JP3359193B2 - 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents
露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法Info
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光装置及びそれを用い
たデバイスの製造方法に関し、特にＩＣ、ＬＳＩ、ＣＣ
Ｄ、液晶パネル、磁気ヘッドなどの各種デバイスを製造
する際に好適なものである。
たデバイスの製造方法に関し、特にＩＣ、ＬＳＩ、ＣＣ
Ｄ、液晶パネル、磁気ヘッドなどの各種デバイスを製造
する際に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の高集積化に伴い、着
目するパターン像の解像線幅はより狭く、レチクルとウ
エハとのアライメント精度はより高精度なものが必要と
なるなど、露光装置に対する要求は、ますます高性能化
が要求されてきている。
目するパターン像の解像線幅はより狭く、レチクルとウ
エハとのアライメント精度はより高精度なものが必要と
なるなど、露光装置に対する要求は、ますます高性能化
が要求されてきている。
【０００３】解像線幅は、露光光の波長に比例するた
め、より波長の短い遠紫外領域の光が用いられるように
なってきている。また、解像線幅は、露光装置の投影光
学系のＮＡにも依存するため、投影光学系はより高ＮＡ
なものになってきている。さらに対象となるチップは大
きくなる傾向があり、それに連れて投影光学系の画面も
大きくなってきている。また、アライメント光学系にお
いては、高精度化のため、ＴＴＬアライメント方式が主
流となっている。
め、より波長の短い遠紫外領域の光が用いられるように
なってきている。また、解像線幅は、露光装置の投影光
学系のＮＡにも依存するため、投影光学系はより高ＮＡ
なものになってきている。さらに対象となるチップは大
きくなる傾向があり、それに連れて投影光学系の画面も
大きくなってきている。また、アライメント光学系にお
いては、高精度化のため、ＴＴＬアライメント方式が主
流となっている。
【０００４】さらに、投影光学系を構成するレンズの各
面には、露光波長領域での反射防止増透の膜をコーティ
ングし、露光面への迷光を少なくし像性能を向上させ、
且つ露光量を増やし、スループットを向上させることが
行われている。
面には、露光波長領域での反射防止増透の膜をコーティ
ングし、露光面への迷光を少なくし像性能を向上させ、
且つ露光量を増やし、スループットを向上させることが
行われている。
【０００５】ＴＴＬアライメント波長領域に対しても、
投影光学系を構成するレンズの各面には、反射防止増透
の膜をコーティングし、アライメント位置検出系への迷
光を少なくし、且つ検出光量を増やし、アライメント精
度を向上させることが行われている。
投影光学系を構成するレンズの各面には、反射防止増透
の膜をコーティングし、アライメント位置検出系への迷
光を少なくし、且つ検出光量を増やし、アライメント精
度を向上させることが行われている。
【０００６】このような高性能化に伴い、投影光学系の
製造許容誤差はより小さくする必要があり、面形状や偏
芯の測定など、干渉計を利用した高精度の測定が不可欠
となっている。近年では、さらに測定精度をあげるた
め、これら干渉計の光源として、より波長の短いレーザ
ーが用いられるようになっている。
製造許容誤差はより小さくする必要があり、面形状や偏
芯の測定など、干渉計を利用した高精度の測定が不可欠
となっている。近年では、さらに測定精度をあげるた
め、これら干渉計の光源として、より波長の短いレーザ
ーが用いられるようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述の如く、露光装置
の投影光学系では、露光波長領域と、ＴＴＬアライメン
ト波長領域において、反射率を低くし透過率を良くする
ため、反射防止増透のコーティングがなされている。し
たがって、投影光学系を構成するレンズの各面におけ
る、露光波長、ＴＴＬアライメント波長における反射率
は、非常に低く、通例１．０％以下である。
の投影光学系では、露光波長領域と、ＴＴＬアライメン
ト波長領域において、反射率を低くし透過率を良くする
ため、反射防止増透のコーティングがなされている。し
たがって、投影光学系を構成するレンズの各面におけ
る、露光波長、ＴＴＬアライメント波長における反射率
は、非常に低く、通例１．０％以下である。
【０００８】一方、投影光学系の製造工程においては、
投影光学系を構成する個々のレンズの面からの反射光を
用いる検査や、調整工程がある。そこでは、たとえば、
レンズの面形状や、偏芯を許容誤差以内とするため、レ
ンズ面からの反射光を被験光とする干渉計による測定が
行われる。この場合、反射率としては、通例２％以上は
望ましいとされている。したがって、この干渉計に使用
する光の測定波長領域と、露光波長領域もしくはＴＴＬ
