JPH0450745B2 - - Google Patents
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- JPH0450745B2 JPH0450745B2 JP61087351A JP8735186A JPH0450745B2 JP H0450745 B2 JPH0450745 B2 JP H0450745B2 JP 61087351 A JP61087351 A JP 61087351A JP 8735186 A JP8735186 A JP 8735186A JP H0450745 B2 JPH0450745 B2 JP H0450745B2
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、透明電極板から構成される表示パネ
ルなどへ駆動用半導体素子を直接実装する半導体
素子の電気的接続方法に関するものである。
ルなどへ駆動用半導体素子を直接実装する半導体
素子の電気的接続方法に関するものである。
従来の技術
透明電極(以下ITOという)が形成された2枚
のガラス板からなる表示パネル(例えば液晶パネ
ル)などに駆動用半導体素子(以下ICチツプと
いう)を実装する場合、従来はチツプに関しては
ハンダバンプを形成し、またITO電極上にはメタ
ライズをしなければならなかつた。つまり、これ
ら両者の電気的接続は、ICチツプのAl電極上に
設けられたハンダバンプとメタライズした金属と
のいわゆるバンダ付けによるものである。従つ
て、ITOのように金属酸化物導電膜上にはハンダ
付けできないため、ITO上にはハンダ付けを可能
とするためにクロム、金やニツケルなどによるメ
タライズ処理をしなければならないものである。
のガラス板からなる表示パネル(例えば液晶パネ
ル)などに駆動用半導体素子(以下ICチツプと
いう)を実装する場合、従来はチツプに関しては
ハンダバンプを形成し、またITO電極上にはメタ
ライズをしなければならなかつた。つまり、これ
ら両者の電気的接続は、ICチツプのAl電極上に
設けられたハンダバンプとメタライズした金属と
のいわゆるバンダ付けによるものである。従つ
て、ITOのように金属酸化物導電膜上にはハンダ
付けできないため、ITO上にはハンダ付けを可能
とするためにクロム、金やニツケルなどによるメ
タライズ処理をしなければならないものである。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の技術では、例えば表示パネル
の引き出し電極であるITO上へICチツを実装す
る時にはITOをメタライズする複雑かつ手間のか
かるプロセスが必要であり、製品のコストアツプ
という問題点があつた。
の引き出し電極であるITO上へICチツを実装す
る時にはITOをメタライズする複雑かつ手間のか
かるプロセスが必要であり、製品のコストアツプ
という問題点があつた。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、例
えば表示パネルの引き出し電極であるITOをメタ
ライズ処理することなくICチツプを電気的に接
続し、安価な表示パネルモジユールなどを製作す
ることのできる半導体素子の電気的接続方法を提
供することを目的としている。
えば表示パネルの引き出し電極であるITOをメタ
ライズ処理することなくICチツプを電気的に接
続し、安価な表示パネルモジユールなどを製作す
ることのできる半導体素子の電気的接続方法を提
供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
本発明は前記問題点を解決するために、Al電
極上にAuバンプを形成した半導体素子と、この
半導体素子の電極位置と相対する位置に電極を有
する支持体間に、合成樹脂からなる結合剤に導電
性及びゴム弾性を有する粉体を分散させた異方性
導電接着剤層を挾み、前記半導体素子の裏面より
加圧、加熱し、前記支持体電極に前記半導体素子
のAuバンプを接続、固定することを特徴とする
ものである。
極上にAuバンプを形成した半導体素子と、この
半導体素子の電極位置と相対する位置に電極を有
する支持体間に、合成樹脂からなる結合剤に導電
性及びゴム弾性を有する粉体を分散させた異方性
導電接着剤層を挾み、前記半導体素子の裏面より
加圧、加熱し、前記支持体電極に前記半導体素子
のAuバンプを接続、固定することを特徴とする
ものである。
作 用
本発明は前記した構成からなり、異方性導電接
着剤層は、結合剤として熱可塑性樹脂などの合成
樹脂を用い、分散させる粉体(以下導電フイラー
という)として例えば導電性、弾力性を有するシ
リコンゴムを用いてなるものである。よつて、
ICチツプ裏面より加圧、加熱した時に導電フイ
ラーであるシリコンゴムは弾力性を有するため、
ICチツプのAuバンプと支持体電極との間をつぶ
れた状態で接続する。これにより導電フイラーの
粒径にバラツキがあつても前記シリコンゴムのつ
ぶれによつて粒径のバラツキを吸収することと接
触面積の増大を招き、導電フイラーを介してAu
バンプと電極とのより確実な接続が得られ、ITO
のメタライズ処理なしに電気的接続が得られるこ
ととなる。また、結合剤である樹脂は冷却される
と固着し、ICチツプを支持体に固定する役を果
たすものである。
着剤層は、結合剤として熱可塑性樹脂などの合成
樹脂を用い、分散させる粉体(以下導電フイラー
という)として例えば導電性、弾力性を有するシ
リコンゴムを用いてなるものである。よつて、
ICチツプ裏面より加圧、加熱した時に導電フイ
ラーであるシリコンゴムは弾力性を有するため、
ICチツプのAuバンプと支持体電極との間をつぶ
れた状態で接続する。これにより導電フイラーの
粒径にバラツキがあつても前記シリコンゴムのつ
ぶれによつて粒径のバラツキを吸収することと接
触面積の増大を招き、導電フイラーを介してAu
バンプと電極とのより確実な接続が得られ、ITO
のメタライズ処理なしに電気的接続が得られるこ
ととなる。また、結合剤である樹脂は冷却される
と固着し、ICチツプを支持体に固定する役を果
たすものである。
実施例
第2図は本発明の一実施例に用いた異方性導電
接着剤層の断面図である。図において、1は熱可
