JP2002071815A - Ｘ線画像撮影装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｘ線画像撮影装置の散乱Ｘ線除去用グリッド
のＸ線透過率を向上させると共に、シンチレータ内の散
乱成分を減少させてＭＴＦを向上させる。更には、グリ
ッドの縞目や、モアレ縞のない画像を、移動グリッドを
用いることなく実現する。 【解決手段】 Ｘ線画像撮影装置に用いるＸ線画像検出
部１０の光電変換素子１に隣接して、それぞれの光電変
換素子１の間の不感体部分９ａの直上に、分割された帯
状又は格子状の蛍光体等のシンチレータ３を配置する。
シンチレータ３に隣接して、散乱Ｘ線除去用グリッド１
１を配置し、同じ光電変換素子１の間の不感体部分９ａ
の直上に、散乱Ｘ線除去用グリッド内のＸ線吸収部材４
を配置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線画像撮影装置
に関し、特に、散乱線除去用グリッドと蛍光体を備える
Ｘ線ディジタル画像撮影装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、Ｘ線撮影の方法として、フィルム
／スクリーン法が最も一般的に用いられている。この方
法は、感光性フィルムと、Ｘ線に感度のある蛍光体とを
組み合わせて撮影する方法である。

【０００３】この方法では、Ｘ線を照射すると発光する
希土類の蛍光体をシート状にしたものを、感光性フィル
ムの両面に密着して保持し、被写体を透過したＸ線を蛍
光体で光に換え、感光性フィルムでその光を捉える。そ
のフィルムを現像することで像が可視化される。

【０００４】又、Ｘ線撮影の第２の方法として、コンピ
ューテッドラディオグラフィ（ＣＲ）と呼ばれる方法も
実用化されている。この方法は、放射線の透過画像を潜
像として蛍光体中にいったん蓄積した後に励起光を照射
することでその潜像を読み出す方式である。

【０００５】ある種の蛍光体に放射線（Ｘ線、α線、β
線、γ線、電子線、紫外線等）を照射すると、この放射
線エネルギーの一部が蛍光体中に蓄積される。この蛍光
体に可視光等の励起光を照射すると、蓄積されたエネル
ギーに応じて蛍光体が輝尽発光を示すことが知られてい
る。このような性質を示す蛍光体は、蓄積性蛍光体（輝
尽性蛍光体）と呼ばれている。

【０００６】ＣＲ法を用いたＸ線画像撮影のシステムと
しては、蓄積性蛍光体を利用した放射線画像情報記録再
生システムが知られており、例えば、特開昭５５−１２
４２９号公報や同５６−１１３９５号公報に開示されて
いる。このシステムでは、まず、人体等の被写体の放射
線画像情報を蓄積性蛍光体のシートにいったん記録し、
このシートをレーザ光等の励起光で走査して輝尽発光さ
せる。そして、その輝尽発光光を光電的に読み取って得
た画像信号に基づいて、被写体の放射線画像を、写真感
光材料等の記録材料やＣＲＴ等の表示装置に可視像とし
て出力させている。

【０００７】又、Ｘ線撮影の第３の撮影方法として、半
導体センサを使用するものも知られている。

【０００８】この半導体センサを用いるＸ線画像撮影シ
ステムでは、銀塩写真を用いる放射線写真システムと比
較して、極めて広い放射線露出域にわたって画像を記録
する。これは、実用的な利点である。すなわち、半導体
センサを用いたシステムでは、非常に広いダイナミック
レンジのＸ線を光電変換手段により読み取って変換した
電気信号を用いて、放射線画像を、写真感光材料等の記
録材料やＣＲＴ等の表示装置に可視像として出力させ
る。これによって、放射線露光量の変動に影響されない
放射線画像が出力される。

【０００９】図６は、上述した半導体センサを用いた放
射線画像撮影システムの一例を示す図である。

【００１０】１０３は、Ｘ線検出センサ１０４を内蔵し
たＸ線画像撮影装置である。本装置において、Ｘ線発生
装置１０１から発せられて被写体１０２を透過したＸ線
は、複数の光電変換素子が二次元に配置された検出面を
有するＸ線検出センサ１０４で検出される。この検出手
段１０４から出力される画像信号が画像処理手段１０７
でディジタル画像処理され、モニタ１０８に上記被写体
のＸ線画像が出力される。

