JPH049924A - アクティブマトリックス型の電気光学装置 - Google Patents
アクティブマトリックス型の電気光学装置Info
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- JPH049924A JPH049924A JP2112974A JP11297490A JPH049924A JP H049924 A JPH049924 A JP H049924A JP 2112974 A JP2112974 A JP 2112974A JP 11297490 A JP11297490 A JP 11297490A JP H049924 A JPH049924 A JP H049924A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はコンピュータ用大型デイスプレィ、光学シャン
ク−などに利用されるスイチイング素子を使ったアクテ
ィブマトリックス型電気光学装置。
ク−などに利用されるスイチイング素子を使ったアクテ
ィブマトリックス型電気光学装置。
［発明の慨要１
本発明は、クロム金属からなる電極と非線形抵抗素子か
らなるアクティブマトリックス型電気光学装置において
、腐食に強い金属を非線形素子が形成された基板の外部
端子部分に通常の無電界メッキ処理することにより多数
の金属電極の経時的な破壊を防止する電気光学装置を提
供するものである。
らなるアクティブマトリックス型電気光学装置において
、腐食に強い金属を非線形素子が形成された基板の外部
端子部分に通常の無電界メッキ処理することにより多数
の金属電極の経時的な破壊を防止する電気光学装置を提
供するものである。
［従来の技術］
近年になってカラー液晶ＴＶやラップトツブコンピュー
タに使用されているアクティブマトリックス型電気光学
素子は基盤表面上の各画素に非線形素子を形成すること
で情報量の増大化が可能になり、高速応答、ハイコント
ラストなどの特徴があることから今後の発展が期待され
ている。アクティブマトリックス型電気光学素子はＭＩ
Ｍ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ＭｅｔａＪ）や
ＮＴＳＩ （Ｍｅｔａｌ−５ｅｍｉ−Ｉｎｓｕｌａｔｏ
ｒ）などの二端子型とＴＰＴ （Ｔｈ ｉ ｎ−Ｆ ｉ
ｌｍ−Ｔｒａｎｓ ｉ ５ｔｏｒ）の三端子型に大別さ
れる。この中で、三端子素子は形成膜数が多いため工程
が複雑となり、歩留まりは悪く、コスト高になる欠声、
がある。これに対し、非線形抵抗素子は構造が単純かつ
耐圧も高く低コストなどで、大面積表示パネルへの応用
に有利である。
タに使用されているアクティブマトリックス型電気光学
素子は基盤表面上の各画素に非線形素子を形成すること
で情報量の増大化が可能になり、高速応答、ハイコント
ラストなどの特徴があることから今後の発展が期待され
ている。アクティブマトリックス型電気光学素子はＭＩ
Ｍ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ＭｅｔａＪ）や
ＮＴＳＩ （Ｍｅｔａｌ−５ｅｍｉ−Ｉｎｓｕｌａｔｏ
ｒ）などの二端子型とＴＰＴ （Ｔｈ ｉ ｎ−Ｆ ｉ
ｌｍ−Ｔｒａｎｓ ｉ ５ｔｏｒ）の三端子型に大別さ
れる。この中で、三端子素子は形成膜数が多いため工程
が複雑となり、歩留まりは悪く、コスト高になる欠声、
がある。これに対し、非線形抵抗素子は構造が単純かつ
耐圧も高く低コストなどで、大面積表示パネルへの応用
に有利である。
代表的な二端子型アクティブマトリックス型電気光学装
置の構造を第２図を使って説明する。第２図（Ａ）は代
表的な二端子型アクティブマトリックス型電気光学装置
の構造を示す平面図であり、第２図（Ｂ）は装置の構造
を示すａ−ｂの断面図であり、第２図（Ｃ）は装置の構
造を示すＣｄの断面図の構造である。第２図（Ａ）ＣＢ
）（Ｃ）において、１及び２は基板で透明ガラスであり
、行電極３及び画素電極４は透明導電膜であ（、インジ
ウムスズ酸化ｎ莫（ＩＴＯ）をマグネトロンスパッター
等によって、行電極３は約１０００八から１６００人、
画素電極４は約１００Ａから５００へ形成し、？欠にフ
ォトエツチングによってパターンを形成した。６はシリ
コンを主体とする非線形抵抗層であり、シランガス及び
