JPS6344824Y2 - - Google Patents
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- JPS6344824Y2 JPS6344824Y2 JP1985028524U JP2852485U JPS6344824Y2 JP S6344824 Y2 JPS6344824 Y2 JP S6344824Y2 JP 1985028524 U JP1985028524 U JP 1985028524U JP 2852485 U JP2852485 U JP 2852485U JP S6344824 Y2 JPS6344824 Y2 JP S6344824Y2
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 15
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 12
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 12
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案はレチクルへの貼着に際して不良の発生
を無くするペリクルの構造に関する。
を無くするペリクルの構造に関する。
大量の情報を高速に処理するため情報処理装置
は益々進歩して小形化されており、これと共に使
用部品も小形化され、特にIC，LSIなどの半導体
素子はこの傾向が著しい。
は益々進歩して小形化されており、これと共に使
用部品も小形化され、特にIC，LSIなどの半導体
素子はこの傾向が著しい。
ここで微少な単位素子およびこれを結ぶ導体パ
ターンなどの電子回路は薄膜形成技術と写真食刻
技術（ホトリソグラフイ）とを用いて形成されて
いるものが多い。
ターンなどの電子回路は薄膜形成技術と写真食刻
技術（ホトリソグラフイ）とを用いて形成されて
いるものが多い。
この写真食刻技術は例を半導体素子にとると被
処理半導体基板上にスピンコート法などにより、
薄くレジストを被覆し、これに予め形成してある
ホトマスクを通して紫外線などを照射してクロー
ム（Cr）マスクに描かれている電子回路パター
ンをレジスト膜に投影露光せしめ、ネガ形レジス
トを用いる場合は露光部が現像液に不溶となり、
一方ポジ形レジストを用いる場合は可溶となる現
象を利用してレジスト膜のパターンを作り、この
レジストをマスクとして化学エツチング或いはド
ライエツチングを行つて半導体基板或いはこの上
に形成してある金属膜などをエツチングして微細
パターンが作られている。
処理半導体基板上にスピンコート法などにより、
薄くレジストを被覆し、これに予め形成してある
ホトマスクを通して紫外線などを照射してクロー
ム（Cr）マスクに描かれている電子回路パター
ンをレジスト膜に投影露光せしめ、ネガ形レジス
トを用いる場合は露光部が現像液に不溶となり、
一方ポジ形レジストを用いる場合は可溶となる現
象を利用してレジスト膜のパターンを作り、この
レジストをマスクとして化学エツチング或いはド
ライエツチングを行つて半導体基板或いはこの上
に形成してある金属膜などをエツチングして微細
パターンが作られている。
ここで、投影露光に使用するCrマスクパター
ンはレチクルと呼ばれており、またこのレチクル
を挟んで防塵のために設けられているカバー体を
ペリクルと呼んでいる。
ンはレチクルと呼ばれており、またこのレチクル
を挟んで防塵のために設けられているカバー体を
ペリクルと呼んでいる。
すなわちレチクルは厚さは約３mmで大きさが５
インチ角或いは６インチ角の透明石英板上に蒸着
法などにより酸化クローム（Cr2O3）の反射防止
膜を備えたCrの薄膜を形成し、写真食刻技術を
用いて原画となるCrマスクを形成したもので、
これを被処理基板上に1/5或いは1/10の大きさに
縮小露光することにより微細パターンが作られ
る。
インチ角或いは６インチ角の透明石英板上に蒸着
法などにより酸化クローム（Cr2O3）の反射防止
膜を備えたCrの薄膜を形成し、写真食刻技術を
用いて原画となるCrマスクを形成したもので、
これを被処理基板上に1/5或いは1/10の大きさに
縮小露光することにより微細パターンが作られ
る。
ここでレチクルはステツパと言われる投影露光
機に装着され、被処理基板を縮小露光の１ピツチ
分づつ移動させて投影露光を行い同一のパターン
が連続的に作られているが、この場合にレチクル
上に塵埃が存在すると、この塵埃も同様に投影露
