JPH05160104A - 半導体ウェーハのウェット処理方法及びウェット処理装置 - Google Patents
半導体ウェーハのウェット処理方法及びウェット処理装置Info
- Publication number
- JPH05160104A JPH05160104A JP32176091A JP32176091A JPH05160104A JP H05160104 A JPH05160104 A JP H05160104A JP 32176091 A JP32176091 A JP 32176091A JP 32176091 A JP32176091 A JP 32176091A JP H05160104 A JPH05160104 A JP H05160104A
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
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- chemical solution
- oxide film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェーハのウェット処理方法及びウェ
ット処理装置、詳しくは、アルミニウム膜を堆積する工
程に先立ち半導体ウェーハ表面の酸化膜等を除去するウ
ェット処理方法及び装置に関し、ウェット処理後の半導
体ウェーハ表面に自然酸化膜が堆積しないようにし、し
かも安全を保つことのできるウェット処理方法を提供す
ることを目的とする。 【構成】 半導体ウェーハ４の表面に薬液をスプレーし
て半導体ウェーハ４表面の酸化膜等を除去する工程と、
半導体ウェーハ４の裏面に純水をスプレーして洗浄する
工程とを平行して実行し、半導体ウェーハ４の表面を純
水洗浄することなく乾燥するように構成する。
ット処理装置、詳しくは、アルミニウム膜を堆積する工
程に先立ち半導体ウェーハ表面の酸化膜等を除去するウ
ェット処理方法及び装置に関し、ウェット処理後の半導
体ウェーハ表面に自然酸化膜が堆積しないようにし、し
かも安全を保つことのできるウェット処理方法を提供す
ることを目的とする。 【構成】 半導体ウェーハ４の表面に薬液をスプレーし
て半導体ウェーハ４表面の酸化膜等を除去する工程と、
半導体ウェーハ４の裏面に純水をスプレーして洗浄する
工程とを平行して実行し、半導体ウェーハ４の表面を純
水洗浄することなく乾燥するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハのウェ
ット処理方法及びウェット処理装置、詳しくは、アルミ
ニウム膜を堆積する工程に先立ち半導体ウェーハ表面の
酸化膜等を除去するウェット処理方法及び装置に関す
る。
ット処理方法及びウェット処理装置、詳しくは、アルミ
ニウム膜を堆積する工程に先立ち半導体ウェーハ表面の
酸化膜等を除去するウェット処理方法及び装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハをウェーハチャックで保
持して回転させながら半導体ウェーハ表面にバッファー
ドフッ酸やフッ酸をスプレーして半導体ウェーハ表面の
酸化膜等を除去した後、半導体ウェーハの表面と裏面と
に純水をスプレーして洗浄し、スピン乾燥する。
持して回転させながら半導体ウェーハ表面にバッファー
ドフッ酸やフッ酸をスプレーして半導体ウェーハ表面の
酸化膜等を除去した後、半導体ウェーハの表面と裏面と
に純水をスプレーして洗浄し、スピン乾燥する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】安全上、半導体ウェー
ハの表面に薬液をスプレーして処理した後に半導体ウェ
ーハの表面と裏面とに純水をスプレーして洗浄している
ので、ウェット処理後に半導体ウェーハ表面に自然酸化
膜が堆積する。その結果、半導体ウェーハ上にアルミニ
ウム膜を堆積するときにアルミニウム膜と半導体ウェー
ハとの間のコンタクト不良が発生し、また、半導体ウェ
ーハ表面のパーティクルも多くなると云う問題が発生す
る。
ハの表面に薬液をスプレーして処理した後に半導体ウェ
ーハの表面と裏面とに純水をスプレーして洗浄している
ので、ウェット処理後に半導体ウェーハ表面に自然酸化
膜が堆積する。その結果、半導体ウェーハ上にアルミニ
ウム膜を堆積するときにアルミニウム膜と半導体ウェー
ハとの間のコンタクト不良が発生し、また、半導体ウェ
ーハ表面のパーティクルも多くなると云う問題が発生す
る。
【０００４】本発明の目的は、これらの欠点を解消する
ことにあり、ウェット処理後の半導体ウェーハ表面に自
然酸化膜が堆積しないようにし、しかも安全を保つこと
のできるウェット処理方法とその方法の実施に使用され
るウェット処理装置とを提供することにある。
ことにあり、ウェット処理後の半導体ウェーハ表面に自
然酸化膜が堆積しないようにし、しかも安全を保つこと
のできるウェット処理方法とその方法の実施に使用され
るウェット処理装置とを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、半導体ウ
ェーハ（４）の表面に薬液をスプレーして前記の半導体
ウェーハ（４）表面の酸化膜等を除去する工程と、前記
の半導体ウェーハ（４）の裏面に純水をスプレーして洗
浄する工程とを平行して実行し、前記の半導体ウェーハ
（４）の表面を前記の薬液が付着した状態で乾燥する工
程を有する半導体ウェーハのウェット処理方法及び半導
体ウェーハ（４）を保持して回転するウェーハチャック
（１）と、前記の半導体ウェーハ（４）の表面に薬液を
スプレーする薬液ノズル（２）と、前記の半導体ウェー
ハ（４）の裏面に純水をスプレーする純水ノズル（３）
とを有する半導体ウェーハのウェット処理装置によって