、シリコン酸化膜の場合は炭酸ガス、亜酸化窒素ガス、
酸素ガスなどの混合ガスを使用し、シリコン窒化膜の場
合は、アンモニアガス、窒素ガスなどの混合ガスによる
プラズマＣＶＤ法によって約１０００人形成した。５は
金属列電極であり、本実施例においてはクロム金属をス
パッタによって約３０００人形成した。次にフォトエツ
チングによって金属Ｔ４極５を選択的に除去し、次に感
光性樹脂を除去せずに、シリコンを主な成分とする非線
形抵抗層６を選択的にエツチング除去した。これらの工
程から、行電極３と列電極５の交差部には非線形抵抗素
子が形成され１列電極５と画素電極４の間に非線形抵抗
層６が挟まれた構造となっている。
置の構造を第２図を使って説明する。第２図（Ａ）は代
表的な二端子型アクティブマトリックス型電気光学装置
の構造を示す平面図であり、第２図（Ｂ）は装置の構造
を示すａ−ｂの断面図であり、第２図（Ｃ）は装置の構
造を示すＣｄの断面図の構造である。第２図（Ａ）ＣＢ
）（Ｃ）において、１及び２は基板で透明ガラスであり
、行電極３及び画素電極４は透明導電膜であ（、インジ
ウムスズ酸化ｎ莫（ＩＴＯ）をマグネトロンスパッター
等によって、行電極３は約１０００八から１６００人、
画素電極４は約１００Ａから５００へ形成し、？欠にフ
ォトエツチングによってパターンを形成した。６はシリ
コンを主体とする非線形抵抗層であり、シランガス及び
、シリコン酸化膜の場合は炭酸ガス、亜酸化窒素ガス、
酸素ガスなどの混合ガスを使用し、シリコン窒化膜の場
合は、アンモニアガス、窒素ガスなどの混合ガスによる
プラズマＣＶＤ法によって約１０００人形成した。５は
金属列電極であり、本実施例においてはクロム金属をス
パッタによって約３０００人形成した。次にフォトエツ
チングによって金属Ｔ４極５を選択的に除去し、次に感
光性樹脂を除去せずに、シリコンを主な成分とする非線
形抵抗層６を選択的にエツチング除去した。これらの工
程から、行電極３と列電極５の交差部には非線形抵抗素
子が形成され１列電極５と画素電極４の間に非線形抵抗
層６が挟まれた構造となっている。
次に上基板１と下基板２は接着剤７とスペーサ粒子によ
り５から１０ミクロンの間隔で対向して接着されており
その間には電気光学材料８が封入されている。これらの
構造での非線形抵抗素子は印加電圧により、素子の抵抗
が指数関数的に変化する特性を持っているため、非線形
抵抗膜層６の両端に高い電圧が印加すると非線形抵抗素
子の抵抗が低くなり、画素電極へ電荷が注入されやすく
なる。また、非線形抵抗膜６の両端に低い電圧が印加す
ると非線形抵抗素子の抵抗が高くなり、画素電極へ電荷
が注入されにくくなる。
り５から１０ミクロンの間隔で対向して接着されており
その間には電気光学材料８が封入されている。これらの
構造での非線形抵抗素子は印加電圧により、素子の抵抗
が指数関数的に変化する特性を持っているため、非線形
抵抗膜層６の両端に高い電圧が印加すると非線形抵抗素
子の抵抗が低くなり、画素電極へ電荷が注入されやすく
なる。また、非線形抵抗膜６の両端に低い電圧が印加す
ると非線形抵抗素子の抵抗が高くなり、画素電極へ電荷
が注入されにくくなる。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記のような構造でアクティブマトリックス型
電気光学素子を駆動すると、経時的にクロム電極端子部
の破壊が発生する問題があり、特に水分が出やすい高温
多湿での環境変化に弱いにのクロム電極の破壊は、クロ
ム電極とパネルに吸着する水分が次式に示す電気化学反
応を起こしているためと考えられ、発生した場合にはク
ロム電極が２肖滅してしまう。
電気光学素子を駆動すると、経時的にクロム電極端子部
の破壊が発生する問題があり、特に水分が出やすい高温
多湿での環境変化に弱いにのクロム電極の破壊は、クロ
ム電極とパネルに吸着する水分が次式に示す電気化学反
応を起こしているためと考えられ、発生した場合にはク
ロム電極が２肖滅してしまう。
（２Ｃｒ＋７Ｈ２０＋Ｈ２Ｃｒｚ Ｏｔ ＋６Ｈ２
）この電気化学反応によりクロム電極端子部が破壊され
た平面図を第３図に示す。第３図において、３５はクロ
ム電極、３６は非線形抵抗層、３４は画素電極である。
）この電気化学反応によりクロム電極端子部が破壊され
