NL8403459A - Werkwijze en inrichting voor het aanbrengen van een laag van fotogevoelig materiaal op een halfgeleiderschijf. - Google Patents

Werkwijze en inrichting voor het aanbrengen van een laag van fotogevoelig materiaal op een halfgeleiderschijf. Download PDF

Info

Publication number
NL8403459A
NL8403459A NL8403459A NL8403459A NL8403459A NL 8403459 A NL8403459 A NL 8403459A NL 8403459 A NL8403459 A NL 8403459A NL 8403459 A NL8403459 A NL 8403459A NL 8403459 A NL8403459 A NL 8403459A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
photosensitive material
liquid
edge
disc
jet
Prior art date
Application number
NL8403459A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8403459A priority Critical patent/NL8403459A/nl
Priority to US06/795,684 priority patent/US4668334A/en
Priority to DE8585201799T priority patent/DE3572049D1/de
Priority to EP85201799A priority patent/EP0183297B1/en
Priority to CN85108189.4A priority patent/CN1003751B/zh
Priority to IE2806/85A priority patent/IE57147B1/en
Priority to JP60250982A priority patent/JPH0719741B2/ja
Publication of NL8403459A publication Critical patent/NL8403459A/nl

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

* -V
f ·» PHN 11.211 1 N.V. Philips» Gloeilampenfabrieken te Eindhoven "Werkwijze en inrichting voor het aanbrengen van een laag van fotoge-voelig materiaal op een halfgeleiderschijf"
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het aanbrengen van een laag van fotogevoelig materiaal op een schijf van halfgeleidermateriaal, waarbij het fotogevoelig materiaal in vloeibare vorm op de schijf wordt aangebracht en de schijf vervolgens wordt gero-5 teerd ter verkrijging van de gewenste dikte van de laag en waarbij aan de rand van de schijf aanwezig fotogevoelig materiaal wordt verwijderd met behulp van een op deze rand gerichte straal van een, het fotogevoelig materiaal oplossende vloeistof. De uitvinding heeft tevens betrekking op een inrichting voor het uitvoeren van deze werkwijze alsmede op 10 een halfgeleiderschijf verkregen met behulp van deze werkwijze.
Het aanbrengen van een fotogevoelige laag (photoresist) op een halfgeleiderschijf (wafer) ten behoeve van de vervaardiging van mi- cro-electronische schakelingen geschiedt in het algemeen met speciaal voor dit doel ontworpen machines, die een roteerbare, in snelheid re-15 gelbare, horizontaal opgestelde tafel bevatten. De halfgeleiderschijf wordt op deze tafel geplaatst, en hierop vastgehouden, b.v. met behulp van vacuum. Een gedoseerde hoeveelheid vloeibaar fotogevoelig materiaal wordt op de halfgeleiderschijf aangebracht. Door rotatie van de tafel ondervindt de fotogevoelige laag een centrifugale werking en bij een 20 bepaalde omwentelingssnelheid wordt de gewenste uiteindelijke dikte van de fotogevoelige laag bereikt.
Bij dit proces treedt evenwel aan de rand van de halfgeleiderschijf een ongewenst effect op; aan de rand wordt het vertikale gedeelte van de schij f ook met fotogevoelig materiaal bedekt. Dit over de 25 rand hangende fotogevoelige materiaal breekt gemakkelijk af (het is zeer broos) en veroorzaakt daarbij zowel in de transportmiddelen als in de verdere verwerkingsapparatuur van de halfgeleiderschijf een ongewenste vervuiling, terwijl juist ter verkrijging van een gunstige opbrengst een uiterst grote reinheid gewenst is.
Om dit ongewenste effect te vermijden, verwijdert men het overhangende fotogevoelige materiaal met behulp van een geschikt vloeibaar organisch oplosmiddel, zoals b.v. aceton. Daarbij wordt een straal 3 « 0 ^ >\ £ π vï i w v) W 7 30 PHN 11.211 2 .
