JP2597774B2 - 窒化ケイ素系焼結体およびその製造方法 - Google Patents

窒化ケイ素系焼結体およびその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はとくに常温において優れ
た機械的強度を有し、生産性、コスト面において優れた
窒化ケイ素系焼結体およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、窒化ケイ素系材料の強度向上を目
的として、焼結方法、焼結助剤、含有結晶相の限定など
様々な研究開発が行われてきた。たとえば、焼結法に関
しては、ホットプレス焼結法では、Am.Ceram.
Soc.Bull.,52(1973)pp560で〜
100kg/mm2(曲げ強度)が実現されており、ま
たガラスカプセルによる熱間静水圧プレス法(HIP
法)等も開発されている。こうした手法では焼結体の強
度特性の面では優れた特性が得られているものの、生産
性、コストの面で優れた手法とは言えない。一方、こう
した問題に対して、ガス圧焼結法(例えば、三友、粉体
と工業、12巻、12号、pp27、1989)がある
が、本方法では最終の焼結体の緻密化をβ−Si34
晶の粒成長に伴なうため、粗大結晶粒の析出による強度
劣化をまねく可能性が高いことに加え、一般には、10
気圧以上のN2ガス圧をかけ焼結を実施するため、ホッ
トプレス法やHIP法と同様に焼結設備が大型となり、
特性面、生産面で十分優れた手法とは言えない。他方、
焼結助剤に関しては、主たる助剤としてY23を用いた
Si34−Al23−Y23系の窒化ケイ素系焼結体が
特公昭49−21091号、特公昭48−38448号
に開示されている。これらは、該特許明細書中に示され
ているように、β−Si34結晶粒が焼結体中で繊維状
組織を形成し、これがマトリックス中に分散することか
ら強度、靭性を向上しうるものと考えられている。すな
わちこれは、β−Si34結晶形が六方晶でありC軸方
向に結晶が異方性成長をすることを積極的に利用したも
のであり、とくに特公昭48−38448号や窯業協会
誌、94巻、pp96、1986に示されるように、繊
維状のβ−Si34結晶粒がC軸方向に10数μm以上
に成長している場合がある。しかしながら、本技術にお
いては、やはりこの粒成長が異常成長や気孔の発生をま
ねき、強度劣化をまねく可能性があり、また本方法での
焼結助剤だけを用いた焼結体では、焼結温度を1700
〜1900℃に上昇させなければ、緻密化が十分図れ
ず、大気圧付近のN2ガス圧焼結では、窒化ケイ素の昇
華分解が生じ、安定した焼結体を得られない場合があ
る。このため同じく、焼結体特性と生産性両面で十分優
れているとは言えない。一方、以上で述べてきた手法で
は、いずれも得られる焼結体の強度が、例えばJIS−
R1601に準拠した3点曲げ強度でせいぜい100k
g/mm2前後であり、様々な窒化ケイ素系材料の応用
を考えた場合、必ずしも十分な特性が得られていない。
更に名古屋工業技術試験所報告、第40巻、第1号(1
991年)、PP45には、Si34−Y23−Al2
3−MgO系焼結体において、α−Si34およびβ
−Si34の複合結晶相をもつ焼結体が開示されている
が、焼結温度が1700℃以上であり、十分微細な複合
組織が達成されていないと考えられること、さらにホッ
トプレス焼結法によっても曲げ強度で100kg/mm
2以上を安定して維持するに至っていない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】こうした従来技術にお
ける生産性と焼結体の機械的特性の両立を満足させる手
法を提供するのが本発明の課題である。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、Si34−第
1助剤−第2助剤の3元組成図において、第1助剤がY
23及びMgOの2種よりなる組合せからなり、一方第
2助剤がAl23及びAlNの2種よりなる組合せより
なり、その組成の範囲が図1に示される範囲、すなわち
Si34と第1助剤の添加組成比がモル%で85:15
から95:5の範囲であり、かつSi34と第2助剤の
添加組成比がモル%で90:10から98:2の範囲で
示される図1中の点A、B、C、Dで囲まれる範囲にあ
り、なおかつ第2助剤のAl 2 3 とAlNの添加比率
が、モル比{AlN/(Al 2 3 +AlN)}で25〜
75%の範囲にあって、得られた焼結体中の結晶相にα
−Si34とβ´−サイアロンの双方を含み、その焼結
