JPH0452440B2 - - Google Patents

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JPH0452440B2
JPH0452440B2 JP58141458A JP14145883A JPH0452440B2 JP H0452440 B2 JPH0452440 B2 JP H0452440B2 JP 58141458 A JP58141458 A JP 58141458A JP 14145883 A JP14145883 A JP 14145883A JP H0452440 B2 JPH0452440 B2 JP H0452440B2
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JP
Japan
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radiation image
undercoat layer
phosphor
resin
layer
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Application number
JP58141458A
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English (en)
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JPS6033099A (ja
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Akio Ishizuka
Hisashi Yamazaki
Kikuo Yamazaki
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
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Priority to US06/635,835 priority patent/US4567371A/en
Priority to DE8484109064T priority patent/DE3467458D1/de
Priority to EP84109064A priority patent/EP0133683B1/en
Priority to CA000460180A priority patent/CA1246400A/en
Publication of JPS6033099A publication Critical patent/JPS6033099A/ja
Publication of JPH0452440B2 publication Critical patent/JPH0452440B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K4/00Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、放射線変換パネルに関するものであ
る。さらに詳しくは、本発明は、支持体、下塗り
層および蛍光体層をこの順序で有する放射線像変
換パネルに関するものである。 放射線像を画像として得る方法として、従来よ
り、銀塩感光材料からなる乳剤層を有する放射線
写真フイルムと増感紙(増感スクリーン)とを組
合わせた、いわゆる放射線写真法が採用されてい
る。最近、上記放射線写真法に代る方法の一つと
して、たとえば、特開昭55−12145号公報などに
記載されているような輝尽性蛍光体を用いる放射
線像変換方法が注目されるようになつた。この放
射線像変換方法は、輝尽性蛍光体を有する放射線
変換パネル(蓄積性蛍光体シート)を利用するも
ので、被写体を透過した放射線、あるいは被検体
から発せられた放射線を該パネルの輝尽性蛍光体
に吸収させ、そののちに輝尽性蛍光体を可視光線
および赤外線から選ばれる電磁波(励起光)で時
系列的に励起することにより、該輝尽性蛍光体中
に蓄積されている放射線エネルギーを蛍光(輝尽
発光)として放出させ、この蛍光を光電的に読取
つて電気信号を得、得られた電気信号を画像化す
るものである。 上述の放射線像変換方法によれば、従来の放射
線写真法による場合に比較して、はるかに少ない
被曝線量で情報量の豊富な放射線画像を得ること
ができるという利点がある。従つて、この放射線
像変換方法は、特に医療診断を目的とするX線撮
影等の直接医療用放射線撮影において利用価値の
非常に高いものである。 上記の放射線像変換方法に用いる放射線像変換
パネルは、基本構造として、支持体と、その片面
に設けられた蛍光体層とからなるものである。な
お、この蛍光体層の支持体とは反対側の表面(支
持体に面していない側の表面)には一般に、透明
な保護膜が設けられていて、蛍光体層を化学的な
変質あるいは分離的な衝撃から保護している。 蛍光体層は、輝尽性蛍光体と、これを分散状態
で含有支持する結合剤とからなるものであり、こ
の輝尽性蛍光体は、X線などの放射線を吸収した
のち、可視光線および赤外線から選ばれる電磁波
の照射を受けると発光(輝尽発光)を示す性質を
有するものである。従つて、被写体を通過した、
あるいは被検体から発せされた放射線は、その放
射線量に比例して放射線変換パネルの蛍光体層に
吸収され、放射線像変換パネル上には被写体ある