S -5 van het oplosmiddel op de rand van de roterende halfgeleiderschijf gericht. Door spetteren wordt vaak een gedeelte van het aktieve oppervlak van de halfgeleiderschijf door het oplosmiddel geraakt, waardoor de opbrengst negatief wordt beïnvloed.
5 De uitvinding heeft tot doel een werkwijze te verschaffen, waarbij het over de rand van de halfgeleiderschijf uitstekend fotoge-voelig materiaal effektief wordt verwijderd, terwijl er geen negatieve beïnvloeding van de opbrengst plaatsvindt. Om dit doer te bereiken heeft de werkwijze volgens de uitvinding het kenmerk, dat de straal van ^ de, het fotogevoelig materiaal oplossende vloeistof eerst wordt gericht op een plaats buiten de schijf van halfgeleidend materiaal, dat daarna de vloeistofstraal naar de rand van de schijf wordt gericht en dat vervolgens de vloeistofstraal weer naar een plaats buiten de schijf wordt gericht.
15
Verrassenderwijze is gebleken, dat met de werkwijze volgens de uitvinding het ongewenst spetteren van het oplosmiddel voor de foto-gevoelige laag niet meer optreedt en dat daardoor de opbrengst van geschikte halfgeleiderr-eenheden uitermate positief wordt beïnvloed. Het gunstige effekt van de werkwijze volgens de uitvinding wordt waar- 20 schijnlijk verkregen, doordat wordt vermeden dat bij inschakelen het oplosmiddel rechtstreeks op de halfgeleiderschijf wordt gericht, zodat geen spetter-effekt behoeft op te treden en de opbrengst sterk wordt verhoogd.
De uitvinding heeft voorts betrekking op een inrichting voor 25 het uitvoeren van de werkwijze volgens de uitvinding. Een dergelijke inrichting die een roteerbare tafel bevat en die tevens middelen heeft om een schijf van halfgeleidermateriaal op de tafel vast te houden en die een toevoerinrichting bevat voor een vloeistof die geschikt is om fotogevoelig materiaal op te lossen, heeft het kenmerk, dat de 30 toevoerinrichting een buisvormig deel bevat met een uitstroommondstuk voor de, het fotogevoelig materiaal oplossende vloeistof en dat het buisvormig deel met het uitstroommondstuk ten opzichte van de roteerbare tafel zijdelings verplaatsbaar is aangebracht, met behulp van middelen die zodanig werken dat een uit het uitstroommondstuk komende 35 vloeistofstraal buiten de rand, vervolgens naar de rand en daarna weer buiten de rand van de halfgeleiderschijf is gericht.
Bij een gunstige uitvoeringsvorm van de inrichting volgens 9403459 PHN 11.211 3 f * de uitvinding is het buisvormig deel met het uitstroommondstuk zwenk-baar opgesteld en zijn bewegingsmiddelen aanwezig, om het buisvormig deel te zwenken vanuit de positie waarin de vloeistofstraal buiten de rand van de halfgeleiderschijf is gericht naar een positie waarbij de 5 vloeistofstraal naar de rand en vervolgens weer buiten de rand is gericht.
De uitvinding zal aan de hand van een in de tekening weergegeven uitvoeringsvoorbeeld nader worden toegelicht . De tekening toont in 10 Fig. 1 zeer schematisch, een inrichting voor het aanbrengen van fotogevoelig materiaal op een halfgeleiderschijf en voor het verwijderen van over de rand hangend materiaal, terwijl in
Fig. 2 dezelfde inrichting is weergegeven met een andere positie van de toevoerinrichting voor oplosvloeistof; 15 Fig. 3 toont een gedeelte van een halfgeleidersubstraat met over de rand hangend fotogevoelig materiaal.
De Figuren 1 en 2 tonen zeer schematisch een inrichting voor het aanbrengen van een laag fotogevoelig materiaal (photoresist) op een halfgeleiderschijf (wafer). De inrichting bevat een tafel 1 die roteer-20 baar is om een as 2, waarvan de aandrijving niet is weergegeven. Op tafel 1 is een schijf 3 uit halfgeleidend materiaal geplaatst. De schijf wordt op tafel 1 vastgehouden in op zichzelf bekende wijze, b.v. met behulp van vacuum.
