JPH05109128A - 光デイスクの製造方法 - Google Patents
光デイスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH05109128A JPH05109128A JP3293918A JP29391891A JPH05109128A JP H05109128 A JPH05109128 A JP H05109128A JP 3293918 A JP3293918 A JP 3293918A JP 29391891 A JP29391891 A JP 29391891A JP H05109128 A JPH05109128 A JP H05109128A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- hard coat
- face
- optical disk
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 長期間使用してもシークエラーの起こらない
光ディスクを得る。 【構成】 ガラス基板１上に、トラッキングのための溝
が形成された溝層２を形成し、その上に無機保護膜３，
記録層４，無機保護膜５を積層する。次いで、ガラス基
板１の端面１ａに剥型剤を薄く塗布して乾燥させる。し
かる後、スピンコーティング法でコート液（樹脂液）を
塗布し、塗膜を硬化させてハードコート膜６とする。予
め離型剤を塗布しておけば、コート液は基板端面１ａに
はほとんど付着しないが、ハードコート膜６形成後、端
面１ａを布で軽く摩擦することにより（あるいは粘着テ
ープを用いても良い）端面１ａからハードコート膜を完
全に除去する。
光ディスクを得る。 【構成】 ガラス基板１上に、トラッキングのための溝
が形成された溝層２を形成し、その上に無機保護膜３，
記録層４，無機保護膜５を積層する。次いで、ガラス基
板１の端面１ａに剥型剤を薄く塗布して乾燥させる。し
かる後、スピンコーティング法でコート液（樹脂液）を
塗布し、塗膜を硬化させてハードコート膜６とする。予
め離型剤を塗布しておけば、コート液は基板端面１ａに
はほとんど付着しないが、ハードコート膜６形成後、端
面１ａを布で軽く摩擦することにより（あるいは粘着テ
ープを用いても良い）端面１ａからハードコート膜を完
全に除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスクの製造方法
に関し、特に、ハードコート膜形成工程の改善に関する
ものである。
に関し、特に、ハードコート膜形成工程の改善に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、種々の光記録媒体（光ディスク）
が開発されているが、一例として光磁気ディスクの一般
的な構造を図１に示す。図において、ガラス基板１上に
は、光（紫外線）硬化型樹脂（Photo Polymer ：以下２
Ｐ樹脂層と略称する）からなる溝層２があり、トラッキ
ングのための案内溝やトラック番号やセクター番号など
を表すくぼみからなるピット（プリピット）（図示せ
ず）が形成されている。そして、溝層２の上には無機保
護膜３，磁性膜からなる記録層４，無機保護膜５が積層
されている。更に、最表面には積層された各層を保護す
るためのハードコート膜６が、各層の端面も含めて覆う
ように設けられている。
が開発されているが、一例として光磁気ディスクの一般
的な構造を図１に示す。図において、ガラス基板１上に
は、光（紫外線）硬化型樹脂（Photo Polymer ：以下２
Ｐ樹脂層と略称する）からなる溝層２があり、トラッキ
ングのための案内溝やトラック番号やセクター番号など
を表すくぼみからなるピット（プリピット）（図示せ
ず）が形成されている。そして、溝層２の上には無機保
護膜３，磁性膜からなる記録層４，無機保護膜５が積層
されている。更に、最表面には積層された各層を保護す
るためのハードコート膜６が、各層の端面も含めて覆う
ように設けられている。
【０００３】上記のような構造の光磁気ディスクは、従
来、次のような方法で製造されている。まず、案内溝や
ピットの型が形成された原盤とガラス基板１との間に２
Ｐ樹脂を挟み込んで紫外線を照射することにより溝層２
を形成し、その上に、スパッタリング等の方法で、無機
保護層３，記録層（磁性膜）４，無機保護層５を順に形
成する。しかる後、スピンコータを用いて光硬化性樹脂
等からなるコート液を均一に塗布し、光を照射して塗膜
（ハードコート膜６）を硬化させ、図１の光磁気ディス
クを得る。
来、次のような方法で製造されている。まず、案内溝や
ピットの型が形成された原盤とガラス基板１との間に２
Ｐ樹脂を挟み込んで紫外線を照射することにより溝層２
を形成し、その上に、スパッタリング等の方法で、無機
保護層３，記録層（磁性膜）４，無機保護層５を順に形
成する。しかる後、スピンコータを用いて光硬化性樹脂
等からなるコート液を均一に塗布し、光を照射して塗膜
（ハードコート膜６）を硬化させ、図１の光磁気ディス
クを得る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の方法で製造された光ディスクにおいては、長期間使
