JPH10241857A - 薄膜電場発光素子の製造方法 - Google Patents
薄膜電場発光素子の製造方法Info
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- JPH10241857A JPH10241857A JP9038765A JP3876597A JPH10241857A JP H10241857 A JPH10241857 A JP H10241857A JP 9038765 A JP9038765 A JP 9038765A JP 3876597 A JP3876597 A JP 3876597A JP H10241857 A JPH10241857 A JP H10241857A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板側の電極の膜厚および抵抗値に影響を及ぼ
さない薄膜電場発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】基板１上に少なくとも第１の電極２ａ、第
１の絶縁層３ａ、発光層、第２の絶縁層３ｂおよび第２
の電極２ｂが積層されてなり、第１の電極は外部リード
との接続のために露出された接続端子Ｔを有し、発光層
が硫黄を含む雰囲気中でアニールされる薄膜電場素子の
製造方法において、前記アニール時には前記接続端子は
硫黄を透過させない材料のアニールマスクＭにより被覆
されており、前記アニール後にこのアニールマスクは第
１電極を損傷することなく除去されることとする。
さない薄膜電場発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】基板１上に少なくとも第１の電極２ａ、第
１の絶縁層３ａ、発光層、第２の絶縁層３ｂおよび第２
の電極２ｂが積層されてなり、第１の電極は外部リード
との接続のために露出された接続端子Ｔを有し、発光層
が硫黄を含む雰囲気中でアニールされる薄膜電場素子の
製造方法において、前記アニール時には前記接続端子は
硫黄を透過させない材料のアニールマスクＭにより被覆
されており、前記アニール後にこのアニールマスクは第
１電極を損傷することなく除去されることとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はディスプレイパネル
等に用いられる、薄膜電場発光素子の製造方法に関す
る。
等に用いられる、薄膜電場発光素子の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】フラットパネルディスプレイの一つであ
る薄膜電場発光ディスプレイは、高速応答、広視野角、
高解像度など多くの優れた特長を有し、ＦＡ用、車両搭
載用、携帯用コンピュータの端末の表示装置として注目
されている。従来、黄橙発光が得られるＭｎを添加した
ＺｎＳ（ＺｎＳ：Ｍｎ）を発光層とするモノクロームデ
ィスプレイが市販されていたが、最近、青緑発光が得ら
れるＣｅを添加したＳｒＳ（ＳｒＳ：Ｃｅ）とＺｎＳ：
Ｍｎを積層した発光層を有するＲＧＢフルカラーディス
プレイが市販されるようになった。しかしながら、青色
の色純度が悪く、ＳｒＳ：Ｃｅ膜を高輝度化する必要が
ある。
る薄膜電場発光ディスプレイは、高速応答、広視野角、
高解像度など多くの優れた特長を有し、ＦＡ用、車両搭
載用、携帯用コンピュータの端末の表示装置として注目
されている。従来、黄橙発光が得られるＭｎを添加した
ＺｎＳ（ＺｎＳ：Ｍｎ）を発光層とするモノクロームデ
ィスプレイが市販されていたが、最近、青緑発光が得ら
れるＣｅを添加したＳｒＳ（ＳｒＳ：Ｃｅ）とＺｎＳ：
Ｍｎを積層した発光層を有するＲＧＢフルカラーディス
プレイが市販されるようになった。しかしながら、青色
の色純度が悪く、ＳｒＳ：Ｃｅ膜を高輝度化する必要が
ある。
【０００３】図３は薄膜電場発光パネルを模式的に示
し、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は外部リードとの接
続部の平面図である。ガラス基板１上に短冊状にパター
ニングされた金属薄膜などからなる第１の電極２ａが形
成されており、その上に第１の絶縁層３ａが形成されて
いる。第１の電極２ａの両端は、パネルが完成した後に
この部分に駆動回路とパネルとを接続する外部リード９
（フレキシブルプリント回路基板（以下、ＦＰＣと記
す）を接続するため露出されており、接続端子とされ
る。発光膜４は、例えばＺｎＳ：ＭｎおよびＳｒＳ：Ｃ
ｅの積層膜からなるが、第１の電極２ａ端子部の内側に
形成され、さらに第２の絶縁層３ｂにより被覆されてい
る。さらに、第１の電極２ａと直交するように短冊状に
パターニングされた透明電極である第２の電極２ｂが積
