JPH0513206A - トリミング抵抗 - Google Patents

トリミング抵抗

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JPH0513206A
JPH0513206A JP3167280A JP16728091A JPH0513206A JP H0513206 A JPH0513206 A JP H0513206A JP 3167280 A JP3167280 A JP 3167280A JP 16728091 A JP16728091 A JP 16728091A JP H0513206 A JPH0513206 A JP H0513206A
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JP
Japan
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resistor
trimming
conductor
pads
paste
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Withdrawn
Application number
JP3167280A
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English (en)
Inventor
Yasushi Igawa
保志 井川
Makoto Miwa
誠 三輪
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Toyota Industries Corp
Original Assignee
Toyoda Automatic Loom Works Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、半導体装置の内部回路の一部を成
すトリミング抵抗に関するものであり、その目的は、レ
ーザー光を一切用いないトリミングが可能なトリミング
抵抗を提供することにある。 【構成】 第1の発明は、抵抗体13の有効長方向に沿
う所定の領域に対して抵抗体13の各部位と個々に導通
する複数の導体パッド14a〜14eを配置して成り、
これら複数の導体パッド14a〜14eのなかの任意の
導体パッド14d及び14eを導体ペースト15で接続
することによる抵抗体13のトリミングを可能にしたこ
とを特徴とする。また、第2の発明は、抵抗体23の表
面に対して導体ペースト24を塗布して成り、この導体
ペースト24の塗布量を加減することによる抵抗体23
のトリミングを可能にしたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の内部回路
の一部を成すトリミング抵抗に関するものであり、詳し
くは、半導体装置を適正な状態で作動させるのに必要な
電流値を得るためのトリミング抵抗に係わるものであ
る。
【0002】
【従来の技術】一般に、薄膜技術又は厚膜技術によって
半導体装置を構成し、その半導体装置を適正な状態で作
動させるのに必要な電流値の調整を全ての内部回路の形
成を経た後に行うとする場合、その電流値の調整に際し
ては、適用される膜形成技術に応じて内部回路の一部に
形成された薄膜又は厚膜から成るトリミング抵抗にトリ
ミングを施してそのトリミング抵抗の抵抗値を変化させ
る手法が採られている。そして、そのトリミング抵抗に
対する具体的なトリミングの手法としては、レーザー光
の照射によってトリミング抵抗の一部を物理的に除去す
るレーザー・トリミングによるものが主流となってい
る。
【0003】図3は、従来のトリミング抵抗に対してレ
ーザー・トリミングを施した状態を示す図である。同図
に示すように、従来のトリミング抵抗は、セラミック系
又はガラス系から成る基板1の表面に対し、適用される
膜形成技術に応じた薄膜又は厚膜から成る一対の導体電
極2a及び2bを所定の間隔をおいて対向させて配置
し、さらに、これら導体電極2a及び2bの両者の端部
とそれらの間に位置する基板1の表面とに対し、同じく
適用される膜形成技術に応じた薄膜又は厚膜から成る抵
抗体3を連続的に設置して構成されている。
【0004】以上のように構成されたトリミング抵抗に
対して実際にレーザー・トリミングを施す場合、まず、
導体電極2a及び2bの両者の間における抵抗体3の大
方の抵抗値を決定するために、抵抗体3又はこの抵抗体
3を含む内部回路に流れる電流の値を所定の計器を用い
て実測しながら、抵抗体3の縁部からその有効長方向
(主電流が流れる方向)と直交する方向に対してレーザ
ー光を照射して抵抗体3の一部を除去する(図示の矢印
