JPH05142756A - フオトマスクのパターン欠陥修正方法 - Google Patents
フオトマスクのパターン欠陥修正方法Info
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- JPH05142756A JPH05142756A JP30199691A JP30199691A JPH05142756A JP H05142756 A JPH05142756 A JP H05142756A JP 30199691 A JP30199691 A JP 30199691A JP 30199691 A JP30199691 A JP 30199691A JP H05142756 A JPH05142756 A JP H05142756A
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- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＬＳＩの製造に用いられる位相シフトマスク
のパターン欠陥を高精度に修正する。 【構成】 位相シフトマスクのパターン欠陥を含む領域
に平坦化膜を形成した後、そのパターン欠陥を含むより
狭い領域内に集束イオンビームを走査して照射し、エッ
チングする。二次信号の強度変化を検出することによっ
てエッチングの終点を検出した後、平坦化膜を除去す
る。
のパターン欠陥を高精度に修正する。 【構成】 位相シフトマスクのパターン欠陥を含む領域
に平坦化膜を形成した後、そのパターン欠陥を含むより
狭い領域内に集束イオンビームを走査して照射し、エッ
チングする。二次信号の強度変化を検出することによっ
てエッチングの終点を検出した後、平坦化膜を除去す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトマスクのパター
ン欠陥修正方法に関し、特に、ＬＳＩの製造に用いられ
る位相シフトマスクを形成する際に生ずる位相シフトパ
ターンの黒欠陥（パターン残り）等を、集束イオンビー
ム（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ：以下ＦＩＢと
記す）によって高精度に修正する方法に関するものであ
る。
ン欠陥修正方法に関し、特に、ＬＳＩの製造に用いられ
る位相シフトマスクを形成する際に生ずる位相シフトパ
ターンの黒欠陥（パターン残り）等を、集束イオンビー
ム（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ：以下ＦＩＢと
記す）によって高精度に修正する方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造工程において配線のパター
ニングなどに用いられるリソグラフィ技術の解像限度Ｒ
（μｍ）は、 Ｒ＝ｋ1 λ／ＮＡ，ｋ1 ＝０．５ と表わされる。ここでλは露光に用いる光の波長（μ
ｍ）を表わし、ＮＡはレンズの口径を表わしている。こ
の方程式によれば、光学リソグラフィの解像限度は、光
の波長が短くなれば小さくなり、ＮＡの値が増加した
り、あるいはレジストによって決まる定数ｋ1 が減少す
るとやはり小さくなる。露光に用いる光としてｉ線（λ
＝０．３６５μｍ）、口径ＮＡ＝０．５および定数ｋ1
＝０．５が実現可能であり、その結果約０．４μｍの解
像限界が得られる。さらに解像限界を向上するために
は、光の波長を小さくしたりレンズの口径ＮＡの値を増
加しなければならない。しかしながら、そのような条件
に適した光学レンズを得ることは技術的に困難な問題を
伴い、焦点深度δ（＝λ／２ＮＡ2 ）が減少してしまう
という問題を生じる。
ニングなどに用いられるリソグラフィ技術の解像限度Ｒ
（μｍ）は、 Ｒ＝ｋ1 λ／ＮＡ，ｋ1 ＝０．５ と表わされる。ここでλは露光に用いる光の波長（μ
ｍ）を表わし、ＮＡはレンズの口径を表わしている。こ
の方程式によれば、光学リソグラフィの解像限度は、光
の波長が短くなれば小さくなり、ＮＡの値が増加した
り、あるいはレジストによって決まる定数ｋ1 が減少す
るとやはり小さくなる。露光に用いる光としてｉ線（λ
＝０．３６５μｍ）、口径ＮＡ＝０．５および定数ｋ1
＝０．５が実現可能であり、その結果約０．４μｍの解
像限界が得られる。さらに解像限界を向上するために
は、光の波長を小さくしたりレンズの口径ＮＡの値を増
加しなければならない。しかしながら、そのような条件
に適した光学レンズを得ることは技術的に困難な問題を
伴い、焦点深度δ（＝λ／２ＮＡ2 ）が減少してしまう
という問題を生じる。
【０００３】このような問題点を克服するものとして、
位相シフト露光方法が、たとえば特開昭５７−６２０５
２号公報や特開昭５８−１７３７４４号公報などにおい
て提案されている。
位相シフト露光方法が、たとえば特開昭５７−６２０５
２号公報や特開昭５８−１７３７４４号公報などにおい
て提案されている。
【０００４】以下、位相をシフトしない従来のフォトマ
スクと、位相シフトマスクを用いた従来のフォトマスク
の概要について、図１３（ａ）ないし（ｃ）および図１
４（ｄ）ないし（ｃ）に基づいて説明する。
スクと、位相シフトマスクを用いた従来のフォトマスク
の概要について、図１３（ａ）ないし（ｃ）および図１
４（ｄ）ないし（ｃ）に基づいて説明する。
【０００５】まず、位相をシフトしない従来のフォトマ
スクにおいては、図１３（ａ）に示すように、マスク基
板１上に形成されたマスクパターン２の間を通過する光
の電界は、図１３（ｂ）に示すように空間的に互いに分
離される。しかし、光強度は図１３（ｃ）に示すように
連続的に分布するため、パターンの像を結ぶことができ
ない。
スクにおいては、図１３（ａ）に示すように、マスク基
板１上に形成されたマスクパターン２の間を通過する光
の電界は、図１３（ｂ）に示すように空間的に互いに分
離される。しかし、光強度は図１３（ｃ）に示すように
連続的に分布するため、パターンの像を結ぶことができ
