JPH05136151A - 半導体装置の電極形成方法と実装体 - Google Patents
半導体装置の電極形成方法と実装体Info
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- JPH05136151A JPH05136151A JP30012491A JP30012491A JPH05136151A JP H05136151 A JPH05136151 A JP H05136151A JP 30012491 A JP30012491 A JP 30012491A JP 30012491 A JP30012491 A JP 30012491A JP H05136151 A JPH05136151 A JP H05136151A
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体装置と回路基板とを容易に、
かつ、信頼性良く接続することのできる半導体装置の電
極形成方法と実装体を提供することを目的とする。 【構成】 半導体装置のＩＣ基板１のアルミ電極パッド
２部上に突起状のバンプ電極３を備え、バンプ電極３上
に半田濡れ性のない基材５から半田７を効率よく転写す
ることにより、バンプ電極３と転写された半田７からな
る電極を形成するもので、この半田７を介してフェース
ダウンで半導体装置を回路基板上の端子電極に電気的に
接続する実装体を得るものである。 【効果】 転写によるバンプ電極３への半田７の形成に
より半導体装置の汚染を回避でき、かつ、突起状のバン
プ電極３により接合層の広がりの規制が可能となり、微
細ピッチでの接合が実現できる。
かつ、信頼性良く接続することのできる半導体装置の電
極形成方法と実装体を提供することを目的とする。 【構成】 半導体装置のＩＣ基板１のアルミ電極パッド
２部上に突起状のバンプ電極３を備え、バンプ電極３上
に半田濡れ性のない基材５から半田７を効率よく転写す
ることにより、バンプ電極３と転写された半田７からな
る電極を形成するもので、この半田７を介してフェース
ダウンで半導体装置を回路基板上の端子電極に電気的に
接続する実装体を得るものである。 【効果】 転写によるバンプ電極３への半田７の形成に
より半導体装置の汚染を回避でき、かつ、突起状のバン
プ電極３により接合層の広がりの規制が可能となり、微
細ピッチでの接合が実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置を回路基板
に実装する際の電極形成方法とその実装体に関するもの
であり、特にフェースダウンで実装してなる半導体装置
の電極形成方法と実装体に関する。
に実装する際の電極形成方法とその実装体に関するもの
であり、特にフェースダウンで実装してなる半導体装置
の電極形成方法と実装体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の回路基板上への実装
には半田付けがよく利用されていたが、近年、半導体装
置のパッケージの小型化と接続端子数の増加により、接
続端子間隔が狭くなり、従来の半田付け技術で対処する
ことが次第に困難になってきた。
には半田付けがよく利用されていたが、近年、半導体装
置のパッケージの小型化と接続端子数の増加により、接
続端子間隔が狭くなり、従来の半田付け技術で対処する
ことが次第に困難になってきた。
【０００３】そこで、最近では裸の半導体装置を回路基
板上に直付けして実装面積の小型化と効率的使用を図ろ
うとする方法が考案されてきた。
板上に直付けして実装面積の小型化と効率的使用を図ろ
うとする方法が考案されてきた。
【０００４】なかでも、半導体装置を回路基板に接続す
るに際し、あらかじめ半導体装置のアルミ電極パッド上
に密着金属や拡散防止金属の蒸着膜とこの上にメッキに
より形成した半田層とからなる電極構造を有する半導体
装置を下向き（フェースダウン）にして、高温に加熱し
て半田を回路基板の端子電極に融着する実装構造が、接
続後の機械的強度が強く、接続が一括にできることなど
から有効な方法であるとされている。（例えば、工業調
査会、１９８０年１月１５日発行、日本マイクロエレク
トロニクス協会編、『ＩＣ化実装技術』） 以下図面を参照しながら、上述した従来の半導体装置の
電極形成方法と実装方法の一例について説明する。
るに際し、あらかじめ半導体装置のアルミ電極パッド上
に密着金属や拡散防止金属の蒸着膜とこの上にメッキに
より形成した半田層とからなる電極構造を有する半導体