用していると、時々シーク（光ヘッドを所定の番地＝記
録位置にもっていく動作）ができないことがあるという
問題点があった。しかし、この動作不全の原因はこれま
で解明されておらず、従って、何等の対策も施されてこ
なかった。この発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、長期間使用してもシークエラーの起こらない光
ディスクを得ることを目的とするものである。
来の方法で製造された光ディスクにおいては、長期間使
用していると、時々シーク（光ヘッドを所定の番地＝記
録位置にもっていく動作）ができないことがあるという
問題点があった。しかし、この動作不全の原因はこれま
で解明されておらず、従って、何等の対策も施されてこ
なかった。この発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、長期間使用してもシークエラーの起こらない光
ディスクを得ることを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本願発明者は、上述した
問題点の原因について、鋭意研究した結果、シークがで
きない直接の原因はディスク表面に異物が載っているこ
とにあることを見出した。この異物が何であるか、分析
したところ、異物はハードコート膜の一部であることが
判った。なぜ、ハードコート膜の一部が異物となったか
について、更に研究したところ、設計上は塗布していな
いはずのガラス基板端面（図１の１ａ）にも、実際には
ハードコート膜が形成されており、これが記録／再生の
度に遠心力を受け、更にハードコート膜とガラス基板と
の密着性がもともと良くないことから、長期間使用して
いるうちに基板から剥離して異物となることが判明し
た。
問題点の原因について、鋭意研究した結果、シークがで
きない直接の原因はディスク表面に異物が載っているこ
とにあることを見出した。この異物が何であるか、分析
したところ、異物はハードコート膜の一部であることが
判った。なぜ、ハードコート膜の一部が異物となったか
について、更に研究したところ、設計上は塗布していな
いはずのガラス基板端面（図１の１ａ）にも、実際には
ハードコート膜が形成されており、これが記録／再生の
度に遠心力を受け、更にハードコート膜とガラス基板と
の密着性がもともと良くないことから、長期間使用して
いるうちに基板から剥離して異物となることが判明し
た。
【０００６】そこで、本発明者は、基板端面に初めから
ハードコート膜が形成されないようにすれば、上記の問
題点が解決されることを着想し、研究を続けた結果、本
発明に到達した。即ち、本発明では、記録層上に保護用
のコート液を塗布する前に、基板端面に予め離型剤を塗
布しておくことによって、上記の課題を達成するもので
ある。
ハードコート膜が形成されないようにすれば、上記の問
題点が解決されることを着想し、研究を続けた結果、本
発明に到達した。即ち、本発明では、記録層上に保護用
のコート液を塗布する前に、基板端面に予め離型剤を塗
布しておくことによって、上記の課題を達成するもので
ある。
【０００７】
【作用】本発明において用いる離型剤としては、例え
ば、シリコン系，フッ素系，あるいはパラフィン系等の
有機材料を適当な有機溶剤、例えばトルエンやキシレン
等の芳香族炭化水素系溶剤に溶解させたものがある。上
記の離型剤を基板端面にロールコータ等を用いて薄く塗
布し、乾燥させることにより薄い離型皮膜を形成するこ
とができる。
ば、シリコン系，フッ素系，あるいはパラフィン系等の
有機材料を適当な有機溶剤、例えばトルエンやキシレン
等の芳香族炭化水素系溶剤に溶解させたものがある。上
記の離型剤を基板端面にロールコータ等を用いて薄く塗
布し、乾燥させることにより薄い離型皮膜を形成するこ
とができる。
【０００８】予め離型剤を塗布しておくと、コート液を
スピンコート法によって塗布してもコート液が基板端面
に付着しないか、付着しても容易に取れるので、ハード
コート膜の硬化後に端面を布で拭くか粘着テープ等を端
面に貼りつけて剥がすことにより容易に除去できる。
スピンコート法によって塗布してもコート液が基板端面
に付着しないか、付着しても容易に取れるので、ハード
コート膜の硬化後に端面を布で拭くか粘着テープ等を端
面に貼りつけて剥がすことにより容易に除去できる。
【０００９】ハードコート膜を形成するために塗布する
コート液としては、例えばエネルギー線（電子線，紫外
線等）によって硬化する樹脂、あるいは熱によって硬化
する樹脂等が使用される。具体例としては、エネルギー
線硬化のものではラジカル重合によるアクリル系樹脂
や、カチオン重合によるエポキシ樹脂などがある。ま
た、熱硬化のものではエポキシ樹脂の三次元開環重合に
よるものや、シリコーン系のもの等が挙げられる。コー
ト液を塗布する方法としては、スピンコーティング法，
ロールコーティング法，スプレー法等が考えられるが、
均一な膜厚の層を形成できるという点で、スピンコーテ
ィング法が好ましい。
コート液としては、例えばエネルギー線（電子線，紫外