達成される。
ェーハ（４）の表面に薬液をスプレーして前記の半導体
ウェーハ（４）表面の酸化膜等を除去する工程と、前記
の半導体ウェーハ（４）の裏面に純水をスプレーして洗
浄する工程とを平行して実行し、前記の半導体ウェーハ
（４）の表面を前記の薬液が付着した状態で乾燥する工
程を有する半導体ウェーハのウェット処理方法及び半導
体ウェーハ（４）を保持して回転するウェーハチャック
（１）と、前記の半導体ウェーハ（４）の表面に薬液を
スプレーする薬液ノズル（２）と、前記の半導体ウェー
ハ（４）の裏面に純水をスプレーする純水ノズル（３）
とを有する半導体ウェーハのウェット処理装置によって
達成される。
【０００６】
【作用】本発明に係る半導体ウェーハのウェット処理方
法においては、半導体ウェーハの表面をフッ酸等の薬液
で処理した後に純水で洗浄することなく乾燥しているの
で、半導体ウェーハの表面は大部分が水素で覆われた状
態に保たれ、自然酸化膜が堆積しにくくなる。
法においては、半導体ウェーハの表面をフッ酸等の薬液
で処理した後に純水で洗浄することなく乾燥しているの
で、半導体ウェーハの表面は大部分が水素で覆われた状
態に保たれ、自然酸化膜が堆積しにくくなる。
【０００７】一方、半導体ウェーハの裏面は純水によっ
て洗浄されて薬液が付着していないので、ウェーハキャ
リヤ、エアーピンセット等の搬送装置や半導体製造装置
に薬液が付着することがなくなり、これらの装置に接触
しても危険がなく、安全性が確保される。
て洗浄されて薬液が付着していないので、ウェーハキャ
リヤ、エアーピンセット等の搬送装置や半導体製造装置
に薬液が付着することがなくなり、これらの装置に接触
しても危険がなく、安全性が確保される。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の一実施例に
係るウェット処理方法及びウェット処理装置について説
明する。
係るウェット処理方法及びウェット処理装置について説
明する。
【０００９】図１にウェット処理装置の構成図を示す。
図において、１はウェーハを保持して回転するウェーハ
チャックであり、２は薬液をスプレーする薬液ノズルで
あり、３は純水をスプレーする純水ノズルであり、４は
ウェット処理される半導体ウェーハである。
図において、１はウェーハを保持して回転するウェーハ
チャックであり、２は薬液をスプレーする薬液ノズルで
あり、３は純水をスプレーする純水ノズルであり、４は
ウェット処理される半導体ウェーハである。
【００１０】半導体ウェーハ４をウェーハチャック１で
保持して回転し、薬液ノズル２から半導体ウェーハ４の
表面にバッファードフッ酸をスプレーすると同時に純水
ノズル３から半導体ウェーハ４の裏面に純水をスプレー
して洗浄する。バッファードフッ酸による処理が終了し
た後、半導体ウェーハ４をスピン乾燥し、再び、薬液ノ
ズル２から半導体ウェーハ４の表面にフッ酸をスプレー
すると同時に純水ノズル３から半導体ウェーハ４の裏面
に純水をスプレーして洗浄する。フッ酸による処理が終
了した後、半導体ウェーハ４をスピン乾燥する。
保持して回転し、薬液ノズル２から半導体ウェーハ４の
表面にバッファードフッ酸をスプレーすると同時に純水
ノズル３から半導体ウェーハ４の裏面に純水をスプレー
して洗浄する。バッファードフッ酸による処理が終了し
た後、半導体ウェーハ４をスピン乾燥し、再び、薬液ノ
ズル２から半導体ウェーハ４の表面にフッ酸をスプレー
すると同時に純水ノズル３から半導体ウェーハ４の裏面
に純水をスプレーして洗浄する。フッ酸による処理が終
了した後、半導体ウェーハ４をスピン乾燥する。
【００１１】なお、半導体ウェーハ４の表面にバッファ
ードフッ酸をスプレーしながら半導体ウェーハ４の裏面
に純水をスプレーする工程に代えて、バッファードフッ
酸をスプレーした後に半導体ウェーハ４の表面と裏面と
に純水をスプレーして洗浄してもよい。何故ならば、バ
ッファードフッ酸処理の後にフッ酸処理がなされるから
である。
ードフッ酸をスプレーしながら半導体ウェーハ４の裏面
に純水をスプレーする工程に代えて、バッファードフッ
酸をスプレーした後に半導体ウェーハ４の表面と裏面と
に純水をスプレーして洗浄してもよい。何故ならば、バ
ッファードフッ酸処理の後にフッ酸処理がなされるから
である。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る半導
体ウェーハのウェット処理方法及びウェット処理装置に
おいては、半導体ウェーハの表面に薬液をスプレーして
表面の酸化膜等を除去した後、純水で洗浄することなく
乾燥しているのでウェット処理後に半導体ウェーハ表面
に自然酸化膜が堆積することがなくなり、パーティクル
も少なくなる。その結果、半導体ウェーハ上に堆積され
るアルミニウム膜とのコンタクトは良好になり、スルー
プットも向上する。また、半導体ウェーハの裏面は純水
で洗浄されているので半導体ウェーハの取り扱い上の安
全性は十分確保される。
体ウェーハのウェット処理方法及びウェット処理装置に
おいては、半導体ウェーハの表面に薬液をスプレーして
表面の酸化膜等を除去した後、純水で洗浄することなく
乾燥しているのでウェット処理後に半導体ウェーハ表面
に自然酸化膜が堆積することがなくなり、パーティクル
も少なくなる。その結果、半導体ウェーハ上に堆積され
るアルミニウム膜とのコンタクトは良好になり、スルー
プットも向上する。また、半導体ウェーハの裏面は純水
で洗浄されているので半導体ウェーハの取り扱い上の安
全性は十分確保される。
【図１】ウェット処理装置の構成図である。
１ ウェーハチャック ２ 薬液ノズル ３ 純水ノズル ４ 半導体ウェーハ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウェーハ（４）の表面に薬液をス