装置を下向き（フェースダウン）にして、高温に加熱し
て半田を回路基板の端子電極に融着する実装構造が、接
続後の機械的強度が強く、接続が一括にできることなど
から有効な方法であるとされている。（例えば、工業調
査会、１９８０年１月１５日発行、日本マイクロエレク
トロニクス協会編、『ＩＣ化実装技術』） 以下図面を参照しながら、上述した従来の半導体装置の
電極形成方法と実装方法の一例について説明する。
【０００５】図４は従来の半田バンプ電極を有する半導
体装置の電極形成方法の概略説明図であり、図５は上記
半田バンプ電極の電極構造の概略説明図であり、図６は
上記半導体装置の実装体の概略説明図である。
体装置の電極形成方法の概略説明図であり、図５は上記
半田バンプ電極の電極構造の概略説明図であり、図６は
上記半導体装置の実装体の概略説明図である。
【０００６】図４において、１０は半導体装置のＩＣ基
板であり、１１はアルミ電極パッドである。１２は密着
金属膜であり、１３は拡散防止金属膜である。１４はパ
ッシベーション膜であり、１５はフォトレジスト膜であ
る。１６はメッキ後の半田バンプであり、１７はリフロ
ー後の半田バンプである。図６において、１８は回路基
板であり、１９は端子電極である。
板であり、１１はアルミ電極パッドである。１２は密着
金属膜であり、１３は拡散防止金属膜である。１４はパ
ッシベーション膜であり、１５はフォトレジスト膜であ
る。１６はメッキ後の半田バンプであり、１７はリフロ
ー後の半田バンプである。図６において、１８は回路基
板であり、１９は端子電極である。
【０００７】以上のように構成された従来の半田バンプ
電極を有する半導体装置の電極形成方法と実装体につい
て、以下その概略を説明する。
電極を有する半導体装置の電極形成方法と実装体につい
て、以下その概略を説明する。
【０００８】まず、図４の（ａ）に示すように半導体装
置のＩＣ基板１０のアルミ電極パッド１１上にＣｕなど
の密着金属膜１２、および、Ｃｒなどの拡散防止金属膜
１３を蒸着により形成する。その後、図４の（ｂ）に示
すように電極部以外をフォトレジスト１５で覆い、メッ
キ法により半田を拡散防止金属膜１３上に析出させて図
４の（ｃ）に示すキノコ状の半田バンプ１６を得る。最
後に、半田リフローを行うことにより、図４の（ｄ）に
示すように半田バンプ１７を形成して図５に示す電極構
造の半田バンプ電極を得る。
置のＩＣ基板１０のアルミ電極パッド１１上にＣｕなど
の密着金属膜１２、および、Ｃｒなどの拡散防止金属膜
１３を蒸着により形成する。その後、図４の（ｂ）に示
すように電極部以外をフォトレジスト１５で覆い、メッ
キ法により半田を拡散防止金属膜１３上に析出させて図
４の（ｃ）に示すキノコ状の半田バンプ１６を得る。最
後に、半田リフローを行うことにより、図４の（ｄ）に
示すように半田バンプ１７を形成して図５に示す電極構
造の半田バンプ電極を得る。
【０００９】さらに、以上のようにして得た半田バンプ
電極を有する半導体装置を、回路基板１８の所定の位置
に位置合わせを行ってフェースダウンで積載した後、２
００〜３００℃の高温に加熱して半田バンプ１７を溶融
し、端子電極１９に融着することで図６の実装構造で半
導体装置の実装体を得るものである。
電極を有する半導体装置を、回路基板１８の所定の位置
に位置合わせを行ってフェースダウンで積載した後、２
００〜３００℃の高温に加熱して半田バンプ１７を溶融
し、端子電極１９に融着することで図６の実装構造で半
導体装置の実装体を得るものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな半導体装置の電極形成方法や実装体においては、
１．メッキ法により半田バンプを形成するために、メッ
キ液からの半導体装置の汚染を洗浄する必要があり、か
つ、電極形成方法が複雑となり汎用性に欠ける。２．高
温に加熱して半田を溶融して端子電極と接続する際に、
ＩＣ基板と回路基板とのギャップを維持することが出来
ないため、半田が広がって隣接とショートする危険があ
る。などといった課題を有していた。
うな半導体装置の電極形成方法や実装体においては、
１．メッキ法により半田バンプを形成するために、メッ
キ液からの半導体装置の汚染を洗浄する必要があり、か
つ、電極形成方法が複雑となり汎用性に欠ける。２．高
温に加熱して半田を溶融して端子電極と接続する際に、
ＩＣ基板と回路基板とのギャップを維持することが出来
ないため、半田が広がって隣接とショートする危険があ
る。などといった課題を有していた。