線等）によって硬化する樹脂、あるいは熱によって硬化
する樹脂等が使用される。具体例としては、エネルギー
線硬化のものではラジカル重合によるアクリル系樹脂
や、カチオン重合によるエポキシ樹脂などがある。ま
た、熱硬化のものではエポキシ樹脂の三次元開環重合に
よるものや、シリコーン系のもの等が挙げられる。コー
ト液を塗布する方法としては、スピンコーティング法，
ロールコーティング法，スプレー法等が考えられるが、
均一な膜厚の層を形成できるという点で、スピンコーテ
ィング法が好ましい。
【００１０】本発明における記録層の形式は、何等限定
されるものではなく、フォトクロミック型，相変化型，
追記型（＝ライトワンス型），光磁気記録型、あるいは
その他の記録形式であってもよい。記録層の構成材料と
しては、具体的には次のようなものが挙げられる。 フォトクロミック型：有機色素 相変化型：テルルの低級酸化物薄膜，非結晶合金膜等 追記型：Ｔｅ，Ｓｅ，Ｂｉ，Ｉｎ等の低融点金属薄膜 光磁気記録型：ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣ
ｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＦｅ，ＧｄＣｏ，ＧｄＦｅ
Ｃｏ，ＧｄＴｂＦｅ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の非晶質垂直
磁化膜
されるものではなく、フォトクロミック型，相変化型，
追記型（＝ライトワンス型），光磁気記録型、あるいは
その他の記録形式であってもよい。記録層の構成材料と
しては、具体的には次のようなものが挙げられる。 フォトクロミック型：有機色素 相変化型：テルルの低級酸化物薄膜，非結晶合金膜等 追記型：Ｔｅ，Ｓｅ，Ｂｉ，Ｉｎ等の低融点金属薄膜 光磁気記録型：ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣ
ｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＦｅ，ＧｄＣｏ，ＧｄＦｅ
Ｃｏ，ＧｄＴｂＦｅ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の非晶質垂直
磁化膜
【００１１】また、図１で記録層の上下に設けられてい
る無機保護膜は、記録層の吸湿を防止する等の役割りを
果たすもので、必ずしも必要なものではないが、例えば
ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｎＳ，ＡｌＮ，Ｓｉ3 Ｎ4 等
の無機材料が用いられる。
る無機保護膜は、記録層の吸湿を防止する等の役割りを
果たすもので、必ずしも必要なものではないが、例えば
ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｎＳ，ＡｌＮ，Ｓｉ3 Ｎ4 等
の無機材料が用いられる。
【００１２】
【実施例】図１を参照して本発明の実施例を説明する。
ガラス基板１として直径３００ｍｍ，厚さ１．２ｍｍの
ガラス円板を用い、ガラス基板１と原盤との間に２Ｐ樹
脂を挟み込んでガラス基板１側から紫外線を照射するこ
とによって厚さ５０μｍの溝層２を形成した。溝はトラ
ッキングのためのもので、溝幅０．５μｍ，溝ピッチ
１．６μｍ，深さ８００Åとし、渦巻状に形成した。
ガラス基板１として直径３００ｍｍ，厚さ１．２ｍｍの
ガラス円板を用い、ガラス基板１と原盤との間に２Ｐ樹
脂を挟み込んでガラス基板１側から紫外線を照射するこ
とによって厚さ５０μｍの溝層２を形成した。溝はトラ
ッキングのためのもので、溝幅０．５μｍ，溝ピッチ
１．６μｍ，深さ８００Åとし、渦巻状に形成した。
【００１３】次に、溝層２の上に、無機保護膜３とし
て、スパッタリング法による膜厚８００ÅのＳｉ3 Ｎ4
膜を設け、その上に同じくスパッタリング法で記録層４
として膜厚１００Åの非晶質ＲＥ−ＴＭ膜（希土類−遷
移金属膜）を積層した。更に、記録層４の上に、無機保
護膜５として膜厚１０００ÅのＳｉ3 Ｎ4 膜を形成し
た。
て、スパッタリング法による膜厚８００ÅのＳｉ3 Ｎ4
膜を設け、その上に同じくスパッタリング法で記録層４
として膜厚１００Åの非晶質ＲＥ−ＴＭ膜（希土類−遷
移金属膜）を積層した。更に、記録層４の上に、無機保
護膜５として膜厚１０００ÅのＳｉ3 Ｎ4 膜を形成し
た。
【００１４】続いて、離型剤としてシリコン系のグリー
スコンパウンド離型剤（トーレ・シリコン製，ＳＨ７０
２０）をロールコータを用いてガラス基板１端面に薄く
塗布し、１００度５分間加熱乾燥させて硬い離型皮膜を
形成した。この際、ガラス基板周縁部の記録層４形成側
の面に離型剤が付着しないように留意した。
スコンパウンド離型剤（トーレ・シリコン製，ＳＨ７０
２０）をロールコータを用いてガラス基板１端面に薄く
塗布し、１００度５分間加熱乾燥させて硬い離型皮膜を
形成した。この際、ガラス基板周縁部の記録層４形成側
の面に離型剤が付着しないように留意した。
【００１５】しかる後、スピンコータを用いて光硬化型
樹脂（大日本インキ化学製，ＳＤ−３０１）を平均膜厚
