JPH05107747A - フオトマスク及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
フオトマスク及び半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05107747A JPH05107747A JP27115591A JP27115591A JPH05107747A JP H05107747 A JPH05107747 A JP H05107747A JP 27115591 A JP27115591 A JP 27115591A JP 27115591 A JP27115591 A JP 27115591A JP H05107747 A JPH05107747 A JP H05107747A
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- Japan
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- pellicle
- photomask
- reticle
- foreign matter
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ペリクルを装着したフォトマスクを用いた半
導体装置製造において、量産性の低下と、フォトマスク
やペリクル面への異物付着を招くことなく、ペリクル、
ペリクル枠、及び、フォトマスクで囲まれる領域と、外
気との通気性を確保し、ペリクル面の平坦性を維持す
る。 【構成】 フォトマスクへ、ペリクルを装着するための
ペリクル枠の少なくとも一部が空洞状であり、そのペリ
クル側の側壁と、反対側の側壁のそれぞれに、少なくと
も一つの開孔部を設け、前記開孔部と空洞部とによっ
て、前記ペリクル、ペリクル枠、及び、フォトマスクに
囲まれる領域と、外気との通気性が確保される構造にす
る。
導体装置製造において、量産性の低下と、フォトマスク
やペリクル面への異物付着を招くことなく、ペリクル、
ペリクル枠、及び、フォトマスクで囲まれる領域と、外
気との通気性を確保し、ペリクル面の平坦性を維持す
る。 【構成】 フォトマスクへ、ペリクルを装着するための
ペリクル枠の少なくとも一部が空洞状であり、そのペリ
クル側の側壁と、反対側の側壁のそれぞれに、少なくと
も一つの開孔部を設け、前記開孔部と空洞部とによっ
て、前記ペリクル、ペリクル枠、及び、フォトマスクに
囲まれる領域と、外気との通気性が確保される構造にす
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造のフォ
ト工程で用いられる、ペリクルを装着したフォトマスク
に関する。
ト工程で用いられる、ペリクルを装着したフォトマスク
に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置製造のフォト工程で、半導体
基板上に所望のレジストパターンを形成する方法とし
て、縮小投影露光装置(以下、ステッパーとする)を使
用する事が一般的であるが、近年、素子の微細化が進
み、集積度が増すにつれて、フォトマスク(以下、レテ
ィクルとする)上の異物の転写が問題となってきてい
る。ステッパーは、レティクル上のパターンを5部の
1、または、10分の1に縮小して投影するが、投影レ
ンズや、レジストの解像性能の向上によって、レティク
ル上にミクロンオーダーの異物があれば、十分に転写す
る可能性がある。そして、転写された異物はパターン欠
陥となり、半導体素子の機能を劣化させ、歩留りを低下
させる。
基板上に所望のレジストパターンを形成する方法とし
て、縮小投影露光装置(以下、ステッパーとする)を使
用する事が一般的であるが、近年、素子の微細化が進
み、集積度が増すにつれて、フォトマスク(以下、レテ
ィクルとする)上の異物の転写が問題となってきてい
る。ステッパーは、レティクル上のパターンを5部の
1、または、10分の1に縮小して投影するが、投影レ
ンズや、レジストの解像性能の向上によって、レティク
ル上にミクロンオーダーの異物があれば、十分に転写す
る可能性がある。そして、転写された異物はパターン欠
陥となり、半導体素子の機能を劣化させ、歩留りを低下
させる。
【0003】そこで、最近、異物の転写を防止する方法
としてペリクルが使用されている。図2は、従来のペリ
クルを装着したレティクルの断面を示す図であるが、ペ
リクル23は、ニトロセルロースに代表される透明薄膜
からなり、アルミ合金等からなるペリクル枠22を介し
て、レティクル21から一定の距離をおいて、レティク
ル21上のパターン部を保護するように覆って固定され
る。前記ペリクル23上には、空気中の異物がペリクル
の無い時と同様に付着するが、投影露光時の焦点位置は
レティクル21面上にあるため、ペリクル23上の異物
は焦点ずれとなり、数十ミクロンの異物は転写しない仕
組みとなっている。しかし、50ミクロン以上の異物に
なると転写する可能性があり、依然、ペリクル23上の
異物検査が必要である。
としてペリクルが使用されている。図2は、従来のペリ
クルを装着したレティクルの断面を示す図であるが、ペ
