JPH0547474A - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子Info
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- JPH0547474A JPH0547474A JP3208288A JP20828891A JPH0547474A JP H0547474 A JPH0547474 A JP H0547474A JP 3208288 A JP3208288 A JP 3208288A JP 20828891 A JP20828891 A JP 20828891A JP H0547474 A JPH0547474 A JP H0547474A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 輝度、効率にすぐれた電界発光素子を提供す
る。 【構成】 電極層、絶縁層、発光層、透明電極層、およ
び防湿フイルムからなる電界発光素子において、発光層
と透明電極層の中間に高誘電率樹脂を主体とする組成物
中にパラジウムを0.1〜10重量%含む表面処理層を
0.005〜0.5μmの厚さに設ける。 【効果】 発光層と透明電極層の密着性が向上し、さら
に初期のEL発光輝度を低下することなく、効率の向上
が可能で、かつ寿命にすぐれた電界発光素子を提供でき
た。
る。 【構成】 電極層、絶縁層、発光層、透明電極層、およ
び防湿フイルムからなる電界発光素子において、発光層
と透明電極層の中間に高誘電率樹脂を主体とする組成物
中にパラジウムを0.1〜10重量%含む表面処理層を
0.005〜0.5μmの厚さに設ける。 【効果】 発光層と透明電極層の密着性が向上し、さら
に初期のEL発光輝度を低下することなく、効率の向上
が可能で、かつ寿命にすぐれた電界発光素子を提供でき
た。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電界発光素子(エレクト
ロルミネッセンス発光素子)に関する。
ロルミネッセンス発光素子)に関する。
【0002】さらに詳しくは、発光輝度・効率が良好で
かつ、耐久性に優れた電界発光素子に関する。
かつ、耐久性に優れた電界発光素子に関する。
【0003】
【従来の技術】従来、電界発光素子(以下、ELと略称
することがある。)として、電極層上に絶縁層、発光
層、透明電極層を積層したものが知られている 絶縁層としては、チタン酸バリウム、チタン酸ストロン
チウム、チタン酸鉛などの強誘電体の無機粉末をシアノ
エチルセルロ−スなどのセルロ−ス系高誘電率バインダ
−中に分散したものが用いられている。また、発光層と
しては、銅やマンガンなどをド−プした硫化亜鉛などの
蛍光体粉末をシアノエチルセルロ−スなどのセルロ−ス
系高誘電率バインダ−中に分散したものが用いられてい
る。透明電極層としては、ポリエステルフイルム上に酸
化インジウム・スズ化合物を真空蒸着やスパッタリング
で形成したものが用いられている。
することがある。)として、電極層上に絶縁層、発光
層、透明電極層を積層したものが知られている 絶縁層としては、チタン酸バリウム、チタン酸ストロン
チウム、チタン酸鉛などの強誘電体の無機粉末をシアノ
エチルセルロ−スなどのセルロ−ス系高誘電率バインダ
−中に分散したものが用いられている。また、発光層と
しては、銅やマンガンなどをド−プした硫化亜鉛などの
蛍光体粉末をシアノエチルセルロ−スなどのセルロ−ス
系高誘電率バインダ−中に分散したものが用いられてい
る。透明電極層としては、ポリエステルフイルム上に酸
化インジウム・スズ化合物を真空蒸着やスパッタリング
で形成したものが用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電界発光素子には、次のような問題があった。
電界発光素子には、次のような問題があった。
【0005】すなわち、発光層として用いられている、
銅やマンガンなどをド−プした硫化亜鉛などの蛍光体粉
末をシアノエチルセルロ−スなどのセルロ−ス系高誘電
率バインダ−中に分散したものは、水分を吸着すること
により発光輝度が低下するという問題点や、透明電極層
と発光層との密着性が悪く、発光ムラが発生するという
問題点があった。
銅やマンガンなどをド−プした硫化亜鉛などの蛍光体粉
末をシアノエチルセルロ−スなどのセルロ−ス系高誘電
率バインダ−中に分散したものは、水分を吸着すること
により発光輝度が低下するという問題点や、透明電極層