Door een buis 4 wordt een gedoseerde hoeveelheid fotogevoe-25 lig materiaal in vloeibare vorm op de halfgeleiderschijf 3 aangebracht. Door rotatie om as 2 wordt op het fotogevoelige materiaal een centrifugale kracht uitgeoefend; de dikte van de uiteindelijk te verkrijgen laag wordt mede bepaald door het toerental waarmee as 2 en dus ook aan schijf 3 roteert.
30 De uiteindelijke vorm van de laag fotogevoelig materiaal 5 is in Fig. 3 sterk vergroot weergegeven. Behalve op de bovenzijde van schijf 3 bevindt zich ook een hoeveelheid van het fotogevoelige materiaal aan de omtreksrand van schijf 3 en bij het vertikale gedeelte 6 van de schijf. Dit deel van het fotogevoelige materiaal is aangeduid met 35 het verwijzingscijfer 7. Vanwege zijn brosheid kan het materiaal 7 bij transport en bij verdere bewerking van de halfgeleiderschijf 3 gemakkelijk afbreken. Afgebroken delen verontreinigen verdere bewerkingsappa- a λ - '1 o 's# ί — ή- n j; 's i PHN -11.211 4 ratuur, heetgeen uitermate nadelig kan inwerken op de kwaliteit van de te vervaardigen halfgeleiderinrichtingen.
Het is bekend om een organische vloeistof zoals aceton, rechtstreeks op de omtreksrand van de, met fotogevoelig materiaal be-5 dekte halfgeleiderschijf 6 te spuiten om het fotogevoelige materiaal 7 op te lossen en zodoende verontreinigingen te voorkomen.
Aanvraagster heeft gevonden dat het vrijwel zeker is, dat * voornamelijk bij het inschakelen van de straal van het oplosmiddel die gericht is op de halfgeleiderschijf spetters van het oplosmiddel ook een verder gedeelte van de halfgeleiderschijf raken en daarbij d'efekten veroorzaken in de fotogevoelige laag, hetgeen tot gevolg heeft, dat de opbrengst van gunstig werkende halfgeleiderinrichtingen nadelig wordt beïnvloed. De uitvinding voorkomt deze nadelige werking,
In Fig. 1 en 2 is schematisch een deel van de toevoerinrieh-15 ting 8 voor het oplosmiddel van de fotogevoelige laag weergegeven. Deze toevoerinrichting bevat een buisvormig deel 9, dat zwenkbaar is om een scharnier 10. Het buisvormige deel 9 heeft een uitstroommondstuk 11.
Een bewegingsmechanisme voor het zwenken van buisvormig deel 9 is in de tekening bij wijze van voorbeeld weergegeven als een excenterschijf 12, 20 die draaibaar is om een as 13. Door rotatie van de excenterschijf 12 kan buis 9 bewegen tussen de posities weergegeven in Fig. 1 en Fig. 2.
Volgens de uitvinding wordt bij het verwijderen van de om-trekrand 7 van fotogevoelig materiaal in eerste instantie het uitstroommondstuk 11 in de positie van Fig. 2 geplaatst en in die 25 positie wordt de toevoer van oplosvloeistof ingeschakeld en raakt de vloeistofstraal de halfgeleiderschijf 3 niet. Bij het inschakelen wordt dus spetteren van vloeistof over het oppervlak van de halfgeleiderschijf vermeden. Na het inschakelen van de vloeistofstraal wordt het mondstuk 11 van de buis 9 naar de rand van schijf 3 gericht. 30
In het getoonde uitvoeringsvoorbeeld is buis 9 zwenkbaar om scharnier 10 en wordt de zwenkbeweging geregeld met behulp van een excenterschijf 12, die om een as 13 draaibaar is. In de positie van Fig. 1 is de vloeistofstraal gericht op de rand van schijf 1. Daarbij is gebleken dat geen spetteren van vloeistof over de halfgeleiderschijf 3 35 plaatsvindt, waardoor een nadelige beïnvloeding van de opbrengst wordt vermeden. Na het oplossen van het over de rand van de schijf hangend gedeelte van het fotogevoelige materiaal wordt de buis 9 weer in de 55 A 0 3 £ 5§ a ΡΗΜ 11.211 5 ί - positie van Fig. 2 gebracht en wordt de vloeistofstraal uitgeschakeld.