層される。このようにして形成された薄膜電場発光素子
には、封止材７を介してＲＧＢカラーフィルタ５が形成
されているガラス板６が被せられ、防湿用の充填材８が
注入され、封止されて薄膜電場発光パネルとされる。
し、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は外部リードとの接
続部の平面図である。ガラス基板１上に短冊状にパター
ニングされた金属薄膜などからなる第１の電極２ａが形
成されており、その上に第１の絶縁層３ａが形成されて
いる。第１の電極２ａの両端は、パネルが完成した後に
この部分に駆動回路とパネルとを接続する外部リード９
（フレキシブルプリント回路基板（以下、ＦＰＣと記
す）を接続するため露出されており、接続端子とされ
る。発光膜４は、例えばＺｎＳ：ＭｎおよびＳｒＳ：Ｃ
ｅの積層膜からなるが、第１の電極２ａ端子部の内側に
形成され、さらに第２の絶縁層３ｂにより被覆されてい
る。さらに、第１の電極２ａと直交するように短冊状に
パターニングされた透明電極である第２の電極２ｂが積
層される。このようにして形成された薄膜電場発光素子
には、封止材７を介してＲＧＢカラーフィルタ５が形成
されているガラス板６が被せられ、防湿用の充填材８が
注入され、封止されて薄膜電場発光パネルとされる。
【０００４】発光層４の一部を形成する青色発光材料で
あるＳｒＳ：Ｃｅは電子ビーム蒸着などにより成膜され
るが、Ｓ原子の蒸気圧がＳｒ原子に対して大きいため、
形成されたＳｒＳ結晶中には硫黄空孔が存在する。この
ために、フルカラーディスプレイに必要な青色の輝度が
得られないので、発光層成膜後に硫黄蒸気雰囲気中ある
いは硫化水素、六フッ化硫黄などの硫黄原子を含むガス
雰囲気中でアニールを行い、輝度を向上させていた。
あるＳｒＳ：Ｃｅは電子ビーム蒸着などにより成膜され
るが、Ｓ原子の蒸気圧がＳｒ原子に対して大きいため、
形成されたＳｒＳ結晶中には硫黄空孔が存在する。この
ために、フルカラーディスプレイに必要な青色の輝度が
得られないので、発光層成膜後に硫黄蒸気雰囲気中ある
いは硫化水素、六フッ化硫黄などの硫黄原子を含むガス
雰囲気中でアニールを行い、輝度を向上させていた。
【０００５】このアニールを行うときに、第１の電極の
一部が露出していると、硫黄原子を含むガスにより硫化
され、抵抗の増加や第１の電極のガラス基板からの剥離
を引き起こしてしまう。従って、全面をアニールの影響
を第１の電極に及ぼさない材料の薄膜からなるアニール
マスクにより被覆しておく必要がある。従来はこのアニ
ールマスクは第１の絶縁層と第２の絶縁層の積層自体で
あった。
一部が露出していると、硫黄原子を含むガスにより硫化
され、抵抗の増加や第１の電極のガラス基板からの剥離
を引き起こしてしまう。従って、全面をアニールの影響
を第１の電極に及ぼさない材料の薄膜からなるアニール
マスクにより被覆しておく必要がある。従来はこのアニ
ールマスクは第１の絶縁層と第２の絶縁層の積層自体で
あった。
【０００６】第１の電極ａの接続端子の露出工程は、露
出工程時の発光層のダメージを防ぐために、第２の絶縁
層により発光層を被覆した後に行っていた。第１の電極
２ａの接続端子の露出方法として、ウェットエッチン
グ、ドライエッチング、機械研磨等を適用していた。
出工程時の発光層のダメージを防ぐために、第２の絶縁
層により発光層を被覆した後に行っていた。第１の電極
２ａの接続端子の露出方法として、ウェットエッチン
グ、ドライエッチング、機械研磨等を適用していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、アニールと露
出工程を含む薄膜電場発光素子の製造方法には以下に示
すような問題点があった。露出方法がエッチングの場
合、第１の電極層のエッチングレートは絶縁層のそれと
比較して非常に速いため、エッチングを停止するタイミ
ングの正確さが要求され、第１の電極が露出されなかっ
たり、逆に第１の電極の膜厚が減少して高抵抗化してし
まう部分が生ずることがあった。また、第１の電極表面
が変質して高抵抗化することもあった。第１の電極の高
抵抗化は輝度を低下させ、また抵抗値にむらがあると同
一電極線内で電圧が降下して輝度むらの原因となる。
出工程を含む薄膜電場発光素子の製造方法には以下に示
すような問題点があった。露出方法がエッチングの場
合、第１の電極層のエッチングレートは絶縁層のそれと
比較して非常に速いため、エッチングを停止するタイミ
ングの正確さが要求され、第１の電極が露出されなかっ
たり、逆に第１の電極の膜厚が減少して高抵抗化してし
まう部分が生ずることがあった。また、第１の電極表面
が変質して高抵抗化することもあった。第１の電極の高
抵抗化は輝度を低下させ、また抵抗値にむらがあると同
一電極線内で電圧が降下して輝度むらの原因となる。
