JPH0436686A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
- Publication number
- JPH0436686A JPH0436686A JP14139190A JP14139190A JPH0436686A JP H0436686 A JPH0436686 A JP H0436686A JP 14139190 A JP14139190 A JP 14139190A JP 14139190 A JP14139190 A JP 14139190A JP H0436686 A JPH0436686 A JP H0436686A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scintillator
- photodiode
- shielding material
- photoelectric conversion
- conversion element
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高エネルギ放射線を利用したコンビューティ
ラドトモグラフィ装置(以下単にCT装置という)のシ
ンチレーション検出器に係り、特に、クロストーク防止
に好適なシンチレーション検出器に関する。
ラドトモグラフィ装置(以下単にCT装置という)のシ
ンチレーション検出器に係り、特に、クロストーク防止
に好適なシンチレーション検出器に関する。
従来の装置は、特開昭63−309886号公報に記載
のように、シンチレータ側面に光電変換素子を取り付け
ていた。また、シンチレータ相互間には、クロストーク
を減少させるため遮蔽材が挿入されている。しかし、上
記の様に、光電変換素子を側面に取り付けると、遮蔽材
の厚さが光電変換素子の厚みのぶんだけ薄くなってしま
う。そのため、クロストークを十分に減少させることが
困難となる。
のように、シンチレータ側面に光電変換素子を取り付け
ていた。また、シンチレータ相互間には、クロストーク
を減少させるため遮蔽材が挿入されている。しかし、上
記の様に、光電変換素子を側面に取り付けると、遮蔽材
の厚さが光電変換素子の厚みのぶんだけ薄くなってしま
う。そのため、クロストークを十分に減少させることが
困難となる。
また、S/N比を向上させるには、光電変換素子への螢
光収光性を増す必要がある。
光収光性を増す必要がある。
上記従来技術はシンチレータ間のクロストーク現象につ
いて考慮がされておらず、クロストークが原因となるC
T両画像画質劣化の問題があった。
いて考慮がされておらず、クロストークが原因となるC
T両画像画質劣化の問題があった。
また、シンチレータ内で発光した螢光を効率よく光電変
換素子に入れる考慮がなされていなかった。
換素子に入れる考慮がなされていなかった。
本発明の目的は、クロストークを減少させ、画質を向上
させ、さらに、螢光収光性を上げS/N比を改善するこ
とにある。
させ、さらに、螢光収光性を上げS/N比を改善するこ
とにある。
上記目的を達成するために、本発明は光電変換素子とし
てのフォトダイオードを、遮蔽材のないシンチレータ面
に取り付けた。
てのフォトダイオードを、遮蔽材のないシンチレータ面
に取り付けた。
上記他の目的を達成するために、本発明はシンチレータ
の形状を三角柱に近い形のものとし、光電変換素子を螢
光収光性が高まるように三角形の底辺部に取り付けた。
の形状を三角柱に近い形のものとし、光電変換素子を螢
光収光性が高まるように三角形の底辺部に取り付けた。
光電変換素子であるフォトダイオードを、放射線遮蔽材
のないシンチレータ面に取り付けることにより、放射線
遮蔽材の厚みをフォトダイオードの分だけ厚くできる。
のないシンチレータ面に取り付けることにより、放射線
遮蔽材の厚みをフォトダイオードの分だけ厚くできる。
それによって、クロストークの原因となる二次放射線は
、数%だが、厚くなった分の放射線遮蔽材により遮蔽さ
れる。
、数%だが、厚くなった分の放射線遮蔽材により遮蔽さ
れる。
また、シンチレータの形状を三角柱に近いものとしたこ
とにより、検出器間隔を変えることなく、フォトダイオ
ードの接触面積、及び、シンチレータの体積を増すこと
ができる。これにより、入射X線の光変換効率、及び、
光電変換効率を上げることができ、S/N比の改善につ
ながる。
とにより、検出器間隔を変えることなく、フォトダイオ
ードの接触面積、及び、シンチレータの体積を増すこと
ができる。これにより、入射X線の光変換効率、及び、
光電変換効率を上げることができ、S/N比の改善につ
ながる。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。X線
源1から出たX線は、ターンテーブル2上にある被検体
3を透過し、コリメータ4を通って検出器5に入る。入
射したX線6は螢光発光材であるところのシンチレータ
7との相互作用の結果、螢光に変換される。発生した螢
光は、反射材のぬられた反射面で何回か反射した後、光
電変換素子であるところのフォトダイオード8に入射す
る。フォトダイオードに入射した光信号は、電気信号と
なり、ケーブル9から取り出される。しかし、入射X線
がシンチレータと相互作用をして螢光を発する効率は、
100%ではない。多くの入射X線は、コンプトン散乱
等により、外部に逃げていく、この外部に逃げ出す二次
放射線が、別のシンチレータに入射することがクロスト
ーク現象である。このクロストーク現象を減らすために
は、各シンチレータの間に、放射線遮蔽材10を挿入す
る必要がある。また、この放射線遮蔽材10の厚みは、
厚ければ厚いほど良い。
源1から出たX線は、ターンテーブル2上にある被検体
3を透過し、コリメータ4を通って検出器5に入る。入
射したX線6は螢光発光材であるところのシンチレータ
7との相互作用の結果、螢光に変換される。発生した螢
光は、反射材のぬられた反射面で何回か反射した後、光
電変換素子であるところのフォトダイオード8に入射す
る。フォトダイオードに入射した光信号は、電気信号と
なり、ケーブル9から取り出される。しかし、入射X線
がシンチレータと相互作用をして螢光を発する効率は、
100%ではない。多くの入射X線は、コンプトン散乱
等により、外部に逃げていく、この外部に逃げ出す二次
放射線が、別のシンチレータに入射することがクロスト
ーク現象である。このクロストーク現象を減らすために