アライメント波長領域がほとんど同じ場合、レンズ面か
らの反射光が十分に得られず、十分な測定精度が得られ
ないという問題がある。
投影光学系を構成する個々のレンズの面からの反射光を
用いる検査や、調整工程がある。そこでは、たとえば、
レンズの面形状や、偏芯を許容誤差以内とするため、レ
ンズ面からの反射光を被験光とする干渉計による測定が
行われる。この場合、反射率としては、通例２％以上は
望ましいとされている。したがって、この干渉計に使用
する光の測定波長領域と、露光波長領域もしくはＴＴＬ
アライメント波長領域がほとんど同じ場合、レンズ面か
らの反射光が十分に得られず、十分な測定精度が得られ
ないという問題がある。
【０００９】本発明は、レチクル面上のパターンをウエ
ハ面上に投影する投影光学系を構成する光学素子に適切
なる分光特性のコーティング膜を施すことにより、露
光，アライメント、そして干渉測定等を良好に行い、高
集積度のデバイスが容易に製造することができる露光装
置及びそれを用いたデバイスの製造方法を提供すること
を目的とする。
ハ面上に投影する投影光学系を構成する光学素子に適切
なる分光特性のコーティング膜を施すことにより、露
光，アライメント、そして干渉測定等を良好に行い、高
集積度のデバイスが容易に製造することができる露光装
置及びそれを用いたデバイスの製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明の露光装
置の製造方法は反射防止増透膜を有する複数の光学素子
を備える投影光学系を介してＴＴＬアライメントを行っ
て前記投影光学系によりレチクル等の原画をウエハ等の
被露光物体上に投影するデバイス製造用露光装置の製造
方法において、前記複数の光学素子の面形状を第１波長
領域の光により測定し、検査する工程を有し、前記複数
の光学素子の前記反射防止増透膜は、前記第１の波長領
域の光に対してよりも前記原画の投影に用いる第２波長
領域の光及び前記ＴＴＬアライメントに用いる第３波長
領域の光に対しての方が反射防止増透作用が強く、前記
第１波長領域の光の波長は、前記第２波長領域の光の波
長よりも長く且つ前記第３波長領域の光の波長より短い
ことを特徴としている。
置の製造方法は反射防止増透膜を有する複数の光学素子
を備える投影光学系を介してＴＴＬアライメントを行っ
て前記投影光学系によりレチクル等の原画をウエハ等の
被露光物体上に投影するデバイス製造用露光装置の製造
方法において、前記複数の光学素子の面形状を第１波長
領域の光により測定し、検査する工程を有し、前記複数
の光学素子の前記反射防止増透膜は、前記第１の波長領
域の光に対してよりも前記原画の投影に用いる第２波長
領域の光及び前記ＴＴＬアライメントに用いる第３波長
領域の光に対しての方が反射防止増透作用が強く、前記
第１波長領域の光の波長は、前記第２波長領域の光の波
長よりも長く且つ前記第３波長領域の光の波長より短い
ことを特徴としている。
【００１１】請求項２の発明は請求項１の発明において
前記反射防止増透膜の反射率の特性が、前記第２波長領
域及び前記第３波長領域の光に対しては基準値より反射
率が低く、前記第１波長領域の光に対しては基準値より
反射率が高い特性であることを特徴としている。
前記反射防止増透膜の反射率の特性が、前記第２波長領
域及び前記第３波長領域の光に対しては基準値より反射
率が低く、前記第１波長領域の光に対しては基準値より
反射率が高い特性であることを特徴としている。
【００１２】請求項３の発明は請求項２の発明において
前記第２波長領域の光及び前記第３波長領域の光の反射
率の基準値が１％、前記第１波長領域の光の反射率の基
準値が２％であることを特徴としている。
前記第２波長領域の光及び前記第３波長領域の光の反射
率の基準値が１％、前記第１波長領域の光の反射率の基
準値が２％であることを特徴としている。
【００１３】請求項４の発明は請求項１乃至３のいずれ
か１項に記載の発明において前記第２波長領域が超高圧
水銀ランプのｇ線（４３６ｎｍ）とその近傍とからなる
波長領域、またはｉ線（３６５ｎｍ）とその近傍とから
なる波長領域、またはＫｒＦエキシマレーザーによる波
長領域、またはＡｒＦエキシマレーザーによる波長領域
であることを特徴としている。
か１項に記載の発明において前記第２波長領域が超高圧
水銀ランプのｇ線（４３６ｎｍ）とその近傍とからなる
波長領域、またはｉ線（３６５ｎｍ）とその近傍とから
なる波長領域、またはＫｒＦエキシマレーザーによる波
長領域、またはＡｒＦエキシマレーザーによる波長領域
であることを特徴としている。
【００１４】請求項５の発明は請求項１乃至４のいずれ
か１項に記載の発明において前記第３波長領域の光がＨ
ｅＮｅレーザー（６３３ｎｍ）による波長領域の光、ま
たは６１０ｎｍ近傍の波長領域の光であることを特徴と
している。
か１項に記載の発明において前記第３波長領域の光がＨ
ｅＮｅレーザー（６３３ｎｍ）による波長領域の光、ま
たは６１０ｎｍ近傍の波長領域の光であることを特徴と
している。