【０００８】さらに絶縁層としてＡｌ2 Ｏ3 膜などのよ
うに化学的に非常に安定な材料を用いた場合、ウェット
エッチング、プラズマエッチングによりエッチングでき
ないので、機械的強度研磨を適用していたが、その制御
は困難であり、第１の電極の膜厚を減少させずに一様に
することは困難であった。本発明の目的は、上記の問題
点に鑑み、基板側の電極の膜厚および抵抗値に影響を及
ぼさない薄膜電場発光素子の製造方法を提供することに
ある。
うに化学的に非常に安定な材料を用いた場合、ウェット
エッチング、プラズマエッチングによりエッチングでき
ないので、機械的強度研磨を適用していたが、その制御
は困難であり、第１の電極の膜厚を減少させずに一様に
することは困難であった。本発明の目的は、上記の問題
点に鑑み、基板側の電極の膜厚および抵抗値に影響を及
ぼさない薄膜電場発光素子の製造方法を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、基板上に少なくとも第１の電極、第１の絶縁層、
発光層、第２の絶縁層および第２の電極が積層されてな
り、第１の電極は外部リードとの接続のために露出され
た接続端子を有し、発光層が硫黄を含む雰囲気中でアニ
ールされる薄膜電場素子の製造方法において、前記アニ
ール時には前記接続端子は硫黄を透過させない材料のア
ニールマスクにより被覆されており、前記アニール後に
このアニールマスクは第１電極を損傷することなく除去
されることとする。
めに、基板上に少なくとも第１の電極、第１の絶縁層、
発光層、第２の絶縁層および第２の電極が積層されてな
り、第１の電極は外部リードとの接続のために露出され
た接続端子を有し、発光層が硫黄を含む雰囲気中でアニ
ールされる薄膜電場素子の製造方法において、前記アニ
ール時には前記接続端子は硫黄を透過させない材料のア
ニールマスクにより被覆されており、前記アニール後に
このアニールマスクは第１電極を損傷することなく除去
されることとする。
【００１０】前記マスクの材料はII族金属の硫化物であ
り、前記除去は加水分解によってなされると良い。前記
マスクには第１の絶縁層および第２の絶縁層が積層され
おり、これらの絶縁層の除去は前記マスクの除去に伴う
リフトオフによってなされると良い。前記第１の絶縁層
または第２の絶縁層は前記マスクを露出部なく被覆して
おり、前記マスク除去工程前にマスクの一部が露出され
ると良い。
り、前記除去は加水分解によってなされると良い。前記
マスクには第１の絶縁層および第２の絶縁層が積層され
おり、これらの絶縁層の除去は前記マスクの除去に伴う
リフトオフによってなされると良い。前記第１の絶縁層
または第２の絶縁層は前記マスクを露出部なく被覆して
おり、前記マスク除去工程前にマスクの一部が露出され
ると良い。
【００１１】前記第１の絶縁層または第２の絶縁層はＡ
ＬＥにより成膜されていると良い。
ＬＥにより成膜されていると良い。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明に係る製造方法によれば、
アニール時に第１の電極は硫化されないため、低抵抗は
維持され、その表面の外部リード金属との接続性も維持
されており、外部リードとの接続端子の抵抗は高くな
く、そのばらつきは小さく、パネルの発光輝度は損なわ
れず、ばらつきは小さい。
アニール時に第１の電極は硫化されないため、低抵抗は
維持され、その表面の外部リード金属との接続性も維持
されており、外部リードとの接続端子の抵抗は高くな
く、そのばらつきは小さく、パネルの発光輝度は損なわ
れず、ばらつきは小さい。
【００１３】発光層のアニールはアニールマスク成膜後
であれば、発光層成膜後または第２の絶縁層成膜後のい
ずれでもよい。第１の電極として、Ｍｏの他にＷ、Ａｌ
等の金属材料またはＷＳｉなどの金属間化合物を用いる
ことができる。これらの成膜には、電子ビーム（以下Ｅ
Ｂと記す）蒸着、スパッタリング、プラズマＣＶＤ、Ｍ
ＯＣＶＤ、ＡＬＥ等を適用することができる。
であれば、発光層成膜後または第２の絶縁層成膜後のい
ずれでもよい。第１の電極として、Ｍｏの他にＷ、Ａｌ
等の金属材料またはＷＳｉなどの金属間化合物を用いる
ことができる。これらの成膜には、電子ビーム（以下Ｅ
Ｂと記す）蒸着、スパッタリング、プラズマＣＶＤ、Ｍ
ＯＣＶＤ、ＡＬＥ等を適用することができる。
【００１４】絶縁層としては、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＮ、Ｓ
ｉＯＮ、ＳｉＯ2 の材料の他にＴａ 2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、
ＴｉＯ2 、ＨｆＯ2 、Ｂａ2 Ｔａ2 Ｏ5 、ＳｉＴｉ