体の相対密度が98%以上であり焼結体が、JISR−
1601に準拠した3点曲げ強度が容易に100kg/
mm2以上の特性を有することを特徴とする窒化ケイ素
系焼結体である。
【0005】また本発明では焼結体の焼結温度および雰
囲気に関する条件を1500〜1700℃、1.1気圧
以下のN2ガス雰囲気中で焼結体相対密度が96%以上
になるよう1次焼結をおこなった後、1500〜170
0℃、10気圧以上のN2ガス雰囲気中で焼結体相対密
度が99%以上になるよう2次焼結をおこなうことを特
徴とするため、生産性にも十分優れた焼結体を得る手法
であると同時に、その焼結温度が低いため異常粒成長に
伴う焼結体の特性劣化を生じることもない。
【0006】本発明の焼結体が優れた強度特性を得る効
果は、微粒で等軸晶のα−Si34と柱状化したβ´−
サイアロンの両方の結晶相を複合させることにより、従
来の柱状化したβ´−サイアロン結晶相のみで構成され
た焼結体に比較し、ヤング率、硬度が向上する。これは
材料の変形抵抗を示す物性値でありセラミック材料のよ
うな脆性材料では、この値を向上させることが広義では
材料の強度向上につながるためである。さらに脆性材料
の破壊の基本概念であるGriffithの理論に従え
ば、焼結体の破壊強度σfは次式で与えられる。
【0007】σf=E・γs/4a、 E;ヤング率、γs;破壊の表面エネルギ―、a;先在
亀裂長さ ここでγsは粒界相の組成と厚みに依存すると考えられ
るため、とくに厚みの点で結晶粒の存在密度を向上させ
る結晶相の複合化は有利である。また本式に従えば、破
壊強度を向上させるためにはEの増大とaの減少が重要
である。aの値は工程上不可避な欠陥寸法を排除すれ
ば、結晶粒径に依存するため、微細結晶粒で充填性を向
上させた本発明はE、γsの点で強度向上に有効であ
る。こうしたα−Si34と柱状化したβ’−Si34
の両方の結晶相を複合させる考え方は、上記の報告以外
に例えば特開昭61−91065号や特開平2−440
66号に開示されているが、いずれも組成的にはSi3
4−AlN−MO(M;MgO、Y23、CaO等)
の3成分系が主であり、その範囲もAlNとMOの添加
比がモル%で1:9の限定された範囲で、強度等の機械
的特性の向上を示したものであり、またその実施例でも
明らかなように各焼結体の強度特性が曲げ強度で100
kg/mm2を安定して越える焼結体製法はいずれもホ
ットプレス法によるものであり、工業的に安定して高い
強度特性を得るまでに至っていない。また、これらの焼
結体はα’−サイアロンとβ’−サイアロンの間の熱膨
張係数の差が大きく、これが原因となり焼結体中に引張
の残留応力を発生させ、強度劣化を招く可能性がある。
本発明はこうした条件の限定がなく工業的に安定して高
強度な焼結体を提供することにある。
【0008】本発明の詳細な作用の説明をすると、組成
の範囲が図1に示される範囲、すなわちSi34と第1
助剤の添加組成比がモル%で85:15から95:5の
範囲であり、かつSi34と第2助剤の添加組成比がモ
ル%で90:10から98:2の範囲で示される図1中
の点A、B、C、Dで囲まれる範囲とし、なおかつ第2
助剤であるAl 2 3 とAlNの添加比率が、モル比{A
lN/(Al 2 3 +AlN)}で25〜75%となる範
囲内のものとする。
【0009】本組成範囲とするのはSi34と第1助剤
の添加組成比がモル%で85:15より第1助剤側へず
れるとα−Si34の含有量が高く、焼結体強度の劣化
をまねく原因になるとともに、焼結中の雰囲気の影響を
受け、焼結体表面に強度等の特性を劣化させる表面層を
生成するためである。また同組成比が95:5よりSi
34側へずれると焼結性が低下しホットプレス法等の加
圧焼結法を用いなければ十分緻密な焼結体を得ることが
できないためである。一方Si34と第2助剤の添加組
成比がモル%で90:10を越えて第2助剤側へずれる
とβ´−サイアロンの粗大結晶が選択的に生成するため
強度劣化をまねくとともに、やはり焼結中の雰囲気の影
響を受け、焼結体表面に強度等の特性を劣化させる表面
層を生成するためである。また同組成比が98:2より
Si34側へずれると焼結性が低下しホットプレス法等
の加圧焼結法を用いなければ、十分緻密な焼結体を得る
ことができないためである。このような助剤組成条件に
加えさらに第2助剤のAl 2 3 、およびAlNの添加比
率が本発明の効果を達成するために重要な条件となる。
すなわち、第2助剤のAl 2 3 とAlNの添加比率が、
モル比{AlN/(Al 2 3 +AlN)}で25〜75
%の範囲とする。このモル比が25%未満であるとβ’
−サイアロンの粒成長が顕著に現れ、焼結体の強度劣化
を招き、一方75%を越えると焼結体中のα−Si 3 4
の複合比率が大きくなり、結晶相の複合化の効果が十分
現れず強度向上の効果が十分ではない。さらに本発明の
効果を顕著にするためには、焼結体中のα−Si34
β´−サイアロンの結晶相の析出比がX線回析のピーク
強度比が、0<α−Si3430%、30%≦β’−
サイアロン<100%であることがのぞましい。この析
出比がα−Si34側へずれると結晶相の複合化の効果
が十分現れず強度向上の効果が十分ではない。さらに本
発明では焼結体中のα−Si34、およびβ’−サイア
ロン両結晶相の結晶粒径の効果も大きい。すなわちその
範囲が焼結体中のα−Si34の平均粒径が0.5μm
以下、β’−サイアロンの長軸、短軸方向の平均結晶粒
径がそれぞれ、2.5μm、0.5μm以下であること
が、安定して100kg/mm2以上の曲げ強度を得る
のにのぞましい。またβ’−サイアロンについては焼結
体中のβ’−サイアロン(一般式Si6-ZAlZ
Z8-Z)が0<Z<1.0の範囲にあることがのぞまし
い。Z値が1.0を越えると、結晶相の複合化の効果が
十分現れず強度向上の効果が十分ではない。
【0010】また本発明はその焼結体の製法条件も重要
である。すなわちα率93%以上、平均粒径が0.7μ
m以下の窒化ケイ素原料粉末を用い、これに図1に示さ
れる組成範囲かつ前記Al 2 3 、AlNの組成比率を満
たす助剤粉末を混合し、その混合粉末よりなる圧粉体を
1500〜1700℃、1.1気圧以下のN2ガス雰囲
気中で焼結体相対密度が96%以上になるよう1次焼結
をおこなった後、1500〜1700℃、10気圧以上
のN2ガス雰囲気中で焼結体相対密度が99%以上にな
るよう2次焼結をおこなう。ここで窒化ケイ素原料とし
てα率93%以上、平均粒径が0.7μm以下の窒化ケ
イ素原料粉末を必要とする理由は低温域での焼結性を向
上させるためである。また本発明の組成の範囲を選択す
ることにより、焼結条件は1次焼結が1500〜170
0℃、1.1気圧以下のN2ガス雰囲気中の低温域で可
能となった。このため結晶粒の複合化がより微細な結晶
粒により構成され、その効果を顕著にするとともに、1
次焼結がプッシャー式あるいはベルト式等の開放型連続
焼結炉により、同時に生産性の優れた焼結が可能とな
る。この詳細な説明を加えると、一般に強度特性に優れ
た窒化ケイ素系材料の焼結法としては、いわゆるバッチ
式焼結炉によるガス圧焼結が主であるが、この方式では
炉内の温度分布のばらつきやロット間の条件ばらつき等
が必ず生じるために、量産部品等の用途のセラミック材
料を安定して供給する製法としては十分とは言えない。
また窒化ケイ素は大気圧のN2雰囲気下では1700℃
以上の温度域で昇華分解するため、加圧N2雰囲気下で
焼結する必要があり、設備面でバッチ式焼結炉を用いて
いた。このように本発明はその生産性を同時に向上させ
た点で工業的に重要である。ここで焼結温度を1500
〜1700℃としたのは、上述した理由の他に1500
℃未満では焼結体の緻密化が十分図れず、1700℃を
超えると、結晶粒の粗大化が顕著になり強度特性の劣化
やばらつきの原因となる。また1次焼結体の相対密度を
96%以上に焼結するのは、2次焼結において焼結体の
緻密化を十分達成するためである。一方2次焼結条件の
焼結温度を1500〜1700℃としたのは、やはり1
500℃未満では焼結体の緻密化が十分図れず、170
0℃を超えると、結晶粒の粗大化が顕著になり強度特性
の劣化やばらつきの原因となるためである。また、2次
焼結を10気圧未満のN2雰囲気下で行うと最終の焼結
体が十分に緻密化しないため10気圧以上とする。一方
得られた焼結体の相対密度が99%未満であると、強度
特性にばらつきが生じるためである。また上述した条件
は、窒化ケイ素原料粉末の製法がイミド分解法によるも
のであると、さらに焼結体の強度特性を向上させるのに
好ましい。イミド分解法により得られた窒化ケイ素原料
粉末はα率が高く、結晶粒径の粒度分布も狭いため、本
発明の組成、焼結法の組合せにより、結晶相の複合化の
効果が顕著に現れる。すなわちα−Si34結晶粒の平
均粒径が0.5μm以下及び、β’−サイアロン結晶粒
の長軸、および短軸の平均粒径が各々2.5m、0.5
μm以下と非常に微細な形態で両結晶相が複合されるた
めである。この範囲で結晶粒が複合された焼結体の強度
は、その曲げ強度が100kg/mm2を容易に越える
ばかりでなく、そのばらつきもきわめて少ない。以上に
より本発明の焼結体が強度特性、及び生産性、コストに
優れたものであることが明らかとなった。
【0011】
【実施例】
実施例1 平均粒径0.4μm、α結晶化率96%、酸素量1.4
重量%のイミド分解法を製法とする窒化ケイ素原料粉末
および、平均粒径0.8μm、0.4μm、0.5μ
m、0.5μmのY23、Al23、AlN、MgOの
各粉末を表1に示す組成で、エタノール中、100時
間、ナイロン製ボールミルにて湿式混合したのち、乾燥
して得られた混合粉末を3000kg/cm2でCIP
成形し、この成形体をN2ガス1気圧中で1450℃で
6時間、1550℃で3時間1次焼結した。得られた焼
結体を1600℃、1000気圧N2ガス雰囲気中で1
時間、2次焼結した。この焼結体よりJISR1601
に準拠した3mm×4mm×40mm相当の抗折試験片
を切り出し、#800ダイヤモンド砥石により切削加工
仕上げした後、引張面については#3000のダイヤモ
ンドペーストによりラッピング仕上げ加工した後、JI
SR1601に準拠して3点曲げ強度を15本ずつ実施
した。表2中には1次焼結体の相対密度、2次焼結体の
相対密度、結晶相の比率と曲げ強度及びワイブル係数を
示した。なお、結晶相の比率に関してはX線回折法によ
り求めた各結晶相のピーク高さ比より算出した。
【0012】
【表1】
【0013】
【表2】
【0014】実施例2 市販の直接窒化法により得られた窒化ケイ素原料粉末
(平均粒径=0.7μm、α結晶化率=93%、酸素量
=1.5重量%)に実施例1と同様の助剤粉末を実施例
1の組成1〜5になるよう、実施例1と同様の手法で混
合、乾燥し成形した。この成形体をN2ガス1気圧中で
1480℃で5時間、1600℃で2時間1次焼結した
後、1600℃、1000気圧N2ガス雰囲気中で1時
間、2次焼結した。この焼結体より実施例1と同様の手
法によりJISR1601に準拠した抗折試験片を加工
し、同様の評価に供した。この結果を表3に示す。
【0015】
【表3】
【0016】実施例3 実施例1と同様の原料粉末を、実施例1で示した組成1
〜5について同様の手法で混合、乾燥、成形した。得ら
れた成形体をN2ガス1気圧中で1450℃で6時間、
1550℃で3時間1次焼結した後、連続して1600
℃、80気圧N2ガス雰囲気中で2時間、2次焼結し
た。得られた焼結体より、実施例1と同様の手法でJI
SR1601に準拠した抗折試験片を切り出し、実施例
1と同様の手法で評価した。この結果を表4に示す。
【0017】
【表4】
【0018】実施例4 実施例2と同様の原料粉末を、実施例1で示した組成
2、4、5、9について、実施例1と同様の手法で混
合、乾燥、成形した。得られた成形体を表5に示す条件
で1次焼結した後、1600℃、50気圧N2ガス雰囲
気中で2時間焼結した。得られた焼結体より、実施例1
と同様の手法でJISR1601に準拠した抗折試験片
を切り出し、実施例1と同様の手法で評価した。また各
焼結体の微細組織をTEM観察により評価し結晶粒径を
求めた結果を表5中に示す。
【0019】
【表5】
【0020】
【発明の効果】本発明によれば、特に常温において優れ
た機械的強度を有する窒化ケイ素系焼結体を、生産性、
コスト面において有利に提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明における組成範囲を示す3元組成図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山川 晃 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目1番1号 住 友電気工業株式会社 伊丹製作所内 (56)参考文献 特開 平2−22173(JP,A) 特開 平2−167861(JP,A) 特開 昭57−123865(JP,A) 特開 昭63−218584(JP,A) 特開 昭63−139057(JP,A) 特開 昭63−156070(JP,A)

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 Si34−第1助剤−第2助剤の3元組
    成図において、第1助剤がY23及びMgOの2種より
    なる組合わせからなり、一方第2助剤がAl23及びA
    lNの2種よりなる組合わせよりなり、その組成の範囲
    が図1に示される範囲、すなわちSi34と第1助剤の
    添加組成比がモル%で85:15から95:5の範囲で
    あり、かつSi34と第2助剤の添加組成比がモル%で
    90:10から98:2の範囲で示される図1中の点
    A、B、C、Dで囲まれる範囲にあり、なおかつ第2助
    剤のAl23とAlNの添加比率が、モル比{AlN/
    (Al23+AlN)}で25〜75%の範囲にあり、
    得られた焼結体中の結晶相にα−Si34とβ´−サイ
    アロンの双方を含み、その焼結体の相対密度が98%以
    上であり、その曲げ強度がJISR1601に準拠する
    3点曲げ強度の平均値で100kg/mm2以上を有す
    ることを特徴とする窒化ケイ素系焼結体。
  2. 【請求項2】 焼結体中のα−Si34とβ’−サイア
    ロンの結晶相の析出比がX線回のピ―ク強度比が、0
    %<α−Si34≦30%、70%≦β’−サイアロン
    <100%であることを特徴とする請求項1記載の窒化
    ケイ素系焼結体。
  3. 【請求項3】 焼結体中のα−Si34結晶粒の平均粒
    径が0.5μm以下、β´−サイアロンの長軸、短軸方
    向の平均粒径がそれぞれ2.5μm、0.5μm以下で
    あることを特徴とする請求項1記載の窒化ケイ素系焼結
    体。
  4. 【請求項4】 焼結体中のβ’−サイアロン(一般式S
    6-ZAlZZ8-Z)は0<Z<1.0の範囲にあるこ
    とを特徴とする請求項1記載の窒化ケイ素焼結体。
  5. 【請求項5】 α率93%以上、平均粒径が0.7μm
    以下の窒化ケイ素原料粉末を用い、図1に示される組成
    範囲の助剤とし、なおかつ該助剤のAl23とAlNの
    添加比率がモル比{AlN/(Al23+AlN)}で
    25〜75%の範囲となる混合粉末より圧粉体を150
    0〜1700℃、1.1気圧以下のN2ガス雰囲気中で
    焼結体相対密度が96%以上になるよう1次焼結をおこ
    なった後、1500〜1700℃、10気圧以上のN2
    ガス雰囲気中で焼結体相対密度が99%以上になるよう
    2次焼結をおこなうことを特徴とする窒化ケイ素系焼結
    体の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7829491B2 (en) 2004-11-26 2010-11-09 Kyocera Corporation Silicon nitride sintered body and manufacturing method thereof, member for molten metal, member for hot working, and member for digging

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57123865A (en) * 1981-01-27 1982-08-02 Kobe Steel Ltd Manufacture of high density silicon nitride sintered body
JPS63139057A (ja) * 1986-11-28 1988-06-10 住友電気工業株式会社 窒化ケイ素質セラミツクスの製造法
JP2518630B2 (ja) * 1986-12-17 1996-07-24 京セラ株式会社 窒化珪素質焼結体及びその製法
JPS63218584A (ja) * 1987-03-05 1988-09-12 株式会社東芝 セラミツクス焼結体
JPH0625039B2 (ja) * 1988-07-08 1994-04-06 日本タングステン株式会社 窒化珪素質焼結体及びその製造方法
JPH02167861A (ja) * 1988-12-22 1990-06-28 Tosoh Corp 窒化珪素焼結体の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7829491B2 (en) 2004-11-26 2010-11-09 Kyocera Corporation Silicon nitride sintered body and manufacturing method thereof, member for molten metal, member for hot working, and member for digging

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