【００１１】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、半導体装置と回路基
板とを容易に信頼性良く、かつ、微細ピッチで接続する
ことを可能とする半導体装置の電極形成方法と実装体を
提供することにある。
であり、その目的とするところは、半導体装置と回路基
板とを容易に信頼性良く、かつ、微細ピッチで接続する
ことを可能とする半導体装置の電極形成方法と実装体を
提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するため、フェースダウンで回路基板に実装する半導
体装置において、半導体装置のアルミ電極パッド部上に
突起状のバンプ電極を備え、別に用意した半田濡れ性の
ない基材上に電極パターンに合わせて形成した半田ペー
ストに上記バンプ電極を接触させた後、半田ペーストの
溶融温度以上に加熱してバンプ電極上に半田を転写して
半導体装置の電極を形成した後、回路基板の端子電極に
位置合わせして積載して加熱することによりバンプ電極
を端子電極と接合して半導体装置の実装体を得ることを
特徴として、信頼性の高い半導体装置の回路基板への実
装を実現しようとするものである。
決するため、フェースダウンで回路基板に実装する半導
体装置において、半導体装置のアルミ電極パッド部上に
突起状のバンプ電極を備え、別に用意した半田濡れ性の
ない基材上に電極パターンに合わせて形成した半田ペー
ストに上記バンプ電極を接触させた後、半田ペーストの
溶融温度以上に加熱してバンプ電極上に半田を転写して
半導体装置の電極を形成した後、回路基板の端子電極に
位置合わせして積載して加熱することによりバンプ電極
を端子電極と接合して半導体装置の実装体を得ることを
特徴として、信頼性の高い半導体装置の回路基板への実
装を実現しようとするものである。
【００１３】
【作用】本発明は、半導体装置のアルミ電極パッド部上
に形成した突起形状のバンプ電極上に半田濡れ性のない
基材から半田を転写することにより、半導体装置を汚染
することなく電極形成でき、半導体装置を回路基板の端
子電極に接合する際に半田が隣接とショートすることな
く微細ピッチでの接合が可能となり、かつ、信頼性の高
い半導体装置の実装体が実現できる。
に形成した突起形状のバンプ電極上に半田濡れ性のない
基材から半田を転写することにより、半導体装置を汚染
することなく電極形成でき、半導体装置を回路基板の端
子電極に接合する際に半田が隣接とショートすることな
く微細ピッチでの接合が可能となり、かつ、信頼性の高
い半導体装置の実装体が実現できる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例の半導体装置の電極
形成方法と実装体について、図面を参照しながら説明す
る。
形成方法と実装体について、図面を参照しながら説明す
る。
【００１５】図１は、本発明の一実施例における半導体
装置の電極形成方法の概略説明図であり、図２は、上記
実施例の電極形成方法による半導体装置の電極構造の概
略説明図であり、図３は、本発明の一実施例における半
導体装置の実装体の概略説明図である。
装置の電極形成方法の概略説明図であり、図２は、上記
実施例の電極形成方法による半導体装置の電極構造の概
略説明図であり、図３は、本発明の一実施例における半
導体装置の実装体の概略説明図である。
【００１６】図１において、１は半導体装置のＩＣ基板
であり、２はアルミ電極パッドである。３は突起状のバ
ンプ電極であり、４はパッシベーション膜である。５は
半田濡れ性のない基材であり、６は半田ペーストであ
る。７はバンプ電極上に転写された半田である。図３に
おいて、８は回路基板であり、９は端子電極である。
であり、２はアルミ電極パッドである。３は突起状のバ
ンプ電極であり、４はパッシベーション膜である。５は
半田濡れ性のない基材であり、６は半田ペーストであ
る。７はバンプ電極上に転写された半田である。図３に
おいて、８は回路基板であり、９は端子電極である。
【００１７】以上のように構成された半導体装置の電極
形成方法と実装体について、以下図面を用いて説明す
る。
形成方法と実装体について、以下図面を用いて説明す
る。
【００１８】まず、図１の（ａ）に示すように公知の方
法により半導体装置のＩＣ基板１のアルミ電極パッド２
上に突起状のバンプ電極３を形成する。
法により半導体装置のＩＣ基板１のアルミ電極パッド２
上に突起状のバンプ電極３を形成する。
【００１９】また、図１の（ｂ）に示すようにアルミナ
