JPH0493018A - Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 - Google Patents
Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0493018A JPH0493018A JP2211218A JP21121890A JPH0493018A JP H0493018 A JPH0493018 A JP H0493018A JP 2211218 A JP2211218 A JP 2211218A JP 21121890 A JP21121890 A JP 21121890A JP H0493018 A JPH0493018 A JP H0493018A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- polycrystalline silicon
- ion implantation
- silicon film
- drain regions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 3
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 101000635799 Homo sapiens Run domain Beclin-1-interacting and cysteine-rich domain-containing protein Proteins 0.000 abstract 1
- 102100030852 Run domain Beclin-1-interacting and cysteine-rich domain-containing protein Human genes 0.000 abstract 1
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 arsenic ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N arsenic(5+) Chemical compound [As+5] HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＭＯＳ型半導体装置の製造方法に関し、特にＭ
ＯＳ型電界効果トランジスタ（以下、ＭＯＳＦＥＴと記
す）のソース・ドレイン領域の形成方法に関する。
ＯＳ型電界効果トランジスタ（以下、ＭＯＳＦＥＴと記
す）のソース・ドレイン領域の形成方法に関する。
従来のＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン領域は、半導体
基板の主表面に形成された素子分離領域及びゲート電極
に対し、自己整合的に不純物を導入して形成される。例
えば、シリコン基板の主表面にＬＯＣＯ８法により０．
８μｍの厚さのシリコン酸化膜よりなる素子分離領域を
形成する工程、熱酸化等により形成されたゲート絶縁膜
を介して燐を熱拡散した多結晶シリコンよりなるＭＯＳ
ＦＥＴのゲート電極を形成する工程、所定の領域にイオ
ン注入法により砒素または硼素を前述の素子分離領域及
びゲート電極に対して自己整合的に導入する工程、窒素
雰囲気中で熱処理を行ない導入した不純物を活性化する
アニール工程７層間絶縁膜の形成工程、素子の電極取り
出しのためのコンタクトポール形成工程、アルミ配線形
成工程及びパッシヘーション膜形成工程よりなる。また
、イオン注入のマスク材としてはフォトレジスト膜か一
般的てあり、他の材料としてはシリコン酸化膜、シリコ
ン窒化膜、アルミ膜等も用いられる。
基板の主表面に形成された素子分離領域及びゲート電極
に対し、自己整合的に不純物を導入して形成される。例
えば、シリコン基板の主表面にＬＯＣＯ８法により０．
８μｍの厚さのシリコン酸化膜よりなる素子分離領域を
形成する工程、熱酸化等により形成されたゲート絶縁膜
を介して燐を熱拡散した多結晶シリコンよりなるＭＯＳ
ＦＥＴのゲート電極を形成する工程、所定の領域にイオ
ン注入法により砒素または硼素を前述の素子分離領域及
びゲート電極に対して自己整合的に導入する工程、窒素
雰囲気中で熱処理を行ない導入した不純物を活性化する
アニール工程７層間絶縁膜の形成工程、素子の電極取り
出しのためのコンタクトポール形成工程、アルミ配線形
成工程及びパッシヘーション膜形成工程よりなる。また
、イオン注入のマスク材としてはフォトレジスト膜か一
般的てあり、他の材料としてはシリコン酸化膜、シリコ
ン窒化膜、アルミ膜等も用いられる。
−に連の従来のＭＯＳＦＥＴのソース トレイン領域の
形成方法は、直接半導体基板のソース・トレイン形成領
域に不純物イオンの打ち込みを行なうため、結晶欠陥か
