JPH0456097A - エレクトロルミネッセンスおよびその製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンスおよびその製造方法Info
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- JPH0456097A JPH0456097A JP2164687A JP16468790A JPH0456097A JP H0456097 A JPH0456097 A JP H0456097A JP 2164687 A JP2164687 A JP 2164687A JP 16468790 A JP16468790 A JP 16468790A JP H0456097 A JPH0456097 A JP H0456097A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 10
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 6
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 abstract description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電界の形成により発光する発光層を備えたエ
レクトロルミネッセンスおよびその製造方法に関するも
のである。
レクトロルミネッセンスおよびその製造方法に関するも
のである。
エレクトロルミネッセンスは、その発光層内に有する発
光素子の作用により、電気エネルギーを光エネルギーに
変換して発光現象を引起こすものであり、従来から、電
卓やデジタル時計のバックアップ光源、あるいは番号表
示やネーム表示等の表示用光源等として広く利用されて
いる。
光素子の作用により、電気エネルギーを光エネルギーに
変換して発光現象を引起こすものであり、従来から、電
卓やデジタル時計のバックアップ光源、あるいは番号表
示やネーム表示等の表示用光源等として広く利用されて
いる。
このエレクトロルミネッセンスは、上記発光素子を有す
る発光層、および誘電体素子を有する誘電体層を備える
とともに、上記発光層に電界を形成する一対の透明電極
を備えている。さらに、これらの表裏両側はガラス基板
によってサンドウィッチ状にカバーされ、小口部分は合
成樹脂によりカバーされており、これによって上記各層
や透明電極の保護が図られている。
る発光層、および誘電体素子を有する誘電体層を備える
とともに、上記発光層に電界を形成する一対の透明電極
を備えている。さらに、これらの表裏両側はガラス基板
によってサンドウィッチ状にカバーされ、小口部分は合
成樹脂によりカバーされており、これによって上記各層
や透明電極の保護が図られている。
上記エレクトロルミネッセンスでは、表裏両面が透湿性
の極めて小さいガラス基板で覆われているものの、小口
部分は合成樹脂でカバーされているのみである。従って
、この部分からエレクトロルミネッセンス内に外気が侵
入し、この外気中の特に水蒸気に発光素子が反応するこ
とにより、この発光素子の劣化が促進され、ひいてはエ
レクトロルミネッセンスの寿命が縮められる不都合があ
る。
の極めて小さいガラス基板で覆われているものの、小口
部分は合成樹脂でカバーされているのみである。従って
、この部分からエレクトロルミネッセンス内に外気が侵
入し、この外気中の特に水蒸気に発光素子が反応するこ
とにより、この発光素子の劣化が促進され、ひいてはエ
レクトロルミネッセンスの寿命が縮められる不都合があ
る。
このような寿命の短縮は、小口部分もガラスでカバーす
ることにより回避できるが、ガラスを小口部分に融着す
るには、低融点のものでも約430℃の加熱が必要であ
る一方、従来のエレクトロルミネッセンスでは発光層お
よび誘電体層を構成するバインダーとして熱に弱い合成
樹脂が用いられているので、上記加熱によってバインダ
ーが熱分解されてしまう。このような事情から、小口部
分の完全な保護は不可能であり、外気の侵入による発光
素子の劣化の促進は回避されていないのが現状である。
ることにより回避できるが、ガラスを小口部分に融着す
るには、低融点のものでも約430℃の加熱が必要であ
る一方、従来のエレクトロルミネッセンスでは発光層お
よび誘電体層を構成するバインダーとして熱に弱い合成
樹脂が用いられているので、上記加熱によってバインダ
ーが熱分解されてしまう。このような事情から、小口部
分の完全な保護は不可能であり、外気の侵入による発光
素子の劣化の促進は回避されていないのが現状である。