リクル23は、ニトロセルロースに代表される透明薄膜
からなり、アルミ合金等からなるペリクル枠22を介し
て、レティクル21から一定の距離をおいて、レティク
ル21上のパターン部を保護するように覆って固定され
る。前記ペリクル23上には、空気中の異物がペリクル
の無い時と同様に付着するが、投影露光時の焦点位置は
レティクル21面上にあるため、ペリクル23上の異物
は焦点ずれとなり、数十ミクロンの異物は転写しない仕
組みとなっている。しかし、50ミクロン以上の異物に
なると転写する可能性があり、依然、ペリクル23上の
異物検査が必要である。
【0004】ところで、前述のペリクル23面上の異物
検査は、ペリクル23面にレーザー光を走査し、異物が
あれば、その散乱光を検出して、前記異物の位置、大き
さを判定する方式に基ずく検査装置が一般的に使用され
ており、高い検出精度を得るためには、ペリクル23面
の平坦性が十分確保されている必要がある。しかし、こ
の平坦性をそこなう原因として、ペリクル23、ペリク
ル枠22、及び、レティクル21で囲まれる領域の内圧
と外圧の差がある。ペリクル23が薄膜であるために、
内圧よりも外圧が高ければ、ペリクル23は内側にへこ
み、逆に、内圧よりも外圧が低ければ、ペリクル23は
外側へ膨らむ。実際に、低地のマスク工場でレティクル
にペリクルを装着し、高地の工場へレティクルを移動さ
せた時には、ペリクルの膨らみが顕著に現れ、また、台
風などの低気圧通過時にも変形が起る。この様に、ペリ
クル面の変形によって平坦性がそこなわれ、ペリクル面
上の異物検査を十分な検出精度をもって行うことが出来
ず、異物転写に起因するパターン欠陥が増えるととも
に、歩留りも低下した。
検査は、ペリクル23面にレーザー光を走査し、異物が
あれば、その散乱光を検出して、前記異物の位置、大き
さを判定する方式に基ずく検査装置が一般的に使用され
ており、高い検出精度を得るためには、ペリクル23面
の平坦性が十分確保されている必要がある。しかし、こ
の平坦性をそこなう原因として、ペリクル23、ペリク
ル枠22、及び、レティクル21で囲まれる領域の内圧
と外圧の差がある。ペリクル23が薄膜であるために、
内圧よりも外圧が高ければ、ペリクル23は内側にへこ
み、逆に、内圧よりも外圧が低ければ、ペリクル23は
外側へ膨らむ。実際に、低地のマスク工場でレティクル
にペリクルを装着し、高地の工場へレティクルを移動さ
せた時には、ペリクルの膨らみが顕著に現れ、また、台
風などの低気圧通過時にも変形が起る。この様に、ペリ
クル面の変形によって平坦性がそこなわれ、ペリクル面
上の異物検査を十分な検出精度をもって行うことが出来
ず、異物転写に起因するパターン欠陥が増えるととも
に、歩留りも低下した。
【0005】そこで、従来は、以下の方法により対策し
ていた。図2(a)はペリクルを装着した従来のレティ
クルの断面を示す図であり、図2(b)は前記レティク
ルを真上から見た図である。従来のペリクル枠22の中
は空洞状ではなく、ペリクル23、ペリクル枠22、及
び、レティクル21で囲まれる領域と外気との通気性を
確保するために、前記ペリクル枠22の一部に直径1m
mの開孔部24を設けていた。また、この開孔部から異
物が進入するのを防止するために、必要時以外は、前記
開孔部24をテープ25でふさいだ構造をとっていた。
ていた。図2(a)はペリクルを装着した従来のレティ
クルの断面を示す図であり、図2(b)は前記レティク
ルを真上から見た図である。従来のペリクル枠22の中
は空洞状ではなく、ペリクル23、ペリクル枠22、及
び、レティクル21で囲まれる領域と外気との通気性を
確保するために、前記ペリクル枠22の一部に直径1m
mの開孔部24を設けていた。また、この開孔部から異
物が進入するのを防止するために、必要時以外は、前記
開孔部24をテープ25でふさいだ構造をとっていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では、以下の問題点がある。
術では、以下の問題点がある。
【0007】1)テープ25で開孔部24をふさいだ状
態でないと、通気性は確保されても、前記開孔部24か
ら異物が進入して異物転写を引き起こす。
態でないと、通気性は確保されても、前記開孔部24か
ら異物が進入して異物転写を引き起こす。
【0008】2)テープ25で開孔部24をふさいだ状
態では、異物の進入は防げるが、台風等の低気圧、及
び、高気圧の通過による気圧変化時には、ー時的にテー
プ25を外して通気する必要がある。この場合、通気時
の異物の進入はほとんど無視できると考えられるが、量
産で使用されるレティクルを全て通気する必要があるた
め、非常に量産効率が悪い。
態では、異物の進入は防げるが、台風等の低気圧、及
び、高気圧の通過による気圧変化時には、ー時的にテー
プ25を外して通気する必要がある。この場合、通気時
の異物の進入はほとんど無視できると考えられるが、量
産で使用されるレティクルを全て通気する必要があるた
め、非常に量産効率が悪い。
【0009】3)レティクルは、通常、所定のケースに
一枚ずつ入れて保管されるが、テープ25を外して通気
する際には、前記ケースの外に出して処理しなければな