A)。そして、実測中の電流値が目的とする値に近づい
た時点で、抵抗体3の有効長方向と直交する方向に対す
るレーザー光の照射を停止し、今度は、目的の電流値を
得るための導体電極2a及び2bの両者の間における抵
抗体3の抵抗値を最終的に細密に調整するために、先の
レーザー光の照射の停止地点から抵抗体3の有効長方向
に沿って再びレーザー光を照射して抵抗体3の中程の一
部を除去する(図示の矢印B)。この結果、以上のレー
ザー・トリミングが施されたトリミング抵抗の抵抗体3
には、いわゆる、L字カットによるトリミング溝4が残
されることになる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したト
リミング抵抗に対するレーザー・トリミングは、勿論、
それ専用のレーザー・トリミング装置を用いて行われ
る。このレーザー・トリミング装置は、目的物である抵
抗体3に対してレーザー光を正確に照射するために必要
な精密な制御機構を具備していることから、概して高価
なものとなる傾向にある。従って、仮にこの種のレーザ
ー・トリミング装置を未だ量産の状態にない半導体装置
のトリミングに用いれば、その半導体装置の製造コスト
の面において著しい不利益を生じる結果となる。
【0006】また、この種のレーザー・トリミング装置
を用いたレーザー・トリミングは、抵抗体3の一部をレ
ーザー光によって物理的に損傷させてそれを除去するも
のであることから、トリミング溝4の周辺領域に位置す
る抵抗体3に無数のクラック(亀裂)が生じるなどして
抵抗体3の経時的劣化が無視できなくなる。しかも、こ
の抵抗体3の経時的劣化を抑制するためには、抵抗体ペ
ースト等の抵抗体3を構成する素材を高品質で比較的高
価なものに代替する必要があり、この場合も、半導体装
置の製造コストを上昇させてしまう結果となる。
【0007】本発明は、こうした実情に鑑みて為された
ものであり、その目的は、レーザー光を用いないトリミ
ングが可能なトリミング抵抗を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】まず、請求項1に記載の
第1の発明は、抵抗体の有効長方向に沿う所定の領域に
対して抵抗体の各部位と個々に導通する複数の導体パッ
ドを配置して成り、これら複数の導体パッド中における
任意の導体パッド同士を所定の導電材で接続することに
よる抵抗体のトリミングを可能にしたことを特徴とする
ものである。
【0009】また、請求項2に記載の第2の発明は、抵
抗体の表面に対して所定の導電材を塗布して成り、この
所定の導電材の塗布量を加減することによる抵抗体のト
リミングを可能にしたことを特徴とするものである。
【0010】
【作用】まず、請求項1に記載の第1の発明では、抵抗
体の有効長方向に沿う所定の領域に対して抵抗体の各部
位と個々に導通する複数の導体パッドを配置し、かつ、
これら複数の導体パッド中における任意の導体パッド同
士を導体又は抵抗体から成る導電材で接続することによ
り、抵抗体をその有効長方向に対して部分的に短絡又は
導通させてトリミング抵抗の全体の抵抗値を減少させて
いる。
【0011】また、請求項2に記載の第2の発明では、
抵抗体の表面に対して導体又は抵抗体から成る導電材を
塗布し、かつ、この導体又は抵抗体から成る導電材の塗
布量を加減することにより、第1の発明の作用と同様、
抵抗体を部分的に短絡又は導通させてトリミング抵抗の
全体の抵抗値を減少させている。
【0012】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。なお、本実施例においては、ま
ず、請求項1に記載の第1の発明に対応する第1の実施
例について説明し、次に、請求項2に記載の第2の発明
に対応する第2の実施例について説明するものとする。
【0013】まず、図1は、第1の発明に対応の第1の
実施例に係るトリミング抵抗の構成とそのトリミング抵
抗に対するトリミングの手法とを示す図である。同図に
示すように、この第1の実施例に係るトリミング抵抗で
は、セラミック系又はガラス系から成る基板11の表面
に対し、適用される膜形成技術に応じた薄膜又は厚膜か
ら成る一対の導体電極12a及び12bが所定の間隔を
おいて対向して配置されており、さらに、これら導体電
極12a及び12bの両者の端部とそれらの間に位置す
る基板11の表面とに対し、同じく適用される膜形成技
術に応じた薄膜又は厚膜から成る高めの抵抗値を有する
抵抗体13が連続的に設置されている。そして、抵抗体
13の有効長方向に沿う基板11の表面に対し、その抵
抗体13の各部位と端部を以て個々に導通する正方形状
の複数の導体パッド14a、14b、14c、14d及