やガラスなどのように半田濡れ性のない基材５上に半田
ペースト６を半導体装置の電極パターンに合わせてスク
リーン印刷法により形成する。
やガラスなどのように半田濡れ性のない基材５上に半田
ペースト６を半導体装置の電極パターンに合わせてスク
リーン印刷法により形成する。
【００２０】次に、図１の（ｃ）に示すようにバンプ電
極３と半田ペースト６を位置合わせを行った後、接触さ
せた状態で半田ペーストの溶融温度以上に加熱して、バ
ンプ電極３上に半田７を転写する。この際、半田濡れ性
のない基材５側には溶融した半田は濡れないため、図１
の（ｄ）に示すようにバンプ３側に半田７が効率良く転
写ができる。
極３と半田ペースト６を位置合わせを行った後、接触さ
せた状態で半田ペーストの溶融温度以上に加熱して、バ
ンプ電極３上に半田７を転写する。この際、半田濡れ性
のない基材５側には溶融した半田は濡れないため、図１
の（ｄ）に示すようにバンプ３側に半田７が効率良く転
写ができる。
【００２１】上記の方法により、図２に示すような半導
体装置のアルミ電極パッド２上に突起状のバンプ電極３
と転写された半田７からなるフェースダウンで半導体装
置を実装するのに適した電極が容易に形成できる。
体装置のアルミ電極パッド２上に突起状のバンプ電極３
と転写された半田７からなるフェースダウンで半導体装
置を実装するのに適した電極が容易に形成できる。
【００２２】また、本実施例の半導体装置の実装体は、
本発明の半導体装置の電極形成方法により半導体装置の
アルミ電極パッド２に突起上のバンプ電極３と転写され
た半田７からなる電極を形成した後、図３に示すように
回路基板８の所定の位置に位置合わせを行ってフェース
ダウンで積載した後、半田の溶融温度以上に加熱してバ
ンプ電極３上の半田７を再溶融して端子電極９に接合す
ることによって半導体装置の実装体を得る。
本発明の半導体装置の電極形成方法により半導体装置の
アルミ電極パッド２に突起上のバンプ電極３と転写され
た半田７からなる電極を形成した後、図３に示すように
回路基板８の所定の位置に位置合わせを行ってフェース
ダウンで積載した後、半田の溶融温度以上に加熱してバ
ンプ電極３上の半田７を再溶融して端子電極９に接合す
ることによって半導体装置の実装体を得る。
【００２３】上記の方法により、バンプ電極３上の半田
７を溶融させて端子電極９と接合する際に、半導体装置
のＩＣ基板１と回路基板８とのギャップを突起状のバン
プ電極３により維持することができるため、再溶融した
半田の広がりを規制することが可能となって隣接とショ
ートする危険がなく、微細ピッチでの接続が可能な半導
体装置の実装体が得られる。
７を溶融させて端子電極９と接合する際に、半導体装置
のＩＣ基板１と回路基板８とのギャップを突起状のバン
プ電極３により維持することができるため、再溶融した
半田の広がりを規制することが可能となって隣接とショ
ートする危険がなく、微細ピッチでの接続が可能な半導
体装置の実装体が得られる。
【００２４】本発明の半導体装置の実装体は、上記した
方法により、従来の半田バンプ電極による実装体では不
可能であった半田の広がりの規制が突起状のバンプ電極
により可能となり、極めて安定で信頼性良く、かつ、高
密度に半導体装置を実装できる。
方法により、従来の半田バンプ電極による実装体では不
可能であった半田の広がりの規制が突起状のバンプ電極
により可能となり、極めて安定で信頼性良く、かつ、高
密度に半導体装置を実装できる。
【００２５】なお、本実施例においてバンプ電極の形状
を２段突起形状とすれば半田の広がりを規制する効果が
より顕著に発揮できる。
を２段突起形状とすれば半田の広がりを規制する効果が
より顕著に発揮できる。
【００２６】また、本実施例においては突起状のバンプ
電極をメッキ法を用いて形成するとしたが、その形状が
突起状であればワイヤボンディングなど他の方法で形成
しても良い。
電極をメッキ法を用いて形成するとしたが、その形状が
突起状であればワイヤボンディングなど他の方法で形成
しても良い。
【００２７】さらに、半田ペーストを半田濡れ性のない
基材上に形成するとしたが、あらゆる基材の表面に半田
濡れ性のない材質でコートしたものの上に形成しても良
く、例えば半田レジストを用いればバンプ電極上への半
田の完全転写がより効果的に可能となる。
基材上に形成するとしたが、あらゆる基材の表面に半田
濡れ性のない材質でコートしたものの上に形成しても良
く、例えば半田レジストを用いればバンプ電極上への半
田の完全転写がより効果的に可能となる。