ない。
【０００６】それに対して、位相シフト膜を用いた場合
には、図１４（ａ）に示すような、ＳｉＯ2 膜などから
なる位相シフトパターン３を、マスクパターン２の間の
１つおきに設けることにより、マスクパターン２の間を
通過する光の位相が、１８０度ずつずれることになるた
め、マスク上の電界は図１４（ｂ）に示すように、１つ
おきに反転して分布する。そのため、マスク上の光強度
は、図１４（ｃ）に示すように，分離したパターンとな
る。この原理を利用して、位相シフトマスクを用いるこ
とによって、位相をシフトしないフォトマスクに比べて
解像限界を約半分のパターン幅にまで小さくすることが
できる。
には、図１４（ａ）に示すような、ＳｉＯ2 膜などから
なる位相シフトパターン３を、マスクパターン２の間の
１つおきに設けることにより、マスクパターン２の間を
通過する光の位相が、１８０度ずつずれることになるた
め、マスク上の電界は図１４（ｂ）に示すように、１つ
おきに反転して分布する。そのため、マスク上の光強度
は、図１４（ｃ）に示すように，分離したパターンとな
る。この原理を利用して、位相シフトマスクを用いるこ
とによって、位相をシフトしないフォトマスクに比べて
解像限界を約半分のパターン幅にまで小さくすることが
できる。
【０００７】次に、従来の位相シフトマスクを用いたフ
ォトマスクの黒欠陥の修正方法について、図１５および
図１６（ａ）ないし（ｃ）に基づいて説明する。
ォトマスクの黒欠陥の修正方法について、図１５および
図１６（ａ）ないし（ｃ）に基づいて説明する。
【０００８】従来の位相シフトパターンを有するフォト
マスクの黒欠陥の修正は、図１５に示すように、マスク
基板１１上に形成された、Ｃｒ等の金属やＭｏＳｉ等の
金属間化合物からなる遮光膜１２の間の、位相シフタが
覆わない領域に、位相シフタの材料が残留したために生
じた黒欠陥１３の除去は、従来、図１６（ａ）ないし
（ｃ）に示すような工程で行なわれていた。すなわち、
黒欠陥のごく近傍の領域（図１５に示す領域ＸＶＩｃ）
のみにＦＩＢを走査しながら照射し、エッチングするこ
とによって点欠陥１３を除去する（図１６（ｂ））。黒
欠陥１３がすべてエッチングされた時点でエッチングを
停止すると、図１６（ｃ）に示すように、黒欠陥１３の
形状に沿うように、マスク基板１１の表面がエッチング
されてしまい、凹部１３ａが生じる。このように、マス
ク基板１１表面に黒欠陥１３の形状に沿った凹部１３ａ
が生じるのは、マスク基板１１の材質として用いる石英
と、黒欠陥を構成する位相シフタの材料として用いるＳ
ＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）とが、ほぼ同一の
エッチングートを有するからである。
マスクの黒欠陥の修正は、図１５に示すように、マスク
基板１１上に形成された、Ｃｒ等の金属やＭｏＳｉ等の
金属間化合物からなる遮光膜１２の間の、位相シフタが
覆わない領域に、位相シフタの材料が残留したために生
じた黒欠陥１３の除去は、従来、図１６（ａ）ないし
（ｃ）に示すような工程で行なわれていた。すなわち、
黒欠陥のごく近傍の領域（図１５に示す領域ＸＶＩｃ）
のみにＦＩＢを走査しながら照射し、エッチングするこ
とによって点欠陥１３を除去する（図１６（ｂ））。黒
欠陥１３がすべてエッチングされた時点でエッチングを
停止すると、図１６（ｃ）に示すように、黒欠陥１３の
形状に沿うように、マスク基板１１の表面がエッチング
されてしまい、凹部１３ａが生じる。このように、マス
ク基板１１表面に黒欠陥１３の形状に沿った凹部１３ａ
が生じるのは、マスク基板１１の材質として用いる石英
と、黒欠陥を構成する位相シフタの材料として用いるＳ
ＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）とが、ほぼ同一の
エッチングートを有するからである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の位相シフトパタ
ーンを有するフォトマスクのパターン欠陥の修正は以上
のように行なわれていたため、マスク基板の一部がエッ
チングされてしまい、修正後の欠陥領域に、黒欠陥のプ
ロファイルの影響を受けた凹部が生じて、フォトマスク
としての性能に悪影響を及ぼすという問題があった。
ーンを有するフォトマスクのパターン欠陥の修正は以上
のように行なわれていたため、マスク基板の一部がエッ
チングされてしまい、修正後の欠陥領域に、黒欠陥のプ
ロファイルの影響を受けた凹部が生じて、フォトマスク
としての性能に悪影響を及ぼすという問題があった。
【００１０】本発明は、このような従来の問題点を解消
するため、位相シフトパターンを有するフォトマスクを
形成する際に生じる位相シフタの黒欠陥等のパターン欠
陥を、マスク基板に悪影響を及ぼすことなく高精度に修
正することのできるフォトマスクのパターン欠陥修正方
法を提供することを目的とする。
するため、位相シフトパターンを有するフォトマスクを
形成する際に生じる位相シフタの黒欠陥等のパターン欠
陥を、マスク基板に悪影響を及ぼすことなく高精度に修
正することのできるフォトマスクのパターン欠陥修正方
法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明のフォトマスクのパターン欠陥修正方法は、マス
ク基板上に遮光膜と位相シフタを含む所定の位相シフト
マスクのパターンを形成した後に、マスク基板上の遮光
膜が覆わない領域に生じた位置シフタのパターン欠陥を
除去するための方法である。この方法において、まず、
マスク基板上のパターン欠陥を含む第１の領域の表面
を、少なくとも遮光膜およびパターン欠陥を覆うよう
に、平坦化膜を形成する。次に、第１の領域内に含まれ
るとともにパターン欠陥を包含する、マスク基板上の第
２の領域上に、ＦＩＢを照射して、平坦化膜およびパタ
ーン欠陥をエッチングした後、残存した平坦化膜を除去
する。
本発明のフォトマスクのパターン欠陥修正方法は、マス
ク基板上に遮光膜と位相シフタを含む所定の位相シフト
マスクのパターンを形成した後に、マスク基板上の遮光
膜が覆わない領域に生じた位置シフタのパターン欠陥を
除去するための方法である。この方法において、まず、
マスク基板上のパターン欠陥を含む第１の領域の表面
を、少なくとも遮光膜およびパターン欠陥を覆うよう
に、平坦化膜を形成する。次に、第１の領域内に含まれ
るとともにパターン欠陥を包含する、マスク基板上の第
２の領域上に、ＦＩＢを照射して、平坦化膜およびパタ
ーン欠陥をエッチングした後、残存した平坦化膜を除去
する。
【００１２】
【作用】本発明のフォトマスクのパターン欠陥修正方法
によれば、平坦化膜がパターン欠陥を覆った状態で平坦
化膜とパターン欠陥がＦＩＢによってほぼ同一エッチン
グレートで同時に除去されるため、平坦なプロファイル
を保持したまま、エッチングが進行する。
によれば、平坦化膜がパターン欠陥を覆った状態で平坦
化膜とパターン欠陥がＦＩＢによってほぼ同一エッチン
グレートで同時に除去されるため、平坦なプロファイル
を保持したまま、エッチングが進行する。
【００１３】また、エッチング領域をパターン欠陥自体
の領域よりも広く設定することにより、平坦化膜とマス
ク基板との境界における二次信号の強度変化をモニタす
ることが可能であり、その結果エッチングの終点検出が
容易に行なえる。
の領域よりも広く設定することにより、平坦化膜とマス
ク基板との境界における二次信号の強度変化をモニタす
ることが可能であり、その結果エッチングの終点検出が
容易に行なえる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明のフォトマスクのパターン欠陥
修正方法の実施例について、図面を参照しながら説明す
る。
修正方法の実施例について、図面を参照しながら説明す
る。
【００１５】図１（ａ）ないし（ｅ）は、本発明の第１
の実施例における位相シフトマスクの黒欠陥の修正方法
を工程順に示している。本実施例は、図１（ａ）とその
平面図である図２とを参照して、石英などからなるマス
ク基板１１上に間隙を有して隣接してパターニングされ
た遮光膜１２の間に、本来除去されるべき位相シフトマ
スクが残留した黒欠陥１３が存在する場合についての、
黒欠陥修正方法の実施例である。ここで、遮光膜１３
は、たとえばＣｒなどの金属もしくはＭｏＳｉなどの金
属間化合物で形成されている。また、位相シフタの残留
物である黒欠陥１３は、たとえばＳＯＧなどのように、
マスク基板１１を構成する石英と同様、光リソグラフィ
の露光用光線に対して透明な材質からなっている。この
場合、遮光膜１２と黒欠陥１３とのＦＩＢに対するエッ
チング速度は、ほぼ等しい。
の実施例における位相シフトマスクの黒欠陥の修正方法
を工程順に示している。本実施例は、図１（ａ）とその
平面図である図２とを参照して、石英などからなるマス
ク基板１１上に間隙を有して隣接してパターニングされ
た遮光膜１２の間に、本来除去されるべき位相シフトマ
スクが残留した黒欠陥１３が存在する場合についての、
黒欠陥修正方法の実施例である。ここで、遮光膜１３
は、たとえばＣｒなどの金属もしくはＭｏＳｉなどの金
属間化合物で形成されている。また、位相シフタの残留
物である黒欠陥１３は、たとえばＳＯＧなどのように、
マスク基板１１を構成する石英と同様、光リソグラフィ
の露光用光線に対して透明な材質からなっている。この
場合、遮光膜１２と黒欠陥１３とのＦＩＢに対するエッ
チング速度は、ほぼ等しい。
【００１６】本実施例の黒欠陥修正方法は、まず、図１
（ａ）に示す状態のマスク基板１１上全面に、少なくと
も遮光膜１２および黒欠陥１３のいずれをも覆うよう
に、平坦化膜としてのレジスト樹脂１４を平坦に塗布す
る（図１（ｂ））。
（ａ）に示す状態のマスク基板１１上全面に、少なくと
も遮光膜１２および黒欠陥１３のいずれをも覆うよう
に、平坦化膜としてのレジスト樹脂１４を平坦に塗布す
る（図１（ｂ））。
【００１７】次に、図２に下線で示すエッチング領域Ｉ
ｃ内にＦＩＢを走査しながら照射し、遮光膜１２が露出
するまでエッチングする。このときのエッチングは、Ｆ
ＩＢの照射イオンとしてたとえばＧａ+ を用いた、いわ
ゆるＧａ+ ミリングと称される物理的エッチングであ
る。照射エネルギは３０ＫｅＶ，ビーム電流は２００〜
３００ｐＡ程度のものを用いる。このエッチングにおい
て、Ｇａ+ ミリングが進行する部分から発生する二次電
子，二次イオン，光，Ｘ線等の二次信号をリアルタイム
でモニタし、遮光膜１２の表面が露出した瞬間（図１
（ｃ）の状態）の二次信号の強度変化を検出して、エッ
チングの終点とする。
ｃ内にＦＩＢを走査しながら照射し、遮光膜１２が露出
するまでエッチングする。このときのエッチングは、Ｆ
ＩＢの照射イオンとしてたとえばＧａ+ を用いた、いわ
ゆるＧａ+ ミリングと称される物理的エッチングであ
る。照射エネルギは３０ＫｅＶ，ビーム電流は２００〜
３００ｐＡ程度のものを用いる。このエッチングにおい
て、Ｇａ+ ミリングが進行する部分から発生する二次電
子，二次イオン，光，Ｘ線等の二次信号をリアルタイム
でモニタし、遮光膜１２の表面が露出した瞬間（図１
（ｃ）の状態）の二次信号の強度変化を検出して、エッ
チングの終点とする。
【００１８】次に、ＦＩＢの走査による照射範囲を、図
２に二点鎖線で示す領域Ｉｄにまで狭くし、さらにエッ
チングを進める。このときにも、上述した二次信号の強
度変化をモニタすることにより、マスク基板１１表面が
露出した瞬間を検出し、そこでエッチングを終了する
（図１（ｄ））。この場合、ＦＩＢに対するレジスト樹
脂１４のミリングレート（エッチングレート）が、遮光
膜１２および黒欠陥１３のミリングレートよりもはるか
に大きくなるように、レジスト樹脂１４の材質を選択し
ている。そのため、図１（ｄ）に示す時点では、遮光膜
１２はほとんどエッチングされることなく残存してい
る。
２に二点鎖線で示す領域Ｉｄにまで狭くし、さらにエッ