発生し、アニール処理を行なっても欠陥が残留し、良好
な接合特性を有する浅接合の形成が困難てあった。
形成方法は、直接半導体基板のソース・トレイン形成領
域に不純物イオンの打ち込みを行なうため、結晶欠陥か
発生し、アニール処理を行なっても欠陥が残留し、良好
な接合特性を有する浅接合の形成が困難てあった。
また、不純物イオン注入のドース量が多いため、イオン
注入の際にゲート電極自身かチャージアップし、ケート
絶縁膜の破壊に至る故障が無視てきなかった。
注入の際にゲート電極自身かチャージアップし、ケート
絶縁膜の破壊に至る故障が無視てきなかった。
これらの問題は、集積度の増大、素子の微細化が進展す
るにともない、より大きな問題点となってきた。
るにともない、より大きな問題点となってきた。
本発明のＭ ＯＳ Ｆ Ｅ ’ｒにおけるソース・トレ
イン領域の形成方法は、半導体基板の主表面の所定の部
分を露出させる工程と、導電性の薄膜を被着する工程と
、所定の領域にイオン注入法により不純物を導入する工
程と、この不純物を半導体基板中へ熱拡散させるための
熱処理工程と、酸化性雰囲気で熱処理を行なうことによ
り前述の導電性の薄膜を絶縁性の酸化物に変換する工程
とを備えている。
イン領域の形成方法は、半導体基板の主表面の所定の部
分を露出させる工程と、導電性の薄膜を被着する工程と
、所定の領域にイオン注入法により不純物を導入する工
程と、この不純物を半導体基板中へ熱拡散させるための
熱処理工程と、酸化性雰囲気で熱処理を行なうことによ
り前述の導電性の薄膜を絶縁性の酸化物に変換する工程
とを備えている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（１〕）は本発明の一実施例の工程毎の
断面図である。本実施例は相補型のＭＯＳ型半導体装置
に本発明を適用した例である。
断面図である。本実施例は相補型のＭＯＳ型半導体装置
に本発明を適用した例である。
Ｐ型シリコン半導体基板１のＰチャネル形成部分に燐を
ドープし、Ｎウェル２を形成する〔第１図（ａ）〕。
ドープし、Ｎウェル２を形成する〔第１図（ａ）〕。
Ｌ ＯＣＯＳ法を用い、所定の箇所に０．８μｍの厚さ
の素子分離領域３を形成する。この際、Ｎヂャネルトラ
ンジスタ形成領域の素子分離領域３には、チャネルスト
ッパ４としてのＰ＋領域か設けられる〔第１図（ｂ）〕
。
の素子分離領域３を形成する。この際、Ｎヂャネルトラ
ンジスタ形成領域の素子分離領域３には、チャネルスト
ッパ４としてのＰ＋領域か設けられる〔第１図（ｂ）〕
。
熱酸化により形成した約３００人のシリコン酸化膜より
なるケート絶縁膜５を介し、燐を拡散した多結晶シリコ
ンよりなるＭＯＳＦＥＴのゲート電極６を形成する〔第
１図（Ｃ）〕。
なるケート絶縁膜５を介し、燐を拡散した多結晶シリコ
ンよりなるＭＯＳＦＥＴのゲート電極６を形成する〔第
１図（Ｃ）〕。
次に、弗化水素水溶液で処理することにより、Ｍ ＯＳ
Ｆ Ｅ Ｔのソース・トレイン形成領域の半導体基板
１及びＮウェル２を露出させ、気相成長法により厚さ約
３００人の多結晶シリコン膜７を被着する。なお、多結
晶シリコン膜の代りに非晶質シリコン膜でもよい。その
後、Ｐヂャネル側をフォトレジスト膜で覆い、砒素のイ
オン注入を行なう。注入条件としてはエネルギー３０ｋ
ｅＶ、ドーズ量１０１６ｃ ｍ−”とし、不純物分布の
ピーク及び結晶欠陥が多結晶シリコン膜７の内に形成さ
れるようにする〔第１図（ｄ）〕。
Ｆ Ｅ Ｔのソース・トレイン形成領域の半導体基板
１及びＮウェル２を露出させ、気相成長法により厚さ約
３００人の多結晶シリコン膜７を被着する。なお、多結
晶シリコン膜の代りに非晶質シリコン膜でもよい。その
後、Ｐヂャネル側をフォトレジスト膜で覆い、砒素のイ
オン注入を行なう。注入条件としてはエネルギー３０ｋ
ｅＶ、ドーズ量１０１６ｃ ｍ−”とし、不純物分布の
ピーク及び結晶欠陥が多結晶シリコン膜７の内に形成さ
れるようにする〔第１図（ｄ）〕。
同様に、Ｎチャネル側をフォ）〜レジスト膜て覆い、弗
化硼素のイオン注入を行なう。エネルギー３０ ｋ ｅ
Ｖ 、ドース量１０１６ｃ ｍ−２の条件て行ない、
前述の砒素のイオン注入の同じ効果を得る〔第１図（ｅ
）〕。
化硼素のイオン注入を行なう。エネルギー３０ ｋ ｅ
Ｖ 、ドース量１０１６ｃ ｍ−２の条件て行ない、
前述の砒素のイオン注入の同じ効果を得る〔第１図（ｅ
）〕。
次に、高温窒素雰囲気中で熱処理を行ない、多結晶シリ
コン膜７に導入した不純物を半導体基板１及びＮウェル
２中に熱拡散させ、素子分離領域３及びゲート電ｔｉｌ
ｉ！６に自己整合的に、Ｎチャネルトランジスタ ソー
ス・ドレイン領域８及びＰチャネルトランジスタ ソー
ス・トレイン領域９を形成する〔第１図（ｆ）〕。
コン膜７に導入した不純物を半導体基板１及びＮウェル
２中に熱拡散させ、素子分離領域３及びゲート電ｔｉｌ
ｉ！６に自己整合的に、Ｎチャネルトランジスタ ソー
ス・ドレイン領域８及びＰチャネルトランジスタ ソー
ス・トレイン領域９を形成する〔第１図（ｆ）〕。
層間絶縁膜としてのリンガラス膜１０を気相成長法で被
着し、水蒸気雰囲気中において例えは８５０℃で熱処理
を行ない、リンガラス膜１０をリフローさせて平坦な表
面形状を得る。このとき同時に、前述の多結晶シリコン
膜７は完全に酸化され、シリコン酸化膜に変換される〔
第１図（ｇ）〕。
着し、水蒸気雰囲気中において例えは８５０℃で熱処理
を行ない、リンガラス膜１０をリフローさせて平坦な表
面形状を得る。このとき同時に、前述の多結晶シリコン
膜７は完全に酸化され、シリコン酸化膜に変換される〔
第１図（ｇ）〕。
Ｎチャネルトランジスタ ソース・ドレイン領域８及び
Ｐチャネル１〜ランシスタ ソース・１〜しイン領域９
に達するコンタク１へホール１１をリンカラス膜１０に
開口し、コンタク１〜部の接合リーク防止のなめＮチャ
ネル側、Ｐチャネル側それぞれに燐、硼素のイオン注入
を行ない、コンタク１−部Ｎ”拡散層１２，３７２２１
〜部Ｐ＋拡散層１３を形成する。引き続き、アルミ配線
を形成し、パッシベーション膜となるシリコン窒化膜を
プラズマ気相成長法で形成し、相補型のＭＯＳ型半導体
装置が完成する〔第１図（ｈ））。
Ｐチャネル１〜ランシスタ ソース・１〜しイン領域９
に達するコンタク１へホール１１をリンカラス膜１０に
開口し、コンタク１〜部の接合リーク防止のなめＮチャ
ネル側、Ｐチャネル側それぞれに燐、硼素のイオン注入
を行ない、コンタク１−部Ｎ”拡散層１２，３７２２１
〜部Ｐ＋拡散層１３を形成する。引き続き、アルミ配線
を形成し、パッシベーション膜となるシリコン窒化膜を
プラズマ気相成長法で形成し、相補型のＭＯＳ型半導体
装置が完成する〔第１図（ｈ））。
１１発明の効果〕
以り説明したように本発明は、Ｍ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔの
ソース トレイン領域の形成において、導電性の薄膜を
被着し、不純物のイオン注入時に生じる結晶欠陥をこの
被膜内に留めることにより、結晶欠陥が無く接合特性の
良好な浅接合からなるソーストレイン領域を得ることか
てきる。
ソース トレイン領域の形成において、導電性の薄膜を
被着し、不純物のイオン注入時に生じる結晶欠陥をこの
被膜内に留めることにより、結晶欠陥が無く接合特性の
良好な浅接合からなるソーストレイン領域を得ることか
てきる。
また、ソース・トレイン形成用のイオン注入時に、素子
の表面は導電性の薄膜て覆われているなめ、ゲート電極
のチャージアップを避けることが可能となり、イオン注
入時のケー１へ絶縁膜の破壊を防ぐことができる。
の表面は導電性の薄膜て覆われているなめ、ゲート電極
のチャージアップを避けることが可能となり、イオン注
入時のケー１へ絶縁膜の破壊を防ぐことができる。
第１図（ａ）・〜（１〕）は本発明の一実施例の工程毎
の縦断面図である。 ］・・・Ｐ型シリコン半導体基板、２・・・Ｎウェル、
３・・・素子分離領域、４・・・チャネルス１ヘツパー
、５・・・ゲート絶縁膜、６・・・ゲート電極、７・・
・多結晶シリコン膜、８・・・Ｎチャネルトランジスタ
ソース・トレイン領域、９・・・Ｐチャネル１〜ラン
ジスタソース・トレイン領域、］０・・・リンガラス膜
、１１・・・コンタクトホール、コ２・・コンタク１〜
部Ｎ＋拡散層、１３・・・コンタク１〜部Ｐ４拡散層。
の縦断面図である。 ］・・・Ｐ型シリコン半導体基板、２・・・Ｎウェル、
３・・・素子分離領域、４・・・チャネルス１ヘツパー
、５・・・ゲート絶縁膜、６・・・ゲート電極、７・・
・多結晶シリコン膜、８・・・Ｎチャネルトランジスタ
ソース・トレイン領域、９・・・Ｐチャネル１〜ラン
ジスタソース・トレイン領域、］０・・・リンガラス膜
、１１・・・コンタクトホール、コ２・・コンタク１〜
部Ｎ＋拡散層、１３・・・コンタク１〜部Ｐ４拡散層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一導電型半導体基板の主表面に複数個のＭＯＳ型電
界効果トランジスタを形成してなる半導体装置において
、前記半導体基板の主表面の所定の部分を露出させる工
程と、導電性の薄膜を被着する工程と、所定の領域にイ
オン注入法により不純物を導入する工程と、該不純物を
前記半導体基板中へ熱拡散させるための熱処理工程と、
酸化性雰囲気で熱処理を行なうことにより前記導電性の
薄膜を絶縁性の酸化物に変換する工程とを含むことを特
徴とするＭＯＳ型半導体装置の製造方法。 ２、前記導電性の薄膜が多結晶シリコン膜、あるいは非
晶質シリコン膜であることを特徴とする請求項１記載の