と発光層との密着性が悪く、発光ムラが発生するという
問題点があった。
【0006】これらの問題点を解決するため、防湿性
の改良に関しては、フッ素フイルム上にさらに無機の防
湿層を形成する方法(特開平2−229032)、密
着性の向上には透明電極層上にパラジウム層を形成する
方法や高誘電率層を形成する方法(特開昭64−811
12、特開平2−72940、特開平2−98436、
特開平2−199791、特開平2−213992、特
開平2−227992)が提案されてきた。
の改良に関しては、フッ素フイルム上にさらに無機の防
湿層を形成する方法(特開平2−229032)、密
着性の向上には透明電極層上にパラジウム層を形成する
方法や高誘電率層を形成する方法(特開昭64−811
12、特開平2−72940、特開平2−98436、
特開平2−199791、特開平2−213992、特
開平2−227992)が提案されてきた。
【0007】しかしながら、に関しては、水分の透過
率を完全にゼロにすることは困難であり、また、に関
しては、パラジウム層の形成や高誘電率層を形成するこ
とにより、ELの発光輝度の低下防止や密着性の改良は
ある程度可能であるが、パラジウム層を形成することに
より、初期のEL発光輝度が低下し、また、高誘電率層
を形成することで消費電力の増大、すなわち、効率の低
下をきたす。
率を完全にゼロにすることは困難であり、また、に関
しては、パラジウム層の形成や高誘電率層を形成するこ
とにより、ELの発光輝度の低下防止や密着性の改良は
ある程度可能であるが、パラジウム層を形成することに
より、初期のEL発光輝度が低下し、また、高誘電率層
を形成することで消費電力の増大、すなわち、効率の低
下をきたす。
【0008】本発明の目的は、パラジウムを発光層と透
明電極層の中間に高誘電率樹脂を介してその中に均一に
分散添加することで効率低下をきたすことなく、寿命と
密着性の双方を改良することにある。
明電極層の中間に高誘電率樹脂を介してその中に均一に
分散添加することで効率低下をきたすことなく、寿命と
密着性の双方を改良することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、電極
層、絶縁層、発光層、透明電極層、および防湿フイルム
からなる電界発光素子において、発光層と透明電極層の
中間に高誘電率樹脂を主体とする組成物中にパラジウム
を0.1〜10重量%含む表面処理層を0.005〜
0.5μmの厚さに設けたことを特徴とする電界発光素
子である。
層、絶縁層、発光層、透明電極層、および防湿フイルム
からなる電界発光素子において、発光層と透明電極層の
中間に高誘電率樹脂を主体とする組成物中にパラジウム
を0.1〜10重量%含む表面処理層を0.005〜
0.5μmの厚さに設けたことを特徴とする電界発光素
子である。
【0010】本発明の電極層には、10〜50μmのア
ルミニウム箔が主として使用されるが電極層はこれに限
定されるものではない。例えば、10〜50μmの銅箔
やポリエステルなどのプラスチックフイルムに銀ペ−ス
トなどを塗布して電極としても良い。
ルミニウム箔が主として使用されるが電極層はこれに限
定されるものではない。例えば、10〜50μmの銅箔
やポリエステルなどのプラスチックフイルムに銀ペ−ス
トなどを塗布して電極としても良い。
【0011】絶縁層は、チタン酸バリウム、チタン酸
鉛、チタン酸ストロンチウムなどの強誘電体粉末を、ジ
メチルホルムアミドなどの溶媒とともに、シアノエチル
セルロ−ス、シアノエチルシュクロ−ス、シアノエチル
化プルラン、酢酸セルロ−スなどの高誘電率バインダ−
中に分散した塗料を、アルミニウム電極層上に10〜5
0μm厚さに塗布乾燥して形成する。
鉛、チタン酸ストロンチウムなどの強誘電体粉末を、ジ
メチルホルムアミドなどの溶媒とともに、シアノエチル
セルロ−ス、シアノエチルシュクロ−ス、シアノエチル
化プルラン、酢酸セルロ−スなどの高誘電率バインダ−
中に分散した塗料を、アルミニウム電極層上に10〜5
0μm厚さに塗布乾燥して形成する。
【0012】発光層は、銅やアルミニウムなどをド−プ
した硫化亜鉛をジメチルホルムアミドなどの溶媒ととも
にシアノエチルセルロ−ス、シアノエチルシュクロ−
ス、シアノエチル化プルラン、酢酸セルロ−スなどの高
誘電率バインダ−中に分散した塗料を、絶縁層上に10
〜50μm厚さに塗布乾燥して形成する。
した硫化亜鉛をジメチルホルムアミドなどの溶媒ととも