Het zal duidelijk zijn dat de wijze van bewegen van het mondstuk 11 en de buis 9 ten opzichte van de schijf 3 ook op andere wijze kan geschieden; de zwenkbare buis en de aandrijving met behulp van een g excenterschijf zijn slechts bij wijze van voorbeeld getoond.
·* 10 15 20 25 30 3^0? *->· ? 3 35

Claims (3)

1. Werkwijze voor het aanbrengen van een laag van fotogevoelig materiaal op een schijf van halfgeleidermateriaal, waarbij het fotogevoelig materiaal in vloeibare vorm op de schijf wordt aangebracht en de schijf vervolgens wordt geroteerd ter verkrijging van de gewenste dikte 5 van de laag en waarbij aan de rand van de schijf aanwezig fotogevoelig materiaal wordt verwijderd met behulp van een op deze rand gerichte straal van een, het fotogevoelig materiaal oplossende vloeistof, met het kenmerk, dat de straal van de, het fotogevoelig materiaal oplossende vloeistof eerst wordt gericht op een plaats buiten de schijf van 10 halfgeleidend materiaal, dat daarna de vloeistofstraal naar de rand van de schijf wordt gericht en dat vervolgens de vloeistofstraal weer naar een plaats buiten de schijf wordt gericht.
2. Inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze volgens con-clusle 1, waarbij de inrichting een roteerbare tafel bevat, middelen om een schijf van halfgeleidermateriaal op de tafel vast te houden en waarbij een toevoerinrichting aanwezig is voor een vloeistof die geschikt is om fotogevoelig materiaal op te lossen, met het kenmerk, dat de toevoerinrichting een buisvormig deel bevat met een uitstroom- ^ mondstuk voor de, het fotogevoelig materiaal oplossende vloeistof en dat het buisvormig deel met het uitstroommondstuk ten opzichte van de roteerbare tafel zijdelings verplaatsbaar is aangebracht, met behulp van middelen die zodanig werken dat een uit het uitstroommondstuk komende vloeistofstraal buiten de rand, vervolgens naar de rand en daarna weer buiten de rand van de halfgeleiderschijf is gericht. 25 *
3. Inrichting volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het buisvormig deel met het uitstroommondstuk zwenkbaar is opgesteld en dat bewegingsmiddelen aanwezig zijn om het buisvormig deel te zwenken vanuit de positie waarin de vloeistofstraal buiten de rand van de halfgeleiderschijf is gericht naar een positie waarbij de vloeistofstraal 30 naar de rand en vervolgens weer buiten de rand is gericht. 8403459 35
NL8403459A 1984-11-13 1984-11-13 Werkwijze en inrichting voor het aanbrengen van een laag van fotogevoelig materiaal op een halfgeleiderschijf. NL8403459A (nl)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8403459A NL8403459A (nl) 1984-11-13 1984-11-13 Werkwijze en inrichting voor het aanbrengen van een laag van fotogevoelig materiaal op een halfgeleiderschijf.