は、各シンチレータの間に、放射線遮蔽材10を挿入す
る必要がある。また、この放射線遮蔽材10の厚みは、
厚ければ厚いほど良い。
本実施例では、光電変換素子であるフォトダイオード8
と、放射線遮蔽材10とは、従来例と異なり、同じ位置
関係にはない。従って、放射線遮蔽材10の厚さをフォ
トダイオード8の厚みの分だけ増すことができる。これ
により、クロストークを数%だが減じることができる。
と、放射線遮蔽材10とは、従来例と異なり、同じ位置
関係にはない。従って、放射線遮蔽材10の厚さをフォ
トダイオード8の厚みの分だけ増すことができる。これ
により、クロストークを数%だが減じることができる。
第2図は、本発明の応用一実施例である。入射X線を高
い効率で螢光に変換するには、シンチレータの体積が大
きい方が良い。また、フォトダイオードで光信号を電気
信号に高い効率で変換するには、フォトダイオードの面
積が大きい方が良い。
い効率で螢光に変換するには、シンチレータの体積が大
きい方が良い。また、フォトダイオードで光信号を電気
信号に高い効率で変換するには、フォトダイオードの面
積が大きい方が良い。
この応用実施例では、断面の三角形状の高さHを大きく
することにより、検出器間の間隔を変えることなく、上
の二点を改善することができる。
することにより、検出器間の間隔を変えることなく、上
の二点を改善することができる。
第3図は、本発明の応用例である1本発明の目的とする
ような効果は、シンチレータの形状が三角でなくても得
られる。第3図(a)では、三角の頂点部分をけずりと
った台形型であり、また(b)では、三角形の頂点部分
をまるめたものである。収光性を上げるためには、(b
)の変形として、放物線型にするものも考えられる。
ような効果は、シンチレータの形状が三角でなくても得
られる。第3図(a)では、三角の頂点部分をけずりと
った台形型であり、また(b)では、三角形の頂点部分
をまるめたものである。収光性を上げるためには、(b
)の変形として、放物線型にするものも考えられる。
本発明によれば、放射線遮蔽材の厚みが、従来よりフォ
トダイオードの厚み分だけ厚くできるので、シンチレー
タ間のストロークを数%だが、減じることができる。さ
らに、シンチレータの形状を三角柱に近いものとしたた
め、フォトダイオードの接触面積、及び、シンチレータ
の体積を検出器間の間隔を変えることなく大きくするこ
とができる。これにより、検出器のS/N比の改善が可
能である。
トダイオードの厚み分だけ厚くできるので、シンチレー
タ間のストロークを数%だが、減じることができる。さ
らに、シンチレータの形状を三角柱に近いものとしたた
め、フォトダイオードの接触面積、及び、シンチレータ
の体積を検出器間の間隔を変えることなく大きくするこ
とができる。これにより、検出器のS/N比の改善が可
能である。
第1図は、本発明の一実施例を示す説明図である。第2
図及び第3図は、本発明の他の実施例のX線入射方向か
ら見たときの断面図である・。 第 図 (α)
図及び第3図は、本発明の他の実施例のX線入射方向か
ら見たときの断面図である・。 第 図 (α)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、シンチレータと光電変換素子、および遮蔽材とを組
み合わせた高エネルギ放射線多チャンネル検出器におい
て、 前記光電変換素子を、前記シンチレータの前記遮蔽材を
挿入する面とは異なる面に取り付けたことを特徴とする
放射線検出器。 2、請求項1において、前記シンチレータとして、その
形状が三角柱または、その変形となつている放射線検出
器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14139190A JPH0436686A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14139190A JPH0436686A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 放射線検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0436686A true JPH0436686A (ja) | 1992-02-06 |
Family
ID=15290904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14139190A Pending JPH0436686A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0436686A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130306876A1 (en) * | 2011-01-04 | 2013-11-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector |
WO2020198933A1 (en) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. | Radiation detectors with scintillators |
-
1990
- 1990-06-01 JP JP14139190A patent/JPH0436686A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130306876A1 (en) * | 2011-01-04 | 2013-11-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector |
US9535169B2 (en) * | 2011-01-04 | 2017-01-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector |
WO2020198933A1 (en) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. | Radiation detectors with scintillators |
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