JPH0448438A - 光メモリ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は、レーザ光などの光ビームによって光学的に
情報の記録、再生、消去などをおこない得る光メモリ素
子に関する。

（ロ）従来の技術 一般に、光学的に情報の記録、再生および消去が可能な
光メモリ素子（光ディスク）は、１μｍ以下の直径に絞
り込まれたレーザ光により、同心円状もしくは螺旋状に
高密度に形成されｒコトラック上の記録膜に、微小な記
録ビットを形成して情報の記録、再生をおこなうもので
ある。

レーザ光を指定の位置に導くため光メモリ素子の記録面
上には、上記トラックに沿って、トラック案内溝および
ＶＦ○信号信号ドアドレスの情報からなるプリフォーマ
ットをＺ２録するプレピットが予め形成されている。す
なわち、レーザ光はトラック案内溝に従って走査され、
プレピットが形成されているプレピット区間においてア
ドレスなどの情報を得ることによって指定の位置に導か
れる。このようなメモリ素子の基板としては、ガラスと
プラスチックがあり、ガラス基板のものは、機械的特性
、品質、信頼性などに優れている。

このようなガラス基板にトラック案内溝およびプレピッ
トを直接形成する方法としては、レジストを塗布したマ
スク面にレーザ光でレジストパタ−ンを形成するか、ガ
ラスマスクを介して露光装置によってレジストパターン
を形成し、ドライエツチングによってレジストパターン
に一致したパターンをガラス基板に形成する方法が知ら
れている。

従来、トラック案内溝はガラス基板における内周、外周
を問わずその全面にわたり均一な幅および均一な深さで
形成されている。これを第５図に示す。

トラックＩＯの一部を示す第５図において、トラック案
内溝１１は、トラックＩＯのプレピット区間（ＶＦＯ部
）１０ａおよびプレピット１２のない情報記録区間１０
ｂともに同一の幅で形成されている。

（ハ）発明が解決しようとする課題 ところでトラック案内溝およびプレピット区間の再生信
号特性すなわち光メモリ素子を再生した場合の信号強度
として、プッシュプル信号、トラッククロス信号、セク
ターマーク信号、ＶＦＯ信号などのそれが規格値を満足
することが要求されている。これらはトラック案内溝や
プレピットの形状に関係する。

ところが上記の構成においてはこれらの特性のうち、プ
ッシュプル信号は規格値の上限に近く、ＶＦＯ信号は、
ＭＬ洛値の下限に近いため、両者を共に満足させるには
、トラック案内溝およびプレピットの幅および深さを非
常に精度よく制御しなければならず、現状の生産技術で
はこの精度を出すのは困難であった。またそれゆえに歩
留を低下させる傾向にあった。なお、ＶＦＯ信号の規格
値は０．２５以上、ブプンユブル信号の規格値は０．４
以上０．６５以下となっている。

この発明は上記の事情を考慮してなされたもので、トラ
ック案内溝及びプレピットを精度よく製造することがで
きる光メモリ素子を提供しようとするものである。

（ニ）課題を解決するための手段及び作用この発明は、
ＶＦＯ信号を含むプリフォーマットのプレピットが形成
されるプリフォーマット領域が所定の位置に形成され、
かつそのプリフォーマット領域に続く領域に情報が記録
されるトラックと、トラックに沿って設けられるトラッ
ク案内溝とがガラス基板に直接形成される光メモリ素子
であって、トラック案内溝は、プリフォーマット領域の
隣接する区間において少なくともプレピットの密度が高
くなるのに対応して挟くなる幅を有することを特徴とす
る光メモリ素子である。

上記の構成により、再生時におけるＶＦＯ信号などの値
が大きく、かつＶＦＯ信号などが記録され１こ領域以外
ではトラッククロス信号の値を低く抑えることができる
ため、規格値に対し充分余裕かありトラック案内溝の幅
を精度よく形成する必要がなくなる。従って、安定した
品質の製品を作ることができ、また、歩留が向上する。

（ホ）実施例 以下この発明の実施例を図面にて詳述するが、この発明
は以下の実施例に限定されるものではない。

第１〜４図において、ｌはトラックで、円盤状のガラス
基盤７の一方の表面に同心円状に複数形成される。そし
てトラックｌはトラック案内溝２に挟まれて形成され、
プレピット３により形成されるプリフす−マットを記録
するプリフォーマット領域４と、そのプリフォーマット
領域４に続くプレピット３が形成されていない情報記録
領域５とて構成される。