US06/795,684 US4668334A (en) 1984-11-13 1985-11-06 Method and apparatus for applying a layer of photosensitive material to a semiconductor wafer
DE8585201799T DE3572049D1 (en) 1984-11-13 1985-11-06 Method and apparatus for applying a layer of photosensitive material to a semiconductor wafer
EP85201799A EP0183297B1 (en) 1984-11-13 1985-11-06 Method and apparatus for applying a layer of photosensitive material to a semiconductor wafer
CN85108189.4A CN1003751B (zh) 1984-11-13 1985-11-10 在一块半导体晶片上涂盖一层感光材料的方法及装置
IE2806/85A IE57147B1 (en) 1984-11-13 1985-11-11 Method and apparatus for applying a layer of photosensitive material to a semiconductor wafer
JP60250982A JPH0719741B2 (ja) 1984-11-13 1985-11-11 半導体ウェーハに感光材料の層を設ける方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8403459A NL8403459A (nl) 1984-11-13 1984-11-13 Werkwijze en inrichting voor het aanbrengen van een laag van fotogevoelig materiaal op een halfgeleiderschijf.
NL8403459 1984-11-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8403459A true NL8403459A (nl) 1986-06-02

Family

ID=19844757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8403459A NL8403459A (nl) 1984-11-13 1984-11-13 Werkwijze en inrichting voor het aanbrengen van een laag van fotogevoelig materiaal op een halfgeleiderschijf.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4668334A (nl)
EP (1) EP0183297B1 (nl)
JP (1) JPH0719741B2 (nl)
CN (1) CN1003751B (nl)
DE (1) DE3572049D1 (nl)
IE (1) IE57147B1 (nl)
NL (1) NL8403459A (nl)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0444216Y2 (nl) * 1985-10-07 1992-10-19
JPH0757528B2 (ja) * 1987-02-03 1995-06-21 三井石油化学工業株式会社 有機質の膜を切断する方法
JP2623608B2 (ja) * 1987-11-02 1997-06-25 ヤマハ株式会社 レジスト除去法
JPH01121114U (nl) * 1988-02-04 1989-08-16
DE68920380T2 (de) * 1988-08-19 1995-05-11 Hitachi Maxell Aufzeichnungsmedium für optische Daten und Herstellungsgerät und -methode dafür.
US5028955A (en) * 1989-02-16 1991-07-02 Tokyo Electron Limited Exposure apparatus
US5658387A (en) * 1991-03-06 1997-08-19 Semitool, Inc. Semiconductor processing spray coating apparatus
US6375741B2 (en) * 1991-03-06 2002-04-23 Timothy J. Reardon Semiconductor processing spray coating apparatus
US5294257A (en) * 1991-10-28 1994-03-15 International Business Machines Corporation Edge masking spin tool
JP3276449B2 (ja) * 1993-05-13 2002-04-22 富士通株式会社 回転塗布方法
US5705223A (en) * 1994-07-26 1998-01-06 International Business Machine Corp. Method and apparatus for coating a semiconductor wafer
US5646071A (en) * 1995-01-19 1997-07-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Equipment and method for applying a liquid layer
US5952050A (en) * 1996-02-27 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Chemical dispensing system for semiconductor wafer processing
US5688555A (en) * 1996-06-03 1997-11-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd Gas barrier during edge rinse of SOG coating process to prevent SOG hump formation
US5863331A (en) * 1996-07-11 1999-01-26 Braden; Denver IPC (Chip) termination machine
JP2002501425A (ja) * 1996-10-28 2002-01-15 ロバート・ハープスト 薄い膜を形成する方法及び装置
US5925410A (en) * 1997-05-06 1999-07-20 Micron Technology, Inc. Vibration-enhanced spin-on film techniques for semiconductor device processing