いは被検体の放射線像が放射線エネルギーの蓄積
像として形成される。この蓄積像は、可視光線お
よび赤外線から選ばれる電磁波(励起光)で励起
することにより輝尽発光(蛍光)として放射させ
ることができ、この輝尽発光を光電的に読み取つ
て電気信号に変換することにより放射線エネルギ
ーの蓄積像を画像化することが可能となる。 放射線変換方法は上述のように非常に有利な画
像形成方法であるが、この方法に用いられる放射
線像変換パネルは従来の放射線写真法に用いられ
る増感紙と異なり、放射線の照射によつてパネル
に蓄積された放射線エネルギーを励起光の照射に
よる読み出しを行なうため、通常は一回の使用時
毎に搬送、積重ねなどの移動操作に供される。従
つて、従来の増感紙よりも使用状況が厳しく、機
械的強度および耐久性において優れていることが
望まれる。 すなわち、放射線像変換パネルはその使用時に
おいて、衝撃、落下、曲げ等の機械的刺激が与え
られた場合でも、支持体と蛍光体層が簡単に分離
することがないように充分な機械的強度を持つ必
要がある。特に、放射線変換パネル自体は放射線
による照射、および可視光線から赤外線にわたる
電磁波の照射によつても殆ど変質することがない
ため、長期間にわたつて繰り返し使用されうる
が、そのような繰り返しの使用に耐えるためには
放射線照射、その後の電磁波照射などによる放射
線像の画像化、および残存している放射線像情報
の消去などの操作における放射線像変換パネルの
取扱いの際に機械的衝撃が与えられても支持体と
蛍光体層とが分離するような障害が発生しないこ
とが必要である。 たとえば、放射線像変換パネルの感度を高める
ために、蛍光体層における結合剤と輝尽性蛍光体
との混合比(結合剤/輝尽性蛍光体)を小さくし
て輝尽性蛍光体を高密度で充填した場合には、得
られる放射線像変換パネルの機械的強度、特に支
持体と蛍光体層との密着強度は低下する傾向にあ
る。また、用いられる蛍光体粒子および結合剤の
種類、結合剤溶液(塗布液)の塗布条件などによ
り蛍光体粒子が下方(支持体側)に沈降した状態
で蛍光体層が形成された場合にも、支持体と蛍光
体層との密着強度は低下しがちである。 上記のような支持体と蛍光体層との間の密着強
度の低下を解消する技術としては、この支持体と
蛍光体層との間に下塗り層を設けることが既によ
く知られている。下塗り層の材料としては、従来
より合成樹脂などからなる通常の接着剤が用いら
れている。 しかしながら、支持体表面に下塗り層を形成す
ることによつて蛍光体層との密着強度は増大する
が、従来において蛍光体層の塗膜形成の際に、下
塗り層がこの塗布液に含まれる溶剤によつて一度
膨潤したのち収縮を起こすために、得られた蛍光
体層には亀裂(クラツク)が生じやすいという問
題があつた。特に、下塗り層が柔らかく、それに
対して蛍光体層の結合剤が高度の比較的高いもの
である場合にはクラツクが発生する傾向にある。
この蛍光体層におけるクラツクの発生は、放射線
像変換パネルに対し機械的強度の低下を引き起こ
すのみならず、画質の低下した画像を与える原因
ともなるために、放射線像変換パネルにおいては
蛍光体層におけるクラツクの発生を抑制すること
が要求されていた。 また、蛍光体層の上に保護膜が設けられた放射
線像変換パネルにおいて、通常、保護膜の形成
は、ポリエチレンテレフタレートフイルム等から
なる保護膜を蛍光体層表面に接着剤を用いて加温
加圧して積層(ラミネート)することにより行な
われているが、下塗り層が充分な硬度を有してい
ない場合には、このラミネートの際に下塗り層の
一部がつぶれたり、横すべりをするなどの層圧に
ムラが生じるために、支持体と蛍光体層との間に
はずれが生じることになる。このようなパネルの
塑性変形の結果として、得られた放射線像変換パ
ネルの保護膜表面にはシワ状の歪み(いわゆるラ
ミジワ)が発生したり、あるいはまたパネル全体
が変形して曲面(カール)状となるなどパネルの
ラミネート加工に問題があり、その操作が容易な
ものではなかつた。 従つて、本発明は、蛍光体層におけるクラツク
の発生を抑制した下塗り層を有する放射線像変換
パネルを提供することをその目的とするものであ
る。 また、本発明は、保護膜のラミネート時におけ
るラミジワの発生およびパネルのカールが減少し
た下塗り層を有する放射線像変換パネルを提供す
ることもその目的とするものである。 上記の目的は、支持体、下塗り層、および輝尽
性蛍光体を分散状態で含有支持する結合剤からな
る蛍光体層をこの順序で有する放射線変換パネル
において、 該下塗り層に、平均粒子径が1〜30μmの範囲
の微粒子が下塗り層の樹脂に対して1〜200%
(重量%)の範囲で含有されていることを特徴と
する本発明の放射線像変換パネルにより達成する
ことができる。 次に本発明を詳しく説明する。 本発明は、放射線像変換パネルの下塗り層に微
粒子を含有させることにより、放射線像変換パネ
ルにおいて、パネルの機械的強度の向上とともに
蛍光体層におけるクラツクの発生の顕著な抑制を
実現するものである。 すなわち、本発明においては、下塗り層への微
粒子の添加により下塗り層が硬膜化するために、
蛍光体層を塗膜形成時において、塗布液中の溶剤
による下塗りの膨潤および収縮の度合を低減され
ることができる、このことにより、通常の塗布方
法によつて下塗り層上に蛍光体層が形成された従
来の放射線変換パネルにおいて、蛍光体層中に発
生しがちであつたクラツクを顕著に抑制すること
ができるものである。従つて、目的の放射線像変