チングを進める。このときにも、上述した二次信号の強
度変化をモニタすることにより、マスク基板１１表面が
露出した瞬間を検出し、そこでエッチングを終了する
（図１（ｄ））。この場合、ＦＩＢに対するレジスト樹
脂１４のミリングレート（エッチングレート）が、遮光
膜１２および黒欠陥１３のミリングレートよりもはるか
に大きくなるように、レジスト樹脂１４の材質を選択し
ている。そのため、図１（ｄ）に示す時点では、遮光膜
１２はほとんどエッチングされることなく残存してい
る。
【００１９】次に、レジスト樹脂１４を剥離液もしくは
酸素プラズマなどを用いて除去することにより、図１
（ｅ）に示す状態となる。
酸素プラズマなどを用いて除去することにより、図１
（ｅ）に示す状態となる。
【００２０】上記実施例における二次信号のモニタ方法
としては、たとえば特開昭６４−１５９２２号公報に開
示されたものと同様であり、図１７を参照して次のよう
に説明される。すなわち、図１７に示す二次信号モニタ
装置において、金属イオン源５０１から出たイオンビー
ム５０２は、静電レンズ５０３によって集束され、ブラ
ッキング電極５０４とブラッキングアパーチャ５０６，
偏光電極５０５により偏光されて、フォトマスク２００
の上へ照射される。このとき試料から放出される二次荷
電粒子（二次電子，二次イオン等）を検出器５０８によ
り捉えて、これによる走査イオン像をディスプレイ５０
９上に表示する。この走査イオン像と、前もって記憶さ
れた正規のパターンを比較することによって、黒欠陥の
位置を検出する。黒欠陥が存在する領域が、別の欠陥走
査装置である透過型電子顕微鏡等を用いて検出できてい
たならば、そのデータがメモリ５１４に記憶されてい
る。コントローラ５１３がそのデータを読出して、テー
ブル５１５を駆動させるモータ５１２を制御し、欠陥が
存在する領域をイオンビームが偏光走査される位置に位
置決めする。
としては、たとえば特開昭６４−１５９２２号公報に開
示されたものと同様であり、図１７を参照して次のよう
に説明される。すなわち、図１７に示す二次信号モニタ
装置において、金属イオン源５０１から出たイオンビー
ム５０２は、静電レンズ５０３によって集束され、ブラ
ッキング電極５０４とブラッキングアパーチャ５０６，
偏光電極５０５により偏光されて、フォトマスク２００
の上へ照射される。このとき試料から放出される二次荷
電粒子（二次電子，二次イオン等）を検出器５０８によ
り捉えて、これによる走査イオン像をディスプレイ５０
９上に表示する。この走査イオン像と、前もって記憶さ
れた正規のパターンを比較することによって、黒欠陥の
位置を検出する。黒欠陥が存在する領域が、別の欠陥走
査装置である透過型電子顕微鏡等を用いて検出できてい
たならば、そのデータがメモリ５１４に記憶されてい
る。コントローラ５１３がそのデータを読出して、テー
ブル５１５を駆動させるモータ５１２を制御し、欠陥が
存在する領域をイオンビームが偏光走査される位置に位
置決めする。
【００２１】次に、コントローラ５１３からの指令によ
り、イオンビーム加工装置が作動し、黒欠陥の領域を含
むやや広い領域にイオンビームを走査して照射する。
り、イオンビーム加工装置が作動し、黒欠陥の領域を含
むやや広い領域にイオンビームを走査して照射する。
【００２２】次に、本発明の第２の実施例のフォトマス
クのパターン欠陥修正方法について、図３および図４
（ａ）ないし（ｄ）を参照しながら説明する。
クのパターン欠陥修正方法について、図３および図４
（ａ）ないし（ｄ）を参照しながら説明する。
【００２３】本実施例は、図３に示すように、マスク基
板１１上に遮光膜１２がパターニングされていない領域
において黒欠陥１３が生じている場合の、修正方法の一
例を示している。本実施例においては、まず、図４
（ａ）の状態のマスク基板１１上全面に、少なくとも黒
欠陥１３を覆う厚さの平坦化膜としてのレジスト樹脂１
４を形成する（図４（ｂ））。次に、図３において破線
で示す領域ＩＶｃにＦＩＢを走査して照射し、領域ＩＶ
ｃのレジスト樹脂１４および黒欠陥１３をエッチング
し、二次信号のモニタによってマスク基板１１の表面が
露出した瞬間を検出した時点でＦＩＢ照射を止め、図４
（ｃ）に示す状態とする。その後、残存したレジスト樹
脂１４を剥離液または酸素プラズマなどを用いて除去す
る（図４（ｄ））。
板１１上に遮光膜１２がパターニングされていない領域
において黒欠陥１３が生じている場合の、修正方法の一
例を示している。本実施例においては、まず、図４
（ａ）の状態のマスク基板１１上全面に、少なくとも黒
欠陥１３を覆う厚さの平坦化膜としてのレジスト樹脂１
４を形成する（図４（ｂ））。次に、図３において破線
で示す領域ＩＶｃにＦＩＢを走査して照射し、領域ＩＶ
ｃのレジスト樹脂１４および黒欠陥１３をエッチング
し、二次信号のモニタによってマスク基板１１の表面が
露出した瞬間を検出した時点でＦＩＢ照射を止め、図４
（ｃ）に示す状態とする。その後、残存したレジスト樹
脂１４を剥離液または酸素プラズマなどを用いて除去す
る（図４（ｄ））。
【００２４】本実施例は、遮光膜１２が存在しないため
に、遮光膜１２の表面が露出した時点でのエッチング領
域の再設定を行なう必要がない点で、上記第１の実施例
と異なるが、その他は変わるところがない。
に、遮光膜１２の表面が露出した時点でのエッチング領
域の再設定を行なう必要がない点で、上記第１の実施例
と異なるが、その他は変わるところがない。
【００２５】次に、本発明の第３の実施例について、図
５および図６（ａ）ないし（ｅ）に基づいて説明する。
本実施例は、図３および図４（ａ）に示すように黒欠陥
１３の片側にのみ、遮光膜１２のパターンが存在する場
合の、黒欠陥修正方法の実施例である。
５および図６（ａ）ないし（ｅ）に基づいて説明する。
本実施例は、図３および図４（ａ）に示すように黒欠陥
１３の片側にのみ、遮光膜１２のパターンが存在する場
合の、黒欠陥修正方法の実施例である。