Ｏ3 、ＳｒＴａ2 Ｏ5 、ＰｒＴｉＯ3 、ＺｒＯ2 などを
用いることができる。これらの薄膜は、ＥＢ蒸着、スパ
ッタリング、プラズマＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ、ＡＬＥ法等
により成膜することができる。
ｉＯＮ、ＳｉＯ2 の材料の他にＴａ 2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、
ＴｉＯ2 、ＨｆＯ2 、Ｂａ2 Ｔａ2 Ｏ5 、ＳｉＴｉ
Ｏ3 、ＳｒＴａ2 Ｏ5 、ＰｒＴｉＯ3 、ＺｒＯ2 などを
用いることができる。これらの薄膜は、ＥＢ蒸着、スパ
ッタリング、プラズマＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ、ＡＬＥ法等
により成膜することができる。
【００１５】特に、アニールマスクを加水分解性の薄膜
材料とすると、水のみを用いてアニールマスク除去を行
うことができるので、第１の電極の表面抵抗を高くせず
に除去工程を行うことができる。加水分解性の薄膜材料
としてはＳｒＳ以外にもＢａＳ、ＣａＳあるいはこれら
の混晶などを用いることができる。これらの材料の成膜
方法としては、電子ビーム蒸着法の他に抵抗加熱蒸着
法、スパッタリング法、有機金属ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ）
法あるいは原子層エピタキシー法（ＡＬＥ法）などが適
用できる。
材料とすると、水のみを用いてアニールマスク除去を行
うことができるので、第１の電極の表面抵抗を高くせず
に除去工程を行うことができる。加水分解性の薄膜材料
としてはＳｒＳ以外にもＢａＳ、ＣａＳあるいはこれら
の混晶などを用いることができる。これらの材料の成膜
方法としては、電子ビーム蒸着法の他に抵抗加熱蒸着
法、スパッタリング法、有機金属ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ）
法あるいは原子層エピタキシー法（ＡＬＥ法）などが適
用できる。
【００１６】水溶性の薄膜を除去する工程の実施は第２
の絶縁層の密度が高く、発光層に水分が浸透しなけれ
ば、アニールおよび第２の絶縁層形成の各工程が終了し
た後のいずれの工程の間におこなってもよい。 実施例１ 図１は本発明に係る実施例の製造工程順の薄膜電場発光
素子の断面図を示し、（ａ）マスク形成後、（ｂ）は第
１および第２の絶縁層の成膜後、（ｃ）は基板側面の研
磨後であり、（ｄ）はリフトオフ後である。
の絶縁層の密度が高く、発光層に水分が浸透しなけれ
ば、アニールおよび第２の絶縁層形成の各工程が終了し
た後のいずれの工程の間におこなってもよい。 実施例１ 図１は本発明に係る実施例の製造工程順の薄膜電場発光
素子の断面図を示し、（ａ）マスク形成後、（ｂ）は第
１および第２の絶縁層の成膜後、（ｃ）は基板側面の研
磨後であり、（ｄ）はリフトオフ後である。
【００１７】先ず、ガラス基板１上に、スパッタにより
厚さ２００nmのＭｏ膜を成膜した後、フォトリソグラフ
ィーによりＭｏ膜を多数のストライプ状にパターニング
して第１の電極２ａとした。第１の電極２ａの両端部の
５mm幅にＳｒＳ：Ｃｅ膜をＥＢ蒸着法により５００nm程
度成膜し、アニールマスクとした（図２（ａ））。後工
程のＳｒＳ：Ｃｅ膜の加水分解除去に適するように、成
膜条件としては、基板加熱は行わず、蒸着速度も数１０
０nm/minと大きく、結晶性を悪化させるようにした。
厚さ２００nmのＭｏ膜を成膜した後、フォトリソグラフ
ィーによりＭｏ膜を多数のストライプ状にパターニング
して第１の電極２ａとした。第１の電極２ａの両端部の
５mm幅にＳｒＳ：Ｃｅ膜をＥＢ蒸着法により５００nm程
度成膜し、アニールマスクとした（図２（ａ））。後工
程のＳｒＳ：Ｃｅ膜の加水分解除去に適するように、成
膜条件としては、基板加熱は行わず、蒸着速度も数１０
０nm/minと大きく、結晶性を悪化させるようにした。
【００１８】次に、原子層エピタキシー（以下、ＡＬＥ
と記す）により厚さ２００nmのＡｌ 2 Ｏ3 膜を成膜し第
１の絶縁膜とした。次いで、ＥＢ蒸着により、厚さ１．
２μm のＳｒＳ：Ｃｅ膜および厚さ０．３μm ＺｎＳ：
Ｍｎ膜を順次積層して発光層とした。発光層の蒸着範囲
は第１の電極の端子部列の内側とした。さらに、ＡＬＥ
によりＡｌ2 Ｏ3 膜を２００nm成膜して第２の絶縁層と
した。ＡＬＥ成膜の場合はマスクを使用できないので、
第１、第２の絶縁層は基板全体を被覆し、基板１の側面
にも回り込んでいる。
と記す）により厚さ２００nmのＡｌ 2 Ｏ3 膜を成膜し第
１の絶縁膜とした。次いで、ＥＢ蒸着により、厚さ１．
２μm のＳｒＳ：Ｃｅ膜および厚さ０．３μm ＺｎＳ：