らない。この時、ペリクル23面上に異物が付着し、異
物転写を引き起こすことがある。
一枚ずつ入れて保管されるが、テープ25を外して通気
する際には、前記ケースの外に出して処理しなければな
らない。この時、ペリクル23面上に異物が付着し、異
物転写を引き起こすことがある。
【0010】このように、従来技術では、量産効率の低
下、及び、ペリクル面上への異物付着という問題があっ
た。
下、及び、ペリクル面上への異物付着という問題があっ
た。
【0011】そこで、本発明は、この様な課題を解決す
るものであり、その目的とするところは、量産性の低
下、フォトマスクやペリクル面への異物付着を招くこと
なく、ペリクル、ペリクル枠、及び、フォトマスクで囲
まれる領域と外気との通気性を確保し、ペリクル面の平
坦性を維持することにある。
るものであり、その目的とするところは、量産性の低
下、フォトマスクやペリクル面への異物付着を招くこと
なく、ペリクル、ペリクル枠、及び、フォトマスクで囲
まれる領域と外気との通気性を確保し、ペリクル面の平
坦性を維持することにある。
【0012】
1)本発明のフォトマスクは、ペリクルを装着したフォ
トマスクにおいて、ペリクルを装着するためのペリクル
枠の少なくとも一部が空洞状であり、そのペリクル側の
側壁と反対側の側壁のそれぞれに、少なくとも一つの開
孔部を設け、前記開孔部と、空洞部とによって、前記ペ
リクル、ペリクル枠、及び、フォトマスクに囲まれる領
域と外気との通気性が確保される構造であることを特徴
とする。 2)本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置製造
のフォト工程において、第一項記載のフォトマスクを用
いることを特徴とする。
トマスクにおいて、ペリクルを装着するためのペリクル
枠の少なくとも一部が空洞状であり、そのペリクル側の
側壁と反対側の側壁のそれぞれに、少なくとも一つの開
孔部を設け、前記開孔部と、空洞部とによって、前記ペ
リクル、ペリクル枠、及び、フォトマスクに囲まれる領
域と外気との通気性が確保される構造であることを特徴
とする。 2)本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置製造
のフォト工程において、第一項記載のフォトマスクを用
いることを特徴とする。
【0013】
【実施例】図1(a)は、ペリクルを装着した本発明の
レティクルの断面を示す図であり、図1(b)は、前記
レティクルを真上から見た図である。従来と同様に、ペ
リクル13は、ニトロセルロースに代表される透明薄膜
からなり、アルミ合金等からなるペリクル枠12、14
を介して、レティクル11から一定の距離をおいて、レ
ティクル11上のパターン部を保護するように覆って固
定される。しかし、本発明のペリクル枠12、14は、
図1(a)、図1(b)が示すように、中が空洞状にな
っており、ペリクル13側の側壁14と、その反対側の
側壁12のそれぞれに、直径1mmの開孔部を一つずつ
設けており、外側の開孔部15と内側の開孔部16が、
前記空洞部を介して、前記ペリクル13、ペリクル枠1
2、14、及び、レティクル11に囲まれる領域に通気
性をもたらす構造をしている。そして、本発明のレティ
クルを半導体装置製造のフォト工程で用いる上で、以下
なる利点が得られる。
レティクルの断面を示す図であり、図1(b)は、前記
レティクルを真上から見た図である。従来と同様に、ペ
リクル13は、ニトロセルロースに代表される透明薄膜
からなり、アルミ合金等からなるペリクル枠12、14
を介して、レティクル11から一定の距離をおいて、レ
ティクル11上のパターン部を保護するように覆って固
定される。しかし、本発明のペリクル枠12、14は、
図1(a)、図1(b)が示すように、中が空洞状にな
っており、ペリクル13側の側壁14と、その反対側の
側壁12のそれぞれに、直径1mmの開孔部を一つずつ
設けており、外側の開孔部15と内側の開孔部16が、
前記空洞部を介して、前記ペリクル13、ペリクル枠1
2、14、及び、レティクル11に囲まれる領域に通気
性をもたらす構造をしている。そして、本発明のレティ
クルを半導体装置製造のフォト工程で用いる上で、以下
なる利点が得られる。
【0014】1)外側の開孔部15と内側の開孔部16
が、空洞部を介してつながる構造であるため、従来と同
様に、外界の異物が前記外側の開孔部15を通して進入
しても、空洞部があるため、そこに捕獲され、前記異物
が内側の開孔部16を通ってレティクル面に付着する確
率はほとんどゼロに等しく、テープなどにより前記開孔
部15をふさぐ必要がなくなる。
が、空洞部を介してつながる構造であるため、従来と同
様に、外界の異物が前記外側の開孔部15を通して進入
しても、空洞部があるため、そこに捕獲され、前記異物
が内側の開孔部16を通ってレティクル面に付着する確
率はほとんどゼロに等しく、テープなどにより前記開孔
部15をふさぐ必要がなくなる。
【0015】2)開孔部15、16を、常時、開けっ放
しにできるため、従来のようなテープの開閉作業が不要
となり、量産効率が著しく向上する。
しにできるため、従来のようなテープの開閉作業が不要
