JPH0465158A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0465158A JPH0465158A JP18010690A JP18010690A JPH0465158A JP H0465158 A JPH0465158 A JP H0465158A JP 18010690 A JP18010690 A JP 18010690A JP 18010690 A JP18010690 A JP 18010690A JP H0465158 A JPH0465158 A JP H0465158A
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置に使用するリボン状のリードの
構造及びこれを利用した半導体装置の製造方法に関する
ものである、 〔従来の技術〕 第18a図、第18(b)図、・・・第23a図、第2
3b図は半導体装置の製造に当ってリボン状のリードを
先メッキして、その後に抜き(プレス)を行う従来のプ
ロセスを示すリードを示す本ので、第18a 図第19
a図・・・第238図は平面図、第18h図、第19b
図・・第23b図は第188図、第19a図・・・第2
3a図の右側面図である。図において、(1)はリード
、0)はマスキングテープ、(3)はメッキ液、(4)
はメッキ部(12)はリード素材である。
構造及びこれを利用した半導体装置の製造方法に関する
ものである、 〔従来の技術〕 第18a図、第18(b)図、・・・第23a図、第2
3b図は半導体装置の製造に当ってリボン状のリードを
先メッキして、その後に抜き(プレス)を行う従来のプ
ロセスを示すリードを示す本ので、第18a 図第19
a図・・・第238図は平面図、第18h図、第19b
図・・第23b図は第188図、第19a図・・・第2
3a図の右側面図である。図において、(1)はリード
、0)はマスキングテープ、(3)はメッキ液、(4)
はメッキ部(12)はリード素材である。
次に製造方法について説明する。リード素材(12)は
第18a図に示すごとくリボン状のものが定尺あるいは
リール状となっている。−船釣にこの種のリード素材(
12)は溶接を目的として製作される。
第18a図に示すごとくリボン状のものが定尺あるいは
リール状となっている。−船釣にこの種のリード素材(
12)は溶接を目的として製作される。
次に第198図、第19b図に示すごとく、リード素材
(12)の先端にあたる部分のみに精度よくメッキを施
す為に、メッキを施さない部分にマスキングテープ(2
)を貼る。次に第20a図、第20b図に示すごとく、
メッキ液(3)へメッキを施す部分を浸漬する。メッキ
のプロセスによっては、第20a図、第20h図の工程
をメッキ液(3)を換えて数回繰返す場合もある。これ
によって第21a図、第21b図に示すごとく、メッキ
が完了する。メッキ部(4)は数μ〜数fμ程度であり
、第20a図で述べた様にメッキの種類を変えて、数層
となっているものが一般的である。メッキ部(4)は、
溶接に向く素材、例えばN1やFp−Ni等は半田付性
が悪いので、半田付する箇所が半田付性を向上させる目
的で設けている。
(12)の先端にあたる部分のみに精度よくメッキを施
す為に、メッキを施さない部分にマスキングテープ(2
)を貼る。次に第20a図、第20b図に示すごとく、
メッキ液(3)へメッキを施す部分を浸漬する。メッキ
のプロセスによっては、第20a図、第20h図の工程
をメッキ液(3)を換えて数回繰返す場合もある。これ
によって第21a図、第21b図に示すごとく、メッキ
が完了する。メッキ部(4)は数μ〜数fμ程度であり
、第20a図で述べた様にメッキの種類を変えて、数層
となっているものが一般的である。メッキ部(4)は、
溶接に向く素材、例えばN1やFp−Ni等は半田付性
が悪いので、半田付する箇所が半田付性を向上させる目
的で設けている。
次に第22a図、第22b図に示すごとく、マスキング
テープ(2)を取り除く。次に第23a図、第23b図
に示すごとく、所定の形状に抜き(プレス)を行う。メ
ッキ部(4)のエッヂ部は当然メッキはなく、リード素
材(12)がそのまま呂ている。このプレス後にメッキ
を施す方法もあるが、プレス後はマスキングテープ(2
)の貼付け、剥離時や、取り扱いによりリード(1)が
変形しやすいので一般的ではな四糖5a図、第5b図、
第6a図・・・第11b図はリード(1)を使用した従
来の半導体装置の組立ての一例の概略を示すもので、第
5a図、第6a図・・・第11a図は基板の平面図、第
5b図、第6b図・・・第11b図はそれぞれ第5a図
、第6a図・−第118図の右側面図である。図におい
て、(1)はリード、(4)はメッキ部、(5)は基板