にシアノエチルセルロ−ス、シアノエチルシュクロ−
ス、シアノエチル化プルラン、酢酸セルロ−スなどの高
誘電率バインダ−中に分散した塗料を、絶縁層上に10
〜50μm厚さに塗布乾燥して形成する。
【0013】透明電極層はポリエステルフィルムなどの
透明な基体の片面に、酸化インジウム−酸化錫複合酸化
物(以下、ITOと略することがある。)から成る透明
導電層を真空蒸着、スパッタリングなど公知の方法で1
0〜100nm厚みに形成する。
透明な基体の片面に、酸化インジウム−酸化錫複合酸化
物(以下、ITOと略することがある。)から成る透明
導電層を真空蒸着、スパッタリングなど公知の方法で1
0〜100nm厚みに形成する。
【0014】本発明では、前記発光層と透明電極層の間
にパラジウムを0.1〜10重量%含む厚さ0.005
〜0.5μmの高誘電率樹脂を主体とする組成物から成
る表面処理層を設ける。ここで高誘電率樹脂とは誘電率
が5以上、好ましくは10以上、さらに好ましくは15
以上の樹脂をいう。誘電正接が小さく、可視光線に透明
な熱可塑性樹脂が望ましいが熱硬化性樹脂であってもよ
い。また、高誘電率樹脂を主体とする組成物には、誘電
率の低い他の物質が添加されていてもよいが、組成物全
体としての誘電率が少なくとも5以上、好ましくは10
以上、さらに好ましくは15以上となるようにする。
にパラジウムを0.1〜10重量%含む厚さ0.005
〜0.5μmの高誘電率樹脂を主体とする組成物から成
る表面処理層を設ける。ここで高誘電率樹脂とは誘電率
が5以上、好ましくは10以上、さらに好ましくは15
以上の樹脂をいう。誘電正接が小さく、可視光線に透明
な熱可塑性樹脂が望ましいが熱硬化性樹脂であってもよ
い。また、高誘電率樹脂を主体とする組成物には、誘電
率の低い他の物質が添加されていてもよいが、組成物全
体としての誘電率が少なくとも5以上、好ましくは10
以上、さらに好ましくは15以上となるようにする。
【0015】高誘電率樹脂を主体とする組成物中にパラ
ジウムを0.1〜10重量%含む表面処理層の形成法の
例としては、シアノエチルセルロ−ス、シアノエチルシ
ュクロ−ス、シアノエチル化プルラン、酢酸セルロ−ス
などの高誘電率樹脂をジメチルホルムアミドなどの有機
溶剤に溶解し、パラジウムアセチルアセトネ−ト、パラ
ジウムアセテ−トなどの高温で分解してパラジウムを遊
離する有機パラジウム化合物やパラジウム微粉末などを
添加した塗料を透明電極上、あるいは発光層上に塗布
し、乾燥する方法が挙げられる。パラジウムの添加方法
としては、高温で分解してパラジウムを遊離する有機パ
ラジウム化合物を使用するのが分散性などの点で好まし
いが、この場合少なくとも、電界発光素子完成前にパラ
ジウムを遊離させておく必要がある。表面処理層塗布後
の乾燥時にパラジウムを遊離させるのが好ましい。
ジウムを0.1〜10重量%含む表面処理層の形成法の
例としては、シアノエチルセルロ−ス、シアノエチルシ
ュクロ−ス、シアノエチル化プルラン、酢酸セルロ−ス
などの高誘電率樹脂をジメチルホルムアミドなどの有機
溶剤に溶解し、パラジウムアセチルアセトネ−ト、パラ
ジウムアセテ−トなどの高温で分解してパラジウムを遊
離する有機パラジウム化合物やパラジウム微粉末などを
添加した塗料を透明電極上、あるいは発光層上に塗布
し、乾燥する方法が挙げられる。パラジウムの添加方法
としては、高温で分解してパラジウムを遊離する有機パ
ラジウム化合物を使用するのが分散性などの点で好まし
いが、この場合少なくとも、電界発光素子完成前にパラ
ジウムを遊離させておく必要がある。表面処理層塗布後
の乾燥時にパラジウムを遊離させるのが好ましい。
【0016】この表面処理層の塗布厚みは透明導電層と
発光層との十分な接着性を保持するためには、0.00
5〜0.5μmである必要があり、好ましくは0.01
〜0.2μm、最も好ましくは0.02〜0.1μmで
ある。また、この薄膜に含まれるパラジウムはエレクト
ロルミネッセンスの輝度、効率、寿命に重要な役割を示
し、パラジウムの厚みに換算して、好ましくは0.05
〜5nm、さらに好ましくは0.1〜2nm、最も好ま
しくは0.2〜1nmになるように高誘電率樹脂中に添
加する。パラジウム添加量が少ないと寿命が短くなり、
多すぎると輝度、効率が低下する。
発光層との十分な接着性を保持するためには、0.00
5〜0.5μmである必要があり、好ましくは0.01
〜0.2μm、最も好ましくは0.02〜0.1μmで
ある。また、この薄膜に含まれるパラジウムはエレクト