光されて不良品となる。
機に装着され、被処理基板を縮小露光の１ピツチ
分づつ移動させて投影露光を行い同一のパターン
が連続的に作られているが、この場合にレチクル
上に塵埃が存在すると、この塵埃も同様に投影露
光されて不良品となる。
そこでレチクルを挟み、この表面及び裏面に透
明なペリクル膜をもつカバー体を設け、塵埃の影
響を減殺している。
明なペリクル膜をもつカバー体を設け、塵埃の影
響を減殺している。
すなわち光源よりの投射光をレンズを使用して
集束し、レチクル面で焦点を結ぶようにすること
により仮令ペリクル膜の上に塵埃が存在していて
も焦点のずれにより所謂るピンボケとなりレチク
ルの投影露光には悪影響を与えぬよう構成されて
いる。
集束し、レチクル面で焦点を結ぶようにすること
により仮令ペリクル膜の上に塵埃が存在していて
も焦点のずれにより所謂るピンボケとなりレチク
ルの投影露光には悪影響を与えぬよう構成されて
いる。
かかる目的でペリクルはレチクルの両面に装着
されているが、装着する過程で塵埃が侵入してレ
チクルに付着したり、或いはレチクルの目視検査
では見いだせず、ペリクル装着後の検査で検出さ
れることがあり、このような場合はペリクルの張
替えが必要となる。
されているが、装着する過程で塵埃が侵入してレ
チクルに付着したり、或いはレチクルの目視検査
では見いだせず、ペリクル装着後の検査で検出さ
れることがあり、このような場合はペリクルの張
替えが必要となる。
然し、ペリクルは高価であるため張替えを必要
としないペリクル装着法が要望されている。
としないペリクル装着法が要望されている。
第２図はレチクル１の表裏面に装着したペリク
ル２の状態を示す断面図である。
ル２の状態を示す断面図である。
すなわちCr製のマスクパターン３を下面に備
えた石英製のレチクル１の両面にアルミニウム
（Al）合金製の枠体４の上側にニトロセルローズ
からなるペリクル膜５を備え、枠体４の下側に接
着層６があり、接着層６によつて両面からレチク
ル１の基板に接着させることによりマスクパター
ン３の表裏面に塵埃が付着するのを防いでいる。
えた石英製のレチクル１の両面にアルミニウム
（Al）合金製の枠体４の上側にニトロセルローズ
からなるペリクル膜５を備え、枠体４の下側に接
着層６があり、接着層６によつて両面からレチク
ル１の基板に接着させることによりマスクパター
ン３の表裏面に塵埃が付着するのを防いでいる。
然し、先に記したようにペリクル装着後に行う
レーザビームを用いるマスク検査において塵埃の
存在が検出され、レチクル１が不良となると、ペ
リクル２を剥離して再び張り直しを行う必要があ
り、工数を要すると共にペリクル５が高価で、再
使用できないために改善が必要であつた。
レーザビームを用いるマスク検査において塵埃の
存在が検出され、レチクル１が不良となると、ペ
リクル２を剥離して再び張り直しを行う必要があ
り、工数を要すると共にペリクル５が高価で、再
使用できないために改善が必要であつた。
今までに説明してようにペリクル装着後に塵埃
が検出された場合はペリクルを剥離し、レチクル
の表面に窒素（N2）ガスなどの清浄ガスをノズ
ルより吹きださせ、清浄化した後に再び新しいペ
リクルを装着する必要があり、この場合に従来の
ペリクルは再使用できないことが問題である。
が検出された場合はペリクルを剥離し、レチクル
の表面に窒素（N2）ガスなどの清浄ガスをノズ
ルより吹きださせ、清浄化した後に再び新しいペ
リクルを装着する必要があり、この場合に従来の
ペリクルは再使用できないことが問題である。
上記の問題点は下面にレチクルに接着する接着
層を備えた下部ペリクルと上面にペリクル膜を備
え且つ下面が該下部ペリクルの上面に着脱可能な
上部ペリクルとからなるペリクルにおいて、該下
部ペリクルの上面と該上部ペリクルの下面にゴム
層が設けられ、一方のペリクルに固定され且つ該
ゴム層を貫いて突き出る挿入ピンが、それに対応
する他方のペリクルの位置に該ゴム層を貫いて形
成された挿入孔に嵌合し、該ゴム層同志が密着し
てなる着脱可能なペリクルを使用することより解
決することができる。
層を備えた下部ペリクルと上面にペリクル膜を備
え且つ下面が該下部ペリクルの上面に着脱可能な
上部ペリクルとからなるペリクルにおいて、該下
部ペリクルの上面と該上部ペリクルの下面にゴム
層が設けられ、一方のペリクルに固定され且つ該
ゴム層を貫いて突き出る挿入ピンが、それに対応
する他方のペリクルの位置に該ゴム層を貫いて形
成された挿入孔に嵌合し、該ゴム層同志が密着し