た平面図を第３図に示す。第３図において、３５はクロ
ム電極、３６は非線形抵抗層、３４は画素電極である。
図３の様に破壊されたクロム電極端子部は、断線となり
、断線になった列に接続された非線形抵抗素子を駆動出
来なくなってしまい、信頼性に問題がある。
、断線になった列に接続された非線形抵抗素子を駆動出
来なくなってしまい、信頼性に問題がある。
［課題を解決するための手段］
本発明は上記のような問題点を解決するためアクティブ
マトリックス型電気光学装置において、腐食に強い金属
材料を非線形素子が形成された基板の外部端子部分に通
常の無電界メッキ処理して腐食防止用金属を形成するこ
とにより、多数の金属電極の経時的な破壊を防止するこ
とが出来た。
マトリックス型電気光学装置において、腐食に強い金属
材料を非線形素子が形成された基板の外部端子部分に通
常の無電界メッキ処理して腐食防止用金属を形成するこ
とにより、多数の金属電極の経時的な破壊を防止するこ
とが出来た。
［作用］
問題、占の項で説明したように製造工程内で発生し基板
に吸着したり、特に高温多湿や急激なｆ５環境件変化に
よってパネルに発生する結露などの水分とクロム電極が
電気化学反応を起こし第２図（Ａ）の非線形抵抗素子が
第３図のようにクロム電極が溶解し破壊されてしまう。
に吸着したり、特に高温多湿や急激なｆ５環境件変化に
よってパネルに発生する結露などの水分とクロム電極が
電気化学反応を起こし第２図（Ａ）の非線形抵抗素子が
第３図のようにクロム電極が溶解し破壊されてしまう。
そして、電極が断線状態になってしまい、そこに接続さ
れているすべての非線形抵抗素子は電極が流れないため
に動作しなくなり、ライン欠陥となってしまう。そこで
、非線形素子が形成された基板の外部端子部分に腐食に
強い金属材料で通常の無電界メッキ処理して腐食防止用
金属を形成することにより、製造工程内で基板に吸着し
たり、高温多湿や環境条件の急激−な変化で発生する結
露などの水分で端子部の破壊を防止することができる。
れているすべての非線形抵抗素子は電極が流れないため
に動作しなくなり、ライン欠陥となってしまう。そこで
、非線形素子が形成された基板の外部端子部分に腐食に
強い金属材料で通常の無電界メッキ処理して腐食防止用
金属を形成することにより、製造工程内で基板に吸着し
たり、高温多湿や環境条件の急激−な変化で発生する結
露などの水分で端子部の破壊を防止することができる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面に基づいて具体的に説明す
る。
る。
第１図（Ａ）は本発明の電気光学装置の構造を示すａ−
ｂの断面図であり、第１図（Ｂ）は代表的な二端子型ア
クティブマトリックス型電気光学装置の構造を示す平面
図であり、第１図（Ｃ）は装置の構造を示すｃ−ｄの断
面図である。第１図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）において、１１
及び１２は基板で透明ガラスであり、行電極１３及び画
素電極１４は透明導電膜であり、インジウムスズ酸化膜
（ＩＴＯ）をマグネトロンスパッター等によって、行電
極１３は約１０００人から１６００人、画素電極１４は
約１００人から５００人形成し、次にフォトエツチング
によってパターンを形成した。１６はシリコンを主体と
する非線形抵抗層であり、シランガス及び、シリコン酸
化膜の場合は炭酸ガス、亜酸化窒素ガス、酸素ガスなど
の混合ガスを使用し、シリコン窒化膜の場合は、アンモ
ニアガス、窒素ガスなどの混合ガスによるプラズマＣＶ
Ｄ法によって約１０００人形成した。１５は金属列電極
であり、本実施例においてはクロム金属をスパッタによ
って約３０００人形成した。
ｂの断面図であり、第１図（Ｂ）は代表的な二端子型ア
クティブマトリックス型電気光学装置の構造を示す平面
図であり、第１図（Ｃ）は装置の構造を示すｃ−ｄの断
面図である。第１図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）において、１１
及び１２は基板で透明ガラスであり、行電極１３及び画
素電極１４は透明導電膜であり、インジウムスズ酸化膜
（ＩＴＯ）をマグネトロンスパッター等によって、行電
極１３は約１０００人から１６００人、画素電極１４は
