JPH0446362B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ステータ側に１次巻線と２次巻線
を備え、ロータ側には巻線を設けないタイプの誘
導形（詳しくは可変磁気抵抗型）の回転位置検出
装置に関し、詳しくは、磁気抵抗変化（透磁性変
化）と渦電流損の両方をパラメータとした誘導係
数変化が相乗的に得られるようにし、高精度な検
出を可能にした回転位置検出装置に関する。

〔従来の技術〕

ステータ側に１次巻線と２次巻線を設け、ロー
タ側には巻線を設けないタイプの誘導形回転位置
検出器としては、回転位置に応じた電圧レベルを
持つ出力信号を生ずるタイプのものとしてマイク
ロシンといわれる回転形差動トランスが知られて
おり、他方、回転位置に応じた電気的位相角を持
つ交流信号を出力するタイプのものとして本出願
人の出願に係る特開昭57−70406号に開示された
ものが知られている。このような従来の検出装置
はいずれも磁性体の変位による磁気抵抗変化（透
磁性変化）のみに応じてコイルの誘導係数を変化
させるようにしていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

そのため、検出精度に限界があつた。

この発明は上述の点に鑑みてなされたもので、
検出精度をより一層高めることができるようにし
た回転位置検出装置を提供することを目的とす
る。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る回転位置検出装置は、１次交流
信号によつて励磁されると共に２次出力を取り出
すための巻線手段を具えたステータ部と、このス
テータ部に対して相対的に回転変位可能に配され
たロータ部とを具備しており、そこにおいて前記
ロータ部が、ステータ部に対する相対的回転変位
に応じて前記巻線手段を通る磁気の磁気抵抗（換
言すれば透磁性）を変化せしめる形状を成した磁
性体部分と、前記磁気抵抗が最も増大せしめられ
る箇所（換言すれば透磁性すなわちパーミアンス
が最も減少せしめられる箇所）を含む所定の範囲
において磁束に対して渦電流路を形成し得るよう
設けられ、前記磁性体部分よりも相対的に弱磁性
又は非磁性であると共に相対的に良導電体から成
る導電体部分、を含むものであることを特徴とし
ている。

〔作用〕

ロータ部において、磁気抵抗が最も増大せしめ
られる箇所を含む所定の範囲に対応して導電体部
分を設けたことにより、その部分で渦電流損が生
じ、これにより実質的な磁気抵抗が更に増大せし
められる。こうして、磁性体部分の変位による磁
気抵抗変化（透磁成変化）のみならず導電体部分
の変位による渦電流損をもパラメータとした誘導
係数変化（巻線手段の巻数その他の条件は固定で
あるため実質的には磁気抵抗変化と等価である）
が相乗的に得られることになる。すなわち、磁気
抵抗が最も減少せしめられる範囲（パーミアンス
が最も増大せしめられる範囲）においては導電体
部分による渦電流損の影響が及ばす、従つて十分
に高いレベルの電圧を２次側に誘導することがで
きる。他方、磁気抵抗が最も増大せしめられる箇
所を含む所定の範囲では導電体部分による渦電流
損が生ぜしめられ、磁気抵抗増大が加算され、従
つて、２次側に誘導される電圧レベルをより一層
下げることができる。こうして、２次側誘起電圧
の高レベル時と低レベル時の差すなわち変位に対
する２次出力の変化幅を十分に大きくすることが
できるようになり、これにより精度の良い変位検
出を行うことができるようになる。

〔実施例〕

以下添付図面を参照してこの発明の実施例を詳
細に説明しよう。

第１図において、ステータ部１は円周方向に沿
つて90度の間隔で配された４つの相Ａ〜Ｄに対応
する４つの極部１Ａ〜１Ｄを含む。各極部１Ａ〜
１Ｄには１次巻線W₁と２次巻線W₂が夫々巻回さ
れている。ステータ部１の各極部１Ａ〜１Ｄのコ
ア素材は共通の磁性体コア素材から成つている。
各極部１Ａ〜１Ｄの端部は内側に向いており、こ
の端部によつて囲まれた空間内にギヤツプを介し
てロータ部２が配されている。ロータ部２は回転
軸３に対して偏心した円筒状の磁性体部分２ａを
含んでいる。この磁性体部分２ａの偏心形状によ
り、ステータの各極部１Ａ〜１Ｄを通る磁気回路
の磁気抵抗を回転角度に応じて変化する。すなわ
ち、磁性体部分２ａの円筒側面と各極部１Ａ〜１
Ｄの端部との間のエアーギヤツプの距離が回転角
度θに応じて変化し、このギヤツプの変化によつ
て、ロータ部２の１回転につき１周期分の三角関
数に相当する磁気抵抗（もしくはパーミアンス）
変化が各相Ａ〜Ｄにもたらされる。

