JPH05124867A - 窒化ケイ素系焼結体 - Google Patents
窒化ケイ素系焼結体Info
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- JPH05124867A JPH05124867A JP3287916A JP28791691A JPH05124867A JP H05124867 A JPH05124867 A JP H05124867A JP 3287916 A JP3287916 A JP 3287916A JP 28791691 A JP28791691 A JP 28791691A JP H05124867 A JPH05124867 A JP H05124867A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 特に常温において優れた機械的強度を有し、
生産性、コスト面において優れた窒化ケイ素系焼結体を
提供することを目的とする。 【構成】 α−窒化ケイ素とβ´−サイアロンからなる
窒化ケイ素焼結体であって、α−窒化ケイ素の平均結晶
粒径が０．５μｍ以下、β´−サイアロンの長軸、短軸
方向の平均結晶粒径がそれぞれ２．０〜５．０μｍ、
０．５μｍ以下であることを特徴とし、結晶相のＸ線回
折によるピーク強度比が２０％≦α−窒化ケイ素≦５０
％、５０％≦β’−サイアロン≦８０％であるもの。
生産性、コスト面において優れた窒化ケイ素系焼結体を
提供することを目的とする。 【構成】 α−窒化ケイ素とβ´−サイアロンからなる
窒化ケイ素焼結体であって、α−窒化ケイ素の平均結晶
粒径が０．５μｍ以下、β´−サイアロンの長軸、短軸
方向の平均結晶粒径がそれぞれ２．０〜５．０μｍ、
０．５μｍ以下であることを特徴とし、結晶相のＸ線回
折によるピーク強度比が２０％≦α−窒化ケイ素≦５０
％、５０％≦β’−サイアロン≦８０％であるもの。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はとくに常温において優れ
た機械的強度を有し、生産性、コスト面において優れた
窒化ケイ素系焼結体に関する。
た機械的強度を有し、生産性、コスト面において優れた
窒化ケイ素系焼結体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、窒化ケイ素系材料の強度向上を目
的として、焼結方法、焼結助剤、含有結晶相の限定など
様々な研究開発が行われてきた。たとえば、焼結法に関
しては、ホットプレス焼結法では、Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．
Ｓｏｃ．Ｂｕｌｌ．，５２（１９７３）ｐｐ５６０で〜
１００ｋｇ／ｍｍ2（曲げ強度）が実現されており、ま
たガラスカプセルによる熱間静水圧プレス法（ＨＩＰ
法）等も開発されている。こうした手法では焼結体の強
度特性の面では優れた特性が得られているものの、生産
性、コストの面で優れた手法とは言えない。一方、こう
した問題に対して、ガス圧焼結法（例えば、三友、粉体
と工業、１２巻、１２号、ｐｐ２７、１９８９）がある
が、本方法では最終の焼結体の緻密化をβ−窒化ケイ素
結晶の粒成長に伴うため、粗大結晶粒の析出による強度
劣化をまねく可能性が高いことに加え、一般には、１０
気圧以上のＮ2ガス圧をかけ焼結を実施するため、ホッ
トプレス法やＨＩＰ法と同様に焼結設備が大型となり、
特性面、生産面で十分優れた手法とは言えない。他方、
焼結助剤に関しては、主たる助剤としてＹ2Ｏ3を用いた
Ｓｉ3Ｎ4−Ａｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3系の窒化ケイ素系焼結体が
特公昭４９−２１０９１号、特公昭４８−３８４４８号