塑性樹脂などの合成樹脂からなる結合剤、2は前
記結合剤1中に分散された導電性及びゴム弾性を
有する導電フイラー、3はポリエステルフイルム
である。この異方性導電接着剤の材料として以下
の配合で塗料化した。
接着剤層の断面図である。図において、1は熱可
塑性樹脂などの合成樹脂からなる結合剤、2は前
記結合剤1中に分散された導電性及びゴム弾性を
有する導電フイラー、3はポリエステルフイルム
である。この異方性導電接着剤の材料として以下
の配合で塗料化した。
熱可塑性樹脂…… 100重量部
〔東洋紡(株)製 バイロン〕
導電フイラー…… 6重量部
〔導電性を有するシリコンゴム(東芝シリ
コンXE21−301U)を凍結させ、粉砕させ
たものを使用〕 溶剤…… 150重量部 〔関東化学(株)製メチルエチルケトン〕 そして、前記それぞれの材料を配合して3本ロ
ールミルで24〜48時間混練し、離型処理を施した
ポリエステルフイルム上に30〜50μmの厚みにコ
ーテイングし、85℃で60分間予備乾燥させて第2
図に示すような異方性導電接着剤層4を作製し
た。一方、回路基板としてガラス板の片面にITO
をパターニングした液晶パネルを使用した。
コンXE21−301U)を凍結させ、粉砕させ
たものを使用〕 溶剤…… 150重量部 〔関東化学(株)製メチルエチルケトン〕 そして、前記それぞれの材料を配合して3本ロ
ールミルで24〜48時間混練し、離型処理を施した
ポリエステルフイルム上に30〜50μmの厚みにコ
ーテイングし、85℃で60分間予備乾燥させて第2
図に示すような異方性導電接着剤層4を作製し
た。一方、回路基板としてガラス板の片面にITO
をパターニングした液晶パネルを使用した。
第3図は前記液晶パネルへのICチツプの接続
方法を説明する図を示し、第1図はそのICチツ
プを液晶パネルのガラス板に接続した状態を示す
断面図である。
方法を説明する図を示し、第1図はそのICチツ
プを液晶パネルのガラス板に接続した状態を示す
断面図である。
第2図、第3図において、5は回路基板として
用いられる液晶パネルであり、2枚のガラス板
(支持体)6の間に液晶層7が挾持されており、
かつガラス板6の片面にはITO8が形成されてい
る。また、9はICチツプであり、Al電極10上
にAuバンプ11が形成されている。このICチツ
プ9のAl電極10と相対する位置に上記ガラス
板6のITO8は設けられている。上記ICチツプ
9にはSi3N4などの材料で絶縁膜層12が形成さ
れている。なお、第3図で13はICチツプ9の
裏面より加圧、加熱するためのヒータブロツクで
ある。
用いられる液晶パネルであり、2枚のガラス板
(支持体)6の間に液晶層7が挾持されており、
かつガラス板6の片面にはITO8が形成されてい
る。また、9はICチツプであり、Al電極10上
にAuバンプ11が形成されている。このICチツ
プ9のAl電極10と相対する位置に上記ガラス
板6のITO8は設けられている。上記ICチツプ
9にはSi3N4などの材料で絶縁膜層12が形成さ
れている。なお、第3図で13はICチツプ9の
裏面より加圧、加熱するためのヒータブロツクで
ある。
次に、その接続形態について説明する。まず、
液晶パネル5を構成するガラス板6上に形成した
ITO8上に異方性導電接着層4を仮止めし(この
時、ポリエステルフイルムを除去する)、その上
にAuバンプ11を有するICチツプ9を載置する。
そして、ICチツプ9の裏面から温度160℃、圧力
30Kg/cm2、時間30秒で熱圧着をした。その結果、
導電フイラー2でシリコンゴムは弾力性を有する
ため、ICチツプ9のAuバンプ11とガラス板6
のITO8との間をつぶれた状態で接続する。これ
により導電フイラー2を介してAuバンプ11と
ITO8との電気的な接続が得られることになる。
また、結合剤1の樹脂は冷却されると固着し、
ICチツプ9のAuバンプ11をガラス板6のITO
8に固定する。
液晶パネル5を構成するガラス板6上に形成した
ITO8上に異方性導電接着層4を仮止めし(この
時、ポリエステルフイルムを除去する)、その上
にAuバンプ11を有するICチツプ9を載置する。
そして、ICチツプ9の裏面から温度160℃、圧力
30Kg/cm2、時間30秒で熱圧着をした。その結果、
導電フイラー2でシリコンゴムは弾力性を有する
ため、ICチツプ9のAuバンプ11とガラス板6
のITO8との間をつぶれた状態で接続する。これ
により導電フイラー2を介してAuバンプ11と
ITO8との電気的な接続が得られることになる。
また、結合剤1の樹脂は冷却されると固着し、
ICチツプ9のAuバンプ11をガラス板6のITO
8に固定する。
このようにしてICチツプ9を、用意した液晶
パネル5のITO8上に実装し、液晶パネルモジユ
ールを完成させた。そして、この液晶パネルモジ
ユールに電気信号を加え、液晶パネル5の表示が
完全であることを確認した。
パネル5のITO8上に実装し、液晶パネルモジユ
ールを完成させた。そして、この液晶パネルモジ
ユールに電気信号を加え、液晶パネル5の表示が
完全であることを確認した。
なお、ICチツプ9のAuバンプ11と接続され
るガラス板6のITO8は、その上にNi,Auなど
の電極を蒸着などでも形成してもよく、さらには
ITO8に代えてNi,Auなどの電極を設けるよう
にしてもよいものである。
るガラス板6のITO8は、その上にNi,Auなど
の電極を蒸着などでも形成してもよく、さらには
ITO8に代えてNi,Auなどの電極を設けるよう
にしてもよいものである。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、ゴム
弾性を有する導電フイラーを分散させた異方性導
電接着剤層を用いることで、ITOをメタライズ処
理することなくICチツプのAuバンプと支持体電
極との確実な接続が得られ、製品の低コスト化を
達成し得るものであり、実用的上きわめて有用な
ものである。
弾性を有する導電フイラーを分散させた異方性導
電接着剤層を用いることで、ITOをメタライズ処
理することなくICチツプのAuバンプと支持体電
極との確実な接続が得られ、製品の低コスト化を
達成し得るものであり、実用的上きわめて有用な
ものである。
第1図は本発明における接続方法により液晶パ