【００１５】請求項６の発明は請求項１乃至５のいずれ
か１項に記載の発明において前記測定光が単一周波数で
発振するレーザーによる波長領域であることを特徴とし
ている。
か１項に記載の発明において前記測定光が単一周波数で
発振するレーザーによる波長領域であることを特徴とし
ている。
【００１６】請求項７の発明は請求項６の発明において
前記単一周波数レーザーがアルゴンレーザーまたはＹＡ
Ｇ倍波レーザーであることを特徴としている。
前記単一周波数レーザーがアルゴンレーザーまたはＹＡ
Ｇ倍波レーザーであることを特徴としている。
【００１７】請求項８の発明のデバイスの製造方法は被
露光物体を用意し、請求項１乃至７いずれか１項記載の
露光装置の製造方法に基づいて製造された露光装置を用
いて前記被露光物体を露光することによりデバイスを製
造することを特徴としている。
露光物体を用意し、請求項１乃至７いずれか１項記載の
露光装置の製造方法に基づいて製造された露光装置を用
いて前記被露光物体を露光することによりデバイスを製
造することを特徴としている。
【００１８】
【００１９】
【実施例】図１は、本発明の半導体デバイスを製造する
ための露光装置の実施例１の概略図である。図１におい
て、８は投影光学系である。この投影光学系８を構成す
る個々の光学素子に施す反射防止増透膜として、露光装
置の露光波長領域とＴＴＬアライメント波長領域におい
ては反射率が低く、投影光学系の製造工程で行われる各
種測定の測定波長領域においては、反射率が高くなる分
光特性の膜を用いている。
ための露光装置の実施例１の概略図である。図１におい
て、８は投影光学系である。この投影光学系８を構成す
る個々の光学素子に施す反射防止増透膜として、露光装
置の露光波長領域とＴＴＬアライメント波長領域におい
ては反射率が低く、投影光学系の製造工程で行われる各
種測定の測定波長領域においては、反射率が高くなる分
光特性の膜を用いている。
【００２０】１は、露光光源であり、超高圧水銀ランプ
のｇ線（４３６ｎｍ）とその近傍とからなる波長領域、
またはｉ線（３６５ｎｍ）とその近傍とからなる波長領
域、またはＫｒＦエキシマレーザーによる波長領域、ま
たはＡｒＦエキシマレーザーによる波長領域の光（露光
光）を発光する。この露光光は、照明光学系２により整
形され、レチクルステージ４上のレチクル３を照明す
る。レチクル３上のパターンは、投影光学系８により、
ウエハーステージ１１上のウエハー１０に転写される。
転写されたウエハーは通常のディバイス製造工程に従っ
て処理されディバイスが製造される。前述の如く、投影
光学系８は、反射防止増透膜として、露光波長領域にお
いて透過率が高く且つ反射率が低い特性の膜を施してあ
るので、迷光が少なく透過率の良い投影光学系となり、
像性能の良い高スループットの露光装置を達成してい
る。
のｇ線（４３６ｎｍ）とその近傍とからなる波長領域、
またはｉ線（３６５ｎｍ）とその近傍とからなる波長領
域、またはＫｒＦエキシマレーザーによる波長領域、ま
たはＡｒＦエキシマレーザーによる波長領域の光（露光
光）を発光する。この露光光は、照明光学系２により整
形され、レチクルステージ４上のレチクル３を照明す
る。レチクル３上のパターンは、投影光学系８により、
ウエハーステージ１１上のウエハー１０に転写される。
転写されたウエハーは通常のディバイス製造工程に従っ
て処理されディバイスが製造される。前述の如く、投影
光学系８は、反射防止増透膜として、露光波長領域にお
いて透過率が高く且つ反射率が低い特性の膜を施してあ
るので、迷光が少なく透過率の良い投影光学系となり、
像性能の良い高スループットの露光装置を達成してい
る。
【００２１】また、６はＴＴＬアライメント光源であ
り、ＨｅＮｅレーザー（６３３ｎｍ）による波長領域、
または６１０ｎｍ近傍の波長領域の光（アライメント
光）を発光する。６１０ｎｍ近傍の波長領域の光は、た
とえば、ハロゲンランプからの発光光を、６１０ｎｍ近
傍の光を透過する光学的バンドパスフィルターに通すこ
とによって得ている。
り、ＨｅＮｅレーザー（６３３ｎｍ）による波長領域、
または６１０ｎｍ近傍の波長領域の光（アライメント
光）を発光する。６１０ｎｍ近傍の波長領域の光は、た
とえば、ハロゲンランプからの発光光を、６１０ｎｍ近
傍の光を透過する光学的バンドパスフィルターに通すこ
とによって得ている。
【００２２】本実施例において６１０ｎｍ近傍の波長領
域とは、半値幅でたとえば６１５ｎｍ±３５ｎｍなどの
波長領域をいう。このアライメント光は、アライメント
位置検出光学系５と、投影光学系８を通り、ウエハー１
０上のアライメントマーク９に到達する。このアライメ
ント光は、アライメントマーク９により反射され、投影
光学系８を通り、アライメント位置検出光学系５に戻
る。この戻りアライメント光をアライメント位置検出演
算処理部７により処理することにより、アライメント位
置が求められ必要に応じてアライメントしている。
域とは、半値幅でたとえば６１５ｎｍ±３５ｎｍなどの
波長領域をいう。このアライメント光は、アライメント