１０μｍの厚さで塗布し、１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外
線を照射して塗膜を硬化させることによりハードコート
膜６を形成した。ハードコート膜６形成後、ガラス基板
１の端面を観察したところ、ハードコート膜６の付着は
ほとんど見られなかった。また、付着している部分につ
いても布で軽く摩擦するだけで容易に剥がすことができ
た。
樹脂（大日本インキ化学製，ＳＤ−３０１）を平均膜厚
１０μｍの厚さで塗布し、１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外
線を照射して塗膜を硬化させることによりハードコート
膜６を形成した。ハードコート膜６形成後、ガラス基板
１の端面を観察したところ、ハードコート膜６の付着は
ほとんど見られなかった。また、付着している部分につ
いても布で軽く摩擦するだけで容易に剥がすことができ
た。
【００１６】上記のようにして製造した光ディスクにつ
いて、４０℃，１８００ｒｐｍ，１０００ｈｒの連続回
転再生試験を行なったところ、異物がディスク表面に付
着することによるシークエラーの発生は全く見られなか
った。
いて、４０℃，１８００ｒｐｍ，１０００ｈｒの連続回
転再生試験を行なったところ、異物がディスク表面に付
着することによるシークエラーの発生は全く見られなか
った。
【００１７】なお、上記の実施例では光磁気ディスクを
例にとって説明しているが、前述したように本発明は光
磁気ディスク以外の光ディスクにも適用されるものであ
り、各層の構成材料や成膜方法自体は上記の実施例のも
のに限定されるものてないことは言うまでない。また、
積層構造も図１のものに限定されるものではなく、例え
ば無機保護膜を省略したり、再生信号を増強するための
エンハンスト層やその他の層を設けても良いものであ
る。
例にとって説明しているが、前述したように本発明は光
磁気ディスク以外の光ディスクにも適用されるものであ
り、各層の構成材料や成膜方法自体は上記の実施例のも
のに限定されるものてないことは言うまでない。また、
積層構造も図１のものに限定されるものではなく、例え
ば無機保護膜を省略したり、再生信号を増強するための
エンハンスト層やその他の層を設けても良いものであ
る。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、予め
光ディスクの基板端面に離型剤を塗布しておいてからコ
ート液を塗布するので、基板端面にはハードコート膜が
存在せず、異物が発生しない。それ故、本発明によれ
ば、光ディスクを長期間使用しているとシーク動作不全
が起こるという問題を解消することができる。
光ディスクの基板端面に離型剤を塗布しておいてからコ
ート液を塗布するので、基板端面にはハードコート膜が
存在せず、異物が発生しない。それ故、本発明によれ
ば、光ディスクを長期間使用しているとシーク動作不全
が起こるという問題を解消することができる。
【図１】光磁気ディスクの一般的な構造を示す断面図で
ある。
ある。
１ ガラス基板 ２ 溝層 ３ 無機保護膜 ４ 記録層 ５ 無機保護膜 ６ ハードコート膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に記録層を形成する工程と、前記
記録層上に保護用のコート液を塗布する工程を含む光デ
ィスクの製造方法において、前記コート液を塗布する前
に、前記基板端面に予め離型剤を塗布しておくことを特
徴とする光ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3293918A JPH05109128A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 光デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3293918A JPH05109128A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 光デイスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109128A true JPH05109128A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17800847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3293918A Pending JPH05109128A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 光デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109128A (ja) |
-
1991
- 1991-10-15 JP JP3293918A patent/JPH05109128A/ja active Pending
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