ロルミネッセンスの輝度、効率、寿命に重要な役割を示
し、パラジウムの厚みに換算して、好ましくは0.05
〜5nm、さらに好ましくは0.1〜2nm、最も好ま
しくは0.2〜1nmになるように高誘電率樹脂中に添
加する。パラジウム添加量が少ないと寿命が短くなり、
多すぎると輝度、効率が低下する。
【0017】この表面処理層は本発明の発光素子の製造
工程としては透明電極層側にまず形成するのが好ましい
が、発光層側に形成してもよい。
工程としては透明電極層側にまず形成するのが好ましい
が、発光層側に形成してもよい。
【0018】防湿フイルムは、背面電極、絶縁層、発光
層、透明電極層全体を包み、主として、防湿性のすぐれ
た3フッ化塩化エチレンに熱融着可能なポリエチレン・
酢酸ビニル樹脂を積層したフイルムが一般に使用される
が、必ずしもこれらに限定されるものではない。また、
必要に応じて透明電極、背面電極層と保護シ−トの間に
ポリアミドフィルムなどの捕水層が含まれていてもよ
い。
層、透明電極層全体を包み、主として、防湿性のすぐれ
た3フッ化塩化エチレンに熱融着可能なポリエチレン・
酢酸ビニル樹脂を積層したフイルムが一般に使用される
が、必ずしもこれらに限定されるものではない。また、
必要に応じて透明電極、背面電極層と保護シ−トの間に
ポリアミドフィルムなどの捕水層が含まれていてもよ
い。
【0019】
実施例1〜9 アセトン洗浄した50μmのアルミ箔(昭和アルミ
(株)製)上に、以下に示す塗料組成の絶縁層を40μ
m厚み形成した。
(株)製)上に、以下に示す塗料組成の絶縁層を40μ
m厚み形成した。
【0020】・チタン酸バリウム(ロ−ヌ・プラン社製
ELMIC BT−300) :10g ・シアノエチル化プルラン(信越化学社製 CR−S)
: 5g ・N,N−ジメチルホルムアミド : 5g ・アセトン : 5g 次いで、この絶縁層上に、以下に示す塗料組成の発光層
を35μm厚み形成した。
ELMIC BT−300) :10g ・シアノエチル化プルラン(信越化学社製 CR−S)
: 5g ・N,N−ジメチルホルムアミド : 5g ・アセトン : 5g 次いで、この絶縁層上に、以下に示す塗料組成の発光層
を35μm厚み形成した。
【0021】・ZnS蛍光体(SYLVANIA社製
ELPHOSPHOR 830): 10g ・シアノエチル化プルラン(信越化学社製 CR−S)
: 5g ・N,N−ジメチルホルムアミド : 5g ・アセトン : 5g 次いで、75μmポリエステルフイルムにスパッタリン
グ法により形成したITO透明導電膜(表面抵抗値20
0Ω/□)上に、表1に示す組成からなるパラジウムを
含む高誘電率樹脂の表面処理層を30nm厚さ塗布し
た。
ELPHOSPHOR 830): 10g ・シアノエチル化プルラン(信越化学社製 CR−S)
: 5g ・N,N−ジメチルホルムアミド : 5g ・アセトン : 5g 次いで、75μmポリエステルフイルムにスパッタリン
グ法により形成したITO透明導電膜(表面抵抗値20
0Ω/□)上に、表1に示す組成からなるパラジウムを
含む高誘電率樹脂の表面処理層を30nm厚さ塗布し
た。
【0022】この表面処理層を塗布した透明電極層とア
ルミ箔上に絶縁層/発光層の順に形成したものを、表面
処理層と発光層とを向い合せ、電極を取り出した後、フ
ッ素系の防湿フイルム(日東電工(株)製ニトフロンN
o. 4810)中に入れ、ファ−ストラミネ−タでラミ
ネ−トし、電界発光素子とした。
ルミ箔上に絶縁層/発光層の順に形成したものを、表面
処理層と発光層とを向い合せ、電極を取り出した後、フ
ッ素系の防湿フイルム(日東電工(株)製ニトフロンN
o. 4810)中に入れ、ファ−ストラミネ−タでラミ
ネ−トし、電界発光素子とした。
【0023】
【表1】
【0024】比較例1〜4 アセトン洗浄した50μmのアルミ箔(昭和アルミ
(株)製)上に、実施例1と同一塗料組成の絶縁層を4
0μm厚み形成した。
(株)製)上に、実施例1と同一塗料組成の絶縁層を4
0μm厚み形成した。
【0025】次いで、この絶縁層上に、実施例1と同一
塗料組成の発光層を35μm厚み形成した。
塗料組成の発光層を35μm厚み形成した。
【0026】次いで、75μmポリエステルフイルムに
スパッタリング法により形成したITO透明導電膜(表
面抵抗値200Ω/□)と、アルミ箔上に絶縁層/発光
層の順に形成したものとを、ITO層と発光層とを向い
合せ、電極を取り出した後、フッ素系の防湿フイルム
(日東電工(株)製ニトフロンNo. 4810)中に入