Ｍｎ膜を順次積層して発光層とした。発光層の蒸着範囲
は第１の電極の端子部列の内側とした。さらに、ＡＬＥ
によりＡｌ2 Ｏ3 膜を２００nm成膜して第２の絶縁層と
した。ＡＬＥ成膜の場合はマスクを使用できないので、
第１、第２の絶縁層は基板全体を被覆し、基板１の側面
にも回り込んでいる。
【００１９】次に、発光層の輝度向上のため、常圧のＡ
ｒとＨ2 Ｓの混合ガス雰囲気中で６３０℃のアニールを
３０分行った。次に、まず全面にスパッタにより厚さ２
００nmのＩＴＯ膜を成膜し、第１の電極のパターン方向
と直交するストライプ状にＩＴＯ膜をパターニングして
第２の電極とした。
ｒとＨ2 Ｓの混合ガス雰囲気中で６３０℃のアニールを
３０分行った。次に、まず全面にスパッタにより厚さ２
００nmのＩＴＯ膜を成膜し、第１の電極のパターン方向
と直交するストライプ状にＩＴＯ膜をパターニングして
第２の電極とした。
【００２０】上記の工程により作製した薄膜電場発光素
子に対向して、カラーフィルタ付きのガラス基板を封止
材を介して被せ、充填材を注入し、封止して、薄膜電場
発光パネルとした（図３参照）。薄膜電場発光素子のガ
ラス基板の側面を機械研磨し絶縁層を除去し、接続端子
上のＳｒＳ：Ｃｅ膜の側面を露出させた。この状態で、
パネル全体を純水中に浸漬させ、ＳｒＳ：Ｃｅ膜のアニ
ールマスクを加水分解させると、約１時間でＳｒＳ：Ｃ
ｅは純水中に溶解して除去され、アニールマスクを被覆
していたＡｌ2 Ｏ 3 膜はアニールマスクの辺の段差部で
容易に割れて、分離された（図２（ｄ））。超音波洗浄
を行うとＳｒＳ：Ｃｅ膜の加水分解、除去は促進され
る。こうして、第１の電極の端子部が露出され、接続端
子が形成される。
子に対向して、カラーフィルタ付きのガラス基板を封止
材を介して被せ、充填材を注入し、封止して、薄膜電場
発光パネルとした（図３参照）。薄膜電場発光素子のガ
ラス基板の側面を機械研磨し絶縁層を除去し、接続端子
上のＳｒＳ：Ｃｅ膜の側面を露出させた。この状態で、
パネル全体を純水中に浸漬させ、ＳｒＳ：Ｃｅ膜のアニ
ールマスクを加水分解させると、約１時間でＳｒＳ：Ｃ
ｅは純水中に溶解して除去され、アニールマスクを被覆
していたＡｌ2 Ｏ 3 膜はアニールマスクの辺の段差部で
容易に割れて、分離された（図２（ｄ））。超音波洗浄
を行うとＳｒＳ：Ｃｅ膜の加水分解、除去は促進され
る。こうして、第１の電極の端子部が露出され、接続端
子が形成される。
【００２１】上記の第１の電極からは、硫黄原子が微量
検出されたが、電極表面抵抗およびバルク抵抗はアニー
ル前と変わりはなく、接続端子としての低抵抗は維持さ
れていた。予め電極をパターニングした、ＦＰＣを第１
電極に接続し、パネルの発光輝度を調べたところ、輝度
は高く、均一であった。
検出されたが、電極表面抵抗およびバルク抵抗はアニー
ル前と変わりはなく、接続端子としての低抵抗は維持さ
れていた。予め電極をパターニングした、ＦＰＣを第１
電極に接続し、パネルの発光輝度を調べたところ、輝度
は高く、均一であった。
【００２２】以上説明したように、本発明の製造方法に
より、第１の電極にダメージを与えずに、発光層のアニ
ールと、その上を覆っている絶縁膜を除去することがで
きるようになった。従って、第１の電極の高抵抗化を防
ぐことができる。また、化学的に非常に安定なＡｌ2 Ｏ
3 膜などのような絶縁材料も容易に除去することができ
るようになった。 実施例２ 図２は本発明に係る他の実施例の製造工程順の薄膜電場
発光素子の断面図を示し、（ａ）は第１および第２の絶
縁層の成膜後、（ｂ）はマスク形成後、（ｃ）はマスク
除去後である。
より、第１の電極にダメージを与えずに、発光層のアニ
ールと、その上を覆っている絶縁膜を除去することがで
きるようになった。従って、第１の電極の高抵抗化を防
ぐことができる。また、化学的に非常に安定なＡｌ2 Ｏ
3 膜などのような絶縁材料も容易に除去することができ
るようになった。 実施例２ 図２は本発明に係る他の実施例の製造工程順の薄膜電場
発光素子の断面図を示し、（ａ）は第１および第２の絶
縁層の成膜後、（ｂ）はマスク形成後、（ｃ）はマスク
除去後である。
【００２３】この実施例では、薄膜電場発光素子の成膜
順は実施例１と同じであるが、マスク成膜が可能なスパ
ッタにより、第１電極の接続部をマスクして、第１のお
よび第２の絶縁層を成膜した。絶縁層材料は窒化ケイ素
とした。次に、少なくとも第１電極の接続部をＥＢ蒸着
のＢａＳ膜により被覆し、アニールマスクとしたあと、
発光層のアニールを行った。
順は実施例１と同じであるが、マスク成膜が可能なスパ
ッタにより、第１電極の接続部をマスクして、第１のお
よび第２の絶縁層を成膜した。絶縁層材料は窒化ケイ素
とした。次に、少なくとも第１電極の接続部をＥＢ蒸着