換パネルにおいて画質の優れた画像を得ることを
可能にするものである。 また、微粒子の添加により下塗り層が硬膜化し
てズリ応力に対して抗力を有すようになるため
に、プラスチツクフイルムからなる保護膜をラミ
ネート加工により蛍光体層上に設けた場合に、下
塗り層の塑性変形によつて保護膜表面に発生しが
ちであつたラミジワおよびパネルのカールを、防
止または顕著に減少させることができるものであ
る。従つて、保護膜のラミネート操作が容易にな
るものであり、また、このことによつても得られ
る画像の画質を向上させることが可能となるもの
である。 なお、本発明に従つて下塗り層に微粒子を添加
することにより、蛍光体層と支持体との密着強度
は若干低下する。しかしながら、本発明の放射線
像変換パネルにおける蛍光体層と支持体との間の
密着強度、下塗り層を有していない放射線像変換
パネルと比較するとなお著しく高いものであり、
従つて、本発明の放射線像変換パネルは下塗り層
を有していない放射線像変換パネルと比較して、
衝撃、曲げ等に対するパネルの機械的強度が著し
く高い。すなわち、本発明における下塗り層への
微粒子の添加は、下塗り層を設けたことによる蛍
光体層と支持体との間の密着強度の向上効果をそ
れほど低下させるものではない。 以上述べたような好ましい特性を持つた本発明
の放射線像変換パネルは、たとえば、次に述べる
ような方法により製造することができる。 本発明の特徴的な要件である下塗り層は、樹脂
に微粒子が添加されたものである。 本発明において微粒子としては、下塗り層中に
分散して下塗り層を硬膜化することが可能である
限り、任意の粒子状の物質を用いることができ
る。ただし、二酸化ケイ素微粒子の平均粒子径は
1〜30μmの範囲にある必要がある。特に好まし
くは、1〜10μmの範囲の平均粒子径を有する二
酸化ケイ素微粒子である。 下塗り層の樹脂の例としては、ポリアクリル系
樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹
脂、ポリ酢酸ビニル系樹脂およびエチレン・酢酸
ビニル系京重合体を挙げることができる。下塗り
層に用いられる樹脂は上記の樹脂の限定されるも
のではなく、たとえば、従来より下塗り層に使用
されている任意の樹脂(接着剤)を用いることが
できる。 さらに下塗り層の樹脂は、脂肪族系イソシアネ
ート、芳香族イソシアネート、メラミン、アミノ
樹脂、およびそれらの誘導体等によつて架橋され
ていてもよく、また硬膜化の点からは架橋されて
いる方が好ましい。 下塗り層は、たとえば、次のような方法により
支持体上に形成することができる。 まず上記の樹脂と二酸化ケイ素微粒子とを適切
な溶剤に添加し、これを充分に混合して塗布液を
調製する。 蛍光体層におけるクラツクの発生防止、保護膜
のラミネート時におけるラミジワの発生防止並び
にパネルのカール防止、および蛍光体層の支持体
に対する密着強度の向上の点から、二酸化ケイ素
微粒子は、樹脂に対して1〜200%(重量%)の
範囲で含有されなければならない。目的とする放
射線像変換パネルの特性、二酸化ケイ素微粒子の
粒子径、下塗り層の樹脂の種類などによつても異
なるが、好ましくは5〜99%(重量%)の範囲で
あり、特に好ましくは10〜60%(重量%)の範囲
である。 塗布液調製用の溶剤としては、後述の蛍光体層
の形成の際に用いられる溶剤を使用することがで
きる。 この塗布液を、通常の塗布手段、たとえば、ド
クターブレード、ロールコーター、ナイフコータ
ーなどを用いることにより、支持体表面に均一に
塗布して塗膜を形成する、次いで、形成された塗
膜を徐々に加熱することにより乾燥して、支持体
上への下塗り層の形成を完了する。 このようにして、支持体上には硬膜化した下塗
り層が形成される。下塗り層の層厚は、目的とす
る放射線像変換パネルの特性、蛍光体層および支
持体に用いられ材料の種類、樹脂および二酸化ケ
イ素微粒子の粒子径などによつて異なるが、通常
は3乃至50μmとするのが好ましい。 支持体は、従来の放射線写真法における増感紙
の支持体として用いられている各種の材料から任
意に選ぶことができる。そのような材料の例とし
ては、セルロースアセテート、ポリエステル、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイ
ミド、トリアセテート、ポヰカーボネートなどの
プラスチツク物質のフイルム、アルミニウム箔、
アルミニウム合金箔などの金属シート、通常の
紙、バライタ紙、レジンコート紙、二酸化チタン
などの顔料を含有するピグメント紙、ポリビニル
アルコールなどのサイジングした紙などを挙げる
ことができる。ただし、放射線像変換パネルの情
報を記録材料としての特性および取扱いなどを考
慮した場合、本発明において特に好ましい支持体
の材料はプラスチツクフイルムである。このプラ
スチツクフイルムにはカーボンブラツクなどの光
吸収性物質が練り込まれていてもよく、あるいは
二酸化チタンなどの光反射性物質が練り込まれて
いてもよい。前者は高鮮鋭度タイプの放射線像変
換パネルに適した支持体であり、後者は高感度タ
イプの放射線像交換パネルに適した支持体であ
る。 次に、下塗り層の表面に蛍光体層を形成する。
蛍光体層は、基本的には輝尽性蛍光体粒子を分散
状態で含有支持する結合剤からなる層である。 輝尽性蛍光体は、先に述べたように放射線を照
射した後、励起光を照射すると輝尽発光を示す蛍
光体であるが、実用的な面からは400〜850nmの