約１００人から５００人形成し、次にフォトエツチング
によってパターンを形成した。１６はシリコンを主体と
する非線形抵抗層であり、シランガス及び、シリコン酸
化膜の場合は炭酸ガス、亜酸化窒素ガス、酸素ガスなど
の混合ガスを使用し、シリコン窒化膜の場合は、アンモ
ニアガス、窒素ガスなどの混合ガスによるプラズマＣＶ
Ｄ法によって約１０００人形成した。１５は金属列電極
であり、本実施例においてはクロム金属をスパッタによ
って約３０００人形成した。
次にフォトエツチングによって金属電極１５を選択的に
除去し、次に感光性樹脂を除去せずに、シリコンを主な
成分とする非線形抵抗層１６を選択的にエツチング除去
した。これらの工程から、行電極１３と列電極１５の交
差部には非線形抵抗素子が形成されており、列電極１５
と画素電極１４の間に非線形抵抗層］６が挟まれた構造
となっている。次に上基板１１と下基板１２は接着剤１
７とスペーサ粒子により５から１０ミクロンの間隔て対
向して接着されておりその間には電気光学材料１８が封
入されている。次に、通常の無電界メッキの前処理を行
った後、腐食に強い金属材料（例えばニッケル、金など
）を使い電極端子部分に無電界メンキ処理を行って金属
電極端子上に選択的に腐食防止用金属の形成をした。上
記の工程で製造したアクティブマトリックス型電気光学
装置で連続駆動テストを行なったところ、第３図のよう
な電極端子部の経時的な破壊は発生せず、極めて高い信
頼性を示した。
除去し、次に感光性樹脂を除去せずに、シリコンを主な
成分とする非線形抵抗層１６を選択的にエツチング除去
した。これらの工程から、行電極１３と列電極１５の交
差部には非線形抵抗素子が形成されており、列電極１５
と画素電極１４の間に非線形抵抗層］６が挟まれた構造
となっている。次に上基板１１と下基板１２は接着剤１
７とスペーサ粒子により５から１０ミクロンの間隔て対
向して接着されておりその間には電気光学材料１８が封
入されている。次に、通常の無電界メッキの前処理を行
った後、腐食に強い金属材料（例えばニッケル、金など
）を使い電極端子部分に無電界メンキ処理を行って金属
電極端子上に選択的に腐食防止用金属の形成をした。上
記の工程で製造したアクティブマトリックス型電気光学
装置で連続駆動テストを行なったところ、第３図のよう
な電極端子部の経時的な破壊は発生せず、極めて高い信
頼性を示した。
［発明の効果］
以上実施例にて具体的に説明したように本発明によれば
、電極端子部分に腐食に強い金属材料を使用して通常の
無電界メッキすることにより、従来で開門となっていた
駆動で経時的に電極端子部が電気化学反応で破壊され断
線するのを防止することができ、信頼性が向上した。
、電極端子部分に腐食に強い金属材料を使用して通常の
無電界メッキすることにより、従来で開門となっていた
駆動で経時的に電極端子部が電気化学反応で破壊され断
線するのを防止することができ、信頼性が向上した。
第１図（Ａ）は本発明の電気光学装置の構造を示すａ−
ｂの断面図。 第１図（Ｂ）は本発明の電気光学装置の非線形抵抗素子
の構造を示す断面図。 第１図（Ｃ）は本発明の電気光学装置の非線形抵抗を示
すｃ−ｄの断面図６ 第２図（Ａ）は従来の電気光学装置の非線形抵抗素子の
構造を示す断面図。 第２図（Ｂ）は従来の電気光学装置の構造を示すａ−ｂ
の断面図。 第２図（Ｃ）は従来の電気光学装置の非線形抵抗を示す
ｃ−ｄの断面図。 第３図は破壊された電極端子部の平面図である。 １．１１・・・対向ガラス基板 ２．１２・・・ガラス基板 行電極 画素電極 ・列電極 ・非線形抵抗層 シール剤 電気光学材料 （液晶） メッキ処理で形成された電極
ｂの断面図。 第１図（Ｂ）は本発明の電気光学装置の非線形抵抗素子
の構造を示す断面図。 第１図（Ｃ）は本発明の電気光学装置の非線形抵抗を示
すｃ−ｄの断面図６ 第２図（Ａ）は従来の電気光学装置の非線形抵抗素子の
構造を示す断面図。 第２図（Ｂ）は従来の電気光学装置の構造を示すａ−ｂ
の断面図。 第２図（Ｃ）は従来の電気光学装置の非線形抵抗を示す
ｃ−ｄの断面図。 第３図は破壊された電極端子部の平面図である。 １．１１・・・対向ガラス基板 ２．１２・・・ガラス基板 行電極 画素電極 ・列電極 ・非線形抵抗層 シール剤 電気光学材料 （液晶） メッキ処理で形成された電極
Claims (3)
