JPH046559A - ペリクルの透過率測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ペリクルが装着されたフォトマスクにおいて
、ペリクルの透過率を測定する方法に関する。

［従来の技術］ 半導体装置製造などのフォトエツチング工程で使用され
るフォトマスクには、前記フォトマスク上の異物が投影
露光時に転写され、パターン不良を引き起こすことを防
止するために、一般的にペリクルが装着されている。

第５図は、ペリクルが装着されたフォトマスクを示す図
である。ペリクル（５３）は、ニトロセルロースに代表
される透明薄膜からなり、アルミ合金などからなるペリ
クル枠（５２）を介して、フォトマスク（５１）から−
定の距離をおいて、前記フォトマスク（５１）上のパタ
ーン部を覆って固定される。前記ペリクル（５３）は、
露光や異物検査の際に光束を透過し徐々に劣化していく
。最近、高性能なｉ線専用ペリクルやｇ、ｉ共用ペリク
ル等が実用化されているが、特にｉ線縮小露光装置を用
いる場合、現在主流のｇ！！！縮小露光装置に比ベペリ
クルの劣化が激しい。ペリクルの劣化が激しくなると、
その部分におけるペリクルの透過率が低下し、異物検査
装置での異物検出能力の低下や縮小露光装置での照度低
下などにつながるために管理する必要がある。

第４図は、従来の反射板を装着したフォトマスクの概略
図である。

ペリクル（４１）は、まず、ペリクル枠（４３）に接着
され、更に、このペリクル枠（４３）がフォトマスク（
４４）に接着剤を介して接着固定されている。ここで反
射板（４５）を露光部分に設けることができないので、
このペリクルとペリクル枠に覆われる領域のパターニン
グされた領域（４２）の外側にペリクル（４１）の透過
率測定用の反射板（４５）が装着されている。

ペリクルの透過率測定方法は、Ｈｅ−Ｎｅレーザー（波
長：　６３２．８ｎｍ）の入射光（４６）がペリクル（
４１）の非露光部を透過し、反射板（４５）によって反
射され、再びペリクル（４１）の非露光部を透過し検出
器（４８）によって、反射光（４７）の強度を検出し、
入射光（４６）の強度、反射板（４５）での光の減衰を
考慮した上で算出される。具体的な透過率の算出方法は
以下の通りである。

Ｉ　　＊Ｔ　＋”Ｒ＝　Ｉ　Ｒ・・・■■１：入射光の
強度、■、二反射光の強度Ｔ、：ペリクルの透過率、Ｒ
：反射板の反射率■の式においてＩ （反射光の強度）は、 反射板の反射率）は、 おくことにより、Ｔ。

求めることができる。

（入射光の強度）、■。

測定により求め、Ｒ（ 定数として予め求めて （ペリクルの透過率）を ［発明が解決しようとする課題］ しかし、前述の従来方法では、以下のような課題を有す
る。

ペリクルの透過率測定方法におい、て、その入射角度に
より実際には、投影露光や異物検査によって表面劣化し
ている部分の外側を測定している。透過率測定の必要性
は、ペリクルの表面劣化による透過率の変化を測定する
ことより投影露光や異物検査の時に最適な光束の強度補
正をするためにペリクルの露光部を直接測定する必要が
ある。

そこで本発明は、このような課題を解決するもので、そ
の目的とするところは、ふおとマスクに装着したペリク
ルの投影露光や異物検査により表面劣化される部分を直
接、透過率測定することにある。

［課題を解決するための手段］ （１）ペリクルを装着したフォトマスクにおいて、ペリ
クルに覆われる領域にある、前記フォトマスクの少なく
とも１ケ所に反射板を設け、透過率を測定するための光
束をあるム定の角度で前記反射板へ入射し、その入射光
または、反射光の何れか一方を前記ペリクルの露光領域
を透過し、他の一方を露光領域外を通過させ、前記反射
板によって反射された前記光束のべυクル透過後の強度
を測定し、更に前記光束のペリクル入射前の強度と前記
反射板の反射率から前記ペリクルの露光領域の透過率を
算出することを特徴とする。

（２）請求項１記載のペリクルの透過率測定方法におい
て、反射板にγ−Ａ１２０３の誘電体皮膜を用いた誘電
体ミラーを使用することを特徴とする。

（３）請求項１記載のペリクルの透過率測定方法におい
て、透過率を測定するための光束の入射角度を任意に変
化させることにより、入射光、反射光共に露光領域外の
ペリクルを透過する事により前記ペリクルの露光領域以
外の透過率を測定した後、入射光の入射角度を変化させ
、入射光または、反射光のどちらか一方を前記ペリクル
の露光領域を透過し、前記ペリクルの露光領域外の透過
率測定結果を基に、前記ペリクルの露光領域の透過率を
測定することを特徴とする。