波長範囲の励起光によつて300〜500nmの波長範
囲の輝尽発光を示す蛍光体であることが望まし
い。本発明の放射線像変換パネルに用いられる輝
尽性蛍光体の例としては、 米国特許第3859527号明細書に記載されている
SrS:Ce,Sm,SrS:Eu,Sm,ThO2:Er,お
よびLa2O2S:Eu,Sm, 特開昭55−12142号公報に記載されている
ZnS:Cu,Pb,BaO・xAl2O3:Eu(ただし、0.8
≦x≦10)、および、M〓O・xSiO2:A(ただし、
M〓はMg、Ca、Sr、Zn、Cd、またはBaであり、
AはCe、Tb、Eu、Tm、Pb、Tl、Bi、または
Mnであり、xは、0.5≦x≦2.5である)、 特開昭55−12143号公報に記載されている
(Ba1-x-y,Mgx,Cay)FX:aEu2+(ただし、X
はClおよびBrのうちの少なくとも一つであり、
xおよびyは、0<x+y≦0.6、かつxy≠0で
あり、aは10-6≦a≦5×10-2である)、 特開昭55−12144号公報に記載されている
LnOX:xA(ただし、LnはLa、Y、GdおよびLu
のうちの少なくとも一つ、XはClおよびBrのう
ちの少なくとも一つ、AはCeおよびTbのうちの
少なくとも一つ、そして、xは0<x<0.1であ
る)、 特開昭55−12145号公報に記載されている
(Ba1-x,M2+ x)FX;yA(ただし、M2+はMg、
Ca、Sr、Zn、およびCdのうちの少なくとも一
つ、XはCl、BrおよびIのうちの少なくとも一
つ、AはEu、Tb、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、
Nd、Yb、およびErのうちの少なくとも一つ、そ
してXは、0≦x≦0.6、yは、0≦y≦0.2であ
る)、 特開昭55−160078号公報に記載されているM〓
FX・xA:yLn[ただし、M〓はBa、Ca、Sr、
Mg、Zn、およびCdのうちの少なくとも一種、A
はBeO、MgO、CaO、SrO、BaO、ZnO、
Al2O3、Y2O、La2O3、In2O3、SiO2、TlO2
ZrO2、GeO2、SnO2、Nb2O5、Ta2O5、および
ThO2のうちの少なくとも一種、LnはEu、Tb、
Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Sm、
およびGdのうちの少なくとも一種、XはCl、
Br、およびIのうちの少なくとも一種であり、
xはおよびyはそれぞれ5×10-5≦x≦0.5、お
よび0≦y≦0.2である]の組成式で表わされる
蛍光体、 特開昭56−116777号公報に記載されている
(Ba1-x,M〓x)F2・aBaX2:yEu,zA[ただし、
M〓ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ス
ロトンチウム、亜鉛、およびカドミウムのうちの
少なくとも一種、Xは塩素、臭素、および沃素の
うちの少なくとも一種、Aはジルコニウムおよび
スカンジウムのうちの少なくとも一種でありa、
x、y、およびzはそれぞれ0.5≦a≦1.25、0
≦x≦1、10-6≦y≦2×10-1、および0<z≦
10-2である]の組成式で表わされる蛍光体、 特開昭57−23673号公報に記載されている
(Ba1-x,M〓x)F2・aBaX2:yEu,zB[ただし、
M〓ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ス
ロトンチウム、亜鉛、およびカドミウムのうちの
少なくとも一種、Xは塩素、臭素、および沃素の
うちの少なくとも一種でありa、x、y、および
zはそれぞれ0.5≦a≦1.25、0≦x≦1、10-6
y≦2×10-1、および0<z≦2×10-1である]
の組成式で表わされる蛍光体、 特開昭57−2365号公報に記載されている
(Ba1-x,M〓x)F2・aBaX2:yEu,zA[ただし、
M〓ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ス
ロトンチウム、亜鉛、およびカドミウムのうちの
少なくとも一種、Xは塩素、臭素、および沃素の
うちの少なくとも一種、Aは砒素およびおよび珪
素のうちの少なくとも一種でありa、x、y、お
よびzはそれぞれ0.5≦a≦1.25、0≦x≦1、
10-6≦y≦2×10-1、および0<z≦10-1であ
る]の組成式で表わされる蛍光体、 本出願人による特願昭56−167498号明細書に記
載されているM〓OX:xCe[ただし、M〓はPr、
Nd、Pm、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、
Yb、およびBiからなる群より選ばれる少なくと
も一種の三価金属であり、XはClおよびBrのう
ちのいずれか一方あるいはその両方であり、xは
0<x<0.1である]の組成式で表わされる蛍光
体、 本出願人による特願昭57−89875号明細書に記
載されているBa1-xMX/2LX/2FX:yEu2+[Mは、
Li、Na、K、RbおよびCsからなる群より選ばれ
る少なくとも一種のアルカリ金属を表わし;L
は、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Gd、
Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga、
In、およびTlからなる群より選ばれる少なくと