、(6)は電極、(71)は予備半田(72)は追加半
田、(8)はベース、(9)は接着剤、(10)は外部
電極である。先ず第5a図、第5b図に示すごとく、リ
ード(1)を半田付にて接続する為の電極(6)が基板
(5)に形成されている !FfA(6)は半田付性の
より金属で構成されるのが一般的である、次に第68図
、第6b図に示すごとく半田付の作業性を更によくする
為に予備半田(71)を、半田付する部分に施しである
。予備半田(71)は、回路を構成する搭載部品、例え
ばコンデンサや半導体素子を、基板(5)上の電極(6
)でパターンニング回路となっている所定の箇所へ半田
付する際に同時に行なわれることが多い。次に第7a図
、第7b図に示すごとく、第238図に示すメッキ部(
4)が電FM(6)の予備半田(71)の部分に合う様
に夫々固定する。
テープ(2)を取り除く。次に第23a図、第23b図
に示すごとく、所定の形状に抜き(プレス)を行う。メ
ッキ部(4)のエッヂ部は当然メッキはなく、リード素
材(12)がそのまま呂ている。このプレス後にメッキ
を施す方法もあるが、プレス後はマスキングテープ(2
)の貼付け、剥離時や、取り扱いによりリード(1)が
変形しやすいので一般的ではな四糖5a図、第5b図、
第6a図・・・第11b図はリード(1)を使用した従
来の半導体装置の組立ての一例の概略を示すもので、第
5a図、第6a図・・・第11a図は基板の平面図、第
5b図、第6b図・・・第11b図はそれぞれ第5a図
、第6a図・−第118図の右側面図である。図におい
て、(1)はリード、(4)はメッキ部、(5)は基板
、(6)は電極、(71)は予備半田(72)は追加半
田、(8)はベース、(9)は接着剤、(10)は外部
電極である。先ず第5a図、第5b図に示すごとく、リ
ード(1)を半田付にて接続する為の電極(6)が基板
(5)に形成されている !FfA(6)は半田付性の
より金属で構成されるのが一般的である、次に第68図
、第6b図に示すごとく半田付の作業性を更によくする
為に予備半田(71)を、半田付する部分に施しである
。予備半田(71)は、回路を構成する搭載部品、例え
ばコンデンサや半導体素子を、基板(5)上の電極(6
)でパターンニング回路となっている所定の箇所へ半田
付する際に同時に行なわれることが多い。次に第7a図
、第7b図に示すごとく、第238図に示すメッキ部(
4)が電FM(6)の予備半田(71)の部分に合う様
に夫々固定する。
次に第8a図、第8b図に示すごとくコテ等でリード(
1)のメッキ部(4)を加熱しつつ、追加半田(72)
を供給するっこの目的は熱を伝えるものがコテ等の場合
、表面が酸化している為、酸化皮膜が形成され、熱の伝
導がさまたげられるので、コテ等の先端を一時的に半田
メッキを行い、表面の酸化皮膜を除去しやすい状態にし
て、半田付けする為である。当然、フフツクス等の供給
を行い、作業後には、洗浄にてこれらを除去する。
1)のメッキ部(4)を加熱しつつ、追加半田(72)
を供給するっこの目的は熱を伝えるものがコテ等の場合
、表面が酸化している為、酸化皮膜が形成され、熱の伝
導がさまたげられるので、コテ等の先端を一時的に半田
メッキを行い、表面の酸化皮膜を除去しやすい状態にし
て、半田付けする為である。当然、フフツクス等の供給
を行い、作業後には、洗浄にてこれらを除去する。
次に第9a図、第9b図に示すごとく、リード(1)の
他端にあたる部分が、溶接しやすい様に所定の曲げ加工
を施す。次に第10a図、第10b図に示すごとく、リ
ード(1)の固定等に使用していた、タイバ一部を切除
する。図に示すE−EKおける断面図を第24図に示す
。
他端にあたる部分が、溶接しやすい様に所定の曲げ加工
を施す。次に第10a図、第10b図に示すごとく、リ
ード(1)の固定等に使用していた、タイバ一部を切除
する。図に示すE−EKおける断面図を第24図に示す
。
更に第11a図、第11b図に示すごとく、基板(5)
をペース(8)に接着剤(9)で接着して、リード(1
)を外部電極(10)へ溶接する。
をペース(8)に接着剤(9)で接着して、リード(1
)を外部電極(10)へ溶接する。
第12図ないし第17図は第78図ないし第11a図に
示した工程を詳細に説明したものである。
示した工程を詳細に説明したものである。
図において、(1)、 (4)、 (71)、 (7
2) 、 (81〜(10)は第11b図に示したもの
と同等である。(11)はコテである。第5図に示すご
とく基板(5)のリード半田付部に予め予備半田(71
)を旌したものの所定位置にリード(1)のメッキ部(
4)がくる様にリード(1)を固定する。次に第13図
に示すごとく追加半田(72)を供給しつつ熱したコテ
(11)にて基板(5)側の予備半田(71)を再溶融
させて、リード(1)のメッキ部(4)と予備半田(7
1)を結合させて、いわゆる半田付を行う。次に第14
図に示すごとく、次工程の溶接が容易となる様にリード
(1)をフォーミングする。次に第15図に示すごとく
タイバ一部を切除後、外部電極(10)とリード(1)
を溶接する。基板(5)はベース(8)に接着剤(9)
にて予め接着しである。第16図は溶接後の第108図
に示すB−Bにおける断面図で、リードは基板(5)と
の半田付部と、溶接部で固定されている。
2) 、 (81〜(10)は第11b図に示したもの
と同等である。(11)はコテである。第5図に示すご
とく基板(5)のリード半田付部に予め予備半田(71
)を旌したものの所定位置にリード(1)のメッキ部(
4)がくる様にリード(1)を固定する。次に第13図
に示すごとく追加半田(72)を供給しつつ熱したコテ
(11)にて基板(5)側の予備半田(71)を再溶融
させて、リード(1)のメッキ部(4)と予備半田(7
1)を結合させて、いわゆる半田付を行う。次に第14
図に示すごとく、次工程の溶接が容易となる様にリード
(1)をフォーミングする。次に第15図に示すごとく
タイバ一部を切除後、外部電極(10)とリード(1)
を溶接する。基板(5)はベース(8)に接着剤(9)
にて予め接着しである。第16図は溶接後の第108図
に示すB−Bにおける断面図で、リードは基板(5)と
の半田付部と、溶接部で固定されている。
〔発明が解決しようとする課題1
従来の半導体装置の製造方法は以上のように行われてい
るので、第16図に示す矢印Aの方向に応力が発生した
場合、半田付部あるいは、溶接部へ力が集中する。特K
F部に引き刺しの応力が集中し、リード素材〜メッキ部
間、メッキ部〜半田間、半田〜半田間、半田〜電極間、
電極〜基板間のいづれか一番弱い箇所が引き剥されるが
、−船釣には、リード素材〜メッキ部間が最も弱く、第
17図に示すごとく、はとんどこの間で剥離が発生する
。リード素材とメッキ部間の密着強度はメッキのプロセ
スで左右されるのでコントロールしにくいう又、矢印A
の方向の応力は、半導体装置の環境温度の変化により、
半導体装置を構成する部材の熱膨張、係数の違いで幌・
ず発生する。従って、この構造の様に先にメッキを施し
たリードの場合、メッキの出来の具合が信頼性を左右す
るなどの問題点があった。
るので、第16図に示す矢印Aの方向に応力が発生した
場合、半田付部あるいは、溶接部へ力が集中する。特K
F部に引き刺しの応力が集中し、リード素材〜メッキ部
間、メッキ部〜半田間、半田〜半田間、半田〜電極間、
電極〜基板間のいづれか一番弱い箇所が引き剥されるが
、−船釣には、リード素材〜メッキ部間が最も弱く、第
17図に示すごとく、はとんどこの間で剥離が発生する
。リード素材とメッキ部間の密着強度はメッキのプロセ
スで左右されるのでコントロールしにくいう又、矢印A
の方向の応力は、半導体装置の環境温度の変化により、
半導体装置を構成する部材の熱膨張、係数の違いで幌・
ず発生する。従って、この構造の様に先にメッキを施し
たリードの場合、メッキの出来の具合が信頼性を左右す
るなどの問題点があった。
この発明は上記の様な問題点を解消するためになされた
もので、半田接合部へ応力が加わってもリード素材とメ
ッキ部へ応力が加わらず、この間の剥離を防止し、信頼
性の高い半導体装置の製造方法を得ることを目的として
いる。
もので、半田接合部へ応力が加わってもリード素材とメ
ッキ部へ応力が加わらず、この間の剥離を防止し、信頼
性の高い半導体装置の製造方法を得ることを目的として
いる。
〔課題を解決するための手段]
この発明に係る半導体装置の製造方法は、先メッキのリ
ードのメッキ部端面を半田付面に面する様に成形し、リ
ード上部へ供給する追加半田と、リード下面に電極へ施
しである予備半田が一体化しやすくし、リード先端を半
田で包む構造としたものである。
ードのメッキ部端面を半田付面に面する様に成形し、リ
ード上部へ供給する追加半田と、リード下面に電極へ施
しである予備半田が一体化しやすくし、リード先端を半
田で包む構造としたものである。
[作用]
この発明における半導体装置の製造方法はリードの半田
付部の構造としてリードの先端が半田で包まれているの
で、第16図に示した矢印Aの方向の応力が加わっても
、リード素材とメッキ界面に応力は加わらず、メッキの
密着度の影昏がリードの引張、強度に反映されず、信頼
性が向上するつ〔実施例] 以下、この発明の一実施例を図について説明する。
付部の構造としてリードの先端が半田で包まれているの
で、第16図に示した矢印Aの方向の応力が加わっても
、リード素材とメッキ界面に応力は加わらず、メッキの
密着度の影昏がリードの引張、強度に反映されず、信頼
性が向上するつ〔実施例] 以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図ないし第4図において(1)、 (41〜(6)
、 (71) 。
、 (71) 。
(8)〜(10)は第11b図の従来例に示したものと
同等であるので説明を省略する。
同等であるので説明を省略する。
次に製造方法について説明する。
第1図の様にリード(1)の先端を曲げ、先端のメッキ
部(4)の端面が半田付面を向く様に成形しておく。
部(4)の端面が半田付面を向く様に成形しておく。
この状態で第13図の従来例に示した様に、追加半田(
72)を行いながら、コテ(11)等でリード(1)上
面より、加熱すると、追加半田(72)はリード(1)
上面のメッキ全面にな・み、ついで、基板(5)の11
1g18(6)上の予備半田(71)の再溶融したもの
と、っながり一体化する。この状態を第2図に示す。第
1図にある様にリード(1)の中央に穴を設けておけば
、熱の伝導や、半田の一体化を促進することができる。
72)を行いながら、コテ(11)等でリード(1)上
面より、加熱すると、追加半田(72)はリード(1)
上面のメッキ全面にな・み、ついで、基板(5)の11
1g18(6)上の予備半田(71)の再溶融したもの
と、っながり一体化する。この状態を第2図に示す。第
1図にある様にリード(1)の中央に穴を設けておけば
、熱の伝導や、半田の一体化を促進することができる。
第3図は、第2図に示すC−Cl7Cおける断面図であ
る。図の様にリード(1)全体が半田に包み込まれてい
るので、第16図の従来例に示した矢印Aのようにリー
ド(1)を引張る様な応力は半日〜電極(6)間、[極
(6)〜基板(5)間に加わり、バラツキが多く強度の
弱い、リード素材(12)〜メッキ部(4)間に加わら
ない構造となる。
る。図の様にリード(1)全体が半田に包み込まれてい
るので、第16図の従来例に示した矢印Aのようにリー
ド(1)を引張る様な応力は半日〜電極(6)間、[極
(6)〜基板(5)間に加わり、バラツキが多く強度の
弱い、リード素材(12)〜メッキ部(4)間に加わら
ない構造となる。
第4図は第3図に示す矢印りの方向から見た側面図であ
る。
る。
第24図の従来例に示した様に’)−ド(1)の素材自
体が予備半田(71)となじみにくいものであれば、リ
ード(1)の側面はプレスで、素材そのものが露出して
いるものであるから、予備半田(71)が付着せず、リ
ード(1)の上下面の予備半田(71)および追加半E
3 (72)は一体化しにくい。又、半田そのもの自体
が溶融状態での表面張力が大きいものであるからリード
(1)上面へ追加半田(72)を行っても、第8図の破
線で示す様にそれ自体がかたまって、しまう。又、追加
半田(72)をあまり多く行うと半田過多となり、種々
の弊害を引き起すこととなり、好ましくない。
体が予備半田(71)となじみにくいものであれば、リ
ード(1)の側面はプレスで、素材そのものが露出して
いるものであるから、予備半田(71)が付着せず、リ
ード(1)の上下面の予備半田(71)および追加半E
3 (72)は一体化しにくい。又、半田そのもの自体
が溶融状態での表面張力が大きいものであるからリード
(1)上面へ追加半田(72)を行っても、第8図の破
線で示す様にそれ自体がかたまって、しまう。又、追加
半田(72)をあまり多く行うと半田過多となり、種々
の弊害を引き起すこととなり、好ましくない。
しかしながら、第3図の構造であれば、リード(1)上
面の追加半田(72)は、リード(1)が曲面である為
、表面張力は少くなり、リード(1)の側面(下方向)
へ流れていく。又、側面も半田付面へ向いている為、上
、下面の半田を隔離する距離も実質短くなり、一体化が
容易となっている。
面の追加半田(72)は、リード(1)が曲面である為
、表面張力は少くなり、リード(1)の側面(下方向)
へ流れていく。又、側面も半田付面へ向いている為、上
、下面の半田を隔離する距離も実質短くなり、一体化が
容易となっている。
以上の様にこの発明によれば、リードの先端部をメッキ
部の端面が半田付面に面する様に成形したので、半田で
リードの先端部を包込む様にすることができ、リードへ
加わる応力がリード素材とメッキの界面に加わらず、メ
ッキの付着強度のバラツキが影響しない為信頼性の高い
半導体装置の製造方法を提供することができる効果があ
る。
部の端面が半田付面に面する様に成形したので、半田で
リードの先端部を包込む様にすることができ、リードへ
加わる応力がリード素材とメッキの界面に加わらず、メ
ッキの付着強度のバラツキが影響しない為信頼性の高い
半導体装置の製造方法を提供することができる効果があ
る。
第1図ないし第4図はこの発明に係る半導体装置の製造
方法によるリードを基板に接合する状況を、工程を追っ
て示すもので、第1図、第2図は斜視図、第3図は第2