US6117778A (en) * 1998-02-11 2000-09-12 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer edge bead removal method and tool
JP3800282B2 (ja) * 1998-11-30 2006-07-26 大日本スクリーン製造株式会社 塗布液塗布方法
JP3395696B2 (ja) * 1999-03-15 2003-04-14 日本電気株式会社 ウェハ処理装置およびウェハ処理方法
US6453916B1 (en) * 2000-06-09 2002-09-24 Advanced Micro Devices, Inc. Low angle solvent dispense nozzle design for front-side edge bead removal in photolithography resist process
US7247209B2 (en) * 2003-06-12 2007-07-24 National Semiconductor Corporation Dual outlet nozzle for the combined edge bead removal and backside wash of spin coated wafers
CN103021809A (zh) * 2012-12-03 2013-04-03 天津中环领先材料技术有限公司 一种点滴式硅片边缘二氧化硅的去除方法
US9343335B1 (en) 2013-05-01 2016-05-17 Spintrac Systems, Inc. Cleaning photoresist nozzles for coater module
JP7505439B2 (ja) * 2021-04-12 2024-06-25 三菱電機株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2023046946A (ja) * 2021-09-24 2023-04-05 Towa株式会社 樹脂成形品の製造方法、フィルム固定部材、液状樹脂拡大機構、及び樹脂成形装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2386591A (en) * 1944-03-22 1945-10-09 James T Campbell Plate whirler
NL133498C (nl) * 1958-06-18
DE1214972B (de) * 1961-12-16 1966-04-21 Siemens Ag Duesenkoerper zur AEtzbehandlung von Halbleiteranordnungen, Verfahren zum Herstelleneines solchen Duesenkoerpers und Vorrichtung mit einem solchen
DE2506457C3 (de) * 1975-02-15 1980-01-24 S.A. Metallurgie Hoboken-Overpelt N.V., Bruessel Verfahren zur Herstellung einer silikatischen Abdeckschicht auf einer Halbleiterscheibe öder auf einer auf ihr befindlichen Schicht
DE2634144A1 (de) * 1975-07-29 1977-02-17 Fuji Photo Film Co Ltd Photographisches, lichtempfindliches material und spinnbeschichtungsverfahren zu seiner herstellung
JPS5819350B2 (ja) * 1976-04-08 1983-04-18 富士写真フイルム株式会社 スピンコ−テイング方法
JPS609129A (ja) * 1983-06-29 1985-01-18 Fujitsu Ltd ウエツト処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61121333A (ja) 1986-06-09
IE852806L (en) 1986-05-13
EP0183297A1 (en) 1986-06-04
CN1003751B (zh) 1989-03-29
DE3572049D1 (en) 1989-09-07
CN85108189A (zh) 1986-06-10
IE57147B1 (en) 1992-05-06
US4668334A (en) 1987-05-26
EP0183297B1 (en) 1989-08-02
JPH0719741B2 (ja) 1995-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8403459A (nl) Werkwijze en inrichting voor het aanbrengen van een laag van fotogevoelig materiaal op een halfgeleiderschijf.
JP6314779B2 (ja) 液処理方法、記憶媒体及び液処理装置
JP3414916B2 (ja) 基板処理装置および方法
JP2007073670A (ja) 水溶性樹脂被覆方法
WO2006027891A1 (ja) 基板洗浄方法及び現像装置
JP2018513546A (ja) 仮接合された基板スタックの結合層を少なくとも部分的に溶解するための装置および方法
KR100565364B1 (ko) 가공 툴 내에서 기판의 배면측상의 입자에 의한 오염의 저감 장치 및 방법
US6381796B1 (en) Spinning washer for wafers
JP4966709B2 (ja) 樹脂被覆装置及びレーザー加工装置
KR101842720B1 (ko) 유기 현상 처리 방법 및 유기 현상 처리 장치
JP2001110714A (ja) 薬液塗布装置および薬液塗布方法
JP6411571B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2616899B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP3963732B2 (ja) 塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置
JP2635476B2 (ja) 塗布装置及び塗布方法
JP2793554B2 (ja) 半導体装置の製造方法
WO2021124929A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理システム
KR100239751B1 (ko) 스핀코팅장치
JP2523487Y2 (ja) 回転塗布装置
JPH08107053A (ja) 成膜除去方法
JPH03262563A (ja) 塗布装置
JPH10294250A (ja) エッジリンス処理方法
JP2022071480A (ja) 処理方法及び処理システム
JPH08107062A (ja) 塗布膜形成方法
JPH04130716A (ja) ウエハ偏心エッジリンス法

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed