JPH0782999B2 - 気相成長膜の形成方法、半導体製造装置、および半 導体装置 - Google Patents

気相成長膜の形成方法、半導体製造装置、および半 導体装置

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JPH0782999B2
JPH0782999B2 JP3082532A JP8253291A JPH0782999B2 JP H0782999 B2 JPH0782999 B2 JP H0782999B2 JP 3082532 A JP3082532 A JP 3082532A JP 8253291 A JP8253291 A JP 8253291A JP H0782999 B2 JPH0782999 B2 JP H0782999B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は気相成長膜の形成方法、
半導体製造装置、および半導体装置に関し、特に半導体
装置の層間絶縁膜に用いられる気相成長膜の形成方法、
半導体製造装置、および半導体装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、絶縁膜を形成するための気相成長
( ＣＶＤ ; Chemical Vapor Deposition) 法には種々の
方式があるが、主としてプラズマＣＶＤ法や熱ＣＶＤ法
が用いられている。ところで、プラズマＣＶＤ法により
形成される絶縁膜はステップカバレージが劣るので、Ｖ
ＬＳＩ（ Very Large Scale Integrated Circuit )、特
にＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等の高密
度・微細なパターンには適しないし、また絶縁膜中にカ
ーボン（Ｃ）等の不純物を含むため、好ましくない。
【０００３】従って、ＤＲＡＭ等のＶＬＳＩの作成には
ステップカバレージの優れた熱ＣＶＤ法、特に熱的に他
に影響を及ばさないような低温で膜形成を可能とする熱
ＣＶＤ法の適用が注目されている。
【０００４】従来のSiO2膜又はSiO2膜をベースとする絶
縁膜の熱ＣＶＤ法による形成方法としては、（イ)SiH4
の酸化、あるいはSiH4にPH3 やB2H4を混合して酸化した
り、（ロ）TEOSに代表されるアルコキシランSi(OR)4 の
熱分解や酸化、あるいはSi(OR)4 にB(OR)3やPO(OR)3 を
混合して酸化する方法がある。
【０００５】ところで、層間絶縁膜には、Ａｌーゲート
間に形成されるものや、ＡｌーＡｌ間に形成されるもの
などがあり、デバイス側からみると、形成工程や膜の特
性として、次の性質が特に要求される。
【０００６】例えば、 ＡｌーＡｌ間の層間絶縁膜に対しては、； 低温成長
が可能であること、； 低ストレス、低ダメージの膜で
あること、； 緻密性が高く、Ａｌのヒロックの抑制す
る膜であること、； 安定した電気的特性を示す膜であ
ること、； 平坦特性をもつ膜であること、； ピンホ
ールの少ない膜であること、； パーティクル生成密度
が少ないこと、； 耐久性が高い膜であること等が要求
される。
【０００７】また、 Ａｌーゲート間の層間絶縁膜に対しては、； 低温リ
フローが可能な膜であること、； 安定した電気的特性
を示す膜であること、； ピンホールの少ない膜である
こと、； パーティクル生成密度が少ないこと等が要求
される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】そこで、従来のＡｌー
Ａｌ間の層間絶縁膜の形成方法としては、図７に示すよ
うに、例えば基板３３上の配線メタル３４上にプラズマ
ＣＶＤ法や常圧ＣＶＤ法による３種類のＣＶＤ膜Ｉ３
５、ＣＶＤ膜II３６、ＣＶＤ膜III ３７を形成したり、
あるいは図８に示すように、平坦化のために中間に塗布
ガラス膜を形成してエッチバックするといった複雑な工
程をとっている。
【０００９】また、Ａｌーゲート間の層間絶縁膜の形成