プレーして前記半導体ウェーハ（４）表面の酸化膜等を
除去する工程と、 前記半導体ウェーハ（４）の裏面に純水をスプレーして
洗浄する工程とを平行して実行し、 前記半導体ウェーハ（４）の表面を前記薬液が付着した
状態で乾燥する工程を有することを特徴とする半導体ウ
ェーハのウェット処理方法。 - 【請求項２】 半導体ウェーハ（４）を保持して回転す
るウェーハチャック（１）と、 前記半導体ウェーハ（４）の表面に薬液をスプレーする
薬液ノズル（２）と、 前記半導体ウェーハ（４）の裏面に純水をスプレーする
純水ノズル（３）とを有することを特徴とする半導体ウ
ェーハのウェット処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32176091A JPH05160104A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 半導体ウェーハのウェット処理方法及びウェット処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32176091A JPH05160104A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 半導体ウェーハのウェット処理方法及びウェット処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160104A true JPH05160104A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18136141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32176091A Withdrawn JPH05160104A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 半導体ウェーハのウェット処理方法及びウェット処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05160104A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000033368A1 (en) * | 1998-11-30 | 2000-06-08 | Applied Materials, Inc. | Spin-rinse-dry process with backside wafer etching |
| US6516815B1 (en) | 1999-07-09 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module |
| WO2002095813A3 (en) * | 2001-05-21 | 2003-10-16 | Speedfam Ipec Corp | Differential cleaning for semiconductor wafers with copper circuitry |
| US6770565B2 (en) | 2002-01-08 | 2004-08-03 | Applied Materials Inc. | System for planarizing metal conductive layers |
| US6824612B2 (en) | 2001-12-26 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Electroless plating system |
-
1991
- 1991-12-05 JP JP32176091A patent/JPH05160104A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000033368A1 (en) * | 1998-11-30 | 2000-06-08 | Applied Materials, Inc. | Spin-rinse-dry process with backside wafer etching |
| US6290865B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-09-18 | Applied Materials, Inc. | Spin-rinse-drying process for electroplated semiconductor wafers |
| US6516815B1 (en) | 1999-07-09 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module |
| WO2002095813A3 (en) * | 2001-05-21 | 2003-10-16 | Speedfam Ipec Corp | Differential cleaning for semiconductor wafers with copper circuitry |
| US6824612B2 (en) | 2001-12-26 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Electroless plating system |
| US6770565B2 (en) | 2002-01-08 | 2004-08-03 | Applied Materials Inc. | System for planarizing metal conductive layers |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |