JP2597774B2 - 窒化ケイ素系焼結体およびその製造方法 - Google Patents
窒化ケイ素系焼結体およびその製造方法Info
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Description
た機械的強度を有し、生産性、コスト面において優れた
窒化ケイ素系焼結体およびその製造方法に関する。
的として、焼結方法、焼結助剤、含有結晶相の限定など
様々な研究開発が行われてきた。たとえば、焼結法に関
しては、ホットプレス焼結法では、Am.Ceram.
Soc.Bull.,52(1973)pp560で〜
100kg/mm2(曲げ強度)が実現されており、ま
たガラスカプセルによる熱間静水圧プレス法(HIP
法)等も開発されている。こうした手法では焼結体の強
度特性の面では優れた特性が得られているものの、生産
性、コストの面で優れた手法とは言えない。一方、こう
した問題に対して、ガス圧焼結法(例えば、三友、粉体
と工業、12巻、12号、pp27、1989)がある
が、本方法では最終の焼結体の緻密化をβ−Si3N4結
晶の粒成長に伴なうため、粗大結晶粒の析出による強度
劣化をまねく可能性が高いことに加え、一般には、10
気圧以上のN2ガス圧をかけ焼結を実施するため、ホッ
トプレス法やHIP法と同様に焼結設備が大型となり、
特性面、生産面で十分優れた手法とは言えない。他方、
焼結助剤に関しては、主たる助剤としてY2O3を用いた
Si3N4−Al2O3−Y2O3系の窒化ケイ素系焼結体が
特公昭49−21091号、特公昭48−38448号
に開示されている。これらは、該特許明細書中に示され
ているように、β−Si3N4結晶粒が焼結体中で繊維状
組織を形成し、これがマトリックス中に分散することか
ら強度、靭性を向上しうるものと考えられている。すな
わちこれは、β−Si3N4結晶形が六方晶でありC軸方
向に結晶が異方性成長をすることを積極的に利用したも
のであり、とくに特公昭48−38448号や窯業協会
誌、94巻、pp96、1986に示されるように、繊
維状のβ−Si3N4結晶粒がC軸方向に10数μm以上
に成長している場合がある。しかしながら、本技術にお
いては、やはりこの粒成長が異常成長や気孔の発生をま
ねき、強度劣化をまねく可能性があり、また本方法での
焼結助剤だけを用いた焼結体では、焼結温度を1700
〜1900℃に上昇させなければ、緻密化が十分図れ
ず、大気圧付近のN2ガス圧焼結では、窒化ケイ素の昇
華分解が生じ、安定した焼結体を得られない場合があ
る。このため同じく、焼結体特性と生産性両面で十分優
れているとは言えない。一方、以上で述べてきた手法で
は、いずれも得られる焼結体の強度が、例えばJIS−
R1601に準拠した3点曲げ強度でせいぜい100k
g/mm2前後であり、様々な窒化ケイ素系材料の応用
を考えた場合、必ずしも十分な特性が得られていない。
更に名古屋工業技術試験所報告、第40巻、第1号(1
991年)、PP45には、Si3N4−Y2O3−Al2
O3−MgO系焼結体において、α−Si3N4およびβ
−Si3N4の複合結晶相をもつ焼結体が開示されている
が、焼結温度が1700℃以上であり、十分微細な複合
組織が達成されていないと考えられること、さらにホッ
トプレス焼結法によっても曲げ強度で100kg/mm
2以上を安定して維持するに至っていない。
ける生産性と焼結体の機械的特性の両立を満足させる手
法を提供するのが本発明の課題である。
1助剤−第2助剤の3元組成図において、第1助剤がY
2O3及びMgOの2種よりなる組合せからなり、一方第
2助剤がAl2O3及びAlNの2種よりなる組合せより
なり、その組成の範囲が図1に示される範囲、すなわち
Si3N4と第1助剤の添加組成比がモル%で85:15
から95:5の範囲であり、かつSi3N4と第2助剤の
添加組成比がモル%で90:10から98:2の範囲で
示される図1中の点A、B、C、Dで囲まれる範囲にあ
り、なおかつ第2助剤のAl 2 O 3 とAlNの添加比率
が、モル比{AlN/(Al 2 O 3 +AlN)}で25〜
75%の範囲にあって、得られた焼結体中の結晶相にα
−Si3N4とβ´−サイアロンの双方を含み、その焼結
体の相対密度が98%以上であり焼結体が、JISR−
1601に準拠した3点曲げ強度が容易に100kg/
mm2以上の特性を有することを特徴とする窒化ケイ素
系焼結体である。
囲気に関する条件を1500〜1700℃、1.1気圧
以下のN2ガス雰囲気中で焼結体相対密度が96%以上
になるよう1次焼結をおこなった後、1500〜170
0℃、10気圧以上のN2ガス雰囲気中で焼結体相対密
度が99%以上になるよう2次焼結をおこなうことを特
徴とするため、生産性にも十分優れた焼結体を得る手法
であると同時に、その焼結温度が低いため異常粒成長に
伴う焼結体の特性劣化を生じることもない。
果は、微粒で等軸晶のα−Si3N4と柱状化したβ´−
サイアロンの両方の結晶相を複合させることにより、従
来の柱状化したβ´−サイアロン結晶相のみで構成され
た焼結体に比較し、ヤング率、硬度が向上する。これは
材料の変形抵抗を示す物性値でありセラミック材料のよ
うな脆性材料では、この値を向上させることが広義では
材料の強度向上につながるためである。さらに脆性材料
の破壊の基本概念であるGriffithの理論に従え
ば、焼結体の破壊強度σfは次式で与えられる。
亀裂長さ ここでγsは粒界相の組成と厚みに依存すると考えられ
るため、とくに厚みの点で結晶粒の存在密度を向上させ
る結晶相の複合化は有利である。また本式に従えば、破
壊強度を向上させるためにはEの増大とaの減少が重要
である。aの値は工程上不可避な欠陥寸法を排除すれ
ば、結晶粒径に依存するため、微細結晶粒で充填性を向
上させた本発明はE、γsの点で強度向上に有効であ
る。こうしたα−Si3N4と柱状化したβ’−Si3N4
の両方の結晶相を複合させる考え方は、上記の報告以外
に例えば特開昭61−91065号や特開平2−440
66号に開示されているが、いずれも組成的にはSi3
N4−AlN−MO(M;MgO、Y2O3、CaO等)
の3成分系が主であり、その範囲もAlNとMOの添加
比がモル%で1:9の限定された範囲で、強度等の機械
的特性の向上を示したものであり、またその実施例でも
明らかなように各焼結体の強度特性が曲げ強度で100
kg/mm2を安定して越える焼結体製法はいずれもホ
ットプレス法によるものであり、工業的に安定して高い
強度特性を得るまでに至っていない。また、これらの焼
結体はα’−サイアロンとβ’−サイアロンの間の熱膨
張係数の差が大きく、これが原因となり焼結体中に引張
の残留応力を発生させ、強度劣化を招く可能性がある。
本発明はこうした条件の限定がなく工業的に安定して高
強度な焼結体を提供することにある。
の範囲が図1に示される範囲、すなわちSi3N4と第1
助剤の添加組成比がモル%で85:15から95:5の
範囲であり、かつSi3N4と第2助剤の添加組成比がモ
ル%で90:10から98:2の範囲で示される図1中
の点A、B、C、Dで囲まれる範囲とし、なおかつ第2
助剤であるAl 2 O 3 とAlNの添加比率が、モル比{A
lN/(Al 2 O 3 +AlN)}で25〜75%となる範
囲内のものとする。
の添加組成比がモル%で85:15より第1助剤側へず
れるとα−Si3N4の含有量が高く、焼結体強度の劣化
をまねく原因になるとともに、焼結中の雰囲気の影響を
受け、焼結体表面に強度等の特性を劣化させる表面層を
生成するためである。また同組成比が95:5よりSi
3N4側へずれると焼結性が低下しホットプレス法等の加
圧焼結法を用いなければ十分緻密な焼結体を得ることが
できないためである。一方Si3N4と第2助剤の添加組
成比がモル%で90:10を越えて第2助剤側へずれる
とβ´−サイアロンの粗大結晶が選択的に生成するため
強度劣化をまねくとともに、やはり焼結中の雰囲気の影
響を受け、焼結体表面に強度等の特性を劣化させる表面
層を生成するためである。また同組成比が98:2より
Si3N4側へずれると焼結性が低下しホットプレス法等
の加圧焼結法を用いなければ、十分緻密な焼結体を得る
ことができないためである。このような助剤組成条件に
加えさらに第2助剤のAl 2 O 3 、およびAlNの添加比
率が本発明の効果を達成するために重要な条件となる。
すなわち、第2助剤のAl 2 O 3 とAlNの添加比率が、
モル比{AlN/(Al 2 O 3 +AlN)}で25〜75
%の範囲とする。このモル比が25%未満であるとβ’
−サイアロンの粒成長が顕著に現れ、焼結体の強度劣化
を招き、一方75%を越えると焼結体中のα−Si 3 N 4
の複合比率が大きくなり、結晶相の複合化の効果が十分
現れず強度向上の効果が十分ではない。さらに本発明の
効果を顕著にするためには、焼結体中のα−Si3N4と
β´−サイアロンの結晶相の析出比がX線回析のピーク
強度比が、0<α−Si3N4≦30%、30%≦β’−
サイアロン<100%であることがのぞましい。この析
出比がα−Si3N4側へずれると結晶相の複合化の効果
が十分現れず強度向上の効果が十分ではない。さらに本
発明では焼結体中のα−Si3N4、およびβ’−サイア
ロン両結晶相の結晶粒径の効果も大きい。すなわちその
範囲が焼結体中のα−Si3N4の平均粒径が0.5μm
以下、β’−サイアロンの長軸、短軸方向の平均結晶粒
径がそれぞれ、2.5μm、0.5μm以下であること
が、安定して100kg/mm2以上の曲げ強度を得る
のにのぞましい。またβ’−サイアロンについては焼結
体中のβ’−サイアロン(一般式Si6-ZAlZO
ZN8-Z)が0<Z<1.0の範囲にあることがのぞまし
い。Z値が1.0を越えると、結晶相の複合化の効果が
十分現れず強度向上の効果が十分ではない。
である。すなわちα率93%以上、平均粒径が0.7μ
m以下の窒化ケイ素原料粉末を用い、これに図1に示さ
れる組成範囲かつ前記Al 2 O 3 、AlNの組成比率を満
たす助剤粉末を混合し、その混合粉末よりなる圧粉体を
1500〜1700℃、1.1気圧以下のN2ガス雰囲
気中で焼結体相対密度が96%以上になるよう1次焼結
をおこなった後、1500〜1700℃、10気圧以上
のN2ガス雰囲気中で焼結体相対密度が99%以上にな
るよう2次焼結をおこなう。ここで窒化ケイ素原料とし
てα率93%以上、平均粒径が0.7μm以下の窒化ケ
イ素原料粉末を必要とする理由は低温域での焼結性を向
上させるためである。また本発明の組成の範囲を選択す
ることにより、焼結条件は1次焼結が1500〜170
0℃、1.1気圧以下のN2ガス雰囲気中の低温域で可
能となった。このため結晶粒の複合化がより微細な結晶
粒により構成され、その効果を顕著にするとともに、1
次焼結がプッシャー式あるいはベルト式等の開放型連続
焼結炉により、同時に生産性の優れた焼結が可能とな
る。この詳細な説明を加えると、一般に強度特性に優れ
た窒化ケイ素系材料の焼結法としては、いわゆるバッチ
式焼結炉によるガス圧焼結が主であるが、この方式では
炉内の温度分布のばらつきやロット間の条件ばらつき等
が必ず生じるために、量産部品等の用途のセラミック材
料を安定して供給する製法としては十分とは言えない。
また窒化ケイ素は大気圧のN2雰囲気下では1700℃
以上の温度域で昇華分解するため、加圧N2雰囲気下で
焼結する必要があり、設備面でバッチ式焼結炉を用いて
いた。このように本発明はその生産性を同時に向上させ
た点で工業的に重要である。ここで焼結温度を1500
〜1700℃としたのは、上述した理由の他に1500
℃未満では焼結体の緻密化が十分図れず、1700℃を
超えると、結晶粒の粗大化が顕著になり強度特性の劣化
やばらつきの原因となる。また1次焼結体の相対密度を
96%以上に焼結するのは、2次焼結において焼結体の
緻密化を十分達成するためである。一方2次焼結条件の
焼結温度を1500〜1700℃としたのは、やはり1
500℃未満では焼結体の緻密化が十分図れず、170
0℃を超えると、結晶粒の粗大化が顕著になり強度特性
の劣化やばらつきの原因となるためである。また、2次
焼結を10気圧未満のN2雰囲気下で行うと最終の焼結
体が十分に緻密化しないため10気圧以上とする。一方
得られた焼結体の相対密度が99%未満であると、強度
特性にばらつきが生じるためである。また上述した条件
は、窒化ケイ素原料粉末の製法がイミド分解法によるも
のであると、さらに焼結体の強度特性を向上させるのに
好ましい。イミド分解法により得られた窒化ケイ素原料
粉末はα率が高く、結晶粒径の粒度分布も狭いため、本
発明の組成、焼結法の組合せにより、結晶相の複合化の
効果が顕著に現れる。すなわちα−Si3N4結晶粒の平
均粒径が0.5μm以下及び、β’−サイアロン結晶粒
の長軸、および短軸の平均粒径が各々2.5m、0.5
μm以下と非常に微細な形態で両結晶相が複合されるた
めである。この範囲で結晶粒が複合された焼結体の強度
は、その曲げ強度が100kg/mm2を容易に越える
ばかりでなく、そのばらつきもきわめて少ない。以上に
より本発明の焼結体が強度特性、及び生産性、コストに
優れたものであることが明らかとなった。
重量%のイミド分解法を製法とする窒化ケイ素原料粉末
および、平均粒径0.8μm、0.4μm、0.5μ
m、0.5μmのY2O3、Al2O3、AlN、MgOの
各粉末を表1に示す組成で、エタノール中、100時
間、ナイロン製ボールミルにて湿式混合したのち、乾燥
して得られた混合粉末を3000kg/cm2でCIP
成形し、この成形体をN2ガス1気圧中で1450℃で
6時間、1550℃で3時間1次焼結した。得られた焼
結体を1600℃、1000気圧N2ガス雰囲気中で1
時間、2次焼結した。この焼結体よりJISR1601
に準拠した3mm×4mm×40mm相当の抗折試験片
を切り出し、#800ダイヤモンド砥石により切削加工
仕上げした後、引張面については#3000のダイヤモ
ンドペーストによりラッピング仕上げ加工した後、JI
SR1601に準拠して3点曲げ強度を15本ずつ実施
した。表2中には1次焼結体の相対密度、2次焼結体の
相対密度、結晶相の比率と曲げ強度及びワイブル係数を
示した。なお、結晶相の比率に関してはX線回折法によ
り求めた各結晶相のピーク高さ比より算出した。
(平均粒径=0.7μm、α結晶化率=93%、酸素量
=1.5重量%)に実施例1と同様の助剤粉末を実施例
1の組成1〜5になるよう、実施例1と同様の手法で混
合、乾燥し成形した。この成形体をN2ガス1気圧中で
1480℃で5時間、1600℃で2時間1次焼結した
後、1600℃、1000気圧N2ガス雰囲気中で1時
間、2次焼結した。この焼結体より実施例1と同様の手
法によりJISR1601に準拠した抗折試験片を加工
し、同様の評価に供した。この結果を表3に示す。
〜5について同様の手法で混合、乾燥、成形した。得ら
れた成形体をN2ガス1気圧中で1450℃で6時間、
1550℃で3時間1次焼結した後、連続して1600
℃、80気圧N2ガス雰囲気中で2時間、2次焼結し
た。得られた焼結体より、実施例1と同様の手法でJI
SR1601に準拠した抗折試験片を切り出し、実施例
1と同様の手法で評価した。この結果を表4に示す。
2、4、5、9について、実施例1と同様の手法で混
合、乾燥、成形した。得られた成形体を表5に示す条件
で1次焼結した後、1600℃、50気圧N2ガス雰囲
気中で2時間焼結した。得られた焼結体より、実施例1
と同様の手法でJISR1601に準拠した抗折試験片
を切り出し、実施例1と同様の手法で評価した。また各
焼結体の微細組織をTEM観察により評価し結晶粒径を
求めた結果を表5中に示す。
た機械的強度を有する窒化ケイ素系焼結体を、生産性、
コスト面において有利に提供される。
る。
Claims (5)
- 【請求項1】 Si3N4−第1助剤−第2助剤の3元組
成図において、第1助剤がY2O3及びMgOの2種より
なる組合わせからなり、一方第2助剤がAl2O3及びA
lNの2種よりなる組合わせよりなり、その組成の範囲
が図1に示される範囲、すなわちSi3N4と第1助剤の
添加組成比がモル%で85:15から95:5の範囲で
あり、かつSi3N4と第2助剤の添加組成比がモル%で
90:10から98:2の範囲で示される図1中の点
A、B、C、Dで囲まれる範囲にあり、なおかつ第2助
剤のAl2O3とAlNの添加比率が、モル比{AlN/
(Al2O3+AlN)}で25〜75%の範囲にあり、
得られた焼結体中の結晶相にα−Si3N4とβ´−サイ
アロンの双方を含み、その焼結体の相対密度が98%以
上であり、その曲げ強度がJISR1601に準拠する
3点曲げ強度の平均値で100kg/mm2以上を有す
ることを特徴とする窒化ケイ素系焼結体。 - 【請求項2】 焼結体中のα−Si3N4とβ’−サイア
ロンの結晶相の析出比がX線回折のピ―ク強度比が、0
%<α−Si3N4≦30%、70%≦β’−サイアロン
<100%であることを特徴とする請求項1記載の窒化
ケイ素系焼結体。 - 【請求項3】 焼結体中のα−Si3N4結晶粒の平均粒
径が0.5μm以下、β´−サイアロンの長軸、短軸方
向の平均粒径がそれぞれ2.5μm、0.5μm以下で
あることを特徴とする請求項1記載の窒化ケイ素系焼結
体。 - 【請求項4】 焼結体中のβ’−サイアロン(一般式S
i6-ZAlZOZN8-Z)は0<Z<1.0の範囲にあるこ
とを特徴とする請求項1記載の窒化ケイ素焼結体。 - 【請求項5】 α率93%以上、平均粒径が0.7μm
以下の窒化ケイ素原料粉末を用い、図1に示される組成
範囲の助剤とし、なおかつ該助剤のAl2O3とAlNの
添加比率がモル比{AlN/(Al2O3+AlN)}で
25〜75%の範囲となる混合粉末より圧粉体を150
0〜1700℃、1.1気圧以下のN2ガス雰囲気中で
焼結体相対密度が96%以上になるよう1次焼結をおこ
なった後、1500〜1700℃、10気圧以上のN2
ガス雰囲気中で焼結体相対密度が99%以上になるよう
2次焼結をおこなうことを特徴とする窒化ケイ素系焼結
体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3272937A JP2597774B2 (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 窒化ケイ素系焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3272937A JP2597774B2 (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 窒化ケイ素系焼結体およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05105517A JPH05105517A (ja) | 1993-04-27 |
JP2597774B2 true JP2597774B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=17520846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3272937A Expired - Lifetime JP2597774B2 (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 窒化ケイ素系焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2597774B2 (ja) |
Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
US7829491B2 (en) | 2004-11-26 | 2010-11-09 | Kyocera Corporation | Silicon nitride sintered body and manufacturing method thereof, member for molten metal, member for hot working, and member for digging |
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---|---|
JPH05105517A (ja) | 1993-04-27 |
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