てなる着脱可能なペリクルを使用することより解
決することができる。
本考案にかかるペリクルは従来のものがAl合
金製の枠体の単層から構成されているのに対し、
上部ペリクルと下部ペリクルの二層構造をとり両
者を着脱可能とすることによりペリクル膜の再使
用を可能にすると共に、ゴム層を設けることによ
り両者の着脱が簡単であるにもかかわらず着時の
密着を確実にして異物の混入を避けることができ
る。
金製の枠体の単層から構成されているのに対し、
上部ペリクルと下部ペリクルの二層構造をとり両
者を着脱可能とすることによりペリクル膜の再使
用を可能にすると共に、ゴム層を設けることによ
り両者の着脱が簡単であるにもかかわらず着時の
密着を確実にして異物の混入を避けることができ
る。
第１図は本考案の構成を示す実施例で同図Ｂは
下部ペリクルの平面図、また同図ＡはＸ−X′線
位置における上部ペリクルおよび下部ペリクルの
断面図である。
下部ペリクルの平面図、また同図ＡはＸ−X′線
位置における上部ペリクルおよび下部ペリクルの
断面図である。
すなわち本実施例の場合、寸法が５インチ角の
レチクル７の上に８cm角のペリクルが装着される
が、このペリクルは上部ペリクル８と下部ペリク
ル９に分離して形成されており両者は下部ペリク
ル９の上面にありバネ機構をもつ挿入ピン１０に
よつて結合し、一体化する構造となつている。
レチクル７の上に８cm角のペリクルが装着される
が、このペリクルは上部ペリクル８と下部ペリク
ル９に分離して形成されており両者は下部ペリク
ル９の上面にありバネ機構をもつ挿入ピン１０に
よつて結合し、一体化する構造となつている。
すなわち下部ペリクル９には枠体の四隅と各辺
の中間部に直径２mm，高さ３mmの挿入ピン１０が
備えられており、一方これと対応する上部ペリク
ル８の下面には挿入ピン１０が嵌合する挿入孔１
１が設けられている。
の中間部に直径２mm，高さ３mmの挿入ピン１０が
備えられており、一方これと対応する上部ペリク
ル８の下面には挿入ピン１０が嵌合する挿入孔１
１が設けられている。
ここで下部ペリクル９の下面には接着層１２が
あり、また挿入ピン１０が備えられている上面に
は厚さ約0.5mmのゴム層１３が設けられている。
あり、また挿入ピン１０が備えられている上面に
は厚さ約0.5mmのゴム層１３が設けられている。
また上部ペリクル８の下面にも厚さが約0.5mm
のゴム層１４が設けられていて挿入ピン１０の嵌
合後において両者が密着し、塵埃が侵入しないよ
う構成されている。
のゴム層１４が設けられていて挿入ピン１０の嵌
合後において両者が密着し、塵埃が侵入しないよ
う構成されている。
また上部ペリクル８の上面には従来と同様にペ
リクル膜５が張られている。
リクル膜５が張られている。
なお、本実施例の場合、下部ペリクル９の高さ
は３mm、上部ペリクル８の高さは５mm、または
Al合金からなるペリクル枠体の厚さは６mmであ
る。
は３mm、上部ペリクル８の高さは５mm、または
Al合金からなるペリクル枠体の厚さは６mmであ
る。
そしてペリクルの装着法としてはN2ガスの吹
き付けにより塵埃の付着をなくしたレチクル７の
マスクパターン３を中心として下部ペリクル９を
接着層１２を用いて張り付けた後、これに上部ペ
リクルを位置決めして挿入し、嵌合させる。
き付けにより塵埃の付着をなくしたレチクル７の
マスクパターン３を中心として下部ペリクル９を
接着層１２を用いて張り付けた後、これに上部ペ
リクルを位置決めして挿入し、嵌合させる。
そしてレーザ光を用いたマスクパターン３の自
動検査において塵埃が検出された場合は上部ペリ
クル８を外し、N2等の清浄ガスを吹きつけて清
浄化を行い、その後再び上部ペリクル８を嵌合さ
せればよい。
動検査において塵埃が検出された場合は上部ペリ
クル８を外し、N2等の清浄ガスを吹きつけて清
浄化を行い、その後再び上部ペリクル８を嵌合さ
せればよい。
このように本考案になるペリクルは従来と異な
り二層構成されているため中に塵埃が存在する場
合でも清浄処理を行つた後引き続いて使用するこ
とができる。
り二層構成されているため中に塵埃が存在する場
合でも清浄処理を行つた後引き続いて使用するこ
とができる。
以上記したように本考案に係るペリクルの使用
によりペリクルの装着不良を無くすことができ、
これにより収率を従来の約90％から100％に向上
することが可能となる。
によりペリクルの装着不良を無くすことができ、
これにより収率を従来の約90％から100％に向上
することが可能となる。
第１図は本考案に係るペリクルをレチクルに装
着する状態を示すもので、同図Ｂは下部ペリクル
の平面図、同図ＡはこのＸ−X′位置における上
部ペリクルと下部ペリクルの断面図、第２図は従
来のペリクルの断面図、である。 図において、１，７はレチクル、２はペリク
ル、３はマスクパターン、４は枠体、５はペリク
ル膜、６，１２は接着層、８は上部ペリクル、９
は下部ペリクル、１０は挿入ピン、１１は挿入
孔、１３はゴム層、である。
着する状態を示すもので、同図Ｂは下部ペリクル
の平面図、同図ＡはこのＸ−X′位置における上
部ペリクルと下部ペリクルの断面図、第２図は従
来のペリクルの断面図、である。 図において、１，７はレチクル、２はペリク
ル、３はマスクパターン、４は枠体、５はペリク
ル膜、６，１２は接着層、８は上部ペリクル、９
は下部ペリクル、１０は挿入ピン、１１は挿入
孔、１３はゴム層、である。
Claims (1)
- 下面にレチクルに接着する接着層を備えた下部
ペリクルと、上面にペリクル膜を備え且つ下面が
該下部のペリクルの上面に着脱可能な上部ペリク
ルとからなるペリクルにおいて、該下部ペリクル
の上面と該上部ペリクルの下面にゴム層が設けら
れ、一方のペリクルに固定され且つ該ゴム層を貫
いて突き出る挿入ピンが、それに対応する他方の
ペリクルの位置に該ゴム層を貫いて形成された挿
入孔に嵌合し、該ゴム層同志が密着してなること
を特徴とする着脱可能なペリクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985028524U JPS6344824Y2 (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985028524U JPS6344824Y2 (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61145936U JPS61145936U (ja) | 1986-09-09 |
| JPS6344824Y2 true JPS6344824Y2 (ja) | 1988-11-21 |
Family
ID=30526478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985028524U Expired JPS6344824Y2 (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6344824Y2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103246157A (zh) * | 2013-05-21 | 2013-08-14 | 上海和辉光电有限公司 | 防尘薄膜框架、光学掩膜版及其安装方法 |
| SG11201701805QA (en) | 2014-09-19 | 2017-04-27 | Mitsui Chemicals Inc | Pellicle, production method thereof, exposure method |
| WO2016043301A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2016-03-24 | 三井化学株式会社 | ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法 |
| JP6274079B2 (ja) * | 2014-11-04 | 2018-02-07 | 日本軽金属株式会社 | ペリクル用支持枠および製造方法 |
| CN115840333A (zh) | 2014-11-17 | 2023-03-24 | Asml荷兰有限公司 | 掩模组件 |
| CN113721420A (zh) * | 2015-02-03 | 2021-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 掩模组件和相关联的方法 |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP1985028524U patent/JPS6344824Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61145936U (ja) | 1986-09-09 |
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