のＢａＳ膜により被覆し、アニールマスクとしたあと、
発光層のアニールを行った。
【００２４】各層の厚さは実施例１と同じとした。以降
実施例１と同様に薄膜電場発光パネルを組み立てた後、
パネルを水中に浸漬し加水分解させて、ＢａＳマスクを
除去し、第１電極の接続部を露出させた。予め電極をパ
ターニングした、ＦＰＣを第１電極に接続し、パネルの
発光輝度を調べたところ、輝度は高く、均一であった。
実施例１と同様に薄膜電場発光パネルを組み立てた後、
パネルを水中に浸漬し加水分解させて、ＢａＳマスクを
除去し、第１電極の接続部を露出させた。予め電極をパ
ターニングした、ＦＰＣを第１電極に接続し、パネルの
発光輝度を調べたところ、輝度は高く、均一であった。
【００２５】本発明により、ＥＬディスプレイの品質が
向上するばかりか、第１の電極の接続端子を露出させる
ために特別な装置が不要であり、かつ所要時間も従来の
方法と比較して短縮できるため、大幅なコスト低減が可
能となる。
向上するばかりか、第１の電極の接続端子を露出させる
ために特別な装置が不要であり、かつ所要時間も従来の
方法と比較して短縮できるため、大幅なコスト低減が可
能となる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、基板上に少なくとも第
１の電極、第１の絶縁層、発光層、第２の絶縁層および
第２の電極が積層されてなり、第１の電極は外部リード
との接続のために露出された接続端子を有し、発光層が
硫黄を含む雰囲気中でアニールされる薄膜電場素子の製
造方法において、前記アニール時には前記接続部は硫黄
を透過させない材料のアニールマスクにより被覆し、前
記アニール後にこのアニールマスクは第１電極を損傷す
ることなく除去するようにしたため、第１の電極はアニ
ールおよびアニールマスクの除去の影響を受けずに、硫
化されないため、膜質の変化もなく、膜厚のばらつきも
ない。従って、輝度は高く、そのばらつきも小さく、良
好な薄膜電場発光層パネルを得ることができる。
１の電極、第１の絶縁層、発光層、第２の絶縁層および
第２の電極が積層されてなり、第１の電極は外部リード
との接続のために露出された接続端子を有し、発光層が
硫黄を含む雰囲気中でアニールされる薄膜電場素子の製
造方法において、前記アニール時には前記接続部は硫黄
を透過させない材料のアニールマスクにより被覆し、前
記アニール後にこのアニールマスクは第１電極を損傷す
ることなく除去するようにしたため、第１の電極はアニ
ールおよびアニールマスクの除去の影響を受けずに、硫
化されないため、膜質の変化もなく、膜厚のばらつきも
ない。従って、輝度は高く、そのばらつきも小さく、良
好な薄膜電場発光層パネルを得ることができる。
【図１】本発明に係る実施例の製造工程順の薄膜電場発
光素子の断面図を示し、（ａ）マスク形成後、（ｂ）は
第１および第２の絶縁層の成膜後、（ｃ）は基板側面の
研磨後であり、（ｄ）はリフトオフ後
光素子の断面図を示し、（ａ）マスク形成後、（ｂ）は
第１および第２の絶縁層の成膜後、（ｃ）は基板側面の
研磨後であり、（ｄ）はリフトオフ後
【図２】本発明に係る他の実施例の製造工程順の薄膜電
場発光素子の断面図を示し、（ａ）は第１および第２の
絶縁層の成膜後、（ｂ）はマスク形成後、（ｃ）はマス
ク除去後
場発光素子の断面図を示し、（ａ）は第１および第２の
絶縁層の成膜後、（ｂ）はマスク形成後、（ｃ）はマス
ク除去後
【図３】薄膜電場発光パネルを模式的に示し、（ａ）は
断面図であり、（ｂ）は外部リードとの接続部の平面図
断面図であり、（ｂ）は外部リードとの接続部の平面図
１ 基板 ２ａ 第１の電極層 ３ａ 第１の絶縁層 ４ 発光層 ２ｂ 第２の電極層 ３ｂ 第２の絶縁層 ５ カラーフィルタ ６ ガラス板 ７ 封止材 ８ 充填材 ９ フレキシブル回路 ９ａ フレキシブル基板 ９ｂ リード部 Ｍ アニールマスク Ｔ 接続端子
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に少なくとも第１の電極、第１の絶
縁層、発光層、第２の絶縁層および第２の電極が積層さ
れてなり、第１の電極は外部リードとの接続のために露
出された接続端子を有し、発光層が硫黄を含む雰囲気中
でアニールされる薄膜電場素子の製造方法において、前
記アニール時には前記接続端子は硫黄を透過させない材
料のアニールマスクにより被覆されており、前記アニー
ル後にこのアニールマスクは第１電極を損傷することな
く除去されることを特徴とする薄膜電場発光素子の製造
方法。 - 【請求項２】前記マスクの材料はII族金属の硫化物であ
り、前記除去は加水分解によってなされることを特徴と
する請求項１に記載の薄膜電場発光素子の製造方法。 - 【請求項３】前記マスクには第１の絶縁層および第２の