ロータ部２は、磁性体部分２ａの円筒側面にお
いて、回転軸３からの距離が最も短かい部分（つ
まり磁気抵抗が最も増大せしめられる箇所）に銅
のような弱磁性又は非磁性かつ良導電体から成る
導電体部分２ｂを具備している。第２図に側面図
を示すように、この導電体部分２ｂはステータ極
部１Ａ〜１Ｄの端部の面積とほぼ同じかそれより
幾分広い面積を持ち、極部１Ａ〜１Ｄと磁性体部
分２ａとの間を通る磁束に対して第２図の線Ｅで
示すように渦電流路を形成し得るようになつてい
る。

導電体部分２ｂがステータ極部１Ａ〜１Ｄの端
面により多く対向している状態（例えば最大では
第１図のＣ相の状態）ほどより多くの渦電流が導
電体部分２ｂに流れ、渦電流損によつて該導電体
部分２ｂに対向している極部（第１図の状態では
１ｃ）を通る磁気回路の磁気抵抗が増大せしめら
れる。一方、前述から明らかなように、ステータ
極部１Ａ〜１Ｄが導電体部分２ｂに対向している
状態では、その極部（第１図では１ｃ）とロータ
部２の磁性体部分２ａとの間のギヤツプが最大で
あり、該極部を通る磁気回路の磁気抵抗が最も増
大せしめられている。従つて、相乗的に磁気抵抗
が増大され、該極部における２次巻線W₂の誘起
電圧のレベルが相乗的に減衰せしめられる。

或るステータ極部１Ａ〜１Ｄから導電体部分２
ｂが離れるに従つて、その極部と磁性体部分２ａ
との間のギヤツプが縮まり、磁気抵抗が減少す
る。そして、第１図のＡ相のように、極部１Ａと
磁性体部分２ａとのギヤツプが最小になつた状態
で磁気抵抗が最小となり、該極部１Ａにおける２
次巻線W₂の誘起電圧のレベルが最大となる。

上述の事柄を作図によつて模式的に示すと、或
る１相の２次巻線W₂における磁性体部分２ａの
みによる誘起電圧のレベルは１回転（360度）の
範囲の回転変位に関して第３図の実線のようであ
るが、このレベルが相対的に減衰している部分に
おいて導電体部分２ｂの渦電流損による誘起電圧
のレベル減衰が破線のように相乗される。こうし
て、回転変位に対する誘起電圧レベルの変化幅
（例えばVL１、VL２）が磁性体部分２ａのみの
場合（VL１）に比べて磁性体部分２ａと導電体
部分２ｂの相乗効果による場合（VL２）の方が
大きくなる。

第２図の場合導電体部分２ｂは面状であるが、
これは第４図に示すようにリング状であつてもよ
く、要するに線Ｅで示すような渦電流路を形成し
得るようになつていればよい。

第５図及び第６図に示した実施例では、ステー
タ部４の各極部４Ａ〜４Ｄ、４Ｅの端部が回転軸
３に平行な方向を指向しており、円周方向に90度
の間隔で配された各相Ａ〜Ｄに対応する極部４Ａ
〜４Ｄには１次巻線W₁だけが巻回され、中央に
配された極部４Ｅには２次巻線W₂だけが巻回さ
れている。ロータ部５は斜面を有する円板状の磁
性体部分５ａを含んでおり、この斜面がステータ
極部４Ａ〜４Ｅの端部に対向している。磁性体部
分５ａと極部４Ａ〜４Ｅとの間のギヤツプの大き
い部分に、導電体部分５ｂが設けられている。磁
束は各極部４Ａ〜４Ｄからロータ部５を通つて中
央の極部４Ｅに流れる。導電体部分５ｂを流れる
渦電流路は第５図において線Ｅで示されている。
この構成により、第１図と同様に動作し、磁気抵
抗が増大する箇所において相乗的な磁気抵抗の増
大を図ることができる。

第７図及び第８図に示した実施例では、ステー
タ部６の各相Ａ〜Ｄに対応する極部６Ａ〜６Ｄ
が、コの字（又はＣ字）型の１相分の独立した磁
性体コアから夫々成つている。第１図、第２図、
第５図、第６図の例では、各極部の磁路はロータ
部を通つて別の極部につながるようになつている
が、第７図、第８図の例のように各相毎に独立の
コアを用いる場合は各極部の一方の端部からロー
タ部を通つて同じ極部の他方の端部につながるよ
う磁路が形成される。各極部６Ａ〜６Ｄには夫々
１次及び２次巻線W₁，W₂が巻かれている。

ロータ部７は、回転軸３に対して偏心した円板
状の磁性体部分７ａと、この磁性体部分７ａとは
180度ずれた位置で回転軸３に対して偏心した円
板状の導電体部分７ｂとから成る。第８図に示す
ように、ロータ部７はその縁部が各極部６Ａ〜６
Ｄの２本の脚部の間に侵入し得るように配されて
いる。磁性体部分７ａと導電体部分７ｂの偏心が
180度ずれているため、或る極部６Ａ〜６Ｄにお
いて磁性体部分７ａが最も多く侵入しているとき
導電体部分７ｂは全く侵入していず、反対に導電
体部分７ｂが最も多く侵入しているとき磁性体部
分７ａは全く侵入していない。導電体部分７ｂが
極部６Ａ〜６Ｄの２つの脚部の間に最も深く侵入
した状態（例えば第７図、第８図の６ｃに侵入し
た状態）では、渦電流が最も多く流れる。この状
態では磁性体部分７ａは極部６ｃの脚部に全く侵
入していず、磁気抵抗が増大している。従つて、
上述の実施例と同様に、磁気抵抗が相乗的に増大
せしめられる。尚、導電体部分７ｂは全体が導電
体から成つている必要はなく、渦電流路を形成し
得るように部分的に（例えば円板の円周に沿つて
リング状）導電体が用いられていてもよい。

第９図及び第１０図に示された実施例でも、ス
テータ部８の各相Ａ〜Ｄに対応する極部８Ａ〜８
Ｄが、コの字型の１相分の独立した磁性体コアか
ら成つており、各極部８Ａ〜８Ｄに１次巻線W₁
と２次巻線W₂が夫々巻かれている。各ステータ
極部８Ａ〜８Ｄの端部によつて囲まれた空間内に
挿入されたロータ部９は、全体として円筒状であ
り、１条ねじの配列で磁性体部分９ａと導電体部
分９ｂとが交互にら旋状に設けられている。ねじ
の山部が磁性体部分９ａに相対し、谷部に導電体
部分９ｂが設けられている。第１０図では図示の
便宜上、ねじの山部（磁性体部分９ａ）と谷部は
側面図で示し、この谷部に充填される導電体部分
９ｂは断面で示してある。ロータ部９の心部はね
じ山部と同じ磁性体から成つていてもよい。各極
部８Ａ〜８Ｄの端部とロータ部９の磁性体部分９
ａとの対向面積が大きいほど磁気抵抗が減少し、
該端部と導電体部分９ｂとの対向面積が大きいほ
ど磁気抵抗が増大する。磁性体部分９ａと導電体
部分９ｂは１条ねじ状に交互に設けられているた
め、回転位置に応じてこれらの部分と各極部８Ａ
〜８Ｄとの対向面積が変化し、前述の実施例と同
様に動作し、相乗的な磁気抵抗変化が得られる。

上記各実施例では各ステータ極部における磁気
抵抗変化のサイクルは１回転につき１サイクルで
あるが、第１１図及び第１２図に示された実施例
では１回転につき３サイクルとなつている。ステ
ータ部１０の各極部１０Ａ〜１０Ｄは、前述と同
様に、コの字型の各相毎に独立した磁性体コアか
ら成つており、夫々に１次及び２次巻線W₁，W₂
が巻かれている。ステータ極部１０Ａ〜１０Ｄの
各端部によつて囲まれた空間内に挿入されたロー
タ部１１は、全体として円筒形状であり、歯数３
の歯車状の磁性体部分１１ａと、各歯の間の凹部
に充填された３片の導電体部分１１ｂとから成つ
ている。ロータ部１１の円周面を見ると、60度の
幅で磁性体部分１１ａと導電体部分１１ｂが交互
に並んでおり、120度の回転範囲を１サイクルと
して各ステータ極部１０Ａ〜１０Ｄにおける磁気
抵抗変化が生じる。従つて１回転につき３サイク
ルの磁気抵抗変化が生じる。磁性体部分１１ａの
凹みによつて磁気抵抗が増大する箇所に導電体部
分１１ｂが設けられているため、上記各実施例と
同様に、相乗的な磁気抵抗変化が得られる。

第１３図及び第１４図に示された実施例は１回
転につき２サイクルの磁気抵抗変化を生じるもの
である。ステータ部１２は、円周方向に45度の間
隔で８個の極部１２Ａ〜１２Ｄ、１２〜１２
を具えており、同一相が180度の間隔で対向して
いる。ロータ部１３は、全体として楕円筒状であ
り、楕円筒形の磁性部分１３ａと、この楕円筒の
長径に沿うたて方向の周囲に巻かれたリング状の
導電体部分１３ｂとを具えている。磁性体部分１
３ａが楕円筒状であるため、各極部１２Ａ〜１２
Ｄ、１２〜１２には12回転を１サイクルと
する磁気抵抗変化が生じる。一方、導電体部分１
３ｂは楕円筒の長径に沿つてシヨートリングを形
成しているため、或る極部（第１３図の例では１
２Ａと１２）が磁性体部分１３ａの短径部に対
応しているとき、その極部を通る磁束に応じて最
も多くの渦電流が流れる。この短径部に対応する
極部では磁性体部分１３ａとのギヤツプが最大で
あり、磁気抵抗が増大している。従つて、上記各
実施例と同様に、相乗的に磁気抵抗が増大せしめ
られる。

第１５図及び第１６図に示された実施例も１回
転につき２サイクルの磁気抵抗変化を生じるもの
である。ステータ部１４は、独立の磁性体コアか
ら成る８個の極部１４Ａ〜１４Ｄ、１４〜１４
Ｄを45度の間隔で配しており、各極部には１次及
び２次巻線W₁，W₂が巻かれている。第１３図と
同様に、180度の間隔で対向する２つの相が同一
相となつている。第１３図の例では、磁気回路は
対向する２つの同一相の間でロータ部１３を通つ
て形成されるようにするが（例えば極部１２Ａか
らロータ部１３を介して極部１２に流れる磁気
回路が形成されるようにする）、第１５図の例で
は同じ極部の一方の端部からロータ部１５を通つ
て他方の端部に流れるよう磁気回路が形成され
る。

各ステータ極部１４〜１４の端部によつて
囲まれた空間内に挿入されたロータ部１５は、全
体として円筒状であり、２条ねじの配列で磁性体
部分１５ａと導電体部分１５ｂが交互にら旋状に
設けられている。２条ねじの山部が磁性体部分１
５ａに相当し、谷部に導電体部分１５ｂが設けら
れている。第１６図では図示の便宜上、ねじの山
部（磁性体部分１５ａ）と谷部は側面図で示し、
この谷部に充填される導電体部分１５ｂは断面で
示してある。ロータ部１５の心部はねじ山部と同
じ磁性体から成つていてもよい。２条ねじ構造で
あるため、或る極部における磁性体部分１５ａと
の対向面積の変化による磁気抵抗の変化は１回転
につき２サイクル生じる。また、その磁気抵抗が
最も増大する部分において導電体部分１５ｂが設
けられているので、相乗的に磁気抵抗が増大せし
められる。

上述の各実施例において、ロータ部の磁性体部
分は鉄その他の強磁性材質から成るものであるこ
とが好ましく、導電体部分は磁性体部分よりも相
対的に弱磁性又は非磁性であると共に相対的に良
導電性の材質（例えば銅あるいはアルミニウムあ
るいは真鍮など、若しくはそれらのような良導電
性物質と他の物質を混合したもの）から成るもの
であればよい。

上述した各実施例においては位相シフト方式に
よつてロータ部の回転位置に応じた出力信号を得
ることができるようになつている。まず、第１図
〜第１０図の実施例では、各相Ａ〜Ｄには１回転
を１サイクルとする磁気抵抗変化が生じ、この磁
気抵抗変化の位相は隣合う相間では90度づつずれ
ている。従つて、各相Ａ〜Ｄの２次巻線W₂に誘
起される電圧のレベルはロータ部の回転角度θに
応じて概ねＡ相ではcosθ、Ｂ相ではsinθ、Ｃ相で
は−sinθ、Ｄ相では−sinθなる略式で表わすこと
ができる。Ａ，Ｃ相の１次巻線W₁とＢ，Ｄ相の
１次巻線W₁とを空気的位相が90度ずれた交流信
号によつて夫々励磁する（例えば、Ａ及びＣ相は
正弦波信号sinωtで夫々励磁し、Ｂ及びＤ相は余
弦波信号cosωtで夫々励磁する）。そして、Ａ，
Ｃ相対ではその２次巻線W₂の出力信号を差動的
に加算し、Ｂ，Ｄ相対でもその２次巻線W₂の出
力を差動的に加算し、各対の差動出力信号を加算
合成して最終的な出力信号Ｙを得る。そうする
と、出力信号Ｙは次のような略式で実質的に表現
することができる。

Ｙ＝sinωtcosθ−（−sinωtcosθ） ＋cosωtsinθ−（−cosωtsinθ） ＝2sinωtcosθ＋2cosωtsinθ ＝2sin（ωt＋θ） 上記式で便宜的に「２」と示された係数を諸種
の条件に応じて定まる定数Ｋで置換えると、 Ｙ＝Ksin（ωt＋θ） と表現できる。ここで、θはロータ部の回転位置
に対応しているので、１次交流信号sinωt（または
cosωt）に対する出力信号Ｙの位相ずれθを測定
することにより回転位置を検出することができ
る。

２次コイルの出力合成信号Ｙと基準交流信号
sinωt（又はcosωt）との位相ずれθを求めるため
の手段は適宜に構成できる。第１７図は位相ずれ
θをデイジタル量で求めるようにした回路例を示
すものである。尚、特に図示しないが、積分回路
を用いて基準交流信号sinωtと出力信号Ｙ＝Ksin
（ωt＋θ）との位相角０度の時間差分を求めるこ
とにより、位相ずれθをアナログ量で求めること
もできる。

第１７図において、発振部３２は基準の正弦信
号sinωtと余弦信号cosωtを発生する回路、位相
差検出回路３７は上記位相ずれθを測定するため
の回路である。クロツク発振器３３から発振され
たクロツクパルスCPがカウンタ３０でカウント
される。カウンタ３０は例えばモジユロＭ（Ｍは
任意の整数）であり、そのカウンタ値がレジスタ
３１に与えられる。カウンタ３０の４／Ｍ分周出力 からは、クロツクパルスCPを４／Ｍ分周したパルス P_Cが取り出され、１／２分周囲のフリツプフロツプ ３４のＣ入力に与えられる。このフリツプフロツ
プ３４のＱ出力から出たパルスP_bがフリツプフ
ロツプ３５に加わり、出力から出たパルスP_a
がフリツプフロツプ３６に加わり、これら３５及
び３６の出力がローパスフイルタ３８，３９及び
増幅器４０，４１を経由して、余弦信号cosωtと
正弦信号sinωtが得られ、各相Ａ〜Ｄの１次巻線
W₁に印加される。カウンタ３０におけるＭカウ
ントがこれら基準信号cosωt，sinωtの2πラジア
ン分の位相角に相当する。すなわち、カウンタ３
０の１カウント値は2π／Ｍラジアンの位相角を示し ている。

２次コイル２Ａ〜２Ｄの合成出力信号Ｙは増幅
器４２を介してコンパレータ４３に加わり、該信
号Ｙの正・負極性に応じた方形波信号が該コンパ
レータ４３から出力される。このコンパレータ４
３の出力信号の立上りに応答して立上り検出回路
４４からパルスT_Sが出力され、このパルスT_Sに
応じてカウンタ３０のカウンタ値をレジスタ３１
にロードする。その結果、位相ずれθに応じたデ
イジタル値D〓がレジスタ３１に取り込まれる。
こうして、１回転内の回転位置をアブソリユート
で示すデータD〓を得ることができる。

第１１図〜第１６図の実施例も同様にして位相
シフト方式回転位置データを求めることができ
る。

但し、第１１図、第１２図の実施例は１回転に
つき３サイクルの磁気抵抗変化を生じるので、実
際の回転角度θに対してＹ＝Ksin（ωt＋3θ）なる
関係の出力信号が得られ、デイジタル値D〓は１／３ 回転内の回転位置をアブソリユートで特定するも
のとなる。また、第１３図〜第１６図の実施例は
１回転につき２サイクルの磁気抵抗変化を生じる
ので、出力信号ＹはＹ＝Ksin（ωt＋2θ）であり、
デイジタル値D〓は１／２回転内の回転位置をアブソ リユートで特定するものとなる。

信号処理方式は上述のような位相シフト方式に
限らず、通常の差動トランスのように、２次コイ
ルの差動出力を整流して回転位置に応じたレベル
のアナログ電圧を得るようにしてもよい。その場
合、各相Ａ〜Ｄの１次交流信号は全て共通として
よく、また、極部はＡ，Ｃ相又はＢ，Ｄ相の一方
だけとしてよい。

なお、ロータ部における導電体部分の形成法
は、めつき、溶射、パターン焼付、エツチング等
その他適宜の表面加工処理技術を用いて行うとよ
い。

また、ステータ部及びロータ部の構造は、実施
例に示したものに限らず、特許請求の範囲に示さ
れた範囲で様々な変形が可能である。

また、１次巻線と２次巻線は必ずしも別々に設
ける必要はなく、実開昭58−2621号あるいは実開
昭58−39507号に示されたもののように共通であ
つてもよい。

〔発明の効果〕

以上の通りこの発明によれば、磁性体部分の変
位による磁気抵抗変化と導電体部分の変位による
渦電流損に応じた等価的な磁気抵抗変化との相乗
効果により、変位に対する２次出力電圧レベルの
変化幅を大きくすることができ、精度の良い回転
位置検出が行えるようになる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る回転位置検出位置の一
実施例を示す径方向の断面図、第２図は同実施例
におけるロータ部の一例を示す側面図、第３図は
同実施例における２次側出力電圧レベルと回転位
置との関係を例示するグラフ、第４図は同実施例
におけるロータ部の変更例を示す側面図、第５図
はこの発明の別の実施例を示す正面略図、第６図
は第５図の−線に沿う断面図、第７図はこの
発明の更に別の実施例を示す正面略図、第８図は
第７図の−線に沿う断面図、第９図はこの発
明の他の実施例を示す径方向の断面図、第１０図
は第９図の−線に沿う断面図、第１１図はこ
の発明の更に他の実施例を示す径方向の断面図、
第１２図は第１１図のロータ部の側面図、第１３
図はこの発明の別の実施例を示す径方向の断面
図、第１４図は第１３図のロータ部の斜視図、第
１５図はこの発明の更に別の実施例を示す径方向
の断面図、第１６図は第１５図の−線に沿う
断面図、第１７図はこの発明の回転位置検出装置
を位相シフト方式によつて動作させ、回転位置に
応じた電気的位相シフト量の測定を行うための回
路の一例を示すブロツク図、である。 １，４，６，８，１０，１２，１４……ステー
タ部、１Ａ〜１Ｄ，４Ａ〜４Ｄ，６Ａ〜６Ｄ，８
Ａ〜８Ｄ，１０Ａ〜１０Ｄ，１２Ａ〜１２，１
４Ａ〜１４……Ａ〜Ｄ相に対応するステータ極
部、W₁……１次巻線、W₂……２次巻線、２，
５，７，９，１１，１３，１５……ロータ部、２
ａ，５ａ，７ａ，９ａ，１１ａ，１３ａ，１５ａ
……磁性体部分、２ｂ，５ｂ，７ｂ，９ｂ，１１
ｂ，１３ｂ，１５ｂ……導電体部分、３……回転
軸。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ １次交流信号によつて励磁されると共に２次
   出力を取り出すための巻線手段を具えたステータ
   部と、このステータ部に対して相対的に回転変位
   可能に配されたロータ部とを具備したものにおい
   て、 前記ロータ部が、 前記ステータ部に対する相対的回転変位に応じ
   て、前記巻線手段を通る磁気回路の磁気抵抗を変
   化せしめる形状を成した磁性体部分と、 前記磁気抵抗が最も増大せしめられる箇所を含
   む所定の範囲において磁束に対して渦電流路を形
   成し得るよう設けられ、前記磁性体部分よりも相
   対的に弱磁性又は非磁性であると共に相対的に良
   導電体から成る導電体部分と、 を含むものであることを特徴とする回転位置検出
   装置。