本発明は、このような事情に鑑み、エレクトロルミネッ
センス内部への外気、特に水蒸気の侵入を防ぐことによ
り、その寿命を延ばすことができるエレクトロルミネッ
センスを提供することを目的とする。
センス内部への外気、特に水蒸気の侵入を防ぐことによ
り、その寿命を延ばすことができるエレクトロルミネッ
センスを提供することを目的とする。
本発明は、発光素子およびバインダーからなる発光層と
、誘電体素子およびバインダーからなる誘電体層とを備
え、これらの表裏両側に透明電極が配され、これらの透
明電極の外側に各々ガラス基板が配されるエレクトロル
ミネッセンスにおいて、上記発光層および誘電体層にお
けるバインダーが透明セラミックスで構成されるととも
に、小口部分にガラス材料からなるカバー部が配され、
このカバー部によりガラス基板間の空間が密封されてい
るものである。
、誘電体素子およびバインダーからなる誘電体層とを備
え、これらの表裏両側に透明電極が配され、これらの透
明電極の外側に各々ガラス基板が配されるエレクトロル
ミネッセンスにおいて、上記発光層および誘電体層にお
けるバインダーが透明セラミックスで構成されるととも
に、小口部分にガラス材料からなるカバー部が配され、
このカバー部によりガラス基板間の空間が密封されてい
るものである。
また本発明は、上記エレクトロルミネッセンスを製造す
る方法として、透明セラミックスの原料中に発光素子を
溶かしたものを、ガラス基板上に配された透明電極の表
面に塗布し、上記原料に加熱処理を施すことにより透明
セラミックスを生成して発光層を形成した後、この発光
層の上に、透明セラミックスの原料中に誘電体素子を溶
かしたものを塗布し、上記原料に加熱処理を施すことに
より透明セラミックスを生成して誘電体層を形成し、こ
の誘電体層の上に、ガラス基板上に配された透明電極の
表面を接合し、その後、小口部分にカバー部を形成して
ガラス基板間の空間を密封するものである。
る方法として、透明セラミックスの原料中に発光素子を
溶かしたものを、ガラス基板上に配された透明電極の表
面に塗布し、上記原料に加熱処理を施すことにより透明
セラミックスを生成して発光層を形成した後、この発光
層の上に、透明セラミックスの原料中に誘電体素子を溶
かしたものを塗布し、上記原料に加熱処理を施すことに
より透明セラミックスを生成して誘電体層を形成し、こ
の誘電体層の上に、ガラス基板上に配された透明電極の
表面を接合し、その後、小口部分にカバー部を形成して
ガラス基板間の空間を密封するものである。
上記エレクトロルミネッセンスによれば、発光層および
誘電体層を形成するバインダーが耐熱性に優れた透明セ
ラミックスで構成されているので、高温での加熱処理が
可能であり、この加熱によって小口部分にガラスからな
るカバー部が形成されることにより、このカバー部によ
ってエレクトロルミネッセンス内部への水蒸気の侵入が
防がれる。
誘電体層を形成するバインダーが耐熱性に優れた透明セ
ラミックスで構成されているので、高温での加熱処理が
可能であり、この加熱によって小口部分にガラスからな
るカバー部が形成されることにより、このカバー部によ
ってエレクトロルミネッセンス内部への水蒸気の侵入が
防がれる。
本発明の一実施例におけるエレクトロルミネッセンスの
製造方法を図面に基づいて説明する。
製造方法を図面に基づいて説明する。
まず、第1図に示されるように、ガラス基板10の片面
上に、光透過性を有する透明電極12を薄膜状に付着さ
せる。この透明電極】2としては、二酸化スズ(Sn0
2;スズネサ)等の透明導電物質を温度400〜500
℃の下で化学蒸着法(CVD)やスパッタ法により付着
させたものが好適である。
上に、光透過性を有する透明電極12を薄膜状に付着さ
せる。この透明電極】2としては、二酸化スズ(Sn0
2;スズネサ)等の透明導電物質を温度400〜500
℃の下で化学蒸着法(CVD)やスパッタ法により付着
させたものが好適である。
次に、透明セラミックスである 5i02の原料となる
5i−(OH)nの溶液に2nS等の発光素子を溶かし
たものを上記透明電極12の表面に塗布し、これを加熱
し、脱水することにより、第2図に示される発光層14
を形成する。これによって形成された発光層14は、上
記5i−(Olllnの脱水または脱アルコール反応に
より生成された透明セラミックスである 5102から
なるバインダー中に発光素子が分散された構造となって
いる。
5i−(OH)nの溶液に2nS等の発光素子を溶かし
たものを上記透明電極12の表面に塗布し、これを加熱
し、脱水することにより、第2図に示される発光層14
を形成する。これによって形成された発光層14は、上
記5i−(Olllnの脱水または脱アルコール反応に
より生成された透明セラミックスである 5102から
なるバインダー中に発光素子が分散された構造となって
いる。
さらに、この発光層14の上に今度は B1TiO3等
の誘電体素子をSi −(OH)。の溶液に溶かしたも
のを塗布し、これを上記と同様に加熱、脱水することに
より、第3図に示されるような誘電体層16を形成する
。これにより形成された誘電体層16では、上記5i(
Off)nの酸化により生成された5i02からなるバ
インダー中に誘電体素子が分散された状態となっている
。
の誘電体素子をSi −(OH)。の溶液に溶かしたも
のを塗布し、これを上記と同様に加熱、脱水することに
より、第3図に示されるような誘電体層16を形成する
。これにより形成された誘電体層16では、上記5i(
Off)nの酸化により生成された5i02からなるバ
インダー中に誘電体素子が分散された状態となっている
。
なお、同図に示されるように、上記透明電極12には、
電線18を接続しておく。
電線18を接続しておく。
一方、上記第3図に示されるものとは別に、第4図に示
されるように、ガラス基板20の片面に透明電極22を
薄膜状に配し、この透明電極22に電線24を接続した
ものを用意し、この透明電極22の表面と上記誘電体層
]6の表面とを接合する。この状態で、全体を約20[
1〜300℃に加熱し、さらにガラス基板10.20の
小口部分をそれより十数℃高い温度まで加熱し、この小
口部分に低融点の溶融ガラスをコーティングすることに
より、第5図(a)に示されるようなカバー部30を形
成してガラス基板10.20の間の空間を密封する。
されるように、ガラス基板20の片面に透明電極22を
薄膜状に配し、この透明電極22に電線24を接続した
ものを用意し、この透明電極22の表面と上記誘電体層
]6の表面とを接合する。この状態で、全体を約20[
1〜300℃に加熱し、さらにガラス基板10.20の
小口部分をそれより十数℃高い温度まで加熱し、この小
口部分に低融点の溶融ガラスをコーティングすることに
より、第5図(a)に示されるようなカバー部30を形
成してガラス基板10.20の間の空間を密封する。
この工程中、上記空間内の各層14.16は高温状態に
なるが、これらを構成するバインダーは耐熱性に優れた
透明セラミックスである SiO□(耐熱性約600℃
)で構成されているので、変質するおそれがない。
なるが、これらを構成するバインダーは耐熱性に優れた
透明セラミックスである SiO□(耐熱性約600℃
)で構成されているので、変質するおそれがない。
このようにして得られたエレクトロルミネッセンスによ
れば、透湿性が極めて小さいガラス基板10.20およ
びカバー部30で内部が密封されているので、外気、特
に水蒸気はエレクトロルミネッセンス内部に対して極め
て侵入しにくく、このため、従来のエレクトロルミネッ
センスに比べて寿命は著しく延長される。
れば、透湿性が極めて小さいガラス基板10.20およ
びカバー部30で内部が密封されているので、外気、特
に水蒸気はエレクトロルミネッセンス内部に対して極め
て侵入しにくく、このため、従来のエレクトロルミネッ
センスに比べて寿命は著しく延長される。
第6図は、従来のエレクトロルミネッセンス(実線71
)および本発明のエレクトロルミネッセンス(実線72
)を温度45℃、湿度95%の条件下で駆動した時の、
経過時間と輝度率との関係を示したものであり、図にお
いてB、は使用開始時の輝度率、8%はB、の半分の輝
度率を示している。このグラフから明らかなように、従
来のエレクトロルミネッセンスでは、高温多湿条件下で
使用すると輝度率が急激に低下するのに対し、本発明の
エレクトロルミネッセンスでは、その小口部分もガラス
で覆われていることにより、輝度率の低下は緩やかであ
り、上記従来のエレクトロルミネッセンスに比べ、輝度
率が半減するまでの期間は約5倍以上延長される。
)および本発明のエレクトロルミネッセンス(実線72
)を温度45℃、湿度95%の条件下で駆動した時の、
経過時間と輝度率との関係を示したものであり、図にお
いてB、は使用開始時の輝度率、8%はB、の半分の輝
度率を示している。このグラフから明らかなように、従
来のエレクトロルミネッセンスでは、高温多湿条件下で
使用すると輝度率が急激に低下するのに対し、本発明の
エレクトロルミネッセンスでは、その小口部分もガラス
で覆われていることにより、輝度率の低下は緩やかであ
り、上記従来のエレクトロルミネッセンスに比べ、輝度
率が半減するまでの期間は約5倍以上延長される。