方法としては、次のような層間絶縁膜の形成方法が提案
されている。
【００１０】 (1) SiH4ーAsH3ーO2による砒素シリケートガラス膜 (2) SiH4ーB2H6ーPH3 ーO2によるホウ素リンシリケート
ガラス膜 (3) TEOSーTMB （Tri Metyl Borate) ーTMOP（Tri Mety
l Phosphate)ーO3によるホウ素リンシリケートガラス膜 (4) TEOSーTMB ーTMOPーO2によるホウ素リンシリケート
ガラス膜 (5) SiH4ーGeH4ーPH3 ーO2によるゲルマニウムシリケー
トガラス膜 しかし、(1) 〜(5) では800 ℃〜900 ℃程度のリフロー
温度の低温化が可能であるが、充分とはいえない。特
に、(2) 〜(4) ではリンやホウ素の添加によりリフロー
温度を下げているが、リンやホウ素の濃度を高くなるに
つれて膜質が不安定となる問題がある。
【００１１】更に、(5) SiH4ーGeH4ーPH3 ーO2によるゲ
ルマニウムシリケートガラス膜を形成する方法によれ
ば、各化合物が水素化物であるため極めて活性に富み、
実際の生産では非常に取扱いにくく、量産化に適しない
という問題がある。
【００１２】本発明はかかる従来の種々の問題に鑑みて
創作されたものであり、ＡｌーＡｌ間の層間絶縁膜、お
よびＡｌーゲート間の層間絶縁膜形成の双方に適し、か
つ量産に適した、改良された気相成長膜の形成方法およ
び半導体装置の提供を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、シ
ロキサン又はアルコキシランを含む有機シラン化合物
と、ゲルマニウムのアルコキシ化合物とを気相中で混合
し、かつこれらの化合物とオゾンとを常圧下で反応させ
て、酸化シリコン及び酸化ゲルマニウム２成分系からな
るガラス薄膜を基板上に形成させることを特徴とする気
相成長膜の形成方法により解決され、第２に、シロキサ
ン又はアルコキシランを含む有機シラン化合物の供給手
段と、ゲルマニウムのアルコキシ化合物の供給手段と、
オゾンの供給手段と、前記有機シラン化合物とアルコキ
シ化合物とを気相中で混合し、かつこれらの化合物とオ
ゾンとを常圧下で反応させる反応室とを備え、該反応室
内の基板上にガラス薄膜を形成することを特徴とする半
導体製造装置により解決され、第３に、シロキサン又は
アルコキシランを含む有機シラン化合物と、ゲルマニウ
ムのアルコキシ化合物とを気相中で混合し、かつこれら
の化合物と酸素とを減圧下で反応させて、酸化シリコン
及び酸化ゲルマニウム２成分系からなるガラス薄膜を基
板上に形成させることを特徴とする気相成長膜の形成方
法。
【００１４】第４に、シロキサン又はアルコキシランを
含む有機シラン化合物の供給手段と、ゲルマニウムのア
ルコキシ化合物の供給手段と、酸素の供給手段と、前記
シロキサン又はアルコキシランを含む有機シラン化合物
とゲルマニウムのアルコキシ化合物とを気相中で混合
し、かつこれらの化合物と酸素とを減圧下で反応させる
反応室とを備え、該反応室内の基板上にガラス薄膜を形
成することを特徴とする半導体製造装置により解決さ
れ、第５に、シロキサン又はアルコキシランを含む有機
シラン化合物と、ゲルマニウムのアルコキシ化合物と、
少なくともリン又はホウ素のいずれかを含むアルコキシ
化合物、又は酸化物、酸塩化物とを混合し、これらの化
合物とオゾンとを常圧下で反応させて、酸化シリコン，
酸化ゲルマニウム，酸化リンの３成分系からなるガラス
薄膜、又は酸化シリコン，酸化ゲルマニウム，酸化ホウ
素の３成分系からなるガラス薄膜、或いは酸化シリコ
ン，酸化ゲルマニウム，酸化リン，酸化ホウ素の４成分
系からなるガラス薄膜を基板上に形成させることを特徴
とする気相成長膜の形成方法により解決され、第６に、
シロキサン又はアルコキシランを含む有機シラン化合物
の供給手段と、ゲルマニウムのアルコキシ化合物の供給
手段と、少なくともリン又はホウ素のいずれかを含むア
ルコキシ化合物、又は酸化物、或いは酸塩化物の供給手
段と、これらの化合物を混合し、かつこらの化合物とオ
ゾンとを常圧下で反応させる反応室を備え、該反応室内