【００２６】本実施例の図６（ｂ）ないし（ｅ）に示す
工程は、エッチング領域ＶＩ（ｃ），ＶＩ（ｄ）の設定
範囲が上記第１の実施例の場合のエッチング領域Ｉｃ，
Ｉｄと異なる点以外は、図１（ｂ）ないし（ｅ）に基づ
いて説明した第１の実施例の工程と同様である。
工程は、エッチング領域ＶＩ（ｃ），ＶＩ（ｄ）の設定
範囲が上記第１の実施例の場合のエッチング領域Ｉｃ，
Ｉｄと異なる点以外は、図１（ｂ）ないし（ｅ）に基づ
いて説明した第１の実施例の工程と同様である。
【００２７】次に、本発明の第４の実施例について、図
７および図８（ａ）ないし（ｅ）に基づいて説明する。
本実施例は、図７および図８（ａ）を参照して、遮光膜
１２が存在する領域の下に、マスク基板１１自体の一部
（図８（ａ）ないし（ｅ）の破線より上側）に位相シフ
タ層１１ａを設け、隣接する位相シフタ層１１ａの間の
領域１１ｂのマスク基板１１上に黒欠陥１３が生じた場
合の、黒欠陥修正の工程の実施例である。
７および図８（ａ）ないし（ｅ）に基づいて説明する。
本実施例は、図７および図８（ａ）を参照して、遮光膜
１２が存在する領域の下に、マスク基板１１自体の一部
（図８（ａ）ないし（ｅ）の破線より上側）に位相シフ
タ層１１ａを設け、隣接する位相シフタ層１１ａの間の
領域１１ｂのマスク基板１１上に黒欠陥１３が生じた場
合の、黒欠陥修正の工程の実施例である。
【００２８】本実施例においては、まず、図８（ａ）の
状態のマスク基板１１上全面に、少なくとも遮光膜１２
の表面が覆われるように、平坦化膜としてのレジスト樹
脂１４を塗布する（図８（ｂ））。このとき、位相シフ
タ層１１ａの間の領域１１ｂの上方には、レジスト樹脂
１４に凹部１４ａが生じている。次に、図７に示すエッ
チング領域ＶＩＩＩｃにＦＩＢを走査して照射し、遮光
膜１２の上面が露出する瞬間が検出されるまでエッチン
グを行なう（図８（ｃ））。その後、エッチングの範囲
を領域１１ｂ内のエッチング領域ＶＩＩＩｄに縮小し
て、マスク基板１１の上面が露出するまでエッチングを
行なう（図８（ｄ））。次に、レジスト樹脂１４を剥離
液または酸素プラズマ等を用いて除去することにより、
図８（ｅ）に示す状態となる。
状態のマスク基板１１上全面に、少なくとも遮光膜１２
の表面が覆われるように、平坦化膜としてのレジスト樹
脂１４を塗布する（図８（ｂ））。このとき、位相シフ
タ層１１ａの間の領域１１ｂの上方には、レジスト樹脂
１４に凹部１４ａが生じている。次に、図７に示すエッ
チング領域ＶＩＩＩｃにＦＩＢを走査して照射し、遮光
膜１２の上面が露出する瞬間が検出されるまでエッチン
グを行なう（図８（ｃ））。その後、エッチングの範囲
を領域１１ｂ内のエッチング領域ＶＩＩＩｄに縮小し
て、マスク基板１１の上面が露出するまでエッチングを
行なう（図８（ｄ））。次に、レジスト樹脂１４を剥離
液または酸素プラズマ等を用いて除去することにより、
図８（ｅ）に示す状態となる。
【００２９】本実施例における位相シフタ１１ａの厚さ
は、それを通過する光の位相と領域１１ｂを通過する光
の位相とが半波長ずれるように決定される。したがっ
て、領域１１ｂのエッチングが、深くかつエッジ精度の
高いものが要求される。
は、それを通過する光の位相と領域１１ｂを通過する光
の位相とが半波長ずれるように決定される。したがっ
て、領域１１ｂのエッチングが、深くかつエッジ精度の
高いものが要求される。
【００３０】この工程において、凹部１４ａの位置では
そのプロファイルを保ったままエッチングが進行する
が、レジスト樹脂１４のＦＩＢに対するエッチングレー
トがマスク基板１１よりも大きいため、マスク基板１１
をほとんどオーバエッチングすることなく、領域１１ｂ
のマスク基板１１表面を平坦に露出させることができ
る。
そのプロファイルを保ったままエッチングが進行する
が、レジスト樹脂１４のＦＩＢに対するエッチングレー
トがマスク基板１１よりも大きいため、マスク基板１１
をほとんどオーバエッチングすることなく、領域１１ｂ
のマスク基板１１表面を平坦に露出させることができ
る。
【００３１】なお本実施例において、位相シフトマスク
１１ａはマスク基板１１の一部によって形成されている
ものとしたが、これに限られるものではなく、マスク基
板１１上に、蒸着法や塗布法を用いて新たに形成された
ＳＯＧなどを用いてもよい。
１１ａはマスク基板１１の一部によって形成されている
ものとしたが、これに限られるものではなく、マスク基
板１１上に、蒸着法や塗布法を用いて新たに形成された
ＳＯＧなどを用いてもよい。
【００３２】次に、本発明の第５の実施例について、図
９および図１０（ａ）ないし（ｅ）に基づいて説明す
る。本実施例は、上記第４の実施例において遮光膜１２
が存在しない場合に相当する。したがって、図１０
（ｂ）ないし（ｅ）の工程は、エッチング領域Ｘｃから
エッチング領域Ｘｄへの切換が、位相シフタ１１ａ表面
が露出した時点で行なわれる点を除いて、図８（ｂ）な
いし（ｅ）に示した上記第４の実施例の場合と同様であ
る。
９および図１０（ａ）ないし（ｅ）に基づいて説明す
る。本実施例は、上記第４の実施例において遮光膜１２
が存在しない場合に相当する。したがって、図１０
（ｂ）ないし（ｅ）の工程は、エッチング領域Ｘｃから
エッチング領域Ｘｄへの切換が、位相シフタ１１ａ表面
が露出した時点で行なわれる点を除いて、図８（ｂ）な
いし（ｅ）に示した上記第４の実施例の場合と同様であ
る。
【００３３】次に、本発明の第６の実施例について、図
１１および図１２（ａ）ないし（ｆ）に基づいて説明す
る。本実施例は、上記第４の実施例と第５の実施例の中
間の場合に相当する。すなわち、図１１および図１２
（ａ）に示すように、遮光膜１２の下方に位相シフタ１
１ａを有し、かつ、黒欠陥１３の片側の位相シフタ１１
ａ上にのみ遮光膜１２を有する場合の、黒欠陥修正の実
施例である。
１１および図１２（ａ）ないし（ｆ）に基づいて説明す
る。本実施例は、上記第４の実施例と第５の実施例の中
間の場合に相当する。すなわち、図１１および図１２