【００１１】上述した３種類のＸ線撮影方法において、
散乱Ｘ線除去用グリッド（グリッド）を用いる場合があ
る。このグリッドは、Ｘ線照射によって人体等の被写体
の内部で発生する散乱Ｘ線を除去するためのもので、Ｘ
線管球とフィルム等の検出器との間で、検出器の直前に
配置されて使用される。このグリッドを用いて撮影を行
うと、Ｘ線像のコントラストが改善される。

【００１２】図７は、上述したグリッドの断面図であ
る。Ｘ線は、上方のＡ方向から照射される。１１０は、
Ｘ線の吸収率が高い箔で、通常は鉛が用いられる。１１
１は、箔と箔の間にある中間物質で、Ｘ線吸収率の低い
アルミニウム、紙、木、合成樹脂、炭素繊維強化樹脂等
が用いられる。１１２は、箔１１０と中間物質１１１を
カバーする部材で、アルミ等が用いられる。尚、紙面に
垂直な別の部分の断面も同様の構造になっている。すな
わち、箔１１０は紙面に垂直方向に帯状に連続してい
る。

【００１３】上述したグリッドを用いると、被写体の体
内で散乱されたＸ線による解像度の低下が防止される。
すなわち、箔１１０と平行に入射する１次光は、グリッ
ドを透過するが、箔１１０と或る傾きをもってグリッド
に入射する散乱Ｘ線は、箔１１０に吸収されてグリッド
を透過しない。

【００１４】箔１１０は、光源であるＸ線源の直下とな
る中心部分については、１１０ａのようにカバー１１２
に対して垂直で、周辺にいくにしたがって、１１０ｂ、
１１０ｃのように中心部すなわちＸ線源の方向に傾くも
のが多い。この収束グリッドを用いる場合には、グリッ
ドとＸ線源の距離やそれらの中心を合わせて撮影する必
要がある。一方、箔を傾かせていないグリッドもあり、
これは平行グリッドと呼ばれている。

【００１５】又、グリッドの散乱線除去の程度を表す指
標として、グリッド比という数字が用いられている。図
７において、グリッド比は、グリッドの中心部における
隣り合った箔１１０の間隔Ｌ１と、箔１１０の高さＬ２
との比を取ったもので、通常、箔の間隔を１として表す
ものである。例えば、図７において示したグリッドのグ
リッド比は、（Ｌ２／Ｌ１）：１と表される。

【００１６】グリッドは、一般に、グリッド比が６：
１、８：１、１０：１、１２：１、１４：１等となるも
のが用いられる。グリッド比が高いほど散乱線除去の能
力は高くなるが、管球に対する傾きによる、いわゆる、
けられが多くなる。

【００１７】又、１ｃｍあたりの箔の数は、グリッド密
度（本／ｃｍ）として表される。同じグリッド密度にお
いてグリッド比が高くなると、散乱線の除去能力は向上
するが、中間物質１１１は厚くなってＸ線透過率が低下
する。

【００１８】図８は、図６に示した放射線画像撮影シス
テムによるＸ線撮影に用いられるＸ線画像撮影装置のＸ
線画像検出部及びグリッドの断面図である。１２０は、
Ｘ線画像検出部で、絶縁基板１２２上に光電変換素子１
２１を二次元に複数配置したものである。光電変換素子
１２１に隣接している１２３は、蛍光体である。蛍光体
１２３にＸ線を照射すると、蛍光体内１２３で蛍光物質
が励起され、光電変換素子１２１の分光感度波長領域に
近い波長の蛍光が発せられる。

