JPH0499699A - 携帯形半導体記憶装置 - Google Patents
携帯形半導体記憶装置Info
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- JPH0499699A JPH0499699A JP2217613A JP21761390A JPH0499699A JP H0499699 A JPH0499699 A JP H0499699A JP 2217613 A JP2217613 A JP 2217613A JP 21761390 A JP21761390 A JP 21761390A JP H0499699 A JPH0499699 A JP H0499699A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 53
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 5
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
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- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0067—Devices for protecting against damage from electrostatic discharge
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Elimination Of Static Electricity (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、例えばコンピュータの外部記憶媒体として用
いられるICカートなどの携帯形半導体記憶装置に係り
、詳しくは静電気放電に対処した構造に関する。
いられるICカートなどの携帯形半導体記憶装置に係り
、詳しくは静電気放電に対処した構造に関する。
〈従来の技術〉
従来のICカードには、外装に金属パネルを用いたもの
がある。その外観を第3図の斜視図に示す。
がある。その外観を第3図の斜視図に示す。
同図において、lはICカードの本体、2は本体1の表
面に設けられた外装用の金属パネル、3はコネクタ、4
は内蔵基板の回路グランドに接続されるICカードのグ
ランド端子である。
面に設けられた外装用の金属パネル、3はコネクタ、4
は内蔵基板の回路グランドに接続されるICカードのグ
ランド端子である。
該ICカートの内部構造を第4図の断面図に示す。同図
において、5は回路基板、6は回路基板5に搭載された
素子、7は内蔵電池、8は電池7の負電極に接触する電
極片、9は正電極に接触する電極片である。このうち、
負電極用の電極片8は、回路基板5の回路グランドパタ
ーンを通してコネクタ3の回路グランド端子4に直結さ
れており、該回路グランド端子4は、ICカートを所定
ノシステム機器に装着すると、ンステム機器の回路グラ
ンドを通じて接地されるようになっている。
において、5は回路基板、6は回路基板5に搭載された
素子、7は内蔵電池、8は電池7の負電極に接触する電
極片、9は正電極に接触する電極片である。このうち、
負電極用の電極片8は、回路基板5の回路グランドパタ
ーンを通してコネクタ3の回路グランド端子4に直結さ
れており、該回路グランド端子4は、ICカートを所定
ノシステム機器に装着すると、ンステム機器の回路グラ
ンドを通じて接地されるようになっている。
ここで、上記の素子6や部材どうしが金属パネル2を通
じて短絡しないように、金属パネル2の内面には、絶縁
層10が形成されている。この絶線層10は、金属パネ
ル2に絶縁材を均一な厚みで塗布することにより形成さ
れている。
じて短絡しないように、金属パネル2の内面には、絶縁
層10が形成されている。この絶線層10は、金属パネ
ル2に絶縁材を均一な厚みで塗布することにより形成さ
れている。
そして、表裏の金属パネル2.2どうしは、その間に介
装したコンタクトばね11により互いに接続されて導通
しており、このように導通することで、内部回路に対し
て電磁ノールドを構成している。
装したコンタクトばね11により互いに接続されて導通
しており、このように導通することで、内部回路に対し
て電磁ノールドを構成している。
このように従来の金属パネル2を有するICカードでは
、金属パネル2と回路グランド端子4とが電気的に分離
された構造となっている。
、金属パネル2と回路グランド端子4とが電気的に分離
された構造となっている。
ここで、ICカードが回路グランド端子4を通じて接地
されている状態で、金属パネル2に静電気放電によるノ
イズ(E S Dノイズ)が印加された場合を考えてみ
ると、そのノイズが比較的低レベル(具体的には、金属
パネル2と回路グランド端子4との間の最小静電耐圧以
下のレベル)であるときは、両金属パネル2.2のシー
ルド効果て、ノイズは内部回路の信号に重畳することか
なく、内部回路に悪影響を及ぼさない。
されている状態で、金属パネル2に静電気放電によるノ
イズ(E S Dノイズ)が印加された場合を考えてみ
ると、そのノイズが比較的低レベル(具体的には、金属
パネル2と回路グランド端子4との間の最小静電耐圧以
下のレベル)であるときは、両金属パネル2.2のシー
ルド効果て、ノイズは内部回路の信号に重畳することか