（ａ）に示すように、遮光膜１２の下方に位相シフタ１
１ａを有し、かつ、黒欠陥１３の片側の位相シフタ１１
ａ上にのみ遮光膜１２を有する場合の、黒欠陥修正の実
施例である。
【００３４】本実施例においては、図１１（ａ）に示す
状態のマスク基板１１上全面に、少なくとも遮光膜１２
表面を覆うように、平坦化膜としてのレジスト樹脂１４
を塗布する（図１２（ｂ））。このとき、領域１１ｂ上
のレジスト樹脂１４には、凹部１４ａが生じている。次
に、図１１に示すエッチング領域ＸＩＩｃ内においてＦ
ＩＢを走査して照射し、遮光膜１２の表面が露出するま
でエッチングを行なう（図１２（ｃ））。次に、エッチ
ングの範囲を領域ＸＩＩｄまで縮小し、位相シフタ１１
ａの表面が露出するまでエッチングを行なう（図１２
（ｄ））。その後、エッチング範囲をさらに領域ＸＩＩ
ｅにまで縮小し、領域１１ｂのマスク基板表面が露出す
るまでエッチングを行なう（図１２（ｅ））。その後、
レジスト樹脂１４を除去することにより、図１２（ｆ）
に示す状態となる。
状態のマスク基板１１上全面に、少なくとも遮光膜１２
表面を覆うように、平坦化膜としてのレジスト樹脂１４
を塗布する（図１２（ｂ））。このとき、領域１１ｂ上
のレジスト樹脂１４には、凹部１４ａが生じている。次
に、図１１に示すエッチング領域ＸＩＩｃ内においてＦ
ＩＢを走査して照射し、遮光膜１２の表面が露出するま
でエッチングを行なう（図１２（ｃ））。次に、エッチ
ングの範囲を領域ＸＩＩｄまで縮小し、位相シフタ１１
ａの表面が露出するまでエッチングを行なう（図１２
（ｄ））。その後、エッチング範囲をさらに領域ＸＩＩ
ｅにまで縮小し、領域１１ｂのマスク基板表面が露出す
るまでエッチングを行なう（図１２（ｅ））。その後、
レジスト樹脂１４を除去することにより、図１２（ｆ）
に示す状態となる。
【００３５】本実施例の工程は、エッチング領域の縮小
を二段階にわたって行なうことを除き、その他の作用効
果については、上記第４および第５の実施例と同様であ
る。
を二段階にわたって行なうことを除き、その他の作用効
果については、上記第４および第５の実施例と同様であ
る。
【００３６】次に、本発明の第７の実施例について、図
１８および図１９（ａ）ないし（ｅ）に基づいて説明す
る。本実施例は、上記第１ないし第６の実施例がいずれ
も黒欠陥の修正方法に関するものであったのに対して、
いわゆる白欠陥の修正方法に関している。すなわち、本
実施例は、図１８および図１９（ａ）に示すように，マ
スク基板１１上に隣接して形成された遮光膜１２の間の
領域に位相シフタ１５が設けられ、この位相シフタ１５
内に位相シフタ材料の欠損である白欠陥１６が生じた場
合の、白欠陥の修正方法の一例である。
１８および図１９（ａ）ないし（ｅ）に基づいて説明す
る。本実施例は、上記第１ないし第６の実施例がいずれ
も黒欠陥の修正方法に関するものであったのに対して、
いわゆる白欠陥の修正方法に関している。すなわち、本
実施例は、図１８および図１９（ａ）に示すように，マ
スク基板１１上に隣接して形成された遮光膜１２の間の
領域に位相シフタ１５が設けられ、この位相シフタ１５
内に位相シフタ材料の欠損である白欠陥１６が生じた場
合の、白欠陥の修正方法の一例である。
【００３７】本実施例においては、まず、図１９（ａ）
に示す状態のマスク基板１１上全面に、少なくとも遮光
膜１２および位相シフタ１５の表面を覆うように、平坦
化膜としてのレジスト樹脂１４を塗布する（図１９
（ｂ））。次に、図１８に破線で示した領域ＸＩＸｂ内
においてＦＩＢを走査して照射し、エッチングを行なう
（図１９（ｃ））。その後、マスク基板１１の表面が露
出した後も同じ領域においてエッチングを継続し、マス
ク基板１１表面から深さδに達した時点でエッチングを
終了する（図１９（ｄ））。その後、レジスト樹脂１４
を除去することにより、図１９（ｅ）に示す状態とな
る。
に示す状態のマスク基板１１上全面に、少なくとも遮光
膜１２および位相シフタ１５の表面を覆うように、平坦
化膜としてのレジスト樹脂１４を塗布する（図１９
（ｂ））。次に、図１８に破線で示した領域ＸＩＸｂ内
においてＦＩＢを走査して照射し、エッチングを行なう
（図１９（ｃ））。その後、マスク基板１１の表面が露
出した後も同じ領域においてエッチングを継続し、マス
ク基板１１表面から深さδに達した時点でエッチングを
終了する（図１９（ｄ））。その後、レジスト樹脂１４
を除去することにより、図１９（ｅ）に示す状態とな
る。
【００３８】本実施例によれば、領域ＸＩＸｂにおいて
マスク基板１１の厚さをδだけ薄くすることにより、こ
の領域におけるマスク基板１１の透過光の位相を、他の
領域の透過光の位相に対して半波長ずれるようになって
いる。その結果、白欠陥が生じていた領域にも、位相シ
フタ１５が形成されているのと等価な位相シフトマスク
としての性能を得ることができる。
マスク基板１１の厚さをδだけ薄くすることにより、こ
の領域におけるマスク基板１１の透過光の位相を、他の
領域の透過光の位相に対して半波長ずれるようになって
いる。その結果、白欠陥が生じていた領域にも、位相シ
フタ１５が形成されているのと等価な位相シフトマスク
としての性能を得ることができる。
【００３９】
【発明の効果】本発明のフォトマスクのパターン欠陥修
正方法によれば、平坦化膜で欠陥領域を平坦化すること
により、欠陥のプロファイルの影響を受けることなくエ
ッチングが均一に進行し、容易に欠陥が修正される。ま
た、エッチングが平坦化膜とマスク基板との境界に達し
た時点の検出が容易であるため、エッチングの終点検出
が精度よく行なわれる。したがって、マスク基板にオー
バエッチングが生じることなく、深さ方向に対して高い
精度で欠陥修正を行なうことができる。
正方法によれば、平坦化膜で欠陥領域を平坦化すること
により、欠陥のプロファイルの影響を受けることなくエ
ッチングが均一に進行し、容易に欠陥が修正される。ま
た、エッチングが平坦化膜とマスク基板との境界に達し
た時点の検出が容易であるため、エッチングの終点検出
が精度よく行なわれる。したがって、マスク基板にオー
バエッチングが生じることなく、深さ方向に対して高い
精度で欠陥修正を行なうことができる。
【図１】（ａ）ないし（ｅ）は、本発明の第１の実施例
におけるフォトマスクのパターン欠陥修正方法を工程順
に示す断面図であり、各々の左側は図２に示したＩａ−
Ｉａ線断面、右側はＩｂ−Ｉｂ線断面を示している。
におけるフォトマスクのパターン欠陥修正方法を工程順
に示す断面図であり、各々の左側は図２に示したＩａ−
Ｉａ線断面、右側はＩｂ−Ｉｂ線断面を示している。
【図２】本発明の第１の実施例におけるパターン欠陥修
正方法を適用する位相シフトマスクの黒欠陥近傍を示す
平面図である。
正方法を適用する位相シフトマスクの黒欠陥近傍を示す
平面図である。
【図３】本発明の第２の実施例におけるフォトマスクの
パターン欠陥修正方法を適用する位相シフトマスクの、
黒欠陥近傍を示す平面図である。
パターン欠陥修正方法を適用する位相シフトマスクの、
黒欠陥近傍を示す平面図である。
【図４】（ａ）ないし（ｄ）は、本発明の第２の実施例
における位相シフトマスクのパターン欠陥修正方法を工
程順に示す断面図であり、各々の左側は図３におけるＩ
Ｖａ−ＩＶａ線断面、右側はＩＶｂ−ＩＶｂ線断面を示
している。
における位相シフトマスクのパターン欠陥修正方法を工
程順に示す断面図であり、各々の左側は図３におけるＩ
Ｖａ−ＩＶａ線断面、右側はＩＶｂ−ＩＶｂ線断面を示
している。
【図５】本発明の第３の実施例におけるフォトマスクの
パターン欠陥修正方法を適用する位相シフトマスクの黒
欠陥近傍を示す平面図である。
パターン欠陥修正方法を適用する位相シフトマスクの黒
欠陥近傍を示す平面図である。
【図６】（ａ）ないし（ｂ）は、本発明の第３の実施例
におけるフォトマスクのパターン欠陥修正方法を工程順
に示す断面図であり、各々の左側は図５におけるＶＩａ
−ＶＩａ断面、右側はＶＩｂ−ＶＩｂ断面を示してい
る。
におけるフォトマスクのパターン欠陥修正方法を工程順
に示す断面図であり、各々の左側は図５におけるＶＩａ
−ＶＩａ断面、右側はＶＩｂ−ＶＩｂ断面を示してい
る。
【図７】本発明の第４の実施例におけるフォトマスクの
パターン欠陥修正方法を適用する、位相シフトマスクの
黒欠陥近傍の平面図である。
パターン欠陥修正方法を適用する、位相シフトマスクの
黒欠陥近傍の平面図である。
【図８】（ａ）ないし（ｅ）は、本発明の第４の実施例
におけるフォトマスクのパターン欠陥修正方法を工程順
に示す断面図であり、各々の左側は図７に示すＶＩＩＩ
ａ−ＶＩＩＩａ断面、右側はＶＩＩＩｂ−ＶＩＩＩｂ断
面を示している。
におけるフォトマスクのパターン欠陥修正方法を工程順
に示す断面図であり、各々の左側は図７に示すＶＩＩＩ
ａ−ＶＩＩＩａ断面、右側はＶＩＩＩｂ−ＶＩＩＩｂ断
面を示している。
【図９】本発明の第５の実施例におけるフォトマスクの
パターン欠陥修正方法を適用する、位相シフトマスクの
黒欠陥近傍を示す平面図である。
パターン欠陥修正方法を適用する、位相シフトマスクの
黒欠陥近傍を示す平面図である。
【図１０】（ａ）ないし（ｅ）は、本発明の第５の実施
例におけるフォトマスクのパターン欠陥修正方法を工程
順に示す断面図であり、各々の左側は図９に示すＸａ−
Ｘａ断面、右側はＸｂ−Ｘｂ断面を示している。
例におけるフォトマスクのパターン欠陥修正方法を工程
順に示す断面図であり、各々の左側は図９に示すＸａ−
Ｘａ断面、右側はＸｂ−Ｘｂ断面を示している。
【図１１】本発明の第６の実施例におけるフォトマスク
のパターン欠陥修正方法を適用する位相シフトマスクの
黒欠陥近傍を示す平面図である。
のパターン欠陥修正方法を適用する位相シフトマスクの
黒欠陥近傍を示す平面図である。
【図１２】（ａ）ないし（ｆ）は、本発明の第６の実施
例におけるフォトマスクのパターン欠陥修正方法を工程
順に示す断面図であり、各々の左側は図１１に示すＸＩ
Ｉａ−ＸＩＩａ断面、右側はＸＩＩｂ−ＸＩＩｂ断面も
示している。
例におけるフォトマスクのパターン欠陥修正方法を工程
順に示す断面図であり、各々の左側は図１１に示すＸＩ
Ｉａ−ＸＩＩａ断面、右側はＸＩＩｂ−ＸＩＩｂ断面も
示している。
【図１３】（ａ）は位相シフトしない従来のフォトマス
クの断面図、（ｂ）はそのフォトマスクの主面上の電場
分布を示す図、（ｃ）は同じ主面上の光強度分布を示す
図である。
クの断面図、（ｂ）はそのフォトマスクの主面上の電場
分布を示す図、（ｃ）は同じ主面上の光強度分布を示す
図である。
【図１４】（ａ）は従来の位相シフトマスクの断面図、
（ｂ）はその位相シフトマスクのマスクパターン２を形
成した主面上の電場分布を示す図、（ｃ）は同じ主面上
に光強度分布を示す図である。
（ｂ）はその位相シフトマスクのマスクパターン２を形
成した主面上の電場分布を示す図、（ｃ）は同じ主面上
に光強度分布を示す図である。
【図１５】従来の位相シフトマスクの黒欠陥近傍を示す
平面図である。
平面図である。
【図１６】（ａ）ないし（ｃ）は、図１５に示した従来
の位相シフトマスクの黒欠陥の修正方法を工程順に示す
断面図であり、各々の左側は図１５に示すＸＶＩａ−Ｘ
ＶＩａ断面、右側はＸＶＩｂ−ＸＶＩｂ断面を示してい
る。
の位相シフトマスクの黒欠陥の修正方法を工程順に示す
断面図であり、各々の左側は図１５に示すＸＶＩａ−Ｘ
ＶＩａ断面、右側はＸＶＩｂ−ＸＶＩｂ断面を示してい
る。
【図１７】本発明の各実施例において適用した、二次信
号を検出するための従来の装置の構成図である。
号を検出するための従来の装置の構成図である。
【図１８】本発明の第７の実施例におけるフォトマスク
のパターン欠陥修正方法を適用する位相シフトマスク
の、白欠陥近傍を示す平面図である。
のパターン欠陥修正方法を適用する位相シフトマスク
の、白欠陥近傍を示す平面図である。
【図１９】（ａ）ないし（ｅ）は、本発明の第７の実施
例におけるフォトマスクのパターン欠陥修正方法を工程
順に示す断面図であり、各々図１８に示すＸＩＸａ−Ｘ