【００１９】１３０は、図７に示したものと同様のグリ
ッドである。グリッド１３０は、Ｘ線吸収率の高い鉛等
の箔１３１と、Ｘ線吸収率の低いアルミ等からなる中間
物質１３２及びカバー部材１３３とからなっている。Ｘ
線の１次光１３４は、グリッドを通過して蛍光体１２３
に至る。一方、Ｘ線の散乱線成分１３５は、箔１３１と
平行ではなく或る角度を持って入射するため箔１３１に
当たって吸収される。

【００２０】又、グリッド１３０は、Ｂ又はＣ方向に移
動できるように、図示しない指示機構によって支持され
ている。そして、共に図示しない駆動機構及び制御部に
よって、グリッド１３０は、撮影中に、Ｂ又はＣ方向に
移動する。したがって、Ｘ線画像検出部１２０で得られ
る画像には、グリッドが固定されている場合に検出され
るグリッドの縞目や、グリッドの箔と画素とのピッチの
差によって発生するモアレ縞等がない。

【００２１】更に、固定グリッドを設けたＸ線平面検出
機が、特開平９−７５３３２号公報に開示されている。
これには、Ｘ線平面検出機の不感部分にグリッドの鉛部
分を形成したものが開示されている。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のＸ線画像撮影装置では、撮影時に照射するＸ線
の線量を少なくして被験者への被爆量を減らすことと、
良好な画像を得ることとを両立させるという点では大き
な問題があった。

【００２３】すなわち、グリッドが鉛等のＸ線吸収重金
属とアルミ箔等の軽金属との積層体からなる場合には、
Ｘ線検出器に至るＸ線強度が低下してしまうという問題
があった。このＸ線強度低下の原因の一つは、図８に示
したＸ線検出器１２０に至るＸ線は、必ず中間物質１３
２を通過しなければならないということにある。

【００２４】中間物質には、上述したように、Ｘ線透過
率の高いアルミ等の材料が用いられるが、高いといって
も当然、透過率は１００％ではない。例えば、１ｃｍあ
たりの箔の枚数を表すグリッド密度が４０本／ｃｍで、
グリッド比が１０：１の場合には、図８に示した鉛の箔
１３１の厚みＬ４を４３μｍとすると、中間物質１３２
の厚みＬ３は２０７μｍ（＝（１ｃｍ／４０）−Ｌ４）
となり、中間物質１３２の高さＬ５は２０７０μｍ（＝
Ｌ３×１０）となる。中間物質１３２をアルミにする
と、約２ｍｍの厚さになり、Ｘ線の１次光の透過率は約
７０％程度になる。したがって、３０％のＸ線強度が損
失となってしまう。又、Ｘ線の入射方向から見て、箔１
３１の鉛は約１７％（＝Ｌ４／（Ｌ３＋Ｌ４））のＸ線
を透過しないので、前述の中間物質１３２の損失も考え
ると、全体で透過率は約６０％程度（＝０．７×（１−
０．１７））となり、非常に大きな割合で、Ｘ線強度の
低下が起こってしまう。

【００２５】グリッドによるＸ線の吸収を改良するため
に、Ｘ線平面検出機の不感部分に鉛箔を形成するもの
が、特開平９−７５３３２号公報に開示されている。一
般に、Ｘ線平面検出機の１画素の大きさは、良好な解像
度を維持するためには、少なくとも２００μｍ以下が好
ましい。一方、Ｘ線平面検出機の感度を向上するために
は、撮影画素部の有効検出部（放射線感応部）の面積
は、できるだけ大きいことが望まれる。よって、画素と
画素との間に相当する不感部分の幅は小さくなる。

【００２６】したがって、不感部分に設けるグリッドの
鉛箔の厚さは、通常、２０μｍから８０μｍ程度となる
必要がある。しかし、この薄さであると、グリッドの機
械的強度は低下する。特に、グリッド間を空隙にした場
合には、機械的強度の低下は大きくなる。更に、カセッ
テ撮影の場合のように、Ｘ線平面検出機の上に人間等の
被写体の荷重がかかる場合には、グリッドの変形が生
じ、撮影画像にグリッドの影が現れて、良好な画像とな
らない。