【００２８】また、低融点合金箔を半田からなるとした
が、その材質は半田に限られる物でなく、低融点合金か
らなるものであれば他の金属から形成しても良い。
が、その材質は半田に限られる物でなく、低融点合金か
らなるものであれば他の金属から形成しても良い。
【００２９】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の半導体
装置の電極形成方法と実装体によれば、半導体装置のア
ルミ電極パッド部上に形成した突起状のバンプ電極上に
半田濡れ性のない基材から半田を効率よく転写して電極
を形成することにより、メッキ液などによる半導体装置
への汚染なく半導体装置にバンプ電極と半田からなる電
極を形成することができるため、極めて汎用性が高い。
装置の電極形成方法と実装体によれば、半導体装置のア
ルミ電極パッド部上に形成した突起状のバンプ電極上に
半田濡れ性のない基材から半田を効率よく転写して電極
を形成することにより、メッキ液などによる半導体装置
への汚染なく半導体装置にバンプ電極と半田からなる電
極を形成することができるため、極めて汎用性が高い。
【００３０】さらに、半導体装置の突起状のバンプ電極
上に半田を転写した電極構造を有することにより、半導
体装置を回路基板の端子電極に接合する際に半田の広が
りの規制が可能となり、半導体装置を回路基板に実装す
る際に半田が隣接とショートすることなく微細ピッチで
の接合が可能となり、極めて安定で信頼性良く、かつ、
高密度に半導体装置を実装できる。
上に半田を転写した電極構造を有することにより、半導
体装置を回路基板の端子電極に接合する際に半田の広が
りの規制が可能となり、半導体装置を回路基板に実装す
る際に半田が隣接とショートすることなく微細ピッチで
の接合が可能となり、極めて安定で信頼性良く、かつ、
高密度に半導体装置を実装できる。
【図１】本発明の一実施例における半導体装置の電極形
成方法の概略説明図
成方法の概略説明図
【図２】本発明の半導体装置の電極形成方法による半導
体装置の電極構造の概略説明図
体装置の電極構造の概略説明図
【図３】本発明の一実施例における半導体装置の実装体
の概略説明図
の概略説明図
【図４】従来の半田バンプ電極を有する半導体装置の電
極形成方法の概略説明図
極形成方法の概略説明図
【図５】従来の半田バンプ電極の電極構造の概略説明図
【図６】従来の半田バンプ電極により実装された半導体
装置の実装構造の概略説明図
装置の実装構造の概略説明図
１ 半導体装置のＩＣ基板 ２ アルミ電極パッド ３ 突起状のバンプ電極 ４ パッシベーション膜 ５ 半田濡れ性のない基材 ６ 半田ペースト ７ 転写された半田 ８ 回路基板 ９ 端子電極 １０ ＩＣ基板 １１ アルミ電極パッド １２ 密着金属膜 １３ 拡散防止金属膜 １４ パッシベーション膜 １５ フォトレジスト膜 １６ メッキ後の半田バンプ １７ リフロー後の半田バンプ １８ 回路基板 １９ 端子電極
Claims (11)
- 【請求項１】 フェースダウンで回路基板に実装する半
導体装置の電極形成方法において、半導体装置のアルミ
電極パッド部上に突起状のバンプ電極を備え、別に用意
した半田濡れ性のない基材上に電極パターンに合わせて
形成した半田ペーストに上記バンプ電極を接触させた
後、半田ペーストの溶融温度以上に加熱してバンプ電極
上に半田を転写することを特徴とする半導体装置の電極
形成方法。 - 【請求項２】 突起状のバンプ電極が２段突起形状であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の電極形
成方法。 - 【請求項３】 突起状のバンプ電極の材質がＡｕからな
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の電極形
成方法。 - 【請求項４】 スクリーン印刷により半田ペーストを半
田濡れ性のない基材上に形成することを特徴とする請求
項１記載の半導体装置の電極形成方法。 - 【請求項５】 半田濡れ性のない基材の材質がアルミナ
からなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の
電極形成方法。 - 【請求項６】 半田濡れ性のない基材の材質がガラスか
らなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の電
極形成方法。 - 【請求項７】 フェースダウンで回路基板に実装する半
導体装置の実装体において、半導体装置のアルミ電極パ