も一種の三価金属を表わし;Xは、Cl、Br、お
よびIからなる群より選ばれる少なくとも一種の
ハロゲンを表わし;そして、xは10-2≦x≦0.5、
yは0<y≦0.1である]の組成式で表わされる
蛍光体、 本出願人による特願昭57−137374号明細書に記
載されているBaFX・xA:yEu2+[ただし、Xは、
Cl、BrおよびIからなる群より選ばれる少なく
とも一種のハロゲンであり;Aは、テトラフルオ
ロホウ酸化合物の焼成物であり;そして、xは
10-6≦x≦0.1、yは0<y≦0.1である]の組成
式で表わされる蛍光体、 本出願人による特願昭57−187048号明細書に記
載されているBaFX・xA:yEu2+[ただし、Xは、
Cl、BrおよびIからなる群より選ばれる少なく
とも一種のハロゲンであり;Aは、ヘキサフルオ
ロケイ酸、ヘキサフルオロチタン酸およびヘキサ
フルオロジルコニウム酸の一価もしくは二価金属
の塩からなるヘキサフルオロ化合物群より選ばれ
る少なくとも一種の化合物の焼成物であり;そし
て、xは10-6≦x≦0.1、yは0<y≦0.1である]
の組成式で表わされる蛍光体、 本出願人による特願昭57−166320号明細書に記
載されているBaFX・xNax′:aEu2+[ただし、X
およびX′は、それぞれCl、BrおよびIのうちの
少なくとも一種であり、xおよびaはそれぞれ0
<x≦2、および0<a≦0.2である]の組成式
で表わされる蛍光体、 本出願人による特願昭57−166696号明細書に記
載されているM〓FX・xNaX′:yEu2+:zA[だた
し、M〓は、Ba、Sr、およびCaからなる群より
選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属であ
り、XおよびX′は、それぞれCl、Br、およびI
からなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲ
ンであり;Aは、V、Cr、Mn、Fe、Co、およ
びNiより選ばれる少なくとも一種の遷移金属で
あり;そして、xは0<x≦2、yは0<y≦
0.2、およびzは0<z≦10-2である]の組成式
である表わされる蛍光体、 本出願人による特願昭57−184455号明細書に記
載されているM〓FX・aM〓′・bM′〓X″2・cM〓
X″3・xA:yEu2+[ただし、M〓はBa、Sr、およ
びCaからなる群より選ばれる少なくとも一種の
アルカリ土類金属であり;M〓はLi、Na、K、
Rb、およびCsからなる群より選ばれる少なくと
も一種のアルカリ金属であり;M'〓はBeおよび
Mgからなる群より選ばれる少なくとも一種の二
価金属であり;M〓はAl、Ga、In、およびTlか
らなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属
であり、A;は金属酸化物であり;XはCl、Br、
およびIからなる群より選ばれる少なくとも一種
のハロゲンであり;X'、X”およびX”’は、
F、Cl、Br、およびIからなる群より選ばれる
少なくとも一種のハロゲンであり;そして、aは
0≦a≦2、bは0≦b≦10-2、cは0≦c≦
10-2、かつa+b+c≧10-6であり;xは0<x
≦0.5、yは0<y≦0.2である]の組成式で表わ
される蛍光体、 などを挙げることができる。 ただし本発明に用いられる輝尽性蛍光体は上述
の蛍光体に限られるものではなく、放射線を照射
したのちに励起光を照射した場合に輝尽発光を示
す蛍光体であればいかなるものであつてもよい。 また蛍光体層の結合剤の例としては、ゼラチン
等の蛋白質、デキストラン等のポリサツカライ
ド、またはアラビアゴムのような天然高分子物
質;および、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビ
ニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、塩
化ビニリデン・塩化ビニルポリマー、ポリアルキ
ル(メタ)アクリレート、塩化ビニル・酢酸ビニ
ルコポリマー、ポリウレタン、セルロースアセテ
ートブチレート、ポリビニルアルコール、線状ポ
リエステルなどのような合成高分子物質などによ
り代表される結合剤を挙げることができる。この
ような結合剤のなかで特に好ましいものは、ニト
ロセルロース、線状ポリエステル、ポリアルキル
(メタ)アクリレート、ニトロセルロースと線状
ポリエステルとの混合物、およびニトロセルロー
スとポリアルキル(メタ)アクリレートとの混合
物である。なお、蛍光体層を構成する結合剤は架
橋剤によつて架橋されたものであつてもよい。 蛍光体層は、たとえば、次のような方法により
支持体上に形成することができる。 まず上記の輝尽性蛍光体と結合剤とを適当な溶
剤に添加し、これを十分に混合して、結合剤溶液
中に蛍光体粒子が均一に分散した塗布液を調製す
る。 塗布液調製用の溶剤の例としては、メタノー
ル、エタノール、n−プロパノール、n−ブタノ
ールなどの低級アルコール;メチレンクロライ
ド、エチレンクロライドなどの塩素原子含有炭化
水素;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイ
ソブチルケトンなどのケトン;酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級アル
コールとのエステル;ジオキサン、エチレングリ