れ、ファ−ストラミネ−タでラミネ−トし、電界発光素
子とした。このものを比較例1とする。
スパッタリング法により形成したITO透明導電膜(表
面抵抗値200Ω/□)と、アルミ箔上に絶縁層/発光
層の順に形成したものとを、ITO層と発光層とを向い
合せ、電極を取り出した後、フッ素系の防湿フイルム
(日東電工(株)製ニトフロンNo. 4810)中に入
れ、ファ−ストラミネ−タでラミネ−トし、電界発光素
子とした。このものを比較例1とする。
【0027】また、75μmポリエステルフイルムにス
パッタリング法により形成したITO透明導電膜(表面
抵抗値200Ω/□)上にスパッタリング法でパラジウ
ムを0.5nm厚さ形成して透明電極としたものを比較
例2とする。
パッタリング法により形成したITO透明導電膜(表面
抵抗値200Ω/□)上にスパッタリング法でパラジウ
ムを0.5nm厚さ形成して透明電極としたものを比較
例2とする。
【0028】75μmポリエステルフイルムにスパッタ
リング法により形成したITO透明導電膜(表面抵抗値
200Ω/□)上にシアノエチル化プルラン(信越化学
社製CR−S)を30nm厚さ塗布して透明電極とした
ものを比較例3とする。
リング法により形成したITO透明導電膜(表面抵抗値
200Ω/□)上にシアノエチル化プルラン(信越化学
社製CR−S)を30nm厚さ塗布して透明電極とした
ものを比較例3とする。
【0029】75μmポリエステルフイルムにスパッタ
リング法により形成したITO透明導電膜(表面抵抗値
200Ω/□)上にスパッタリング法でパラジウムを
0.5nm厚さ形成し、さらにそのうえにシアノエチル
化プルラン(信越化学社製 CR−S)を30nm厚さ
塗布して透明電極としたものを比較例4とする。
リング法により形成したITO透明導電膜(表面抵抗値
200Ω/□)上にスパッタリング法でパラジウムを
0.5nm厚さ形成し、さらにそのうえにシアノエチル
化プルラン(信越化学社製 CR−S)を30nm厚さ
塗布して透明電極としたものを比較例4とする。
【0030】実施例、比較例の特性を表2に示す。
【0031】
【表2】
【0032】表2中の特性の測定には、次の方法を用い
た。
た。
【0033】(イ)密着性 実施例、比較例で作製した電界発光素子を分解し、透明
電極と発光層間で剥離したときの剥離程度により判定す
る。(○:透明電極、表面処理層、発光層のいずれかが
破壊。△:破壊は起こらないが剥離するときに抵抗があ
る。×:抵抗無く剥離する。)
電極と発光層間で剥離したときの剥離程度により判定す
る。(○:透明電極、表面処理層、発光層のいずれかが
破壊。△:破壊は起こらないが剥離するときに抵抗があ
る。×:抵抗無く剥離する。)
【0034】(ロ)輝度 電界発光素子に1kHz、実効値100Vの電界をかけ
たときの発光状態をTectronix社製J16 D
IGITAL PHOTOMETERで測定した。
たときの発光状態をTectronix社製J16 D
IGITAL PHOTOMETERで測定した。
【0035】(ハ)効率 周波数1kHz、輝度200cd/m2 時の電界発光素
子に印加されている電圧、電流から求めた。
子に印加されている電圧、電流から求めた。
【0036】(ニ)劣化テスト 50℃90%RH雰囲気中で100時間電界発光素子に
1kHz、実効値100Vの電界をかけ、発光テストを
行った後、上記と同様に輝度、効率を測定した。
1kHz、実効値100Vの電界をかけ、発光テストを
行った後、上記と同様に輝度、効率を測定した。
【0037】
【発明の効果】本発明の電界発光素子は、面状照明、表
示等の分野に広く用いることができる。中でも、液晶表
示素子や液晶テレビのバックライト、曲面表示、あるい
は自動車、電車などのパネル表示などに用いることがで
きる。
示等の分野に広く用いることができる。中でも、液晶表
示素子や液晶テレビのバックライト、曲面表示、あるい
は自動車、電車などのパネル表示などに用いることがで
きる。
【0038】本発明の電界発光素子は、発光輝度・効率
が良好でかつ、耐久性に優れていることから、 従来のELに較べ、輝度が高い。 効率が良好なため、同じ輝度で消費電力が少ない。 耐久性に優れているため、ELの発光輝度が長時間
保持される。等の効果を有する。
が良好でかつ、耐久性に優れていることから、 従来のELに較べ、輝度が高い。 効率が良好なため、同じ輝度で消費電力が少ない。 耐久性に優れているため、ELの発光輝度が長時間
保持される。等の効果を有する。
【0039】上記のごとく効果が発揮されるのは、高誘
電率を有する表面処理層に添加したパラジウムが電界発
光素子中に侵入してきた水分と作用し、発光層のZnS
の劣化防止の働きをするためと、またITO透明電極層
と発光層の密着性が向上したためと推定される。そのた
め、例えば、水素吸蔵合金なども同様の効果があると考
えられる。
電率を有する表面処理層に添加したパラジウムが電界発
光素子中に侵入してきた水分と作用し、発光層のZnS
の劣化防止の働きをするためと、またITO透明電極層
と発光層の密着性が向上したためと推定される。そのた
め、例えば、水素吸蔵合金なども同様の効果があると考
えられる。
Claims (1)
- 【請求項1】 電極層、絶縁層、発光層、透明電極層、
および防湿フイルムからなる電界発光素子において、発
光層と透明電極層の中間に高誘電率樹脂を主体とする組
成物中にパラジウムを0.1〜10重量%含む表面処理
層を0.005〜0.5μmの厚さに設けたことを特徴
とする電界発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3208288A JPH0547474A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3208288A JPH0547474A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 電界発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0547474A true JPH0547474A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16553771
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3208288A Pending JPH0547474A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 電界発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0547474A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009028945A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Toppan Printing Co Ltd | 光学材料保護用積層体、これを用いたエレクトロルミネッセンス光学素子、及び電気泳動式表示パネル |
JP2009028946A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Toppan Printing Co Ltd | 光学材料保護用積層体、これを用いたエレクトロルミネッセンス光学素子、及び電気泳動式表示パネル |
JP2009223023A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Lintec Corp | 透視性発光シートおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-08-20 JP JP3208288A patent/JPH0547474A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009028945A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Toppan Printing Co Ltd | 光学材料保護用積層体、これを用いたエレクトロルミネッセンス光学素子、及び電気泳動式表示パネル |
JP2009028946A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Toppan Printing Co Ltd | 光学材料保護用積層体、これを用いたエレクトロルミネッセンス光学素子、及び電気泳動式表示パネル |
JP2009223023A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Lintec Corp | 透視性発光シートおよびその製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |