JPH047551A

JPH047551A - フォトマスク及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH047551A
Application number: JP2109195A
Authority: JP
Inventors: Naoaki Sugimoto; 杉本　直明
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1990-04-25
Filing date: 1990-04-25
Publication date: 1992-01-10

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、半導体装置製造のフォト工程で用いられる、
ペリクルを装着したフォトマスクに関する。

〔従来の技術〕

半導体装置製造のフォト工程で、半導体基板上に所望の
レジストパターンを形成する方法として、縮小投影露光
装置（以下、ステッパーとする）を使用することが一般
的であるが近年、素子の微細化が進み、集積度が増すに
つれ、フォトマスク（以下、レティクルとする）上の異
物の転写が問題となってきている。ステッパは、レティ
クル上のパターンを５分の１、または、１０分の１に縮
小して投影するが、投影レンズや、レジストの解像性能
の向上によって、レティクル上にミクロンオーダーの異
物があれば、十分に転写する可能性がある。そして、転
写された異物はパターン欠陥となり、半導体素子の機能
を劣化させ、歩留りを低下させる。

そこで、最近、異物の転写を防止する方法としてペリク
ルが使用されている。第２図は、従来のペリクルを装着
したレティクルを示す図であるが、ペリクル膜（２５）
は、ニトロセルロースに代表される透明薄膜からなり、
アルミ合金等からなるペリクル枠（２４，２５）を介し
て、レティクル（２１）からある一定の距離をおいて、
レティクル（２１）上のパターン部（２２）を保護する
ように覆って固定される。前記ペリクル膜（２５）上に
は、空気中の異物が、ペリクルのない時と同様に付着す
るが、投影露光時の焦点位置はレティクル（２１）面上
にあるため、ペリクル膜（２５）上の異物は焦点ズレと
なり、数十ミクロンのレベルの異物は転写しない仕組み
となっている。しかし、５０ミクロン以上の異物は転写
する可能性があり、依然、ペリクル膜（２５）上の異物
検査が必要であるものの、クリーンルーム内では、この
程度の異物はほとんど存在せず、異物管理は以前より非
常に容易となった。

ところで、前述のペリクル膜（２５）面上の異物検査は
、ペリクル膜（２５）面にレーザー光を走査し、異物が
あれば、その散乱光を検出して前記異物の位置、大きさ
を判定する方式に基づく検査装置が一般的に使用されて
おり、高い検出精度を得るためには、ペリクル膜（２５
）面の平坦性が十分確保されレーザー走査位置が正確で
ある必要がある。

〔発明が解決しようとする課題〕ところで、前述の従来技術では、通常レティクル（２１
）の両面のペリクル膜（２５）は、パターン部（２２；
以下クロムとする）から等距離にある。従えば、レティ
クル（２１）の厚みが２゜３ｍｍの場合クロム（２２）
面側のペリクル枠（２４）の高さは、６．３ｍｍ、反対
側のペリクル枠（２３）の高さは４ｍｍというのが通常
である。これは、両面のペリクル膜（２５）上に同サイ
ズの異物があった場合、同様な大きさで基板上に転写さ
れることを前提としているからである。

しかし、本来ステッパ内で上面となる反クロム（２２）
面側のペリクル膜（２５）上に異物が付着し易く、その
ため異物の転写率が高い。また、前述のように各ペリク
ル枠（２３，２４）の高さが異なるために万−貼りまち
がえると、ペリクル膜（２５）上の異物検査ができない
ばかりか、ステッパ内でのレティクル（２１）搬送で支
障をきたすこともあり得る。また、高さの異なるペリク
ル枠（２３，２４）を製造することは量産的でない。

そこで、本発明は、このような課題を解決するものであ
り、その目的とするところは、反クロム（２２）面側の
ペリクル膜（２５）上に付着した異物の転写率を低減し
、かつペリクル枠（２３，２４）の種類を減らすことに
より製造コストの低減、製造方法の簡素化を図ると共に
、ペリクルの貼付方法を容易にすることにある。

〔課題を解決するための手段〕

１）本発明のフォトマスクは、斜光パターンを具備した
ガラス面、及び前記ガラス面の反対側のガラス面にそれ
ぞれペリクルを装着したフォトマスクにおいて、前記両
ペリクルのペリクル枠の高さが等しいことを特徴とする
。

（２）本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置製
造のフォト工程において、請求項１記載のフォトマスク
を用いることを特徴とする。

〔実　施　例〕

第１図は、本発明のペリクルを装着したレティクルを示
す図であるが、従来と同様に、ペリクル膜（１５）は、
ニトロセルロースに代表される透明薄膜からなり、アル
ミ合金等からなるペリクル枠（１３，１４）を介して、
レティクル（１１）上のクロム（１２）を保護するよう
に覆って固定される。しかし、各面のペリクル枠（１３
，１４）の高さは同じくしである。ペリクル枠（１３，
１４）の高さに制限はないが、工場内、あるいはステッ
パ内のクリーン度等から決めるのが適当であり、例えば
、６ｍｍとする。ただし、以上の本発明によるペリクル
を装着したレティクルのペリクル上の異物検査を行う場
合は、レーザー走査位置を本発明のペリクル枠（１３，
１４）の高さに合わせ込む必要があり、例えば、本実施
例の場合は、クロム面及び反クロム面いずれも６ｍｍの
位置となる。また一般には、ペリクル枠（１３，１４）
の高さは、高い方が大きな異物でも十分焦点ズレにでき
、有効であることは明らかであるが、ペリクル枠（１３
，１４）を高くするとレティクルケ−スも大きくなり、
ステッパ内に収納できるレティクル数も少なくなること
から、やはり本実施例のとおり、ペリクル枠（１３，１
４）の高さは６ｍｍ前後が適当である。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明によれば、まず２つのペリク
ル枠の高さを同じにすることにより、（１）ステッパ用
のペリクル枠の種類が半減し、これにより製造ラインが
簡素化でき、コスト低減が図れる。

（２）ペリクル装着時において、クロム面側及び反クロ
ム面側のペリクルを区別することなく貼付できるため、
貼り間違いが発生することがない。

という効果がある。また、本発明によるレチクルを半導
体装置製造のフォト工程で使用することにより、（３）前記（２）より、ペリクル枠の高さの区別がない
ため、ステッパ内で搬送トラブルを発生することもなく
、また、異物検査も正確にできる。

（４）従来のペリクルを装着したレティクルでは、両面
のペリクルがクロムから等距離であることに対し、本発
明では、クロム面すなわちステッパ内で下面となるペリ
クルよりも、反クロム面すなわちステッパ内で上面とな
るペリクルの方がクロムより離れているために、ステッ
パ内で付着し易い。

反クロム面側のペリクル上の異物をより焦点ズレにさせ
、万一異物がペリクルに付着しても基板上に転写させず
、不良の原因を起こさない。

という効果がある。これらの効果は、半導体装置製造の
フォト工程における、ペリクルを装着したレティクルの
異物検査時の検出精度を高め、かつ、ペリクルの特徴を
有効的に生かし、それによって異物転写に起因するパタ
ーン欠陥を減らし、半導体装置の歩留りを向上させるも
のである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例である、ペリクルを装着し
たフォトマスクを示す図である。第２図は、従来のペリクルを装着したフォトマスクを示
す図である。１１．１２．１３．１４．１５．２１　・２２Φ ２３　Φ ２４　Φ ２５　・レティクル斜光パターン（クロム）反クロム面側のペリクル枠クロム面側のペリクル枠ペリクル膜以上出願人　セイコーエプソン株式会社代理人　弁理士　鈴　木　喜三部（他１名）算　１　口芥２図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）斜光パターンを具備したガラス面、及び前記ガラ
ス面の反対側のガラス面にそれぞれペリクルを装着した
フォトマスクにおいて、前記両ペリクルの両ペリクル枠
の高さが等しいことを特徴とするフォトマスク。
（２）半導体装置製造のフォト工程において、請求項１
記載のフォトマスクを用いることを特徴とする半導体装
置の製造方法。