コールモノエチルエーテル、エチレングリコール
モノメチルエーテルなどのエーテル;そして、そ
れらの混合物を挙げることができる。 塗布液における結合剤と輝尽性蛍光体との混合
比は、目的とする放射線像変換パネルの特性、蛍
光体の種類などによつて異なるが、一般には結合
剤と蛍光体との混合比は、1:1乃至1:100(重
量比)の範囲から選ばれ、好ましくは1:8乃至
1:50(重量比)の範囲から選ばれる。 なお、塗布液には、該塗布液中における蛍光体
の分散性を向上させるための分散剤、また、形成
後の蛍光体層中における結合剤と蛍光体との間の
結合力を向上させるための可塑剤などの種々の添
加剤が混合されていてもよい。そのような目的に
用いられる分散剤の例としては、フタル酸、ステ
アリン酸、カプロン酸、親油性界面活性剤などを
挙げることができる。そして可塑剤の例として
は、燐酸トリフエニル、燐酸トリクレジル、燐酸
ジフエニルなどの燐酸エステル;フタル酸ジエチ
ル、フタル酸ジメトキシエチルなどのフタル酸エ
ステル;グリコール酸エチルフタリルエチル、グ
リコール酸ブチルフタリルブチルなどのグリコー
ル酸エステル;そして、トリエチレングリコール
とアジピン酸とのポリエステル、ジエチレングリ
コールとコハク酸とのポリエステルなどのポリエ
チレングリコールと脂肪族二塩基酸とのポリエス
テルなどを挙げることができる。 上記のようにして調製された蛍光体と結合剤と
を含有する塗布液を、次に下塗り層の表面に均一
に塗布することにより塗布液の塗膜を形成する。
この塗布操作は、通常の塗布手段、たとえば、ド
クターブレード、ロールコーター、ナイフコータ
ーなどを用いることにより行なうことができる。 ついて、形成された塗膜を乾燥して、下塗り層
上への蛍光体層の形成を完了する。蛍光体層の層
厚は、目的とする放射線像変換パネルの特性、蛍
光体の種類、結合剤と蛍光体との混合比などによ
つて異なるが、通常は、20μm乃至1mmとする。
ただし、この層厚は50内系500μmとするのが好
ましい。 通常の放射線像変換パネルにおいては、支持体
(または下塗り層)に接する側とは反対側の蛍光
体層の表面に、蛍光体層を物理的および化学的に
保護するために透明な保護膜が設けられている。
このような透明保護膜は、本発明の放射線像変換
パネルについても設置することが好ましい。 透明保護膜は、たとえば、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリエチレン、塩化ビニリデン、ポリ
アミドなどから別に形成した透明な薄膜を、蛍光
体層の表面に適当な接着剤を用いてラミネート処
理により接着する方法によつて形成することがで
きる。本発明においては、支持体と蛍光体層との
間に微粒子の添加によつて硬膜化された下塗り層
が設けられているために、蛍光体層上にラミネー
ト処理により保護膜を形成しても保護膜表面にラ
ミジワが殆ど発生せず、またパネルのカラーが生
じることもない。 あるいは保護膜は、酢酸セルロース、ニトロセ
ルロースなどのセルロース誘導体;あるいはポリ
メチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、
ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリ
酢酸ビニル、塩化ビニル・酢酸ビニルコポリマー
などの合成高分子物質のような透明な高分子物質
を適当な溶媒に溶解して調製した溶液を蛍光体層
の表面に塗布する方法によつても形成することが
できる。このようにして形成する透明保護膜の膜
厚は、約3乃至20μmとするのが望ましい。 次に本発明の実施例および比較例を記載する。
ただし、これらの各例は本発明を制限するもので
はない。なお、以下の各例で「部」は特に記載の
ない限り「重量部」を表わす。 実施例 1 ポリアクリル樹脂(クリスコートP−1018GS、
大日本インキ化学(株)製)、脂肪族系イソシアネー
ト(架橋剤;スミジユールN、住友バイエルウレ
タン(株)製)および二酸化ケイ素の微粒子(粒子
径:2〜3μm)をメチルエチルケトンに添加し
て、下塗り層形成用の塗布液を調整した。 下塗り層用塗布液の組成 ポリアクリル樹脂 100部 脂肪族系イソシアネート 3部 二酸化ケイ素 20部 メチルエチルケトン 1127部 この塗布液を、ガラス板上に水平に置いたカー
ボン練り込みポリエチレンテレフタレートフイル
ム(支持体、厚み:250μm)の上にドクターブ
レードを用いて均一に塗布した。そして塗布後、
塗膜が形成された支持体を乾燥器内に入れて塗膜
の乾燥を行ない、支持体上に層厚が約30μmの下
塗り層を形成した。 次に、輝尽性の二価のユーロピウム賦活弗化臭
化バリウム蛍光体(BaFBr:Eu2+)の粒子とニ
トロセルロースとの混合物にメチルエチルケトン
を添加して蛍光体粒子を分散状態で含有する分散
液を調整した。さらに、この分散液は燐酸トリク
レジル、n−ブタノール、そしてメチルエチルケ
トンを添加したのち、プペラミキサーを用いて充
分に撹拌混合して、蛍光体粒子が均一に分散し、
結合剤と蛍光体との混合比が1:18(重量比)か
つ粘度が25〜35PS(25℃)の蛍光体層形成用の塗
布液を調製した。 蛍光体層用塗布液の組成 BaFBr:Eu2+蛍光体 500部 ニトロセルロース 27.2部 燐酸トリクレジル 0.5部 n−ブタノール 5.7部 メチルエチルケトン 75部 次いで、下塗り層が形成された支持体の下塗り
層表面に、この塗布液をドクターブレードを用い