に開示されている。これらは、該特許明細書中に示され
ているように、β型窒化ケイ素の結晶粒が焼結体中で繊
維状組織を形成し、これがマトリックス中に分散するこ
とから強度、靭性を向上しうるものと考えられている。
すなわちこれは、β型窒化ケイ素の結晶形が六方晶であ
りＣ軸方向に結晶が異方性成長をすることを積極的に利
用したものであり、とくに特公昭４８−３８４４８号や
窯業協会誌、９４巻、ｐｐ９６、１９８６に示されるよ
うに、繊維状のβ−窒化ケイ素結晶粒がＣ軸方向に１０
数μｍ以上に成長している場合がある。しかしながら、
本技術においては、やはりこの粒成長が異常成長や気孔
の発生をまねき、強度劣化をまねく可能性があり、また
本方法での焼結助剤だけを用いた焼結体では、焼結温度
を１７００〜１９００℃に上昇させなければ、緻密化が
十分図れず、大気圧付近のＮ2ガス圧焼結では、窒化ケ
イ素の昇華分解が生じ、安定した焼結体を得られない場
合がある。このため同じく、焼結体特性と生産性両面で
十分優れているとは言えない。一方、以上で述べてきた
手法では、いずれも得られる焼結体の強度が、例えばＪ
ＩＳ−Ｒ１６０１に準拠した３点曲げ強度でせいぜい１
００ｋｇ／ｍｍ2前後であり、様々な窒化ケイ素系材料
の応用を考えた場合、必ずしも十分な特性が得られてい
ない。
的として、焼結方法、焼結助剤、含有結晶相の限定など
様々な研究開発が行われてきた。たとえば、焼結法に関
しては、ホットプレス焼結法では、Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．
Ｓｏｃ．Ｂｕｌｌ．，５２（１９７３）ｐｐ５６０で〜
１００ｋｇ／ｍｍ2（曲げ強度）が実現されており、ま
たガラスカプセルによる熱間静水圧プレス法（ＨＩＰ
法）等も開発されている。こうした手法では焼結体の強
度特性の面では優れた特性が得られているものの、生産
性、コストの面で優れた手法とは言えない。一方、こう
した問題に対して、ガス圧焼結法（例えば、三友、粉体
と工業、１２巻、１２号、ｐｐ２７、１９８９）がある
が、本方法では最終の焼結体の緻密化をβ−窒化ケイ素
結晶の粒成長に伴うため、粗大結晶粒の析出による強度
劣化をまねく可能性が高いことに加え、一般には、１０
気圧以上のＮ2ガス圧をかけ焼結を実施するため、ホッ
トプレス法やＨＩＰ法と同様に焼結設備が大型となり、
特性面、生産面で十分優れた手法とは言えない。他方、
焼結助剤に関しては、主たる助剤としてＹ2Ｏ3を用いた
Ｓｉ3Ｎ4−Ａｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3系の窒化ケイ素系焼結体が
特公昭４９−２１０９１号、特公昭４８−３８４４８号
に開示されている。これらは、該特許明細書中に示され
ているように、β型窒化ケイ素の結晶粒が焼結体中で繊
維状組織を形成し、これがマトリックス中に分散するこ
とから強度、靭性を向上しうるものと考えられている。
すなわちこれは、β型窒化ケイ素の結晶形が六方晶であ
りＣ軸方向に結晶が異方性成長をすることを積極的に利
用したものであり、とくに特公昭４８−３８４４８号や
窯業協会誌、９４巻、ｐｐ９６、１９８６に示されるよ
うに、繊維状のβ−窒化ケイ素結晶粒がＣ軸方向に１０
数μｍ以上に成長している場合がある。しかしながら、
本技術においては、やはりこの粒成長が異常成長や気孔
の発生をまねき、強度劣化をまねく可能性があり、また
本方法での焼結助剤だけを用いた焼結体では、焼結温度
を１７００〜１９００℃に上昇させなければ、緻密化が
十分図れず、大気圧付近のＮ2ガス圧焼結では、窒化ケ
イ素の昇華分解が生じ、安定した焼結体を得られない場
合がある。このため同じく、焼結体特性と生産性両面で
十分優れているとは言えない。一方、以上で述べてきた
手法では、いずれも得られる焼結体の強度が、例えばＪ
ＩＳ−Ｒ１６０１に準拠した３点曲げ強度でせいぜい１
００ｋｇ／ｍｍ2前後であり、様々な窒化ケイ素系材料
の応用を考えた場合、必ずしも十分な特性が得られてい
ない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】こうした従来技術にお
ける生産性と焼結体の機械的特性の両立を満足させる手
法を提供するのが本発明の課題である。
ける生産性と焼結体の機械的特性の両立を満足させる手
法を提供するのが本発明の課題である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、α−窒化ケイ
素とβ´−サイアロンからなり、α−窒化ケイ素の平均
結晶粒径が０．５μｍ以下、β´−サイアロンの長軸、
短軸方向の平均結晶粒径がそれぞれ２．０〜５．０μ
ｍ、０．５μｍ以下であることを特徴とする窒化ケイ素
焼結体が、ＪＩＳＲ−１６０１に準拠した３点曲げ強度
が容易に１３０ｋｇ／ｍｍ2以上の特性を有する知見を
得たものである。本発明の焼結体が優れた強度特性を得
る効果は、微粒で等軸晶のα−窒化ケイ素と微粒で柱状
化したβ´−サイアロンの両方の結晶相を複合させるこ
とにより、従来の柱状化したβ´−サイアロン（β−窒
化ケイ素を含む）結晶相のみで構成された焼結体に比較
し、ヤング率、硬度が向上する。これは材料の変形抵抗
を示す物性値でありセラミック材料のような脆性材料で
は、この値を向上させることが広義では材料の強度向上
につながるためである。さらに脆性材料の破壊の基本概
念であるＧｒｉｆｆｉｔｈの理論に従えば、焼結体の破
壊強度σfは次式で与えられる。
素とβ´−サイアロンからなり、α−窒化ケイ素の平均
結晶粒径が０．５μｍ以下、β´−サイアロンの長軸、
短軸方向の平均結晶粒径がそれぞれ２．０〜５．０μ
ｍ、０．５μｍ以下であることを特徴とする窒化ケイ素
焼結体が、ＪＩＳＲ−１６０１に準拠した３点曲げ強度
が容易に１３０ｋｇ／ｍｍ2以上の特性を有する知見を
得たものである。本発明の焼結体が優れた強度特性を得
る効果は、微粒で等軸晶のα−窒化ケイ素と微粒で柱状
化したβ´−サイアロンの両方の結晶相を複合させるこ
とにより、従来の柱状化したβ´−サイアロン（β−窒
化ケイ素を含む）結晶相のみで構成された焼結体に比較
し、ヤング率、硬度が向上する。これは材料の変形抵抗
を示す物性値でありセラミック材料のような脆性材料で
は、この値を向上させることが広義では材料の強度向上
につながるためである。さらに脆性材料の破壊の基本概
念であるＧｒｉｆｆｉｔｈの理論に従えば、焼結体の破
壊強度σfは次式で与えられる。
【０００５】σf＝Ｅ・γｓ／４ａ、Ｅ；ヤング率、γ
ｓ；破壊の表面エネルギー、ａ；先在亀裂長さ ここでγｓは粒界相の組成と厚みに依存すると考えられ
るため、とくに厚みの点で結晶粒の存在密度を向上させ
る結晶粒の微粒化と結晶相の複合化は有利である。また
本式に従えば、破壊強度を向上させるためにはＥの増大
とａの減少が重要である。ａの値は工程上不可避な欠陥
寸法を排除すれば、結晶粒径に依存するため、微細結晶
粒で充填性を向上させた本発明はＥ、γｓの点で強度向
上に有効である。
ｓ；破壊の表面エネルギー、ａ；先在亀裂長さ ここでγｓは粒界相の組成と厚みに依存すると考えられ
るため、とくに厚みの点で結晶粒の存在密度を向上させ
る結晶粒の微粒化と結晶相の複合化は有利である。また
本式に従えば、破壊強度を向上させるためにはＥの増大
とａの減少が重要である。ａの値は工程上不可避な欠陥
寸法を排除すれば、結晶粒径に依存するため、微細結晶
粒で充填性を向上させた本発明はＥ、γｓの点で強度向
上に有効である。
【０００６】こうしたα型窒化珪素と柱状化したβ型窒
化珪素の両方の結晶相を複合させる考え方は、例えば特
開昭６１−９１０６５号や特開平２−４４０６６号に開
示されているが、いずれもα´−サイアロン（一般式Ｍ
X（Ｓｉ，Ａｌ）12（Ｏ，Ｎ）16、Ｍ：Ｍｇ，Ｃａ，Ｌ
ｉ及び希土類元素）とβ´−サイアロン（β型窒化ケイ
素を含む）との結晶相の組合せであり、組成的にはＳｉ
3Ｎ4−ＡｌＮ−ＭＯ（Ｍ；ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣａＯ等）
の３成分系が主であり、その範囲もＡｌＮとＭＯの添加
比がモル％で１：９の限定された範囲で、α´−サイア
ロンとβ´−サイアロン（β−窒化ケイ素を含む）の複
合した結晶相を生成させることにより強度等の機械的特
性の向上を示したものであり、またその実施例でも明ら
かなように各焼結体の強度特性が曲げ強度で１００ｋｇ
／ｍｍ2を安定して越える焼結体製法はいずれもホット
プレス法によるものであり、工業的に安定して高い強度
特性を得るまでに至っていない。また、これらの焼結体
はα´−サイアロンとβ´−サイアロン（β−窒化ケイ
素を含む）の間の熱膨張係数の差が大きく、これが原因
となり焼結体中に引張の残留応力を発生させ、強度劣化
を招く可能性がある。本発明はこうした条件の限定がな
く工業的に安定して高強度な焼結体を提供することにあ
る。
化珪素の両方の結晶相を複合させる考え方は、例えば特
開昭６１−９１０６５号や特開平２−４４０６６号に開
示されているが、いずれもα´−サイアロン（一般式Ｍ
X（Ｓｉ，Ａｌ）12（Ｏ，Ｎ）16、Ｍ：Ｍｇ，Ｃａ，Ｌ
ｉ及び希土類元素）とβ´−サイアロン（β型窒化ケイ
素を含む）との結晶相の組合せであり、組成的にはＳｉ
3Ｎ4−ＡｌＮ−ＭＯ（Ｍ；ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣａＯ等）
の３成分系が主であり、その範囲もＡｌＮとＭＯの添加
比がモル％で１：９の限定された範囲で、α´−サイア
ロンとβ´−サイアロン（β−窒化ケイ素を含む）の複
合した結晶相を生成させることにより強度等の機械的特
性の向上を示したものであり、またその実施例でも明ら
かなように各焼結体の強度特性が曲げ強度で１００ｋｇ
／ｍｍ2を安定して越える焼結体製法はいずれもホット
プレス法によるものであり、工業的に安定して高い強度
特性を得るまでに至っていない。また、これらの焼結体
はα´−サイアロンとβ´−サイアロン（β−窒化ケイ
素を含む）の間の熱膨張係数の差が大きく、これが原因
となり焼結体中に引張の残留応力を発生させ、強度劣化
を招く可能性がある。本発明はこうした条件の限定がな
く工業的に安定して高強度な焼結体を提供することにあ
る。
【０００７】本発明の焼結体を得るためには、焼結助剤
は窒化珪素表面に存在するＳｉＯ2とできるだけ低温で
液相を生成する助剤、例えばＭｇＯ、ＣｅＯ2、Ｃａ
Ｏ、Ｌａ2Ｏ3を用い焼結温度を１６５０℃以下で焼結す
ることが望ましい。この低温焼結のため異常粒成長に伴
う焼結体の特性劣化を阻止できる。さらには、窒化ケイ
素は大気圧のＮ2雰囲気下では１７００℃以上の温度域
で昇華分解するため、加圧Ｎ2雰囲気下で焼結する必要
があり、設備面でバッチ式焼結炉を用いていた。しか
し、この様な低温での焼結が可能となると焼結方法はプ
ッシャー式あるいはベルト式等の開放型連続焼結炉によ
り、同時に生産性の優れた焼結が可能となる。この詳細
な説明を加えると、一般に強度特性に優れた窒化ケイ素
系材料の焼結法としては、いわゆるバッチ式焼結炉によ
るガス圧焼結が主であるが、この方式では炉内の温度分
布のばらつきやロット間の条件ばらつき等が必ず生じる
ために、量産部品等の用途のセラミック材料を安定して
供給する製法としては十分とは言えない。この点からも
本発明はその生産性を同時に向上させた点で工業的に重
要である。
は窒化珪素表面に存在するＳｉＯ2とできるだけ低温で
液相を生成する助剤、例えばＭｇＯ、ＣｅＯ2、Ｃａ
Ｏ、Ｌａ2Ｏ3を用い焼結温度を１６５０℃以下で焼結す
ることが望ましい。この低温焼結のため異常粒成長に伴
う焼結体の特性劣化を阻止できる。さらには、窒化ケイ
素は大気圧のＮ2雰囲気下では１７００℃以上の温度域
で昇華分解するため、加圧Ｎ2雰囲気下で焼結する必要
があり、設備面でバッチ式焼結炉を用いていた。しか
し、この様な低温での焼結が可能となると焼結方法はプ
ッシャー式あるいはベルト式等の開放型連続焼結炉によ
り、同時に生産性の優れた焼結が可能となる。この詳細
な説明を加えると、一般に強度特性に優れた窒化ケイ素
系材料の焼結法としては、いわゆるバッチ式焼結炉によ
るガス圧焼結が主であるが、この方式では炉内の温度分
布のばらつきやロット間の条件ばらつき等が必ず生じる
ために、量産部品等の用途のセラミック材料を安定して
供給する製法としては十分とは言えない。この点からも
本発明はその生産性を同時に向上させた点で工業的に重
要である。
【０００８】さらに本発明の効果を顕著にするために
は、焼結体中のα−窒化ケイ素とβ’−サイアロンの結
晶粒の平均粒径が重要となる。すなわち、α−窒化ケイ
素の平均粒径が０．５μｍ以下、およびβ’−サイアロ
ンの長軸の平均粒径が２．０〜５．０μｍ、短軸の平均
粒径が０．５μｍ以下であることが必要である。α−窒
化ケイ素の平均結晶粒径が０．５μｍを越えると結晶相
が複合したさい結晶粒の充填密度が低下するため、強度
に及ぼすα−窒化ケイ素結晶相の効果が十分期待できな
い。一方、β’−サイアロンの長軸の平均結晶粒径が
２．０μｍ未満であるとやはり、柱状のβ’−サイアロ
ン結晶粒が分散することによる強化効果が十分期待でき
ず、強度の劣化につながる。また、５．０μｍを越える
と、逆に粗大粒としてこのβ’−サイアロン結晶粒が作
用しやはり強度の劣化につながるとともに結晶粒の充填
密度を低下させるため、やはり強度の劣化につながる。
さらに短軸径については、０．５μｍを越えるとやは
り、柱状のβ’−サイアロン結晶粒が分散することによ
る強化効果が十分期待できず、強度の劣化につながる。
また本発明の効果を十分向上させるためには、α−窒化
ケイ素とβ´−サイアロンの結晶相の析出比がＸ線回析
によるピーク強度比で、２０％≦α−窒化ケイ素≦５０
％、５０％≦β´−窒化ケイ素≦８０％であることが好
ましい。このα−窒化ケイ素の析出比が５０％を越えて
高α−Ｓｉ3Ｎ4側へずれるとβ´−サイアロン柱状晶組
織の効果が減少し、結晶相の複合化の効果が十分現れ
ず、２０％より少ないとβ’−サイアロンの結晶粒子間
を充填する結晶粒の密度低下と、β’−サイアロンの粒
成長が起り、強度向上の効果が十分ではない。
は、焼結体中のα−窒化ケイ素とβ’−サイアロンの結
晶粒の平均粒径が重要となる。すなわち、α−窒化ケイ
素の平均粒径が０．５μｍ以下、およびβ’−サイアロ
ンの長軸の平均粒径が２．０〜５．０μｍ、短軸の平均
粒径が０．５μｍ以下であることが必要である。α−窒
化ケイ素の平均結晶粒径が０．５μｍを越えると結晶相
が複合したさい結晶粒の充填密度が低下するため、強度
に及ぼすα−窒化ケイ素結晶相の効果が十分期待できな
い。一方、β’−サイアロンの長軸の平均結晶粒径が
２．０μｍ未満であるとやはり、柱状のβ’−サイアロ
ン結晶粒が分散することによる強化効果が十分期待でき
ず、強度の劣化につながる。また、５．０μｍを越える
と、逆に粗大粒としてこのβ’−サイアロン結晶粒が作
用しやはり強度の劣化につながるとともに結晶粒の充填
密度を低下させるため、やはり強度の劣化につながる。
さらに短軸径については、０．５μｍを越えるとやは
り、柱状のβ’−サイアロン結晶粒が分散することによ