［実施例］ （１）第１図は、本発明測定方法の一実施例を示す図で
ある。

従来技術と同様に、ペリクル（１１）は、ペリクル枠（
１３）に接着されており、更にこのペリクル枠（１３）
がフォトマスク（１４）に接着固定されている。このフ
ォトマスクのペリクルとペリクル枠に覆われる領域のパ
ターニングされている部分（１２）の外側に円形の反射
板が取り付けられている。この図において、実際に透過
率が問題になる領域は、露光や異物検査などで劣化の激
しいペリクル（１９）面である。つまり、劣化の激しい
ペリクル（１９）面の外側は露光や異物検査の際に問題
とならない。

透過率測定用の１０μｍに絞られたＨｅ−Ｎｅレーザー
の入射光束（１６）図の様に斜めから入射し、反射板（
１５）によって反射させる。反射光（１７）は、投影露
光や異物検査で劣化したペリクル面（１９）を透過し検
出器（１８）で反射光の強度が検出される。

このことにより、以下のような利点が得られる。

第１図に示した測定方法により、入射光（１６）がある
一定角度から入射されるため、反射光は、本来、最も劣
化の激しいペリクル面（１９）を透過する。このため、
従来の測定方法によるペリクル（１１）の透過率を予め
測定しておき、それを定数とし、更に反射板（１５）で
の入射光束（１６）の減衰を考慮することにより、劣化
の激しいペリクル面（１９）の透過率を算出することが
できる。

具体的な透過率の算出方法は、以下の通りである。

Ｉ　１本Ｔ　Ｉ”Ｔ　２”Ｒ＝　　Ｉ　Ｒ・　・　・　
■工１：入射光の強度、■Ｒ＝反射光の強度Ｔ、：露光
エリヤ外のペリクルの透過率Ｔ２：劣化の激しい露光エ
リヤのペリクルの透過率 Ｒ：反射板の反射率 ■の式において１．（入射光の強度）、工。

（反射光の強度）は、測定により求め、Ｒ（反射板の反
射率）は、定数として予め求めておく。また、Ｔ、（ペ
リクルの透過率）を従来技術により、測定しておけばＴ
２（劣化の激しい露光エリヤのペリクルの透過率）を算
出することができる。劣化の激しいペリクル面の透過率
を算出することにより、異物検査装置や縮小露光装置に
おいて、使用光源の最適な強度補正ができるためにより
安定した検査や露光をすることができる。

これとは、逆に第２図のように入射光束（２７）を劣化
の激しいペリクル面（２９）から入射し、反射光を露光
領域外のベリクール面（２１）を透過することによって
、劣化の激しいペリクル面の透過率を算出する方法によ
っても同様の効果が得られる。

（２）前述の実施例において、反射板にγ−Ａｌ、０３
の誘電体皮膜を用いることにより、反射板の反射率をほ
ぼ１００％にすることができるため、前述の０式でのＲ
（反射板の反射率を省略することができる。

（３）第３図は、前述の本実施例において、１０μｍに
絞ったＨｅ−Ｎｅレーザーの入射光（３６）の入射角度
を任意に変化させることにより、まず露光領域外の劣化
していないペリクル面（３１）に入射光、反射光を透通
させ、透過率を従来の技術の０式ように算出し、そのペ
リクル（３１）の透過率を定数とした後に、入射光束（
３６）の入射角度を変化させ、露光などにより劣化の激
しいペリクル面（３９）に反射光束（３７）を透過させ
ることにより、前述の方法で算出した定数を０式に代入
することにより、より正確な劣化部分のペリクル（３９
）の透過率を算出することができる。

以上、本発明の一実施例を述べたが、これ以外にも １）γ−ＡＬ２０２以外の誘電体被膜を用いる。

２）測定光に露光波長を用いる。

３）反射板を複数個、設けることにより測定精度をあげ
る。

４）実施例（３）とは逆に、劣化したペリクル面を透過
した反射光の強度を測定した後に、劣化していないペリ
クル面を測定して、劣化したペリクル面の透過率を測定
する。