絶縁層が積層されおり、これらの絶縁層の除去は前記マ
スクの除去に伴うリフトオフによってなされることを特
徴とする請求項１または２に記載の薄膜電場発光素子の
製造方法。 - 【請求項４】前記第１の絶縁層または第２の絶縁層は前
記マスクを露出部なく被覆しており、前記マスク除去工
程前にマスクの一部が露出されることを特徴とする請求
項３に記載の薄膜電場発光素子の製造方法。 - 【請求項５】前記第１の絶縁層または第２の絶縁層はＡ
ＬＥにより成膜されていることを特徴とする請求項４に
記載の薄膜電場発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9038765A JPH10241857A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 薄膜電場発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9038765A JPH10241857A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 薄膜電場発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10241857A true JPH10241857A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12534392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9038765A Pending JPH10241857A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 薄膜電場発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10241857A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001093661A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置及び電子装置 |
| JP2004006254A (ja) * | 2003-02-13 | 2004-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| JP2006196466A (ja) * | 2006-03-09 | 2006-07-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
| JP2006261123A (ja) * | 2006-03-17 | 2006-09-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | カーオーディオ、表示装置、音響再生装置、及び携帯情報端末 |
| US7222981B2 (en) | 2001-02-15 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| JP2011071141A (ja) * | 1999-09-17 | 2011-04-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置及び電子装置 |
| JP2011100743A (ja) * | 2011-01-10 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置 |
| JP2012049168A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Japan Science & Technology Agency | 有機デバイスの製造方法および当該製法で得られた有機デバイス |
| JP2013179089A (ja) * | 2013-06-20 | 2013-09-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| JP2014013396A (ja) * | 1999-10-26 | 2014-01-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
-
1997
- 1997-02-24 JP JP9038765A patent/JPH10241857A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9735218B2 (en) | 1999-09-17 | 2017-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and method for manufacturing the same |