ＩＸａ断面を示している。
例におけるフォトマスクのパターン欠陥修正方法を工程
順に示す断面図であり、各々図１８に示すＸＩＸａ−Ｘ
ＩＸａ断面を示している。
１１ マスク基板 １２ 遮光膜 １３ 黒欠陥 １４ レジスト樹脂 １５ 位相シフタ １６ 白欠陥 なお、図中同一符号を付した部分は、同一または相当の
要素を示す。
要素を示す。
Claims (4)
- 【請求項１】 マスク基板上に、遮光膜と位相シフタと
を含む所定の位相シフトマスクのパターンを形成した後
に、前記マスク基板表面上の遮光膜が存在しない領域に
発生した位相シフタのパターン欠陥を除去するための、
フォトマスクのパターン欠陥修正方法であって、 前記マスク基板上の前記パターン欠陥を含む第１の領域
の表面を、前記パターン欠陥および前記マスクを平坦化
膜で覆う工程と、 前記第１の領域に含まれるとともに前記パターン欠陥を
含む、前記マスク基板上の第２の領域上に、集束イオン
ビームを照射して、前記平坦化膜および前記パターン欠
陥をエッチングする工程と、 残存した前記平坦化膜を除去する工程と、 を備えたフォトマスクのパターン欠陥修正方法。 - 【請求項２】 前記平坦化膜および前記パターン欠陥を
エッチングする工程は、エッチングが前記平坦化膜と前
記マスク基板との境界面まで進んだ時点でエッチングを
停止する工程を含む、請求項１記載のフォトマスクのパ
ターン欠陥修正方法。 - 【請求項３】 前記平坦化膜および前記パターン欠陥を
エッチングする工程は、前記集束イオンビーム照射時に
おける、前記平坦化膜から得られる二次信号と前記マス
ク基板から得られる二次信号とを検出することにより、
エッチングの進行度合を判断する工程を含む、請求項１
記載のフォトマスクのパターン欠陥修正方法。 - 【請求項４】 前記平坦化膜の集束イオンビームに対す
るエッチング速度が、前記位相シフタの材料の集束イオ
ンビームに対するエッチング速度と略同一である、請求
項１記載のフォトマスクのパターン欠陥修正方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30199691A JP2655215B2 (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | フォトマスクのパターン欠陥修正方法 |
| US07/977,365 US5272116A (en) | 1991-11-18 | 1992-11-17 | Method for pattern defect correction of a photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30199691A JP2655215B2 (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | フォトマスクのパターン欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05142756A true JPH05142756A (ja) | 1993-06-11 |
| JP2655215B2 JP2655215B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=17903633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30199691A Expired - Lifetime JP2655215B2 (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | フォトマスクのパターン欠陥修正方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5272116A (ja) |
| JP (1) | JP2655215B2 (ja) |
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| KR102077904B1 (ko) * | 2017-02-02 | 2020-02-14 | 가부시키가이샤 에스케이 일렉트로닉스 | 위상 시프트 마스크의 결함 수정 방법 |
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| US5981110A (en) * | 1998-02-17 | 1999-11-09 | International Business Machines Corporation | Method for repairing photomasks |
| KR100269329B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2000-12-01 | 윤종용 | 포토마스크의 결함 수리 방법 |
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| US6277526B1 (en) | 1998-12-28 | 2001-08-21 | Micron Technology, Inc. | Method for repairing MoSi attenuated phase shift masks |
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| KR100363090B1 (ko) | 2000-06-01 | 2002-11-30 | 삼성전자 주식회사 | 개구부용 포토마스크의 불투명 결함 수리 방법 |
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| JP2655215B2 (ja) | 1997-09-17 |
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