ネルとICチツプとが接続された状態を示す要部
拡大断面図、第2図は本発明方法の一実施例に用
いた異方性導電接着剤層を示す拡大断面図、第3
図は本発明の接続方法を説明する説明図である。 1……結合剤、2……導電フイラー(粉体)、
3……ポリエステルフイルム、4……異方性導電
接着剤層、5……液晶パネル、6……ガラス板
(支持体)、7……液晶層、8……ITO(透明電極、
電極)、9……ICチツプ(半導体素子)、10…
…Al電極、11……Auバンプ、12……絶縁膜
層、13……ヒータブロツク。
ネルとICチツプとが接続された状態を示す要部
拡大断面図、第2図は本発明方法の一実施例に用
いた異方性導電接着剤層を示す拡大断面図、第3
図は本発明の接続方法を説明する説明図である。 1……結合剤、2……導電フイラー(粉体)、
3……ポリエステルフイルム、4……異方性導電
接着剤層、5……液晶パネル、6……ガラス板
(支持体)、7……液晶層、8……ITO(透明電極、
電極)、9……ICチツプ(半導体素子)、10…
…Al電極、11……Auバンプ、12……絶縁膜
層、13……ヒータブロツク。
Claims (1)
- 1 Al電極上にAuバンプを形成した半導体素子
と、この半導体素子の電極位置と相対する位置に
電極を有する支持体間に、合成樹脂からなる結合
剤に導電性及びゴム弾性を有する粉体を分散させ
た異方性導電接着剤層を挾み、前記半導体素子の
裏面より加圧、加熱し、前記支持体電極に前記半
導体素子のAuバンプを接続、固定することを特
徴とする半導体素子の電気的接続方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8735186A JPS62244142A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 半導体素子の電気的接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8735186A JPS62244142A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 半導体素子の電気的接続方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62244142A JPS62244142A (ja) | 1987-10-24 |
JPH0450745B2 true JPH0450745B2 (ja) | 1992-08-17 |
Family
ID=13912454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8735186A Granted JPS62244142A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 半導体素子の電気的接続方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62244142A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06103701B2 (ja) * | 1988-03-11 | 1994-12-14 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の実装体 |
JPH09297318A (ja) * | 1996-03-06 | 1997-11-18 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、液晶装置の製造方法および電子機器 |
JP3660175B2 (ja) * | 1998-11-25 | 2005-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 実装構造体及び液晶装置の製造方法 |
KR100367056B1 (ko) * | 1999-10-13 | 2003-01-09 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자 부품의 지지 지그, 전자 부품의 지지 방법, 및 전자부품의 제조방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51100679A (ja) * | 1975-03-03 | 1976-09-06 | Suwa Seikosha Kk | |
JPS592179A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-07 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 公営競技場における投票処理装置 |
JPS60115678A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 異方導電性接着剤及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-04-16 JP JP8735186A patent/JPS62244142A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51100679A (ja) * | 1975-03-03 | 1976-09-06 | Suwa Seikosha Kk | |
JPS592179A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-07 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 公営競技場における投票処理装置 |
JPS60115678A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 異方導電性接着剤及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62244142A (ja) | 1987-10-24 |
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