さらに、本発明のエレクトロルミネッセンスは、これを
水および10%硫酸中に浸漬して30日間放置しても、
発光特性に変化がないことが確認されている。
水および10%硫酸中に浸漬して30日間放置しても、
発光特性に変化がないことが確認されている。
なお、上記実施例では、バインダーに5i02を使用し
たものを示したが、本発明におけるバインダーは、透明
セラミックスで構成されていればよく、例えば5i2r
Oや、この5i2rOあるいは5i02に丁10゜を混
合したものによっても同様の効果が得られる。
たものを示したが、本発明におけるバインダーは、透明
セラミックスで構成されていればよく、例えば5i2r
Oや、この5i2rOあるいは5i02に丁10゜を混
合したものによっても同様の効果が得られる。
また、上記実施例では、小口部分に低融点ガラスをコー
ティングするものを示したが、それに代え、小口部分を
約600℃まで加熱してこの小口部分のガラス基板10
.20自体を溶融させ、両者を連結して第5図(b)に
示されるようなカバー部30’を形成するようにしても
、上記実施例と同様の効果を得ることができる。
ティングするものを示したが、それに代え、小口部分を
約600℃まで加熱してこの小口部分のガラス基板10
.20自体を溶融させ、両者を連結して第5図(b)に
示されるようなカバー部30’を形成するようにしても
、上記実施例と同様の効果を得ることができる。
以上のように、本発明によれば、次の効果を得ることが
できる。
できる。
まず、請求項1記載のエレクトロルミネッセンスによれ
ば、発光層および誘電体層のバインダーを透明セラミッ
クスで構成することにより、その耐熱性を向上させて加
熱処理を可能にしておく一方、小口部分に、透湿性の極
めて小さい材料であるガラスからなるカバー部を設けて
内部を密封するようにしたものであるので、この内部に
対し、外気、特に水蒸気の侵入はほとんどなく、これに
よってエレクトロルミネッセンス自身の寿命を延ばすこ
とができる効果がある。
ば、発光層および誘電体層のバインダーを透明セラミッ
クスで構成することにより、その耐熱性を向上させて加
熱処理を可能にしておく一方、小口部分に、透湿性の極
めて小さい材料であるガラスからなるカバー部を設けて
内部を密封するようにしたものであるので、この内部に
対し、外気、特に水蒸気の侵入はほとんどなく、これに
よってエレクトロルミネッセンス自身の寿命を延ばすこ
とができる効果がある。
さらに、請求項2記載の方法によれば、透明セラミック
スの原料中に発光素子あるいは誘電体素子を溶かしたも
のを塗布して加熱処理を施すだけで、上記エレクトロル
ミネッセンスにおける発光層および誘電体層を製造する
ことができる。
スの原料中に発光素子あるいは誘電体素子を溶かしたも
のを塗布して加熱処理を施すだけで、上記エレクトロル
ミネッセンスにおける発光層および誘電体層を製造する
ことができる。
第1図乃至第4図は本発明の一実施例におけるエレクト
ロルミネッセンスの製造工程を示す断面図、第5図(a
)は同工程により得られるエレクトロルミネッセンスの
断面図、同図(b)は他の実施例におけるエレクトロル
ミネッセンスの断面図、第6図は従来のエレクトロルミ
ネッセンスおよび本発明のエレクトロルミネッセンスの
駆動時間と輝度率との関係を示すグラフである。 10.20・・・ガラス基板、12.22・・・透明電
極、14・・・発光層、16・・・誘電体層、30゜3
0′・・・カバー部。
ロルミネッセンスの製造工程を示す断面図、第5図(a
)は同工程により得られるエレクトロルミネッセンスの
断面図、同図(b)は他の実施例におけるエレクトロル
ミネッセンスの断面図、第6図は従来のエレクトロルミ
ネッセンスおよび本発明のエレクトロルミネッセンスの
駆動時間と輝度率との関係を示すグラフである。 10.20・・・ガラス基板、12.22・・・透明電
極、14・・・発光層、16・・・誘電体層、30゜3
0′・・・カバー部。
Claims (2)
- 1.発光素子およびバインダーからなる発光層と、誘電
体素子およびバインダーからなる誘電体層とを備え、こ
れらの表裏両側に透明電極が配され、これらの透明電極
の外側に各々ガラス基板が配されるエレクトロルミネッ
センスにおいて、上記発光層および誘電体層におけるバ
インダーが透明セラミックスで構成されるとともに、小
口部分にガラス材料からなるカバー部が配され、このカ
バー部によりガラス基板間の空間が密封されていること
を特徴とするエレクトロルミネッセンス。 - 2.透明セラミックスの原料中に発光素子を溶かしたも
のを、ガラス基板上に配された透明電極の表面に塗布し