などについても、本実施例と同様の利点が得られること
はいうまでもない。

［発明の効果］ 以上のように本発明によれば、 （１）ペリクルを装着したフォトマスクにおいて、ペリ
クルに覆われる領域にある、前記フォトマスクの少なく
とも１ケ所に反射板を設け、透過率を測定するための光
束をある一定の角度で前記反射板へ入射し、その入射光
または、反射光の何れか一方を前記ペリクルの露光領域
を透過し、他の一方を露光領域外を通過させ、前記反射
板によって反射された前記光束のペリクル透過後の強度
を測定し、更に前記光束のペリクル入射前の強度と前記
反射板の反射率から前記ペリクルの露光領域の透過率を
算出する。

（２）請求項１記載のペリクルの透過率測定方法におい
て、反射板にγ−Ａ１２０３の誘電体皮膜を用いた誘電
体ミラーを使用する。

（３）請求項１記載のペリクルの透過率測定方法におい
て、透過率を測定するための光束の入射角度を任意に変
化させることにより、入射光、反射光共に露光領域外の
ペリクルを透過する事により前記ペリクルの露光領域以
外の透過率を測定した後、入射光の入射角度を変化させ
、入射光または、反射光のどちらか一方を前記ペリクル
の露光領域を透過し、前記ペリクルの露光領域外の透過
率測定結果を基に、前記ペリクルの露光領域の透過率を
測定することにより、 本来、投影露光装置や異物検査装置により、光束が透過
され、最も劣化が激しく透過率変化が大きいペリクル面
を直接測定することができるという効果を有するもので
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図は、本実施例の測定方法を用い
たペリクルを装着したフォトマスクの断面図である。 第４図は、従来技術の測定方法によるペリクルを装着し
たフォトマスクの断面図である。 第５図は、ペリクルを装着したフォトマスクの図である
。 ペリクル クロムパターン面 ペリクル枠 フォトマスク 反射板 入射光束 反射光束 検出器 劣化の激しいペリクル面 ２１　・ ２２　・ ２３　・ ２４　・ ２５　・ ２６　・ ２７　・ ２８　・ ２９　・ ３２　・ ３３　・ ３４　・ ３５　・ ３７　・ ３８　・ ３９　・ ４１　・ ４２　・ ・・ペリクル ・・クロムパターン面 ・・ペリクル枠 ・・フォトマスク ・・反射板 ・・入射光束 ・・反射光束 ・・検出器 ・・劣化の激しいペリクル面 ・・ペリクル ・・クロムパターン面 ・・ペリクル枠 ・・フォトマスク ・反射板 ・・入射光束 ・・反射光束 ・・検出器 ・・劣化の激しいペリクル面 ・・ペリクル ・・クロムパターン面 第　　１　　図 ４５　・ ４６　・ ４７　・ ４８　・ ５２　・ ５３　・ ・・ペリクル枠 ・・フォトマスク ・反射板 ・・入射光束 ・・反射光束 ・検出器 ・・フォトマスク ・ペリクル枠 ・・ペリクル 以上 出願人セイコーエプソン株式会社 代理人弁理土鈴木喜三部（他１名） 第 第 図 第 図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）ペリクルを装着したフォトマスクにおいて、ペリ
   クルに覆われる領域にある、前記フォトマスクの少なく
   とも１ケ所に反射板を設け、透過率を測定するための光
   束をある一定の角度で前記反射板へ入射し、その入射光
   または、反射光の何れか一方を前記ペリクルの露光領域
   を透過し、他の一方を露光領域外を通過させ、前記反射
   板によって反射された前記光束のペリクル透過後の強度
   を測定し、更に前記光束のペリクル入射前の強度と前記
   反射板の反射率から前記ペリクルの露光領域の透過率を
   算出することを特徴とするペリクルの透過率測定方法。
2. （２）反射板にγ−Ａｌ＿２Ｏ＿３の誘電体皮膜を用い
   た誘電体ミラーを使用することを特徴とする請求項１記
   載のペリクルの透過率測定方法。
3. （３）透過率を測定するための光束の入射角度を任意に
   変化させることにより、入射光、反射光共に露光領域外
   のペリクルを透過する事により前記ペリクルの露光領域
   以外の透過率を測定した後、入射光の入射角度を変化さ
   せ、入射光または、反射光のどちらか一方を前記ペリク
   ルの露光領域を透過し、前記ペリクルの露光領域外の透
   過率測定結果を基に、前記ペリクルの露光領域の透過率
   を測定することを特徴とする請求項１記載のペリクルの
   透過率測定方法。