ッド上のバンプ電極に半田濡れ性のない基材から半田を
転写した後、回路基板の端子電極に位置合わせして積載
して加熱することによりバンプ電極を端子電極と接合し
て半導体装置の実装を行うことを特徴とする半導体装置
の実装体。 - 【請求項８】 バンプ電極が２段突起形状であることを
特徴とする請求項７記載の半導体装置の実装体。 - 【請求項９】 バンプ電極の材質がＡｕからなることを
特徴とする請求項７記載の半導体装置の実装体。 - 【請求項１０】 半田濡れ性のない基材の材質がアルミ
ナからなることを特徴とする請求項７記載の半導体装置
の実装体。 - 【請求項１１】 半田濡れ性のない基材の材質がガラス
からなることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の
実装体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30012491A JPH05136151A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 半導体装置の電極形成方法と実装体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30012491A JPH05136151A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 半導体装置の電極形成方法と実装体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136151A true JPH05136151A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=17881017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30012491A Pending JPH05136151A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 半導体装置の電極形成方法と実装体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136151A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05218044A (ja) * | 1992-02-06 | 1993-08-27 | Matsushita Electron Corp | バンプ形成方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52140269A (en) * | 1976-05-19 | 1977-11-22 | Hitachi Ltd | Formation of solder electrode |
| JPH0234949A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の実装方法 |
| JPH03225923A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-04 | Toshiba Corp | バンプの形成方法 |
-
1991
- 1991-11-15 JP JP30012491A patent/JPH05136151A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS52140269A (en) * | 1976-05-19 | 1977-11-22 | Hitachi Ltd | Formation of solder electrode |
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| JPH03225923A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-04 | Toshiba Corp | バンプの形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05218044A (ja) * | 1992-02-06 | 1993-08-27 | Matsushita Electron Corp | バンプ形成方法 |
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