の基板上にガラス薄膜を形成することを特徴とする半導
体製造装置により解決され、第７に、シロキサン又はア
ルコキシランを含む有機シラン化合物と、ゲルマニウム
のアルコキシ化合物と、少なくともリン又はホウ素のい
ずれかを含むアルコキシ化合物、又は酸化物、或いは酸
塩化物とを混合し、これらの化合物と酸素とを減圧下で
反応させて、酸化シリコン，酸化ゲルマニウム，酸化リ
ンの３成分系からなるガラス薄膜、又は酸化シリコン，
酸化ゲルマニウム，酸化ホウ素の３成分系からなるガラ
ス薄膜、或いは酸化シリコン，酸化ゲルマニウム，酸化
リン，酸化ホウ素の４成分系からなるガラス薄膜を基板
上に形成させることを特徴とする気相成長膜の形成方法
により解決され、第８に、シロキサン又はアルコキシラ
ンを含む有機シラン化合物の供給手段と、ゲルマニウム
のアルコキシ化合物の供給手段と、少なくともリン又は
ホウ素のいずれかを含むアルコキシ化合物、又は酸化
物、或いは酸塩化物の供給手段と、酸素の供給手段と、
これらの化合物と酸素とを減圧下で反応させる反応室と
を備え、該反応室内の基板上にガラス薄膜を形成するこ
とを特徴とする半導体製造装置により解決され、第９
に、上記第１，３，５，７に記載の気相成長膜の形成方
法、又は第２，４，６，８に記載の半導体製造装置によ
り形成されたガラス薄膜を層間絶縁膜として用いている
ことを特徴とする半導体装置により解決される。
【００１５】
【作 用】次に本発明の作用について、本願発明者の行
った実験結果により説明する。
【００１６】本発明の特徴は、シリコン、リン、ボロン
の各アルコキシ化合物を用い、かつこれらの化合物にゲ
ルマニウムのアルコキシ化合物を混合して反応させ、Ｃ
ＶＤ膜を形成することにある。
【００１７】即ち、アルコキシ化合物の一般式、 Si(OR)4 Ge(OR)4 B(OR)3 PO(OR)3 又はP(OR)3 （ここで、R はアルキル基及びその誘導体） で示される混合ガスを用いるものである。
【００１８】なお、シリコンについては鎖状シロキサン
や環状シロキサン等のシロキサン系の化合物を用いるこ
ともできる。
【００１９】鎖状シロキサンは、次の一般式で与えら
れ、
【００２０】
【化１】
【００２１】具体例としては、例えばＨＭＤＳ（Hexame
thyldisiloxane)
【００２２】
【化２】
【００２３】がある。
【００２４】また、環状シロキサンは、次の一般式で与
えられ、
【００２５】
【化３】
【００２６】具体例としては、例えばＯＭＣＴＳ（Octa
methylcyclotetrasiloxane)
【００２７】
【化４】
【００２８】がある。
【００２９】これらの混合物は熱分解により、或いはO2
を加えることにより、８００℃までの温度下でＣＶＤガ
ラス膜形成が可能になり、またO3を加えることにより、
４００℃までの温度下での低温ＣＶＤガラス膜の形成が
可能となる。
【００３０】本願発明者の実験では、Si(OR)4 ーGe(OR)
4 ーO3系の反応により４００℃の常圧低温ＣＶＤ反応に
より、SiO2ーGeO2の２成分系からなるガラス薄膜を基板
上に形成した。その結果、ガラス薄膜の屈折率，ストレ
ス，密度等がGeO2の添加量に依存することがわかった。
【００３１】特にGeO2を４０％（モル比）を越えない程
度に添加すると、従来のSiO2のみの膜に比べ、クラック
限界が増大する、Ａｌヒロックの発生が抑制される、自
己平坦性が増す、膜の密度が高くなる、ストレスが小さ
い、という、層間絶縁膜として優れた性質をもつ膜を形
成することができた。
【００３２】このように、本発明で得られたGeO2が添加
されたSiO2とGeO2との混合ガラス膜は、安定した物性を
示している。これは、化合物ソースとして有機ソースを
用いて混合ガラス膜を形成したので、成膜後の膜はすで
にガラスのネットワーク構造をもっており、より安定し
た膜が形成されたものと考えられる。
【００３３】但し、GeO2が５０％（モル比）を越えると
膜の耐水性が劣化する傾向があるので、GeO2の添加量が
あまり多くならないように注意する必要がある。