なく、内部回路に悪影響を及ぼさない。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、外来のESDノイズのレベルが高く、金
属パネル2と回路グランド端子4との間の静電耐圧を越
えるレベルである場合には、金属パネル2から内部回路
、回路グランド端子4を経由して放電が起こる。この放
電の際、ICカード内部では特定の放電経路はなく、放
電経路か不定であるから、多(の場合、内部の素子6に
放電電流が流れ、素子6の破壊や、データの変成(デー
タ化け)といった不都合が発生する。
属パネル2と回路グランド端子4との間の静電耐圧を越
えるレベルである場合には、金属パネル2から内部回路
、回路グランド端子4を経由して放電が起こる。この放
電の際、ICカード内部では特定の放電経路はなく、放
電経路か不定であるから、多(の場合、内部の素子6に
放電電流が流れ、素子6の破壊や、データの変成(デー
タ化け)といった不都合が発生する。
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであって
、低レベルのESDノイズに対しては、従来通り、シー
ルド効果を発揮することができ、高レベルのノイズに対
しては、常に最も安全な放電経路が形成されるようにし
て、素子の破壊やデータの変成等の不都合の発生を未然
に防止することができるICカードを提供することを課
題とする。
、低レベルのESDノイズに対しては、従来通り、シー
ルド効果を発揮することができ、高レベルのノイズに対
しては、常に最も安全な放電経路が形成されるようにし
て、素子の破壊やデータの変成等の不都合の発生を未然
に防止することができるICカードを提供することを課
題とする。
く課題を解決するための手段〉
本発明は、上記の課題を達成するために、本体表面に金
属パネルか設けられ、金属パネルの内面に絶縁層が形成
されたICカードであって、絶縁層に、回路グランド端
子に直結された金属片が近接配置され、絶縁層の各部分
のうち、前記金属片に対向する部分が、絶縁層の他の部
分より静電耐圧が低い低耐圧部に形成されている構成と
した。
属パネルか設けられ、金属パネルの内面に絶縁層が形成
されたICカードであって、絶縁層に、回路グランド端
子に直結された金属片が近接配置され、絶縁層の各部分
のうち、前記金属片に対向する部分が、絶縁層の他の部
分より静電耐圧が低い低耐圧部に形成されている構成と
した。
〈作用〉
上記の構成において、低レベルのESDノイズが金属パ
ネルに印加された場合は、金属パネルのシールド効果で
、ノイズは遮断され、内部回路には加わらない。
ネルに印加された場合は、金属パネルのシールド効果で
、ノイズは遮断され、内部回路には加わらない。
高レベルのノイズが金属パネルに印加されると、金属パ
ネル、絶縁層の低耐圧部、金属片から回路グランド端子
に至る放電経路が形成され、放電電流は最短経路を通っ
て回路グランド側に流れ、内部の素子に悪影響を与えな
い。
ネル、絶縁層の低耐圧部、金属片から回路グランド端子
に至る放電経路が形成され、放電電流は最短経路を通っ
て回路グランド側に流れ、内部の素子に悪影響を与えな
い。
〈実施例〉
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
第1図は本発明の一実施例に係るICカードの断面図で
ある。
ある。
この実施例のICカードが、本体の表面に設けられた外
装用の金属パネル2と、金属パネル2の内面に設けられ
た絶縁層10と、各種素子を搭載した回路基板5と、内
蔵電池7と、電池7の負電極に接触する電極片8と、正
電極に接触する電極片9と、表裏の金属パネル2.2を
導通接続するコンタクトばね11とを有する点は、第3
図および第4図に示した従来のICカードと同じであり
、ここでは、第3図および第4図と同一の符号を付して
、詳細な説明は省略する。
装用の金属パネル2と、金属パネル2の内面に設けられ
た絶縁層10と、各種素子を搭載した回路基板5と、内
蔵電池7と、電池7の負電極に接触する電極片8と、正
電極に接触する電極片9と、表裏の金属パネル2.2を
導通接続するコンタクトばね11とを有する点は、第3
図および第4図に示した従来のICカードと同じであり
、ここでは、第3図および第4図と同一の符号を付して
、詳細な説明は省略する。
この実施例のICカードでは、負電極用の電極片8が、
回路基板5の回路グランドパターンを通じて回路グラン
ド端子4に接続されているのであるが、この電極片8は
、金属パネル2側に近接配置されている。なお、この回
路グランド端子4は、端末機の接地端子に接続されてい
る。そして、絶縁層10の各部分のうち、負電極用の電
極片8と対向する部分は、ピンホール12を多数穿設す
ることで、絶縁層IOの他の部分より静電耐圧が低い低
耐圧部10aに形成されている。ビンホールl2の孔径
は、絶縁層10に負電極用の電極片8が密着しても、該
電極片8と金属パネル2とが短絡しない程度に充分に小
さいものとする。
回路基板5の回路グランドパターンを通じて回路グラン
ド端子4に接続されているのであるが、この電極片8は
、金属パネル2側に近接配置されている。なお、この回
路グランド端子4は、端末機の接地端子に接続されてい
る。そして、絶縁層10の各部分のうち、負電極用の電
極片8と対向する部分は、ピンホール12を多数穿設す
ることで、絶縁層IOの他の部分より静電耐圧が低い低
耐圧部10aに形成されている。ビンホールl2の孔径
は、絶縁層10に負電極用の電極片8が密着しても、該
電極片8と金属パネル2とが短絡しない程度に充分に小
さいものとする。
上記の構成において、絶縁層10の低耐圧部lOaが、
ピンポール12の部分に誘電率の低い空気を含んでいる
ことから、金属パネル2と、低耐圧部10aと、負電極
用の電極片8とは、静電容量の小さな平行板コンデンサ
を構成している。
ピンポール12の部分に誘電率の低い空気を含んでいる
ことから、金属パネル2と、低耐圧部10aと、負電極
用の電極片8とは、静電容量の小さな平行板コンデンサ
を構成している。
ここで、ICカードがその回路グランド端子4を介して
接地されている状態で、高いレベルのESDノイズが金
属パネル2に印加されると、金属パネル2から回路グラ
ンド端子4に放電電流が流れるが、その場合の放電経路
には、静電容量の小さな部分が選択される。前記したよ
うに、低耐圧部10aと負電極用の電極片8とに対応す
る部分は、静電容量が他の部分より小さいから、金属パ
ネル2、低耐圧部10a、負電極用の電極片8から回路
グランド端子4に至る放電経路が形成され、放電電流は
最短経路を通って回路グランド側に流れる。したがって
、素子が破壊されたり、データが変成することがない。
接地されている状態で、高いレベルのESDノイズが金
属パネル2に印加されると、金属パネル2から回路グラ
ンド端子4に放電電流が流れるが、その場合の放電経路
には、静電容量の小さな部分が選択される。前記したよ
うに、低耐圧部10aと負電極用の電極片8とに対応す
る部分は、静電容量が他の部分より小さいから、金属パ
ネル2、低耐圧部10a、負電極用の電極片8から回路
グランド端子4に至る放電経路が形成され、放電電流は
最短経路を通って回路グランド側に流れる。したがって
、素子が破壊されたり、データが変成することがない。
一方、内部回路は、表裏の金属パネル2.2でシールド
されているから、低レベルのノイズが金属パネル2に印
加された場合は、ノイズは、金属パネル2のシールド効
果で遮断され、内部回路には加わらない。
されているから、低レベルのノイズが金属パネル2に印
加された場合は、ノイズは、金属パネル2のシールド効
果で遮断され、内部回路には加わらない。
第1図の実施例では、ピンホール12を穿設することで
低耐圧部10aを形成したが、この低耐圧部10aは、
第2図に示すように、負電極用の電極片8に゛対向する
個所を、他の部分より薄くすることによっても、低耐圧
部10aとすることができる。
低耐圧部10aを形成したが、この低耐圧部10aは、
第2図に示すように、負電極用の電極片8に゛対向する
個所を、他の部分より薄くすることによっても、低耐圧
部10aとすることができる。
さらに、負電極用の電極片8に対向する部分を、絶縁層
10の他の部分より誘電率の低い絶縁材に置き換えるこ
とでも、低耐圧部10aとすることができる。
10の他の部分より誘電率の低い絶縁材に置き換えるこ
とでも、低耐圧部10aとすることができる。
以上のような手段により低耐圧部10aを形成した場合
も、ESDノイズに対して、第1図の実施例に関して説
明したのと同様の作用効果か得られる。
も、ESDノイズに対して、第1図の実施例に関して説
明したのと同様の作用効果か得られる。
また、上記各実施例では、負電極用の電極片8を金属パ
ネル2に近接させて、該電極片8が放電経路の一部を構
成するようにしたか、その他、回路グランド端子4に直
結される他の搭載金属片を金属パネル2に近接させて、
該金属片を放電経路の一部としてもよい。
ネル2に近接させて、該電極片8が放電経路の一部を構
成するようにしたか、その他、回路グランド端子4に直
結される他の搭載金属片を金属パネル2に近接させて、
該金属片を放電経路の一部としてもよい。
〈発明の効果〉
以上述べたように、本発明によれば、金属パネルと、絶
縁層の低耐圧部と、負電極用の電極片のような近接金属
片とが、高いレベルのESDノイズに対して、回路グラ
ンド端子に至る最短で安全な放電経路を形成するから、
放電電流は内部回路を通らずに回路グランドに流れるこ
とになり、素子が破壊されたり、記憶データか変成され
るようなことがなく、静電気放電に対する耐性が向上す
る。
縁層の低耐圧部と、負電極用の電極片のような近接金属
片とが、高いレベルのESDノイズに対して、回路グラ
ンド端子に至る最短で安全な放電経路を形成するから、
放電電流は内部回路を通らずに回路グランドに流れるこ
とになり、素子が破壊されたり、記憶データか変成され
るようなことがなく、静電気放電に対する耐性が向上す
る。
第1図は本発明の一実施例に係るICカードの要部断面
図、第2図は他の実施例の要部断面図である。 第3図および第4図は従来例に係り、第3図は外観斜視
図、第4図はその要部断面図である。 2 ・金属パネル、4・−・回路グランド端子、5・・
・回路基板、7・電池、8・・・負電極用の電極片(近
接金属片)、10・絶縁層、IOa 低耐圧部。
図、第2図は他の実施例の要部断面図である。 第3図および第4図は従来例に係り、第3図は外観斜視
図、第4図はその要部断面図である。 2 ・金属パネル、4・−・回路グランド端子、5・・
・回路基板、7・電池、8・・・負電極用の電極片(近
接金属片)、10・絶縁層、IOa 低耐圧部。
Claims (1)
- (1)本体表面に金属パネルが設けられ、金属パネルの
内面に絶縁層が形成された携帯形半導体記憶装置であっ
て、 絶縁層に、内蔵基板の回路グランドに直結された金属片
が近接配置され、 絶縁層の各部分のうち、前記金属片に対向する部分が、
絶縁層の他の部分より静電耐圧が低い低耐圧部に形成さ
れている ことを特徴とする携帯形半導体記憶装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2217613A JPH0832494B2 (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 携帯形半導体記憶装置 |
US07/715,962 US5206783A (en) | 1990-08-18 | 1991-06-17 | Portable semiconductor memory unit |
GB9113242A GB2247109B (en) | 1990-08-18 | 1991-06-19 | Portable semiconductor memory unit |
DE4121888A DE4121888C2 (de) | 1990-08-18 | 1991-07-02 | IC-Karte |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2217613A JPH0832494B2 (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 携帯形半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0499699A true JPH0499699A (ja) | 1992-03-31 |
JPH0832494B2 JPH0832494B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=16707037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2217613A Expired - Lifetime JPH0832494B2 (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 携帯形半導体記憶装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5206783A (ja) |
JP (1) | JPH0832494B2 (ja) |
DE (1) | DE4121888C2 (ja) |
GB (1) | GB2247109B (ja) |
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---|---|---|---|---|
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CN1323340C (zh) * | 2003-11-25 | 2007-06-27 | 华宇电脑股份有限公司 | 卡式连接器 |
KR100849307B1 (ko) * | 2006-11-30 | 2008-07-29 | 삼성전자주식회사 | 휴대용 단말기의 정전기 방전 장치 |
WO2009107303A1 (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-03 | 日本電気株式会社 | 電磁シールド構造およびそれを用いた無線装置、電磁シールドの製造方法 |
DE102011053624B4 (de) | 2011-09-15 | 2018-07-26 | Albrecht Jung Gmbh & Co. Kg | Elektrisches/elektronisches Installationsgerät |
JP5841898B2 (ja) * | 2012-05-29 | 2016-01-13 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 車載用電子装置およびそれを搭載した車両 |
KR102547948B1 (ko) | 2018-08-30 | 2023-06-26 | 삼성전자주식회사 | 정전기 방지 구조물을 포함하는 솔리드 스테이트 드라이브 장치 |
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-
1990
- 1990-08-18 JP JP2217613A patent/JPH0832494B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-06-17 US US07/715,962 patent/US5206783A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-06-19 GB GB9113242A patent/GB2247109B/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-02 DE DE4121888A patent/DE4121888C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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GB2247109A (en) | 1992-02-19 |
DE4121888C2 (de) | 1993-10-28 |
US5206783A (en) | 1993-04-27 |
GB2247109B (en) | 1994-07-20 |
GB9113242D0 (en) | 1991-08-07 |
DE4121888A1 (de) | 1992-02-20 |
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