て均一に塗布した。そして塗布後に、塗膜が形成
された支持体を温度90℃、風速1.0m/秒の状態
下で10分間加熱乾燥した。このようにして、支持
体上に層厚が約250μmの蛍光体層を形成した。 そして、この蛍光体層上にポリエチレンテレフ
タレートの透明フイルム(厚み:12μm、ポリエ
ステル系接着剤が付与されているもの)を接着剤
層側を下に向けて置いてラミネートすることによ
り、透明保護膜を形成し、支持体、下塗り層、蛍
光体層および透明保護膜から構成された放射線像
変換パネルを製造した。 実施例 2 実施例1において、下塗り層用塗布液としてポ
リエステル樹脂(バイロン30p、東洋紡績(株)製)、
メチル化メラミン(架橋剤;スミマールM−
40S、住友化学工業(株)製)および二酸化ケイ素の
微粒子(粒子径:2〜3μm)をエチレングクロ
ライドに添加して、以下の組成としたものを用い
ること以外は、実施例1を方法と同様な処理を行
なうことにより、支持体、下塗り層、蛍光体層お
よび透明保護膜から構成された放射線像変換パネ
ルを製造した。 下塗り層用塗布液の組成 ポリエステル樹脂 100部 メチル化メラミン 25部 二酸化ケイ素 20部 エチレンジクロライド 1375部 実施例 3 実施例1において、下塗り層用塗布液として、
ポリウレタン樹脂(クリスボンNT−150、大日
本インキ化学(株)製)と二酸化ケイ素の微粒子(粒
子径:2〜3μm)とをメチルエチルケトンに添
加して、以下の組成としたものを用いること以外
は、実施例1の方法と同様な処理を行なうことに
より、支持体、下塗り層、蛍光体層および透明保
護膜から構成された放射線像変換パネルを製造し
た。 下塗り層用塗布液の組成 ポリウレタン樹脂 100部 二酸化ケイ素 20部 メチルエチルケトン 1150部 比較例 1 実施例1において、下塗り層用塗布液に二酸化
ケイ素の微粒子を添加しないで、以下の組成とす
ること以外は、実施例1の方法と同様な処理を行
なうことにより、支持体、下塗り層、蛍光体層お
よび透明保護膜から構成された放射線像変換パネ
ルを製造した。 下塗り層用塗布液の組成 ポリアクリル樹脂 100部 脂肪族系イソシアネート 3部 メチルエチルケトン 1127部 比較例 2 実施例2において、下塗り層用塗布液に二酸化
ケイ素の微粒子を添加しないで、以下の組成とす
ること以外は、実施例2の方法と同様な処理を行
なうことにより、支持体、下塗り層、蛍光体層お
よび透明保護膜から構成された放射線像変換パネ
ルを製造した。 下塗り層用塗布液の組成 ポリエステル樹脂 100部 メチル化メラミン 25部 エチレンジクロライド 1375部 比較例 3 実施例3において、下塗り層用塗布液に二酸化
ケイ素の微粒子を添加しないで、以下の組成とす
ること以外は、実施例1の方法と同様な処理を行
うことにより、支持体、下塗り層、蛍光体層およ
び透明保護膜から構成された放射線像変換パネル
を製造した。 下塗り層用塗布液の組成 ポリエステル樹脂 100部 メチルエチルケトン 1150部 上記のようにして製造した各々の放射線像変換
パネルを、以下に記載するクラツクの発生度試験
および蛍光体層の支持体に対する密着強度試験に
より評価した。 (1) クラツクの発生度試験 放射線像変換パネルを垂直に裁断して得られ
た蛍光体層の縦断面を目視により観察すること
により、クラツクの発生状態を測定し、その結
果をA〜Cの三段階で表示した。Aは蛍光体層
中にクラツクが殆ど発生していない状態であ
り、Bはクラツクがやや発生している状態であ
り、Cはクラツクがかなり発生している状態で
あることを表わしている。 (2) 密着強度試験 放射線像変換パネルを幅10mmに裁断した試験
片の蛍光体層と支持体(下塗り層が形成された
支持体)との境界面に切り込みを入れた。そし
て、そのように調製した試験片の支持体部分
と、蛍光体層および保護膜部分とを引離すよう
に引張ることにより蛍光体層の支持体に対する
密着強度を測定した。測定はテンシロン(東洋
ボールドウイン社製のUTM−−20)を用い
て、引張り速度10mm/分にて両部分を互いに直
角方向に引張ること(90°剥離)により行ない、
蛍光体層が10mm剥離した時に働いている力F
(g/cm)により密着強度を表示した。 各々の放射線像変換パネルについて得られた結
果を第1表に示す。
【表】
【表】 第1表から明らかなように、本発明の放射線像
変換パネル(実施例1〜3)は、従来の放射線像
変換パネル(比較例1〜3)と比較して、蛍光体
層におけるクラツク発生の抑制効果において優れ
ている。なお、第1表に示されるように、本発明
の放射線像変換パネル(実施例1〜3)における
蛍光体層と支持体との密着強度は、従来の放射線
像変換パネル(比較例1〜3)における蛍光体層
と支持体との密着強度よりも若干低いものであ
る。しかしながら、その密着強度は、下塗り層が
設けられていない放射線像変換パネルにおける蛍
光体層と支持体との密着強度と比較するとなお著
しく高いものである。すなわち、支持体上に下塗
り層を設けないこと以外は実施例1の方法と同様
な処理を行なうことによつて製造した放射線像変
換パネルにおける蛍光体層と支持体との密着強度
は30g/cmであつたが、第1表より明らかなよう
に実施例1〜3の放射線変換パネルにおける蛍光
体層と支持体との密着強度は30g/cmよりも著し
く高い。 また、上記のようにして得られた各々の放射線
像変換パネルについて、保護膜におけるラミジワ