位置検出光学系５と、投影光学系８を通り、ウエハー１
０上のアライメントマーク９に到達する。このアライメ
ント光は、アライメントマーク９により反射され、投影
光学系８を通り、アライメント位置検出光学系５に戻
る。この戻りアライメント光をアライメント位置検出演
算処理部７により処理することにより、アライメント位
置が求められ必要に応じてアライメントしている。
【００２３】前述の如く、投影光学系８は、反射防止増
透膜として、アライメント波長領域において透過率が高
く且つ反射率が低い特性の膜を施してあるので、迷光が
少なく透過率の良い投影光学系となり、高精度なアライ
メントを可能としている。
透膜として、アライメント波長領域において透過率が高
く且つ反射率が低い特性の膜を施してあるので、迷光が
少なく透過率の良い投影光学系となり、高精度なアライ
メントを可能としている。
【００２４】また、前述の如く、投影光学系８は、反射
防止増透膜として、投影光学系の製造工程で行われる各
種の測定の際の測定光の測定波長領域においては、反射
率が低くない分光特性の膜が施してある。これにより測
定に必要な反射光を容易に得て、高精度の検査、調整等
の測定を可能とし、高性能な投影光学系の製造を可能と
している。
防止増透膜として、投影光学系の製造工程で行われる各
種の測定の際の測定光の測定波長領域においては、反射
率が低くない分光特性の膜が施してある。これにより測
定に必要な反射光を容易に得て、高精度の検査、調整等
の測定を可能とし、高性能な投影光学系の製造を可能と
している。
【００２５】表１に、投影光学系８の反射防止増透膜の
構成例を示す。図２は、この構成例の反射率特性を示す
図である。
構成例を示す。図２は、この構成例の反射率特性を示す
図である。
【００２６】
【表１】 この例は、露光波長領域としてｉ線（３６５ｎｍ）、Ｔ
ＴＬアライメント波長領域としては、ＨｅＮｅレーザー
（６３３ｎｍ）または６１５ｎｍ±３５ｎｍ、投影光学
系製造工程での測定波長領域としては、Ａｒレーザーの
発振波長が４５８ｎｍ、４７７ｎｍ、４８８ｎｍ、４９
７ｎｍを対象とした例である。
ＴＬアライメント波長領域としては、ＨｅＮｅレーザー
（６３３ｎｍ）または６１５ｎｍ±３５ｎｍ、投影光学
系製造工程での測定波長領域としては、Ａｒレーザーの
発振波長が４５８ｎｍ、４７７ｎｍ、４８８ｎｍ、４９
７ｎｍを対象とした例である。
【００２７】図２に示す如く、露光波長領域とＴＴＬア
ライメント波長領域において反射率は、０．５％以下で
あり、所望の反射率を実現している。また、投影光学系
製造工程での測定波長領域では、反射率は、２％以上と
なっており、所望の反射率を実現している。尚、本実施
例では膜の材料や、構成を変えることにより他の波長領
域においても所望の反射率を実現している。
ライメント波長領域において反射率は、０．５％以下で
あり、所望の反射率を実現している。また、投影光学系
製造工程での測定波長領域では、反射率は、２％以上と
なっており、所望の反射率を実現している。尚、本実施
例では膜の材料や、構成を変えることにより他の波長領
域においても所望の反射率を実現している。
【００２８】このように本実施例では、露光波長領域若
しくはＴＴＬアライメント波長領域と、投影レンズの製
造工程で行われる測定の測定波長領域とを、互いに異な
る波長領域とし、投影光学系を構成する光学素子に施す
反射防止増透膜の分光特性を、露光波長領域とＴＴＬア
ライメント波長領域においては反射率が低くなり、レン
ズ製造工程で行われる測定の測定波長領域においては反
射率が高くなるようにしている。
しくはＴＴＬアライメント波長領域と、投影レンズの製
造工程で行われる測定の測定波長領域とを、互いに異な
る波長領域とし、投影光学系を構成する光学素子に施す
反射防止増透膜の分光特性を、露光波長領域とＴＴＬア
ライメント波長領域においては反射率が低くなり、レン
ズ製造工程で行われる測定の測定波長領域においては反
射率が高くなるようにしている。
【００２９】このような構成とすることにより露光波長
領域においては、迷光が少なく透過率が良い投影光学系
となり、像性能の良い高いスループットの露光装置が実
現できる。また、ＴＴＬアライメント波長領域において
も迷光が少なく透過率のよい投影光学系となるため、高
精度なアライメントが可能となる。また、投影光学系の
製造工程で用いる光源から光の波長においては、反射率
が高いので、測定に必要な反射光が得られる。これによ
り、高精度の検査、調整が可能となり、高性能な投影光
学系の製造を可能としている。
領域においては、迷光が少なく透過率が良い投影光学系
となり、像性能の良い高いスループットの露光装置が実
現できる。また、ＴＴＬアライメント波長領域において
も迷光が少なく透過率のよい投影光学系となるため、高
精度なアライメントが可能となる。また、投影光学系の
製造工程で用いる光源から光の波長においては、反射率
が高いので、測定に必要な反射光が得られる。これによ
り、高精度の検査、調整が可能となり、高性能な投影光
学系の製造を可能としている。
【００３０】以上のようにして、光学性能が充分調整さ
れた、高性能な露光装置を実現している。
れた、高性能な露光装置を実現している。
【００３１】図３は、投影光学系の光学素子の製造工程
で行われる光学素子の光学的性質の測定の例である。同
図では、投影光学系の構成要素であるレンズの面形状測
定の場合を示している。この例は、マイケルソン型の干
渉計で、単一周波数レーザー２０、ビームエキスパンダ
２１、ハーフミラー２２、参照ミラー２３、コリメータ
ー２４、被験レンズ２５、結像レンズ２６、カメラ２
７、画像処理装置２８から構成され、被験レンズ２５の
面２５ａの形状を測定する場合を示している。面２５ａ
には、単一周波数レーザー２０の波長領域においては、
反射率が低くない特性の膜が施してあるので、必要な光
量が得られ、高精度な面形状の測定をしている。
で行われる光学素子の光学的性質の測定の例である。同
図では、投影光学系の構成要素であるレンズの面形状測
定の場合を示している。この例は、マイケルソン型の干
渉計で、単一周波数レーザー２０、ビームエキスパンダ
２１、ハーフミラー２２、参照ミラー２３、コリメータ
ー２４、被験レンズ２５、結像レンズ２６、カメラ２
７、画像処理装置２８から構成され、被験レンズ２５の
面２５ａの形状を測定する場合を示している。面２５ａ
には、単一周波数レーザー２０の波長領域においては、
反射率が低くない特性の膜が施してあるので、必要な光
量が得られ、高精度な面形状の測定をしている。
【００３２】単一周波数レーザー２０としては、面２５
ａの反射率特性が図２の特性である場合は、たとえば、
発振波長が４５８ｎｍのＡｒレーザーがある。他に、発
振波長が、４７７ｎｍ、４８８ｎｍ、４９７ｎｍのＡｒ
レーザー等が適用できる。また、面２５ａの反射膜の特
性によっては、単一周波数レーザー２０としては、発振
波長が５１５ｎｍ、５２９ｎｍのＡｒレーザー、ＹＡＧ
倍波レーザー（５３２ｎｍ）などがある。
ａの反射率特性が図２の特性である場合は、たとえば、
発振波長が４５８ｎｍのＡｒレーザーがある。他に、発
振波長が、４７７ｎｍ、４８８ｎｍ、４９７ｎｍのＡｒ
レーザー等が適用できる。また、面２５ａの反射膜の特
性によっては、単一周波数レーザー２０としては、発振
波長が５１５ｎｍ、５２９ｎｍのＡｒレーザー、ＹＡＧ
倍波レーザー（５３２ｎｍ）などがある。
【００３３】図４は、光学素子の製造工程で行われる測
定の他の例で、特公昭５１−４２４９５号公報で開示さ
れている偏芯測定の場合を示している。この例は単一周
波数レーザー３０、ビームエキスパンダー３１、光束分
割光学系を構成するビームスプリッター３２と全反射鏡
３３、３４、３５、レンズ３６、回転軸４３、レンズ４
１から構成され、被験レンズ３８の被験面３８ａの回転
軸４３からの偏芯を検知する場合を示している。面３８
ａには、単一周波数レーザー２０の波長領域において
は、反射率が高い分光特性の膜が施してあるので、必要
な光量が得られ、高精度な面形状の測定を可能としてい
る。
定の他の例で、特公昭５１−４２４９５号公報で開示さ
れている偏芯測定の場合を示している。この例は単一周
波数レーザー３０、ビームエキスパンダー３１、光束分
割光学系を構成するビームスプリッター３２と全反射鏡
３３、３４、３５、レンズ３６、回転軸４３、レンズ４
１から構成され、被験レンズ３８の被験面３８ａの回転
軸４３からの偏芯を検知する場合を示している。面３８
ａには、単一周波数レーザー２０の波長領域において
は、反射率が高い分光特性の膜が施してあるので、必要
な光量が得られ、高精度な面形状の測定を可能としてい
る。
【００３４】図４で、３９、４０は光束分割光学系によ
り二分割された光束、４２は二光束３９、４０による干
渉縞でレンズ４１により拡大形成されたものである。
り二分割された光束、４２は二光束３９、４０による干
渉縞でレンズ４１により拡大形成されたものである。
【００３５】単一周波数レーザー３０としては、面３８
ａの反射率特性が図２の特性である場合は、たとえば、
発振波長が４５８ｎｍのＡｒレーザーがある。他に、発
振波長が、４７７ｎｍ、４８８ｎｍ、４９７ｎｍのＡｒ
レーザー等が適用できる。また、面３８ａの反射膜の特
性によっては、単一周波数レーザー３０としては、発振
波長が５１５ｎｍ、５２９ｎｍのＡｒレーザー、ＹＡＧ
倍波レーザー（５３２ｎｍ）などがある。
ａの反射率特性が図２の特性である場合は、たとえば、
発振波長が４５８ｎｍのＡｒレーザーがある。他に、発
振波長が、４７７ｎｍ、４８８ｎｍ、４９７ｎｍのＡｒ
レーザー等が適用できる。また、面３８ａの反射膜の特
性によっては、単一周波数レーザー３０としては、発振
波長が５１５ｎｍ、５２９ｎｍのＡｒレーザー、ＹＡＧ
倍波レーザー（５３２ｎｍ）などがある。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明よれば、投
影光学系の製造工程で行われる測定の測定波長領域と、
露光装置の露光波長領域およびＴＴＬアライメント波長
領域とを異なる波長領域としているので、投影光学系の
反射防止増透膜の反射率の特性が、露光装置の露光波長
領域とＴＴＬアライメント波長領域においては反射率が
低く、投影光学系の製造工程で行われる測定の測定光の
波長領域においては、反射率が低くない（高い）分光特
性とすることができる。これにより、露光波長領域にお
いては、迷光が少なく透過率が良い投影光学系となり、
像性能の良い高スループットの露光装置が実現できる。
影光学系の製造工程で行われる測定の測定波長領域と、
露光装置の露光波長領域およびＴＴＬアライメント波長
領域とを異なる波長領域としているので、投影光学系の
反射防止増透膜の反射率の特性が、露光装置の露光波長
領域とＴＴＬアライメント波長領域においては反射率が
低く、投影光学系の製造工程で行われる測定の測定光の
波長領域においては、反射率が低くない（高い）分光特
性とすることができる。これにより、露光波長領域にお
いては、迷光が少なく透過率が良い投影光学系となり、
像性能の良い高スループットの露光装置が実現できる。
【００３７】また、ＴＴＬアライメント波長領域におい
ても迷光が少なく透過率のよい投影光学系となるため、
高精度アライメントが可能となる。また、投影光学系の
製造工程で用いる光源の波長においては、反射率が低く
ないので、測定に必要な反射光が得られる。したがっ
て、高精度の検査、調整が可能となり、高性能な投影光
学系の製造が可能となる。このようにして、光学性能が
充分調整された、高性能な光学性能を有し且つスループ
ット等も良い高性能な露光装置の提供を可能としてい
る。
ても迷光が少なく透過率のよい投影光学系となるため、
高精度アライメントが可能となる。また、投影光学系の
製造工程で用いる光源の波長においては、反射率が低く
ないので、測定に必要な反射光が得られる。したがっ
て、高精度の検査、調整が可能となり、高性能な投影光
学系の製造が可能となる。このようにして、光学性能が
充分調整された、高性能な光学性能を有し且つスループ
ット等も良い高性能な露光装置の提供を可能としてい
る。
【００３８】また、本露光装置をもちいて、ＩＣ、ＬＳ
Ｉ、ＣＣＤ、液晶パネル、磁気ヘッドなどの各種デバイ
スを効率良く、かつ正確に製造することができる。
Ｉ、ＣＣＤ、液晶パネル、磁気ヘッドなどの各種デバイ
スを効率良く、かつ正確に製造することができる。
【図１】本発明の露光装置の実施例１を示す概略図。
【図２】本発明の露光装置に用いる投影光学系に適用さ
れる反射防止増透膜の実施例１を示す図。
れる反射防止増透膜の実施例１を示す図。
【図３】本発明の露光装置に用いる投影光学系の製造工
程で行われる測定の実施例を示す図。
程で行われる測定の実施例を示す図。
【図４】本発明の露光装置に用いる投影光学系の製造工
程で行われる測定の実施例を示す図。
程で行われる測定の実施例を示す図。
１ 露光光源 ２ 照明光学系 ３ レチクル ４ レチクルステージ ５ ＴＴＬアライメント位置検出光学系 ６ ＴＴＬアライメント光源 ７ アライメント位置検出演算処理部 ８ 投影光学系 ９ アライメントマーク １０ ウエハー １１ ウエハーステージ ２０ 単一周波数レーザー ２１ ビームエキスパンダー ２２ ハーフミラー ２３ 参照ミラー ２４ コリメーター ２５ 被験レンズ ２５ａ 被験レンズ２５の面 ２６ 結像レンズ ２７ カメラ ２８ 画像処理装置 ３０ 単一周波数レーザー ３１ ビームエキスパンダー ３２ ビームスプリッター ３３ 全反射鏡 ３４ 全反射鏡 ３５ 全反射鏡 ３６ レンズ ３７ 光束の集光位置 ３８ 被験レンズ ３８ａ 被験レンズ３８の面 ３９ 光束 ４０ 光束 ４１ レンズ ４２ 光束３９、４０による干渉縞 ４３ 回転軸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 G01N 21/00 G01M 11/00 B01B 11/00
Claims (8)
- 【請求項１】 反射防止増透膜を有する複数の光学素子
を備える投影光学系を介してＴＴＬアライメントを行っ
て前記投影光学系によりレチクル等の原画をウエハ等の
被露光物体上に投影するデバイス製造用露光装置の製造
方法において、 前記複数の光学素子の面形状を第１波長領域の光により
測定し、検査する工程を有し、 前記複数の光学素子の前記反射防止増透膜は、前記第１
の波長領域の光に対してよりも前記原画の投影に用いる
第２波長領域の光及び前記ＴＴＬアライメントに用いる
第３波長領域の光に対しての方が反射防止増透作用が強
く、 前記第１波長領域の光の波長は、前記第２波長領域の光
の波長よりも長く且つ前記第３波長領域の光の波長より
短いことを特徴とする露光装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記反射防止増透膜の反射率の特性が、
前記第２波長領域及び前記第３波長領域の光に対しては
基準値より反射率が低く、前記第１波長領域の光に対し
ては基準値より反射率が高い特性であることを特徴とす