、上記原料に加熱処理を施すことにより透明セラミック
スを生成して発光層を形成した後、この発光層の上に、
透明セラミックスの原料中に誘電体素子を溶かしたもの
を塗布し、上記原料に加熱処理を施すことにより透明セ
ラミックスを生成して誘電体層を形成し、この誘電体層
の上に、ガラス基板上に配された透明電極の表面を接合
し、その後、小口部分にカバー部を形成してガラス基板
間の空間を密封することを特徴とするエレクトロルミネ
ッセンスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2164687A JPH0456097A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | エレクトロルミネッセンスおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2164687A JPH0456097A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | エレクトロルミネッセンスおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0456097A true JPH0456097A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15797949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2164687A Pending JPH0456097A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | エレクトロルミネッセンスおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0456097A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5662745A (en) * | 1992-07-16 | 1997-09-02 | Nippon Steel Corporation | Integral engine valves made from titanium alloy bars of specified microstructure |
KR100324767B1 (ko) * | 2000-02-18 | 2002-02-20 | 구자홍 | 반도체 표시소자 및 그 제조방법 |
US6551371B1 (en) | 1998-07-21 | 2003-04-22 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Titanium-based composite material, method for producing the same and engine valve |
KR20030075387A (ko) * | 2002-03-18 | 2003-09-26 | 주식회사 이너텍 | 유기 전계발광 디스플레이 및 그 제조방법 |
-
1990
- 1990-06-22 JP JP2164687A patent/JPH0456097A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5662745A (en) * | 1992-07-16 | 1997-09-02 | Nippon Steel Corporation | Integral engine valves made from titanium alloy bars of specified microstructure |
US6551371B1 (en) | 1998-07-21 | 2003-04-22 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Titanium-based composite material, method for producing the same and engine valve |
KR100324767B1 (ko) * | 2000-02-18 | 2002-02-20 | 구자홍 | 반도체 표시소자 및 그 제조방법 |
KR20030075387A (ko) * | 2002-03-18 | 2003-09-26 | 주식회사 이너텍 | 유기 전계발광 디스플레이 및 그 제조방법 |
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