ＭＯＳ型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2211218A JPH0493018A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2211218A JPH0493018A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0493018A true JPH0493018A (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16602253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2211218A Pending JPH0493018A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0493018A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100765620B1 (ko) * | 2006-07-26 | 2007-10-09 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 및 그에 의한 반도체 소자 |
-
1990
- 1990-08-09 JP JP2211218A patent/JPH0493018A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100765620B1 (ko) * | 2006-07-26 | 2007-10-09 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 및 그에 의한 반도체 소자 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04116869A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
| JPH0493018A (ja) | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 | |
| JPS6115595B2 (ja) | ||
| JPS62266829A (ja) | 浅い接合層の形成方法 | |
| JPH0719759B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0127589B2 (ja) | ||
| JPS624339A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2847790B2 (ja) | 相補型ｍｏｓトランジスタの製造方法 | |
| JPS6028141B2 (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JPS60180158A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2601209B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61251165A (ja) | Ｂｉ−ＭＩＳ集積回路の製造方法 | |
| JPS59231863A (ja) | 絶縁ゲ−ト半導体装置とその製造法 | |
| JPS61251163A (ja) | Ｂｉ−ＭＩＳ集積回路の製造方法 | |
| JPS61125165A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6156448A (ja) | 相補型半導体装置の製造方法 | |
| JPH01179363A (ja) | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH04146668A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61251164A (ja) | Ｂｉ−ＭＩＳ集積回路の製造方法 | |
| JPH0230145A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6348179B2 (ja) | ||
| JPH0428246A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS59222939A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60158659A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000196073A (ja) | 半導体装置の製造方法 |