トラック案内溝２は、プリフォーマット領域４に隣接す
る第１区間２ａにおいては、プレピット３の密度に対応
してその幅Ｗ１が、情報記録領域５に隣接する第２区間
２ｂの幅Ｗ２よりも挟く形成されている。すなわち、第
２図に示すように、輻Ｗ１はプレピット３の密度に対応
して順次幅Ｗ２よりも狭く形成されるものである。ここ
で、プレピット３によりＶＦＯ信号がプリフォーマット
領域４に形成されている場合、トラック案内溝２の幅Ｗ
ｌは例えば約０２μｍであり、幅Ｗ２は例えば０．４ｕ
ｍである。この例の場合、ＶＦ○信号値は約０．３３と
なり、またブッンユプル信号値は約０５５となった。

プレピットの密度は、プレピットの平面形状がほぼ円形
である場合、プリフォーマット領域における所定の長さ
にあるプレピット数によって決まる。またプレピットの
平面形状が長円形である場合は、上記所定の長さがプレ
ピットの長さによって占有される割合によって決まる。

６は記録膜で、トラック１．）ラック案内溝２及びプレ
ピット３がガラス基板７上に形成されたのち、真空蒸着
、スパッタあるいはスピンコードなどの手法で形成され
る。そして必要に応じて記録膜６上に保護用基板が貼設
されるか、またはハードコート剤が塗布される。

以上の構成を有する光メモリ素子を作成するには、まず
ガラス基板７上にポジレノスト膜を膜厚約５０００　Ａ
、で形成する。次に、このポジレジスト膜をカッティン
グマシンによりレーザ光を走査してトラックＬ）ラック
案内溝２及びプレピット３を形成するためにそれぞれパ
ターニングする。トラック案内溝をパターニングする場
合、その時のレーザ光の強度をそのトラック案内溝に隣
接するプレピットの少なくとも密度に応じて変化させる
。

これによってトラック案内溝の溝幅を制御し、例えばＶ
ＦＯ信号のプレピットに隣接する部位では、０２μｍに
、それ以外では０　、４ｕａとしてパターニングする。

レーザ光の強度はプレピットの形状に応じて変化させて
もよい。

上記のようにして、ポジレジスト膜にパターニングがな
された後、これを現象し、その後トラック１、トラック
案内溝２及びプレピット３をそれぞれ深さ約０１μｍに
なるまでエツチングする。エツチングが完了したのち、
上記した真空蒸着やスピンコードなどの方法で、トラッ
クｌ、トラック案内溝２及びピット３の底面を含むガラ
ス基板７表面に記録膜６が形成される。

なお、上記したカッティングマシンを使用しない場合は
、ポジレノスト膜をガラスマスクを用いて露光装置にて
パターンを転写することによってパターニングしてもよ
い。

上記のようにして形成された光メモリ素子は、その複製
品を作製する原盤として用いてよく、またそれ自体が個
々の完成品とされてもよい。

上記においては、ＶＦＯ信号となるプレピットに隣接す
るトラック案内溝の幅について説明したが、他の信号例
えばセクターマーク信号などとなるプレピットの場合も
同様に、信号に対応して溝幅を狭くすればよい。

（へ）発明の効果 この発明によれば、トラック案内溝の幅が隣接するプレ
ピットの少なくとも密度に応じて変化しているすなわち
狭くなっているので、トラック案内溝による悪影響をほ
とんど受けず、プレピットに照射された光ビームの回折
現像か効率的に生じ、プレピットによる信号の再生信号
特性が規格値を充分満足する品質のよい光メモリ素子が
得られる。

また再生信号特性が規格値を充分満足しているので、歩
留り良く生産できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例の光メモリ素子の構成を示す
要部拡大平面図、第２図は実施例におけるプレピットの
密度が異なる場合のトラック案内溝の溝幅の変化を示す
要部拡大平面図、第３図は第１図のＹＩＹＩ線縦断線図
断面図図は第１図のｙｔ−ｙ、線図断面図、第５図は従
来例の構成を示す要部拡大平面図である。 ■ トランク、２ トラック案内溝、 ３・・・プレピット、 ４・　・プリフォーマット領域。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、ＶＦＯ信号を含むプリフォーマットのプレピットが
   形成されるプリフォーマット領域が所定の位置に形成さ
   れ、かつそのプリフォーマット領域に続く領域に情報が
   記録されるトラックと、トラックに沿って設けられるト
   ラック案内溝とがガラス基板に直接形成される光メモリ
   素子であって、トラック案内溝は、プリフォーマット領
   域の隣接する区間において少なくともプレピットの密度
   が高くなるのに対応して挟くなる幅を有することを特徴
   とする光メモリ素子。