【００３４】また、Si(OR)4 ーGe(OR)4 ーO3系に、PO(O
R)3 及びB(OR)3を加え、４００℃の常圧低温ＣＶＤ反応
により、４成分系からなるガラス薄膜（GBPSG 膜）を基
板上に形成した。
【００３５】この場合、リンの添加量にもの依存する
が、ゲルマニウムを添加しない従来のBPSG膜に比較し
て、リフロー（reflow) 温度は１００℃程度低下し、７
００〜８００℃で十分なリフローが得られた。
【００３６】以上のことから、GeO2の添加により、ＰＳ
Ｇの軟化点が低下しているものと思われるが、かかる膜
は良好なカバレージを必要とし、さらに低温プロセス化
を指向するＤＲＡＭ等の高密度デバイスにおけるＡｌ配
線ーゲート間の層間絶縁膜に適用すれば極めて有効であ
る。
【００３７】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
【００３８】（１）本発明の実施例に係る常圧ＣＶＤ膜
の形成装置の説明 図１は本発明の実施例に係る常圧ＣＶＤ膜形成方法に用
いられる各反応ガスを混合する装置の概略構成図であ
り、図２は混合された反応ガスをチャンバ内に導いてＣ
ＶＤガラス薄膜を形成するための反応装置の概略構成図
である。る。
【００３９】図１において、１〜５は流量計（ＭＦ
Ｃ）、６〜１５はバルブ、１６は酸素（O2）をオゾン
（O3）に変えるためのオゾン発生器である。また、１７
はシリコンソースとしての液状のSi(OC2H5)4、１８はゲ
ルマニウムソースとしての液状のGe(OC2H5)4、１９はリ
ンソースとしての液状のPO(OC2H5)3、２０はボロンソー
スとしての液状のB(OCH3)3であり、各液体は反応に適し
た特定の温度に設定されている。 図５はシリコンソー
スとしての種々のアルコキシ化合物の液温と蒸気圧との
関係、図６はゲルマニウムソースとしてのアルコキシ化
合物の液温と蒸気圧との関係を示している。図のよう
に、液温をコントロールすることにより各ガスの蒸気圧
を設定することができ、これにより、SiO2ーGeO2の組成
比や堆積速度を調整することができる。
【００４０】また、図２において、２１はガス反応室と
してのチャンバ、２２は混合ガスをチャンバ内のウエハ
表面上に導くためのガス流出用ヘッド、２３はウエハ、
２４はウエハを所定の温度に設定するためのヒータ、２
５はガス排出口である。 （２）本発明の実施例に係る常圧ＣＶＤ膜形成方法の説
明） 次に、図１および図２の装置を用いて、図４に示す半導
体装置の製造工程図を参照しながら、本発明の実施例に
係る常圧ＣＶＤ膜の形成方法について説明する。なお、
図４（ａ）のウエハ２３は、図１のウエハ２３と同一で
あり、ウエハ上には下層のＡｌ配線３１が形成されてい
る。
【００４１】まず、ウエハ２３上にGSG(Germanosilic
ate Glass)膜を形成する場合について、説明する。
【００４２】このウエハ３１上にGSG 膜を形成するとき
には、ヒータ２４によりウエハ２３の温度を４００℃に
設定し、バルブ６および７を開いて３ＳＬＭ（standard
liter／min.）の酸素（O2）を供給してオゾン発生器１
６から含有率４％（O3／O2）のオゾン（O3）を発生させ
る。また、バルブ８を開いて４ＳＬＭのキャリアガスN2
を液温６５℃に設定されたSi(OC2H5)4１７（シリコンソ
ース）に供給し、バルブ９を介してガス化したSi(OC
2H5)4を発生させる。更に、バルブ１０を開いて１ＳＬ
ＭのキャリアガスN2を液温６０℃に設定されたGe(O)4に
供給し、ガス化したGe(O)4を発生させる。そして、これ
らのガスを混合させながら反応チャンバー２１の方へ導
き、ガス流出用ヘッド２２からウエハ２３の表面に吐出
する。
【００４３】これにより、図４（ｂ）に示すように、Si
(OC2H5)4ガス，およびGe(OC2H5)4ガスがオゾンとウエハ
上で表面反応し、ウエハ表面上に膜形成速度1000Å／mi
n.の堆積速度で成長する。このとき堆積した膜の屈折率
は1.48であった。また、膜の組成はSiO2が５０mol ％で