る請求項１記載の露光装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記第２波長領域の光及び前記第３波長
領域の光の反射率の基準値が１％、前記第１波長領域の
光の反射率の基準値が２％であることを特徴とする請求
項２記載の露光装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記第２波長領域が超高圧水銀ランプの
ｇ線（４３６ｎｍ）とその近傍とからなる波長領域、ま
たはｉ線（３６５ｎｍ）とその近傍とからなる波長領
域、またはＫｒＦエキシマレーザーによる波長領域、ま
たはＡｒＦエキシマレーザーによる波長領域であること
を特徴とする請求項１乃至３いずれか１項記載の露光装
置の製造方法。 - 【請求項５】 前記第３波長領域の光がＨｅＮｅレーザ
ー（６３３ｎｍ）による波長領域の光、または６１０ｎ
ｍ近傍の波長領域の光であることを特徴とする請求項１
乃至４いずれか１項記載の露光装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記測定光が単一周波数で発振するレー
ザーによる波長領域であることを特徴とする請求項１乃
至５いずれか１項記載の露光装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記単一周波数レーザーがアルゴンレー
ザーまたはＹＡＧ倍波レーザーであることを特徴とする
請求項６記載の露光装置の製造方法。 - 【請求項８】 被露光物体を用意し、請求項１乃至７い
ずれか１項記載の露光装置の製造方法に基づいて製造さ
れた露光装置を用いて前記被露光物体を露光することに
よりデバイスを製造することを特徴とするデバイスの製
造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20770095A JP3359193B2 (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| US08/682,959 US5774205A (en) | 1995-07-21 | 1996-07-18 | Exposure and method which tests optical characteristics of optical elements in a projection lens system prior to exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20770095A JP3359193B2 (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936032A JPH0936032A (ja) | 1997-02-07 |
| JP3359193B2 true JP3359193B2 (ja) | 2002-12-24 |
Family
ID=16544126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20770095A Expired - Fee Related JP3359193B2 (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5774205A (ja) |
| JP (1) | JP3359193B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0851304B1 (en) * | 1996-12-28 | 2004-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus and device manufacturing method |
| JP3306772B2 (ja) * | 1998-07-01 | 2002-07-24 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
| JP5205683B2 (ja) * | 2000-04-19 | 2013-06-05 | 株式会社ニコン | 光学装置、露光装置、および露光方法 |
| JP2002093695A (ja) | 2000-05-02 | 2002-03-29 | Canon Inc | 投影露光装置 |
| WO2002029869A1 (fr) * | 2000-10-04 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aligneur de projection et procede de fabrication de dispositif utilisant cet aligneur |
| JP2002206990A (ja) | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Canon Inc | 波面収差測定方法及び投影露光装置 |
| US6788385B2 (en) * | 2001-06-21 | 2004-09-07 | Nikon Corporation | Stage device, exposure apparatus and method |
| JP2003142377A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-05-16 | Canon Inc | 投影露光装置及び収差の計測方法 |
| CA2466697C (en) * | 2001-11-15 | 2013-09-24 | Micro Algae Corporation | Pharmaceutical compositions containing 3,4-propinoperhydropurines and uses thereof for blocking neuronal transmission |
| US7268869B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-09-11 | Micron Technology, Inc. | In-situ spectrograph and method of measuring light wavelength characteristics for photolithography |
| JP2014053510A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | 端面加工方法及び端面加工装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5142495A (ja) * | 1974-10-08 | 1976-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Danseihyomenhakinososhi |
| US4629313A (en) * | 1982-10-22 | 1986-12-16 | Nippon Kogaku K.K. | Exposure apparatus |
| JPS61160033A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-07-19 | Toshiba Corp | 光学部品の異常検出装置 |
| JPS6486518A (en) * | 1987-06-05 | 1989-03-31 | Hitachi Ltd | Reduction projection type position detection and device therefor |
| JP3033135B2 (ja) * | 1990-06-13 | 2000-04-17 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
| JPH06177012A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-06-24 | Nikon Corp | アライメント装置 |
| JPH06188168A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-08 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| JPH06317413A (ja) * | 1993-05-07 | 1994-11-15 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 光学部材の検査用干渉計装置 |
| US5534970A (en) * | 1993-06-11 | 1996-07-09 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus |
| US5614990A (en) * | 1994-08-31 | 1997-03-25 | International Business Machines Corporation | Illumination tailoring system using photochromic filter |
-
1995
- 1995-07-21 JP JP20770095A patent/JP3359193B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-07-18 US US08/682,959 patent/US5774205A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0936032A (ja) | 1997-02-07 |
| US5774205A (en) | 1998-06-30 |
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