る強化効果が十分期待できず、強度の劣化につながる。
また本発明の効果を十分向上させるためには、α−窒化
ケイ素とβ´−サイアロンの結晶相の析出比がＸ線回析
によるピーク強度比で、２０％≦α−窒化ケイ素≦５０
％、５０％≦β´−窒化ケイ素≦８０％であることが好
ましい。このα−窒化ケイ素の析出比が５０％を越えて
高α−Ｓｉ3Ｎ4側へずれるとβ´−サイアロン柱状晶組
織の効果が減少し、結晶相の複合化の効果が十分現れ
ず、２０％より少ないとβ’−サイアロンの結晶粒子間
を充填する結晶粒の密度低下と、β’−サイアロンの粒
成長が起り、強度向上の効果が十分ではない。
【０００９】また、この組成範囲で焼結体中のβ´−サ
イアロン（一般式 Ｓｉ6-ZＡｌZＯZＮ8-Z）のＺ値を０
＜Ｚ＜１．０の範囲にして粒界相を制御すると高強度が
安定する。
イアロン（一般式 Ｓｉ6-ZＡｌZＯZＮ8-Z）のＺ値を０
＜Ｚ＜１．０の範囲にして粒界相を制御すると高強度が
安定する。
【００１０】
【実施例】平均粒径０．５μｍ、α結晶化率９６％、酸
素量１．４重量％の窒化ケイ素原料粉末および、平均粒
径０．８μｍ、０．４μｍ、０．５μｍ、０．２μｍの
Ｙ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、ＭｇＯの各粉末をエタノー
ル中、１００時間、ナイロン製ボールミルにて湿式混合
したのち、乾燥して得られた混合粉末を３０００ｋｇ／
ｃｍ2でＣＩＰ成形し、この成形体をＮ2ガス１気圧中で
〜１６５０℃で５〜１０時間１次焼結した。得られた焼
結体を〜１６５０℃、１０００気圧Ｎ2ガス雰囲気中で
１時間、２次焼結した。この焼結体よりＪＩＳＲ１６０
１に準拠した３ｍｍ×４ｍｍ×４０ｍｍ相当の抗折試験
片を切り出し、＃８００ダイアモンド砥石により研削加
工仕上げした後、引張面については＃３０００のダイア
モンドペーストによりラッピング仕上げ加工した後、Ｊ
ＩＳＲ１６０１に準拠して３点曲げ強度を１５本ずつ実
施した。表１中には平均結晶粒径、結晶相の比率、及び
曲げ強度を示した。
素量１．４重量％の窒化ケイ素原料粉末および、平均粒
径０．８μｍ、０．４μｍ、０．５μｍ、０．２μｍの
Ｙ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、ＭｇＯの各粉末をエタノー
ル中、１００時間、ナイロン製ボールミルにて湿式混合
したのち、乾燥して得られた混合粉末を３０００ｋｇ／
ｃｍ2でＣＩＰ成形し、この成形体をＮ2ガス１気圧中で
〜１６５０℃で５〜１０時間１次焼結した。得られた焼
結体を〜１６５０℃、１０００気圧Ｎ2ガス雰囲気中で
１時間、２次焼結した。この焼結体よりＪＩＳＲ１６０
１に準拠した３ｍｍ×４ｍｍ×４０ｍｍ相当の抗折試験
片を切り出し、＃８００ダイアモンド砥石により研削加
工仕上げした後、引張面については＃３０００のダイア
モンドペーストによりラッピング仕上げ加工した後、Ｊ
ＩＳＲ１６０１に準拠して３点曲げ強度を１５本ずつ実
施した。表１中には平均結晶粒径、結晶相の比率、及び
曲げ強度を示した。
【００１１】尚、結晶相の比率に関しては図１、図２に
示すＸ線回折法により求めた各結晶相のピーク高さ比よ
り算出した。
示すＸ線回折法により求めた各結晶相のピーク高さ比よ
り算出した。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、特に常温において優れ
た機械的強度を有し、しかも、生産性とコスト面におい
て優れた窒化ケイ素系焼結体を得ることができる。
た機械的強度を有し、しかも、生産性とコスト面におい
て優れた窒化ケイ素系焼結体を得ることができる。
【図１】実施例９における焼結体のＸ線回折図である。
【図２】比較例Ｎo.１３における焼結体のＸ線回折図で
ある。
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山川 晃 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内
Claims (4)
- 【請求項１】 α−窒化ケイ素とβ´−サイアロンから
なる窒化ケイ素焼結体であって、α−窒化ケイ素の平均
結晶粒径が０．５μｍ以下、β´−サイアロンの長軸、
短軸方向の平均結晶粒径がそれぞれ２．０μｍ〜５．０
μｍおよび０．５μｍ以下であることを特徴とする窒化
ケイ素系焼結体。 - 【請求項２】 焼結体中のα−窒化ケイ素とβ´−サイ
アロンの結晶相はＸ線回折によるピーク強度比が２０％
≦α−窒化ケイ素≦５０％、５０％≦β´−サイアロン
≦８０％である請求項１記載の窒化ケイ素系焼結体。 - 【請求項３】 焼結体中のβ´−サイアロン（一般式
Ｓｉ6-ZＡｌZＯZＮ8-Z）は０＜Ｚ＜１．０の範囲にある
請求項１記載の窒化ケイ素系焼結体。 - 【請求項４】 焼結体中のα−窒化ケイ素は実質的にＪ
ＣＰＤＳ（０９−０２５０）のα−窒化ケイ素と同定さ
れることを特徴とする請求項１記載の窒化ケイ素焼結
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3287916A JPH05124867A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | 窒化ケイ素系焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3287916A JPH05124867A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | 窒化ケイ素系焼結体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05124867A true JPH05124867A (ja) | 1993-05-21 |
Family
ID=17723393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3287916A Pending JPH05124867A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | 窒化ケイ素系焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05124867A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2018056210A1 (ja) * | 2016-09-20 | 2018-09-20 | 日本碍子株式会社 | 複合基板，その製法及び電子デバイス |
-
1991
- 1991-11-01 JP JP3287916A patent/JPH05124867A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2018056210A1 (ja) * | 2016-09-20 | 2018-09-20 | 日本碍子株式会社 | 複合基板，その製法及び電子デバイス |
| US10998881B2 (en) | 2016-09-20 | 2021-05-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Composite substrate, method for producing the same, and electronic device |
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