び14eが等間隔で配置されている。
【0014】このうち、一対の導体電極12a及び12
bと複数の導体パッド14a、14b、14c、14d
及び14eとは、同一の工程によって同時に形成するこ
とが可能なものであり、それらを薄膜技術を適用して形
成する場合には、真空蒸着法やスパッタ法等によって基
板11の表面に所定の導体粒子(金属粒子)を選択的に
堆積させればよく、一方、それらを厚膜技術を適用して
形成する場合には、スクリーン及びスキージを用いて基
板11の表面に所定の導体ペーストを選択的に印刷した
後にこれを焼成して硬化させればよい。また、抵抗体1
3は、一対の導体電極12a及び12bと複数の導体パ
ッド14a、14b、14c、14d及び14eとの形
成が完了した後に、複数の導体パッド14a、14b、
14c、14d及び14eのそれぞれの端部を含む基板
11の表面に対して設置されるものであり、その抵抗体
13の形成に際しては、それが薄膜であるならば、上述
した手法を用いて基板11の表面に所定の抵抗体粒子を
堆積させ、一方、それが厚膜であるならば、上述した手
法を用いて基板11の表面に所定の抵抗体ペーストを印
刷した後にこれを焼成して硬化させる。
【0015】以上のように構成されたトリミング抵抗に
対して実際にトリミングを施す場合は以下の手法によ
る。すなわち、図示の例によれば、複数の導体パッド1
4a、14b、14c、14d及び14eのうちの導体
パッド14d及び14eとその間に位置する基板11と
の表面に対し、例えば、銀、希土類元素及び合成樹脂を
所定の比率で含有して成る導電材としての導体ペースト
15をディスペンサ等を用いて連続的に塗布し、その塗
布した導体ペースト15を所定の温度で焼成して硬化さ
せる。このとき、導体パッド14d及び14eの両者の
間に位置する抵抗体13は、硬化後の導体ペースト15
の作用によって電気的に接続されて短絡した状態とな
り、この結果、予め高めに設定されている一対の導体電
極12a及び12bの両者の間における抵抗体13の抵
抗値の減少が図られるようになり、さらに、この導体ペ
ースト15を他の導体パッド14a、14b及び14c
の表面に対して連続的に塗布すれば、抵抗体13の抵抗
値の段階的な減少が図られるようになる。そして、一対
の導体電極12a及び12bの両者の間における抵抗体
13の抵抗値を最終的に決定した後に、その全体を所定
の絶縁性合成樹脂を用いて被覆することにより、レーザ
ー光を一切用いることのないトリミングが可能なトリミ
ング抵抗が得られることになる。
【0016】なお、以上の第1の実施例では、複数の導
体パッド14a、14b、14c、14d及び14eの
配置を等間隔とした場合について説明したが、これらを
任意の間隔及び位置に配置することも勿論可能であり、
例えば、隣接する導体パッド同士の端部における間隔
(抵抗体13との接続点における間隔)を1、2、4、
8、16、・・・のように「2」の巾乗の割合に設定す
れば、それら複数の導体パッドのうちの2以上の導体パ
ッド同士を選択的に接続することで、比較的細密なトリ
ミングを実現することも可能となる。
【0017】また、複数の導体パッド14a、14b、
14c、14d及び14eにおける任意の導体パッド同
士を接続するための導電材は、この第1の実施例に示し
た導体ペースト15に特に限定されるものではなく、例
えば、半導体デバイスのボンディングに用いられる金線
やアルミニウム線等から成るボンディング・ワイヤを利
用し、このボンディング・ワイヤによって任意の電極パ
ッド同士を短絡してもよいであろう。さらに、任意の導
体パッド同士を接続するための導電材は、導体ペースト
15やボンディング・ワイヤ等の導体から成るものであ
る必要もなく、例えば、抵抗体13と材質が同等な抵抗
体ペースト等を用い、この抵抗体ペーストによって任意
の電極パッド同士を導通させるようにしてもよい。この
場合、抵抗体ペーストの固有の抵抗率が、必然的に、導
体電極12a及び12bの両者の間における抵抗体13
の抵抗値にも影響するので、これを最大限に利用してト
リミングの精度を一段と向上させることも可能となる。
【0018】次に、図2は、第2の発明に対応の第2の
実施例に係るトリミング抵抗の構成とそのトリミング抵
抗に対するトリミングの手法とを示す図である。同図に
示すように、この第2の実施例に係るトリミング抵抗
は、従来のトリミング抵抗とほぼ同様に、セラミック系
又はガラス系から成る基板21の表面に対し、適用され
る膜形成技術に応じた薄膜又は厚膜から成る一対の導体
電極22a及び22bが所定の間隔をおいて対向して配
置されており、さらに、これら導体電極22a及び22
bの両者の端部とそれらの間に位置する基板21の表面
とに対し、同じく適用される膜形成技術に応じた薄膜又
は厚膜から成る高めの抵抗値を有する抵抗体23が連続
的に設置されたものとなっている。
【0019】以上のように構成されたトリミング抵抗に
対して実際にトリミングを施す場合は以下の手法によ
る。すなわち、このトリミング抵抗に対するトリミング
は、抵抗体23の表面における任意の領域に対し、導電
材としての導体ペースト24をディスペンサ等を用いて
少量ずつ塗布することによって行われる。なお、図示の
例は、抵抗体23の縁部からその有効長方向と直交する
方向に対して導体ペースト24を線状に塗布した状態を
示している。ここで、予め高めに設定されている一対の
導体電極12a及び12bの両者の間における抵抗体2
3の抵抗値は、その抵抗体23の一部が導体ペースト1
5の作用によって局所的に短絡した状態となることで減
少し、従って、抵抗体23の有効長方向に対して導体ペ
ースト24を線状に塗布した場合には抵抗体23の抵抗
値は連続的に急激に減少し、一方、図示の例のように、
抵抗体23の有効長方向と直交する方向に対して導体ペ
ースト24を線状に塗布した場合には抵抗体23の抵抗
値は連続的に緩やかに減少するようになる。そして、以
上の手法を用いて一対の導体電極12a及び12bの両
者の間における抵抗体23の抵抗値を最終的に決定した
後に導体ペースト24を100〜150℃程の温度で焼
成して硬化させ、さらに、その全体を所定の絶縁性合成
樹脂を用いて被覆することにより、レーザー光を一切用
いることのないトリミングが可能なトリミング抵抗が得
られることになる。
【0020】なお、この第2の実施例においても、抵抗
体23の表面に対して塗布される導電材を導体ペースト
24として説明したが、先の第1の実施例と同様に、抵
抗体23と材質が同等な抵抗体ペースト等を用いること
も勿論可能である。
【0021】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、第1の発
明によれば、抵抗体の有効長方向に沿う所定の領域に配
置された複数の導体パッド中における任意の導体パッド
同士を所定の導電材で接続できるよう構成したので、レ
ーザー光を一切用いないトリミングを行うことが可能と
なり、その結果、これまで必要とされていた高価なレー
ザー・トリミング装置や高品質で比較的高価な抵抗ペー
スト等を使用する必要がなくなるとともに、抵抗体の一
部を物理的に除去することに起因した抵抗体自身の経時
的劣化が解消されるようになる。しかも、このトリミン
グ抵抗は、抵抗体の抵抗値を極めて容易な手法によって
調整することが可能であるので、例えば、試作中の半導
体装置の電気的特性を抵抗体の抵抗値を調整することに
よって検証しようとする場合などに特に好適なものとな
る。
【0022】また、第2の発明によれば、抵抗体の表面
に対する所定の導電材の塗布量を加減することによって
トリミングを行うようにしたので、上述の第1の発明の
効果に加え、抵抗体の抵抗値を連続的に変化させること
も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の発明に対応の第1の実施例に係るトリミ
ング抵抗の構成とそのトリミング抵抗に対するトリミン
グの手法とを示す図である。
【図2】第2の発明に対応の第2の実施例に係るトリミ
ング抵抗の構成とそのトリミング抵抗に対するトリミン
グの手法とを示す図である。
【図3】従来のトリミング抵抗に対してレーザー・トリ
ミングを施した状態を示す図である。
【符号の説明】
13、23 抵抗体 14a〜14e 電極パッド 15、24 導体ペースト

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 抵抗体の有効長方向に沿う所定の領域に
    対して前記抵抗体の各部位と個々に導通する複数の導体
    パッドを配置して成り、該複数の導体パッド中における
    任意の導体パッド同士を所定の導電材で接続することに
    よる前記抵抗体のトリミングを可能にしたことを特徴と
    するトリミング抵抗。
  2. 【請求項2】 抵抗体の表面に対して所定の導電材を塗
    布して成り、該所定の導電材の塗布量を加減することに
    よる前記抵抗体のトリミングを可能にしたことを特徴と
    するトリミング抵抗。
JP3167280A 1991-07-08 1991-07-08 トリミング抵抗 Withdrawn JPH0513206A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Effective date: 19981008