あり、GeO2が２０mol ％であった。
【００４４】このように、本発明の実施例に係るＣＶＤ
膜の形成方法によれば、４００℃の低温で形成できる。
従って、下層のＡｌ膜に与える熱ストレスを少なくする
ことができ、膜質が変わるのを防止することができる。
また、ステップカバレージも良好であるので、従来のよ
うなＣＶＤ膜を複数重ねたり、エッチバック等の複雑な
工程を必要としないので、層間絶縁膜形成工程の簡単化
を図ることができる。
【００４５】特にステップカバレージを良くする必要が
あるときには、次の，の形成方法によって、リンや
ボロンを含有させることにより、ステップカバレージの
一層の改善を図ることができる。
【００４６】すなわち、ウエハ２３上にGPSG(Germano
-phospho-Silicate Glass)膜を形成するときには、更に
バルブ１２〜１３を開いてPO(OR)3 もチャンバー２１内
に供給し、オゾンをSi(OC2H5)4，Ge(OC2H5)4およびPO(O
R)3 に反応させて、ウエハ上にGPSG膜を堆積させる。
【００４７】また、ウエハ２３上にGBPSG (Germanobo
rophosphosilicate Glass)膜を形成するときには、バル
ブ６〜１５の全てを開き、オゾン，Si(OC2H5)4，Ge(OC2
H5)4，PO(OC2H5)3，B(OCH3)3をチャンバー２１内に導
き、ウエハ上にGPSG膜を堆積させる。
【００４８】次いで、，の方法により形成されたGP
SG膜やGBPSG 膜に対して、リフロー処理を行うと、図４
（ｃ）の工程図に示すように、膜全体の平坦化を図るこ
とができる。
【００４９】この場合のリフロー温度は７００〜８００
℃程度で、従来よりも１００℃程度以上の低温化が可能
である。
【００５０】（３）本発明の実施例に係る常圧ＣＶＤ膜
形成方法の実験例の説明） 実験においては、SiO2のソースとしてＴＥＯＳ（Ｒ＝C2
H5）、B2O3のソースとＴＭＢ（Ｒ＝CH3 ）、P2O5のソー
スとしてＴＭＯＰ（Ｒ＝C2H5）、GeO2のソースとしてＴ
ＥＯＧ（Tetraethoxygermanium) （Ｒ＝C2H5）を使用
し、膜の堆積条件として、気相成長温度（Deposition T
emperature) を４００℃、O3濃度を４％、各ソースの温
度／フロー量を、ＴＥＯＳでは６５℃／3.0 ＳＬＭ、Ｔ
ＭＢでは１０℃／0.13ＳＬＭ、ＴＭＯＰではＢでは６０
℃／1.8 ＳＬＭ、ＴＥＯＧでは６０℃／０，１，２，
３，４ＳＬＭに設定して５種類の膜を形成し、それぞれ
の膜の堆積レート、組成比、屈折率、ストレスについて
計測した。
【００５１】その結果、表１のデータが得られた。な
お、組成比（モル％）はＩＣＰ法（Inductively Couled
Plasma Emission Spectrometry,誘電結合プラズマ発光
分析法) により測定し、ストレスは成長した後の状態の
膜(as-ｄeposited) について測定したものである。
【００５２】
【表１】
【００５３】このように、GeO2の添加に伴って膜のスト
レスが減少し、また屈折率が高くなっていることがわか
る。
【００５４】（４）本発明の実施例に係る減圧ＣＶＤ膜
形成装置の説明 図３は本発明の実施例に係るホットウォール方式の減圧
ＣＶＤ装置である。
【００５５】２６は石英チューブ、２７は石英チューブ
の外側に設けられたヒータ炉、２８は縦に多数並べられ
たたウエハ、２９は不図示の真空ポンプに接続されるガ
ス排出口である。また、３０は酸素（O2）、Si(OC2H5)4
ガス、Ge(OC2H5)4ガスの混合ガス、或いはこれら混合ガ
スに必要に応じてPO(OC2H5)3ガス、B(OCH3)3ガス等が混
合されたガスである。
【００５６】（５）本発明の実施例に係る減圧ＣＶＤ膜
形成方法の説明 図３の装置を用いて、本発明の実施例に係る減圧ＣＶＤ
膜の形成方法について説明する。
【００５７】ウエハ２８上にGSG(Germanosilicate Glas
s)膜を形成するときには、ヒータ炉２７によりウエハ２