| US9431470B2 (en) | 1999-09-17 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| JP2011071141A (ja) * | 1999-09-17 | 2011-04-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置及び電子装置 |
| US9059049B2 (en) | 1999-09-17 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device |
| JP2001093661A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置及び電子装置 |
| JP2014013396A (ja) * | 1999-10-26 | 2014-01-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2017084804A (ja) * | 1999-10-26 | 2017-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US9391132B2 (en) | 1999-10-26 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2016054163A (ja) * | 1999-10-26 | 2016-04-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2015092482A (ja) * | 1999-10-26 | 2015-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US8933624B2 (en) | 1999-10-26 | 2015-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7222981B2 (en) | 2001-02-15 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| JP4641707B2 (ja) * | 2003-02-13 | 2011-03-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2004006254A (ja) * | 2003-02-13 | 2004-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| JP4663554B2 (ja) * | 2006-03-09 | 2011-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
| JP2006196466A (ja) * | 2006-03-09 | 2006-07-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
| JP4663560B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2011-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | カーオーディオ、音響再生装置および携帯情報端末 |
| JP2006261123A (ja) * | 2006-03-17 | 2006-09-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | カーオーディオ、表示装置、音響再生装置、及び携帯情報端末 |
| JP2012049168A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Japan Science & Technology Agency | 有機デバイスの製造方法および当該製法で得られた有機デバイス |
| JP2011100743A (ja) * | 2011-01-10 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置 |
| JP2013179089A (ja) * | 2013-06-20 | 2013-09-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
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