- （１）表面に電極が形成された２枚の基板の間に液晶が
封入され、少なくとも１方の基板表面上の各画素には、
それぞれクロム金属からなる電極と非線形抵抗素子から
なるアクティブマトリックス型電気光学装置において、
外部電極端子部にメッキ処理をしたことを特徴とするア
クティブマトリックス型電気光学装置。 - （２）前記メッキ処理は無電界メッキ処理をすることを
特徴とした第１項のアクティブマトリックス型電気光学
装置。 - （３）前記無電界メッキ処理はニッケル、金等の腐食に
強い金属材料を使用したすることを特徴とする第２項記
載のアクティブマトリックス型電気光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2112974A JPH049924A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | アクティブマトリックス型の電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2112974A JPH049924A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | アクティブマトリックス型の電気光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH049924A true JPH049924A (ja) | 1992-01-14 |
Family
ID=14600223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2112974A Pending JPH049924A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | アクティブマトリックス型の電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH049924A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2806307A1 (en) * | 2013-05-20 | 2014-11-26 | LG Electronics, Inc. | Display panel and display device |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2112974A patent/JPH049924A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2806307A1 (en) * | 2013-05-20 | 2014-11-26 | LG Electronics, Inc. | Display panel and display device |
| CN104181734A (zh) * | 2013-05-20 | 2014-12-03 | Lg电子株式会社 | 显示面板和显示装置 |
| US8994042B2 (en) | 2013-05-20 | 2015-03-31 | Lg Electronics Inc. | Display panel and display device |
| US9123593B2 (en) | 2013-05-20 | 2015-09-01 | Lg Electronics Inc. | Display panel and display device |
| US9366929B2 (en) | 2013-05-20 | 2016-06-14 | Lg Electronics, Inc. | Display panel and display device |
| US9632381B2 (en) | 2013-05-20 | 2017-04-25 | Lg Electronics Inc. | Display panel and display device |
| CN104181734B (zh) * | 2013-05-20 | 2017-09-26 | Lg电子株式会社 | 显示面板和显示装置 |
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