８の温度を７５０℃に設定し、また真空ポンプにより石
英チューブ２６の真空引きを行って、チューブ内の圧力
を１〜２Torr程度に設定する。
【００５８】次に混合ガス３０を石英チューブ２６内に
導き、混合ガスを反応させると、ウエハ２８の表面に混
合ガスの種類および混合ガスの組成比に応じたＣＶＤ膜
が形成される。
【００５９】混合ガスが、例えば、Si(OC2H5)4，Ge(OC2
H5)4，O2の場合には、GSG 膜が堆積し、Si(OC2H5)4，Ge
(OC2H5)4，PO(OC2H5)3，O2の場合には、GPSG膜が堆積
し、また、Si(OC2H5)4，Ge(OC2H5)4，PO(OC2H5)3，B(OC
H3)3，O2の場合には、GBPSG 膜が堆積する。
【００６０】この減圧ＣＶＤ膜の形成方法によれば、常
圧ＣＶＤ膜の形成方法に比べて膜形成温度が高くなる
が、多数のウエハを処理できるので、スループットの向
上を図ることができる。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の気相成長
膜の形成方法によれば従来の形成方法に比べて膜形成の
低温化を図ることできるので、半導体装置のＡｌーＡｌ
間の層間絶縁膜およびＡｌーゲート間の層間絶縁膜の形
成に最適である。
【００６２】また、気相成長膜のソースとして、シロキ
サン又はアルコキシランを含む有機シラン化合物と、ゲ
ルマニウムのアルコキシ化合物、少なくともリン又はホ
ウ素のいずれかを含むアルコキシ化合物等の有機化合物
を用いているので、取扱いが容易であり、量産化に適し
ている。
【００６３】さらに、気相成長膜（ガラス膜）の中に、
GeO2を含ませることにより、PSG 膜の軟化点が低下する
ので、膜の平坦化のリフロー温度の低下が可能となり、
ゲート（ポリシリコン膜、ポリサイド膜等）や配線（Ａ
ｌ膜等）に対する温度ストレスの影響を少なくすること
ができる。また、膜質も良好であるから、高密度，高微
細，高信頼性の半導体装置の製造を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係る常圧ＣＶＤ膜の形成装置
の説明図である。
【図２】本発明の実施例に係る常圧ＣＶＤ膜の形成装置
の説明図である。
【図３】本発明の実施例に係る減圧ＣＶＤ膜の形成装置
の説明図である。
【図４】本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法の
説明図である。
【図５】シリコンソースとしてのアルコキシ化合物の液
温と蒸気圧との関係を示す図である。
【図６】ゲルマニウムソースとしてのアルコキシ化合物
の液温と蒸気圧との関係をを示す図である。
【図７】従来例の説明図（その１）である。
【図８】従来例の説明図（その２）である。
【符号の説明】
１〜５ 流量計、 ６〜１５ バルブ、 １６ オゾン発生器、 １７ Si(OC2H5)4、 １８ Ge(OC2H5)4、 １９ PO(OC2H5)3，、 ２０ B(OCH3)3、 ２１ チャンバ、 ２２ ガス流出用ヘッド、 ２３、２８ ウエハ、 ２４ ヒータ、 ２５、２９ ガス排出口、 ２６ 石英チューブ、 ２７ ヒータ炉、 ３０ 混合ガス、 ３１ Ａｌ膜、 ３２ GSG 膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 徳増 徳 東京都港区港南２ー13ー29 株式会社半導 体プロセス研究所内 (72)発明者 西本 裕子 東京都港区港南２ー13ー29 株式会社半導 体プロセス研究所内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】シロキサン又はアルコキシランを含む有機
    シラン化合物と、ゲルマニウムのアルコキシ化合物とを
    気相中で混合し、かつこれらの化合物とオゾンとを常圧
    下で反応させて、酸化シリコン及び酸化ゲルマニウム２
    成分系からなるガラス薄膜を基板上に形成させることを
    特徴とする気相成長膜の形成方法。
  2. 【請求項２】シロキサン又はアルコキシランを含む有機