図に示すC−Cにおける断面図、第4図は第3図に示す
矢印りの方向から見た側面図、第5a図、第5b図、第
6a図・・−第11b図は従来の半導体装置の製造方法
によるリードを基板に接合する状況を、工程を追って示
す平面図および側面図、第12図ないし第17図は第7
a図、第8a図・・・第11a図に示した工程を接合1
ケ所について工程を追って示すもので、第12図ないし
第15図は斜視図、第16図は第10a図に示すB−B
における断面図、第17図はリードの接合の剥離が発生
する状態を示す第10a図のB・Bにおける断面図、第
18a図、第18b図、第19a図・・−第23b図は
従来の半導体装置の製造方法によるリードのメッキから
抜き(プレス)に至る工程を追って示すリードの平面図
および側面図、第24図は第10a図に示すE−Eにお
ける断面図である。 図において、(1)はリード、(4)はメッキ部、(5
)は基板、(6)は電極、(71)は予備半田、(8)
はペース、(10)は外部電極を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
方法によるリードを基板に接合する状況を、工程を追っ
て示すもので、第1図、第2図は斜視図、第3図は第2
図に示すC−Cにおける断面図、第4図は第3図に示す
矢印りの方向から見た側面図、第5a図、第5b図、第
6a図・・−第11b図は従来の半導体装置の製造方法
によるリードを基板に接合する状況を、工程を追って示
す平面図および側面図、第12図ないし第17図は第7
a図、第8a図・・・第11a図に示した工程を接合1
ケ所について工程を追って示すもので、第12図ないし
第15図は斜視図、第16図は第10a図に示すB−B
における断面図、第17図はリードの接合の剥離が発生
する状態を示す第10a図のB・Bにおける断面図、第
18a図、第18b図、第19a図・・−第23b図は
従来の半導体装置の製造方法によるリードのメッキから
抜き(プレス)に至る工程を追って示すリードの平面図
および側面図、第24図は第10a図に示すE−Eにお
ける断面図である。 図において、(1)はリード、(4)はメッキ部、(5
)は基板、(6)は電極、(71)は予備半田、(8)
はペース、(10)は外部電極を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体装置の製造方法において、使用する溶接用のリ
ボン状のリードの半田付性をよくする為、半田付部にメ
ッキを形状抜き前に施すことによつて形成した上記リー
ドのメッキ部の端面を、半田付面に面する様に、成形し
たリード線を使用することを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2180106A JP2648385B2 (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2180106A JP2648385B2 (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0465158A true JPH0465158A (ja) | 1992-03-02 |
JP2648385B2 JP2648385B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=16077530
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2180106A Expired - Lifetime JP2648385B2 (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2648385B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010034205A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Keihin Corp | 半導体装置 |
JP2015041676A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1990
- 1990-07-05 JP JP2180106A patent/JP2648385B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JP2015041676A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2648385B2 (ja) | 1997-08-27 |
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