となり、量産効率が著しく向上する。
【0016】3)テープの開閉作業が不要になるため、
レティクルをケース外に出す必要が無くなり、ペリクル
面上への異物付着を防止できる。
レティクルをケース外に出す必要が無くなり、ペリクル
面上への異物付着を防止できる。
【0017】以上、本発明の一実施例を述べたが、これ
以外に、 1)ペリクル枠の一辺のみ、もしくは、ある一部分のみ
を空洞状にして開孔部を設ける。
以外に、 1)ペリクル枠の一辺のみ、もしくは、ある一部分のみ
を空洞状にして開孔部を設ける。
【0018】2)ペリクル枠の側壁に限らず、上面等、
他の部分に開孔部をもうける。
他の部分に開孔部をもうける。
【0019】場合においても本実施例と同様な効果が期
待できるが、いずれにしても、外側の開孔部と内側の開
孔部との距離は、出来る限り遠い方が効果が大きいこと
は言うまでもない。
待できるが、いずれにしても、外側の開孔部と内側の開
孔部との距離は、出来る限り遠い方が効果が大きいこと
は言うまでもない。
【0020】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、 1)ペリクルを装着したフォトマスクにおいて、前記フ
ォトマスクへ、ペリクルを装着するためのペリクル枠の
少なくとも一部が空洞状であり、そのペリクル側の側壁
と、反対側の側壁のそれぞれに、少なくとも一つの開孔
部を設け、前記開孔部と空洞部とによって、前記ペリク
ル、ペリクル枠、及び、フォトマスクに囲まれる領域と
外気との通気性が確保される構造である。
ォトマスクへ、ペリクルを装着するためのペリクル枠の
少なくとも一部が空洞状であり、そのペリクル側の側壁
と、反対側の側壁のそれぞれに、少なくとも一つの開孔
部を設け、前記開孔部と空洞部とによって、前記ペリク
ル、ペリクル枠、及び、フォトマスクに囲まれる領域と
外気との通気性が確保される構造である。
【0021】2)半導体装置製造のフォト工程におい
て、第一項記載のフォトマスクを用いる。
て、第一項記載のフォトマスクを用いる。
【0022】ことにより、量産性の低下、及び、フォト
マスクやペリクル面への異物付着を招くことなく、ペリ
クル、ペリクル枠、及び、フォトマスクで囲まれる領域
と外気との通気性を確保し、ペリクル面の平坦性を維持
できるという効果を有する。
マスクやペリクル面への異物付着を招くことなく、ペリ
クル、ペリクル枠、及び、フォトマスクで囲まれる領域
と外気との通気性を確保し、ペリクル面の平坦性を維持
できるという効果を有する。
【図1】(a)ペリクルを装着した本発明のレティクル
の断面を示す図である。 (b)ペリクルを装着した本発明のレティクルを真上か
ら見た図である。
の断面を示す図である。 (b)ペリクルを装着した本発明のレティクルを真上か
ら見た図である。
【図2】(a)ペリクルを装着した従来技術に基ずくレ
ティクルの断面を示す図である。 (b)ペリクルを装
着した従来技術に基ずくレティクルを真上から見た図で
ある。
ティクルの断面を示す図である。 (b)ペリクルを装
着した従来技術に基ずくレティクルを真上から見た図で
ある。
11 レティクル 12 ペリクルの反対側にあるペリクル枠の側壁 13 ペリクル 14 ペリクル側にあるペリクル枠の側壁 15 ペリクルの反対側にあるペリクル枠の側壁に設
けられた開孔部 (外側の開孔部) 16 ペリクル側にあるペリクル枠の側壁に設けられ
た開孔部 (内側の開孔部) 21 レティクル 22 ペリクル枠 23 ペリクル 24 開孔部 25 テープ
けられた開孔部 (外側の開孔部) 16 ペリクル側にあるペリクル枠の側壁に設けられ
た開孔部 (内側の開孔部) 21 レティクル 22 ペリクル枠 23 ペリクル 24 開孔部 25 テープ
Claims (2)
- 【請求項1】ペリクルを装着したフォトマスクにおい
て、前記フォトマスクへ、ペリクルを装着するためのペ
リクル枠の少なくとも一部が空洞状であり、そのペリク
ル側の側壁と、反対側の側壁のそれぞれに、少なくとも
一つの開孔部を設け、前記開孔部と空洞部とによって、
前記ペリクル、ペリクル枠、及び、フォトマスクに囲ま
れる領域と外気との通気性が確保される構造であること
を特徴とするフォトマスク。 - 【請求項2】半導体装置製造のフォト工程において、請
求項1のフォトマスクを用いることを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27115591A JPH05107747A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | フオトマスク及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27115591A JPH05107747A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | フオトマスク及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05107747A true