およびパネルのカールの発生度を目視により観察
した結果、本発明の放射線像変換パネル(実施例
1〜3)にはラミジワが殆ど発生していなく、ま
たカールの生じていない水平な平面状のパネルで
あることが判明した。一方、従来の放射線像変換
パネル(比較例1〜3)の保護膜表面にはラミジ
ワがかなり生じており、またパネルにはカールが
生じていた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 支持体、下塗り層、および輝尽性蛍光体を分
    散状態で含有支持する結合剤からなる蛍光体層を
    この順序で有する放射線像変換パネルにおいて、
    該下塗り層に、平均粒子径が1〜30μmの範囲の
    二酸化ケイ微粒子が下塗り層の樹脂に対して1〜
    200重量%の範囲で含有されていることを特徴と
    する放射線像変換パネル。 2 上記微粒子が、下塗り層の樹脂に対して5〜
    99重量%の範囲で含有されている特許請求の範囲
    第1項記載の放射線像変換パネル。 3 上記微粒子が、下塗り層の樹脂に対して10〜
    60重量%の範囲で含有されている特許請求の範囲
    第1項記載の放射線像変換パネル。 4 上記下塗り層の樹脂が、ポリアクリル系樹
    脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、
    ポリ酢酸ビニル系樹脂およびエチレン・酢酸ビニ
    ル系共重合体からなる群より選ばれたものである
    特許請求の範囲第1項記載の放射線像変換パネ
    ル。 5 上記下塗り層の樹脂が、架橋剤によつて架橋
    されている特許請求の範囲第4項記載の放射線像
    変換パネル。 6 上記架橋剤が、イソシアネートおよびその誘
    導体、メラミンおよびその誘導体、そしてアミノ
    樹脂およびその誘導体からなる群から選ばれたも
    のである特許請求の範囲第5項記載の放射線像変
    換パネル。 7 上記蛍光体層の上に更にプラスチツクフイル
    ムからなる保護膜が積層されている特許請求の範
    囲第1項記載の放射線像変換パネル。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4983834A (en) * 1985-10-10 1991-01-08 Quantex Corporation Large area particle detector system
US4855603A (en) * 1985-10-10 1989-08-08 Quantex Corporation Photoluminescent materials for radiography
US4879186A (en) * 1985-10-10 1989-11-07 Quantex Corporation Photoluminescent materials for outputting reddish-orange light and a process for making the same
JPH0697280B2 (ja) * 1988-02-05 1994-11-30 富士写真フイルム株式会社 放射線像変換パネル
JPH02187741A (ja) * 1989-01-17 1990-07-23 Pioneer Electron Corp 蛍光体スクリーン
JPH0381932A (ja) * 1989-05-23 1991-04-08 Toshiba Corp 蛍光面とその製造方法及びx線イメージ管
JP3808166B2 (ja) * 1997-02-12 2006-08-09 富士写真フイルム株式会社 放射線像変換パネルの製造方法
JP2002277590A (ja) * 2001-03-16 2002-09-25 Konica Corp 放射線像変換パネルおよびその製造方法
US6927404B2 (en) * 2002-02-28 2005-08-09 Agfa-Gevaert N.V. Radiation image storage panel having a particular layer arrangement

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5612600A (en) * 1979-07-11 1981-02-06 Fuji Photo Film Co Ltd Radiation image conversion panel

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5917399B2 (ja) * 1979-07-11 1984-04-20 富士写真フイルム株式会社 放射線像変換パネル
JPS5868746A (ja) * 1981-10-21 1983-04-23 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線像変換パネル

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5612600A (en) * 1979-07-11 1981-02-06 Fuji Photo Film Co Ltd Radiation image conversion panel

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