膜処理装置にも本
発明は適用可能である。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の成膜処理
装置によれば、被処理基板の所定の部分と間隙をあけて
対向するようにエッチングガス案内手段を配置し、その
間隙にエッチングガスを流すことにより、非接触方式
で、被処理基板の不所望な部分への成膜を防止するよう
にしたので、パーティクルの発生するおそれがなくな
り、歩留まりの向上をはかることができる。
装置によれば、被処理基板の所定の部分と間隙をあけて
対向するようにエッチングガス案内手段を配置し、その
間隙にエッチングガスを流すことにより、非接触方式
で、被処理基板の不所望な部分への成膜を防止するよう
にしたので、パーティクルの発生するおそれがなくな
り、歩留まりの向上をはかることができる。
【図１】本発明の一実施例による枚葉式ＣＶＤ装置の全
体構成を示す断面図である。
体構成を示す断面図である。
【図２】実施例装置内のウエハ支持部の構成を示す平面
図である。
図である。
【図３】実施例におけるエッチングガス案内板の第１の
構成例を示す断面図である。
構成例を示す断面図である。
【図４】実施例におけるエッチングガス案内板の第２の
構成例を示す断面図である。
構成例を示す断面図である。
【図５】実施例におけるエッチングガス案内板の第３の
構成例を示す断面図である。
構成例を示す断面図である。
【図６】実施例におけるエッチングガス案内板の第４の
構成例を示す断面図である。
構成例を示す断面図である。
１０ 処理室 １２ 半導体ウエハ １４ 石英板 １６ ハロゲンランプ ２０ 遮光板 ３０ エッチングガス案内板 ３２ 支持板 ３４ エッチングガス導入用のガス管 ３８ プッシャピン ４０ 支持ピン
Claims (1)
- 【請求項１】 被処理基板上に化学的または物理的な方
法によって被膜を堆積せしめる成膜処理装置において、 前記被処理基板の所定の部分と間隙をあけて対向するよ
うに配置されたエッチングガス案内手段と、前記間隙に
エッチングガスを流すエッチングガス供給手段とを具備
したことを特徴とする成膜処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4025686A JP2990551B2 (ja) | 1992-01-16 | 1992-01-16 | 成膜処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4025686A JP2990551B2 (ja) | 1992-01-16 | 1992-01-16 | 成膜処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190471A true JPH05190471A (ja) | 1993-07-30 |
| JP2990551B2 JP2990551B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=12172676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4025686A Expired - Fee Related JP2990551B2 (ja) | 1992-01-16 | 1992-01-16 | 成膜処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2990551B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6045862A (en) * | 1997-07-16 | 2000-04-04 | Tokyo Electron Limited | CVD film forming method in which a film formation preventing gas is supplied in a direction from a rear surface of an object to be processed |
| JP2002362998A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-18 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置 |
| JP2004172392A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体エピタキシャルウェーハの製造装置およびサセプタ並びにサセプタの支持装置 |
| KR100445814B1 (ko) * | 2001-11-23 | 2004-08-30 | 주성엔지니어링(주) | Ｃｖｄ 장치 |
| US20070000614A1 (en) * | 2003-03-21 | 2007-01-04 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for reducing substrate backside deposition during processing |
| JP2008235585A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| JP2009135158A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| JP2013098271A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Nuflare Technology Inc | 成膜方法および成膜装置 |
-
1992
- 1992-01-16 JP JP4025686A patent/JP2990551B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6210486B1 (en) | 1997-07-16 | 2001-04-03 | Tokyo Electron Limited | CVD film forming method in which a film formation preventing gas is supplied in a direction from a rear surface of an object to be processed |
| JP2002362998A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-18 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置 |
| JP4742448B2 (ja) * | 2001-06-06 | 2011-08-10 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置 |
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| US20070000614A1 (en) * | 2003-03-21 | 2007-01-04 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for reducing substrate backside deposition during processing |
| US8382942B2 (en) * | 2003-03-21 | 2013-02-26 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for reducing substrate backside deposition during processing |
| JP2008235585A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| JP2009135158A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| JP2013098271A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Nuflare Technology Inc | 成膜方法および成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2990551B2 (ja) | 1999-12-13 |
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