JPH05107747A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17496106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27115591A Pending JPH05107747A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | フオトマスク及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05107747A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170038907A (ko) | 2014-09-19 | 2017-04-07 | 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 | 펠리클, 그 제조 방법 및 노광 방법 |
KR20170038910A (ko) | 2014-09-19 | 2017-04-07 | 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 | 펠리클, 펠리클의 제조 방법 및 펠리클을 사용한 노광 방법 |
EP3217221A4 (en) * | 2014-11-04 | 2018-07-18 | Nippon Light Metal Co., Ltd. | Pellicle support frame and production method |
WO2019081095A1 (en) * | 2017-10-27 | 2019-05-02 | Asml Netherlands B.V. | FILM FRAME AND FILM ASSEMBLY |
-
1991
- 1991-10-18 JP JP27115591A patent/JPH05107747A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170038907A (ko) | 2014-09-19 | 2017-04-07 | 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 | 펠리클, 그 제조 방법 및 노광 방법 |
KR20170038910A (ko) | 2014-09-19 | 2017-04-07 | 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 | 펠리클, 펠리클의 제조 방법 및 펠리클을 사용한 노광 방법 |
US10488751B2 (en) | 2014-09-19 | 2019-11-26 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle, production method thereof, exposure method |
US10585348B2 (en) | 2014-09-19 | 2020-03-10 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle, pellicle production method and exposure method using pellicle |
EP3217221A4 (en) * | 2014-11-04 | 2018-07-18 | Nippon Light Metal Co., Ltd. | Pellicle support frame and production method |
US10642151B2 (en) | 2014-11-04 | 2020-05-05 | Nippon Light Metal Company, Ltd. | Pellicle support frame and production method |
WO2019081095A1 (en) * | 2017-10-27 | 2019-05-02 | Asml Netherlands B.V. | FILM FRAME AND FILM ASSEMBLY |
NL2021560A (en) * | 2017-10-27 | 2019-05-06 | Asml Netherlands Bv | Pellicle frame and pellicle assembly |
CN111279260A (zh) * | 2017-10-27 | 2020-06-12 | Asml荷兰有限公司 | 表膜框架和表膜组件 |
JP2021500595A (ja) * | 2017-10-27 | 2021-01-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | ペリクルフレーム及びペリクルアセンブリ |
US11314163B2 (en) | 2017-10-27 | 2022-04-26 | Asml Netherlands B.V. | Pellicle frame and pellicle assembly |
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