    シラン化合物の供給手段と、ゲルマニウムのアルコキシ
    化合物の供給手段と、オゾンの供給手段と、前記有機シ
    ラン化合物とアルコキシ化合物とを気相中で混合し、か
    つこれらの化合物とオゾンとを常圧下で反応させる反応
    室とを備え、該反応室内の基板上にガラス薄膜を形成す
    ることを特徴とする半導体製造装置。
  3. 【請求項３】シロキサン又はアルコキシランを含む有機
    シラン化合物と、ゲルマニウムのアルコキシ化合物とを
    気相中で混合し、かつこれらの化合物と酸素とを減圧下
    で反応させて、酸化シリコン及び酸化ゲルマニウム２成
    分系からなるガラス薄膜を基板上に形成させることを特
    徴とする気相成長膜の形成方法。
  4. 【請求項４】シロキサン又はアルコキシランを含む有機
    シラン化合物の供給手段と、ゲルマニウムのアルコキシ
    化合物の供給手段と、酸素の供給手段と、前記シロキサ
    ン又はアルコキシランを含む有機シラン化合物とゲルマ
    ニウムのアルコキシ化合物とを気相中で混合し、かつこ
    れらの化合物と酸素とを減圧下で反応させる反応室とを
    備え、該反応室内の基板上にガラス薄膜を形成すること
    を特徴とする半導体製造装置。
  5. 【請求項５】シロキサン又はアルコキシランを含む有機
    シラン化合物と、ゲルマニウムのアルコキシ化合物と、
    少なくともリン又はホウ素のいずれかを含むアルコキシ
    化合物、又は酸化物、酸塩化物とを混合し、これらの化
    合物とオゾンとを常圧下で反応させて、酸化シリコン，
    酸化ゲルマニウム，酸化リンの３成分系からなるガラス
    薄膜、又は酸化シリコン，酸化ゲルマニウム，酸化ホウ
    素の３成分系からなるガラス薄膜、或いは酸化シリコ
    ン，酸化ゲルマニウム，酸化リン，酸化ホウ素の４成分
    系からなるガラス薄膜を基板上に形成させることを特徴
    とする気相成長膜の形成方法。
  6. 【請求項６】シロキサン又はアルコキシランを含む有機
    シラン化合物の供給手段と、ゲルマニウムのアルコキシ
    化合物の供給手段と、少なくともリン又はホウ素のいず
    れかを含むアルコキシ化合物、又は酸化物、或いは酸塩
    化物の供給手段と、これらの化合物を混合し、かつこら
    の化合物とオゾンとを常圧下で反応させる反応室を備
    え、該反応室内の基板上にガラス薄膜を形成することを
    特徴とする半導体製造装置。
  7. 【請求項７】シロキサン又はアルコキシランを含む有機
    シラン化合物と、ゲルマニウムのアルコキシ化合物と、
    少なくともリン又はホウ素のいずれかを含むアルコキシ
    化合物、又は酸化物、或いは酸塩化物とを混合し、これ
    らの化合物と酸素とを減圧下で反応させて、酸化シリコ
    ン，酸化ゲルマニウム，酸化リンの３成分系からなるガ
    ラス薄膜、又は酸化シリコン，酸化ゲルマニウム，酸化
    ホウ素の３成分系からなるガラス薄膜、或いは酸化シリ
    コン，酸化ゲルマニウム，酸化リン，酸化ホウ素の４成
    分系からなるガラス薄膜を基板上に形成させることを特
    徴とする気相成長膜の形成方法。
  8. 【請求項８】シロキサン又はアルコキシランを含む有機
    シラン化合物の供給手段と、ゲルマニウムのアルコキシ
    化合物の供給手段と、少なくともリン又はホウ素のいず
    れかを含むアルコキシ化合物、又は酸化物、或いは酸塩
    化物の供給手段と、酸素の供給手段と、これらの化合物
    と酸素とを減圧下で反応させる反応室とを備え、該反応
    室内の基板上にガラス薄膜を形成することを特徴とする
    半導体製造装置。
  9. 【請求項９】請求項１〜８のいずれかに記載されたガラ
    ス薄膜を層間絶縁膜として用いていることを特徴とする
    半導体装置。
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