【００２７】又、従来のＸ線撮影装置は、蛍光体が、す
べての光電変換素子を覆うような連続平面状のものとな
っている。したがって、図８において、グリッドを通過
してきたＸ線の１次光１３４が蛍光体１２３に至り、蛍
光体内１２３で発生する蛍光１３６がさまざまな方向に
向かう。よって、蛍光１３６は、発光した場所の直下の
光電変換素子１２１ａだけでなく、隣接する別の光電変
換素子１２１ｂに至るものもある。

【００２８】したがって、グリッド１３０によって、入
射する散乱線成分は除去することができるが、蛍光体１
２３内の散乱線成分については除去することができず、
画像のＭＴＦを低下させてしまうという問題があった。
加えて、光電変換素子の信号強度を向上させるために蛍
光体１２３の厚みを増加させて、発光する光の強度を上
げようとすると、この傾向はさらに強まってＸ線撮影装
置の感度向上のための障害となってしまう。

【００２９】そこで、本発明は、グリッドによるＸ線散
乱線成分の除去を従来どおり行いつつ、グリッドを透過
する際のＸ線強度の低下量を低減して、画質を低下させ
ることなく、被験者への被爆線量を低減すること、蛍光
体内の散乱成分を低減して、各光電素子間のクロストー
クを低減し、ＭＴＦを改善すること、及びグリッドの縞
目やモアレ縞のない良好な画像を得ることを課題として
いる。

【００３０】更に、本発明は、グリッドを移動する機構
を不要にして、可動部のない、安価でメンテナンスフリ
ーの安定した装置とすること、グリッド補強樹脂を入れ
て、グリッドの耐荷重強度を増加させること、グリッド
補強樹脂を接着性樹脂にして、耐荷重強度をより一層増
加させること、及びカセッテ撮影の信頼性を向上させる
ことをも課題としている。

【００３１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明は、基板上に形成された光電変換素子の２次元
配列を有するセンサと、蛍光体層及びＸ線透過層との積
層体をＸ線吸収体によって上記２次元配列に区画したグ
リッド体とを備え、上記センサ上に上記グリッド体を搭
載したＸ線画像撮影装置であって、上記蛍光体層を、上
記光電変換素子の各受光面上に積層し、上記Ｘ線透過層
を、上記各蛍光体層のＸ線入射面に積層し、上記Ｘ線吸
収体を、上記光電変換素子同士の間隙上に位置させると
ともに、上記光電変換素子の受光面と垂直に配置する。

【００３２】ここで、上記Ｘ線吸収体を、上記光電変換
素子同士の間隙上に位置させるとともに、上記センサの
中央部では上記光電変換素子の受光面と垂直に配置し、
上記センサの周辺に向かうにしたがって上記センサの中
心部側に徐々に傾けて配置するものに置き換えてもよ
い。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明する。

【００３４】図１、図２は、それぞれ、実施形態１のＸ
線画像撮影装置に用いるＸ線画像検出部の断面図及び平
面図である。１０はＸ線画像検出部である。Ｘ線画像検
出部１０は、絶縁基板２、光電変換素子１及び符号１１
の部分からなっている。１１は、グリッド及び蛍光体部
である。

【００３５】光電変換素子１は、紙面に垂直な方向の平
面内に２次元的に複数個分布している。光電変換素子１
は、半導体プロセスによって絶縁基板２の上に形成され
ている。絶縁基板２には通常、ガラス板が用いられる。
ガラス板を用いるのは、光電変換素子１等を形成する半
導体素子との間に化学作用がないこと、半導体プロセス
中の高温に耐えること、寸法が安定すること、平面精度
が良好なこと等の理由からである。９ａは、隣り合う光
電変換素子１の間の隙間で、入射光に対して感度のない
不感体部分である。

【００３６】グリッド及び蛍光体部１１は、蛍光体等の
シンチレータ３、箔４及び中間物質５からなっている。
シンチレータ３は、光電変換素子１に隣接して設けられ
ている。箔４は、Ｘ線の吸収率の高い箔で、通常、鉛が
用いられる。

【００３７】中間物質５は、箔４の間にあるグリッド補
強用樹脂で、Ｘ線吸収率の低い合成樹脂や炭素繊維強化
樹脂等が用いられる。合成樹脂の材料としては、機械的
強度の高いプラスチック樹脂を用いることが好ましい。
例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン
テレフタレート、ポリカーボネート、ポリスチレン又は
ポリエーテルスルフォンが用いられる。更に、箔４の材
料である鉛等と接着性のよい、多官能アクリル基を有す
る紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、さらに熱硬化性エポキ
シ樹脂等を用いることが好ましい。

【００３８】箔４に対して接着性の良い樹脂を、中間物
質５の材料として用いることで、Ｘ線吸収材料である箔
４とグリッド補強樹脂である中間物質５との密着性が向
上し、中間物質５の材料がポリカーボネート等の接着性
の無い樹脂材料である場合と比較して、外部応力に対す
るグリッド１１の機械的強度が増加する。

【００３９】Ｘ線吸収材料である箔４は、それぞれ、不
感体部分９ａの直上に形成され、箔４の厚みと不感体部
分９ａの幅はほぼ一致したものになっている。又、シン
チレータ３は、箔４によって分割されている。グリッド
補強樹脂である中間物質５は、隣り合った箔４と箔４と
の間で、シンチレータ３の直上に形成されている。

【００４０】図２は、図１のＤ方向から見た平面図であ
る。斜線部で表された略正方形の形状の領域１ａ、１ｂ
は、光電変換素子１の１画素であり、図１に示した１
ａ、１ｂに対応している。箔４及びグリッド補強樹脂で
ある中間物質５は、図２における紙面上下方向に連続し
て形成されている。グリッド補強樹脂５の直下に形成さ
れている光電変換素子１は、上述したように略正方形で
２次元的に分布している。したがって、図１に示した箔
４の直下にある不感体部分９ａに対して略直交して、不
感体部分９ｂが紙面左右方向に存在する。

【００４１】次に、図１、図２に示したＸ線画像検出部
１０にＸ線が入射した場合について説明する。

【００４２】Ｘ線の１次光６は、箔４に対して略平行に
入射するため、グリッド補強樹脂である中間物質５を通
過してシンチレータ３に至り、シンチレータ３の内部
で、光電変換素子１に対して感度のある波長の蛍光８を
発光する。蛍光８は色々の角度に出射されるが、箔４に
吸収されるので、左右方向に隣接する別の光電変換素子
１に至ることはない。一方、Ｘ線の散乱線成分７は、箔
４に対して平行でなく、ある角度をもって入射するた
め、箔４にあたって吸収され、光電変換素子１に至るこ
とはない。

【００４３】図２で示したように、箔４は図２の上下方
向に連続であるから、図１に示した断面では、Ｘ線の散
乱線成分７及びシンチレータ３の散乱は遮蔽されない。
しかしながら、通常のフィルム、スクリーン系の撮影方
式で用いられるように、グリッドの箔の連続している方
向（図２の上下方向）を通常被験者の体軸と略一致させ
ることで、大部分の散乱線成分は除去される。

【００４４】実施形態１を要約すると、箔４は、光電変
換素子１の間の不感体部分９ａ上にのみ存在するので、
光電変換素子１上のシンチレータ３に入射するＸ線を遮
ることはない。したがって、従来の装置における、中間
物質と箔の厚みの割合（開口率）で決まるＸ線透過率の
低下という不具合がおこらない。例えば、従来の装置の
説明で述べたグリッド比が１０：１の場合、鉛の箔の厚
みを４３μｍ、中間物質の厚みを２０７μｍとすると、
約１７％（＝４３／（４３＋２０７））のＸ線を透さな
い。すなわち、開口率８３％である。これに対し、本実
施形態では、グリッド部を形成していながら、開口率は
１００％である。したがって、同じ光電変換素子を用い
た場合でも、感度が約２０％（＝１００／８３）向上し
たことに相当し、被験者への被爆線量が抑えられる。

【００４５】又、入射するＸ線の散乱線成分の除去だけ
でなく、発光した蛍光の散乱も除去することで、光電素
子間のいわゆるクロストークが減少する。したがって、
ＭＴＦが向上し、良好な画像が得られる。

【００４６】尚、実施形態１では、シンチレータ３が図
２の上下方向に対して連続に形成されたものを述べた
が、光電変換素子１の略正方形形状に対応して、不感体
部分９ｂの上部のシンチレータ３を除いた形状としても
よい。この場合には、上下方向のＭＴＦも向上する。
又、前述したグリッド比が約３：１以上であれば、散乱
線の除去が良好に行われる。

【００４７】図３は、実施形態２のＸ線画像撮影装置に
用いるＸ線画像検出部２０の断面図である。図１、図２
と同一の符号は同一の部材を表す。

【００４８】図１、図２に示した実施形態１と図３に示
す実施形態２の異なる点は、グリッド部２１の形状にあ
る。図１に示したように、実施形態１では、グリッド１
１内の箔４がお互いにすべて平行に配置された平行グリ
ッドであるのに対して、図２に示す実施形態２では、グ
リッド部２１は、いわゆる収束グリッドとなっている。

【００４９】すなわち、中心線２６付近の箔２３ａは、
光電変換素子１ａの検出面に対して垂直であるが、周辺
にいくにしたがって、箔２３は、検出面の垂線２５から
中心線２６側へ傾いていく。周辺部の箔２３ｂと中心線
２６とのなす角度θは、中心線２６付近では０である
が、中心線２６から左右方向に離れるにしたがって増加
していく。図３において、箔２３の上方の延長線は、中
心線２６の上方の１点で交わるようにする。

【００５０】上述した実施形態２のＸ線画像検出部２０
を用いたＸ線画像撮影装置で、各箔２３の延長線の交点
にＸ線管球を配置して撮影すれば、周辺部においても、
グリッド２１の箔２３ｂによる所謂けられのない画像が
得られる。すなわち、周辺部の光強度の低下のない、良
好な画像が得られる。

【００５１】図４は、実施形態３のＸ線画像撮影装置に
用いるＸ線画像検出部３０の断面図である。図１、図２
と同一の符号は同一の部材を表す。

【００５２】図４に示すＸ線画像検出部３０は、図１に
示したＸ線画像検出部１０の変形の形態であり、Ｘ線吸
収材料４の表面に蛍光反射層４ａを設けたものである。

【００５３】Ｘ線吸収材料４の表面に形成された蛍光反
射層４ａによって蛍光体等のシンチレータ３２で発生し
た蛍光８は、周囲に散乱するものの、中間物質５を挟ん
で向かい側の蛍光反射層４ａによって反射され、センサ
の受光部１ａに到達するものが多くなる。更に、グリッ
ド補強樹脂である中間物質５の最外層の表面に蛍光反射
層５ａを設ければ、シンチレータ３２から発生した蛍光
８が、反射層に囲まれた内部から外部に拡散することが
少なくなる。したがって、シンチレータの蛍光取り出し
効率が向上する。

【００５４】実施形態３によれば、蛍光の散乱線成分も
センサに効率よく送り届けられ、図１、図２に示した実
施形態１で用いたものよりも高感度のＸ線平面センサと
なる。

【００５５】以上説明した実施形態においては、グリッ
ド部の表面や、グリッド部と蛍光体部、蛍光体部と光電
変換素子部の間に、カバー部や接着層があってもよい。

【００５６】続いて、上述した実施形態の製造方法につ
いて、具体例に則して説明する。

【００５７】［実施例−１］図１に示した箔４として、
Ｘ線吸収材料となる厚さ３０μｍの鉛箔を、中間物質５
として、グリッド補強樹脂となる厚さ１３０μｍのポリ
エチレンテレフタレートを準備する。更に、シンチレー
タ３用の蛍光体塗布ペーストとして、酸硫化ガドリニウ
ムとテルビウム（３％含有）を８０重量部、酢酸セルロ
ースを１０重量部、エチルセルソルブ溶剤１０重量部準
備する。

【００５８】図５（ａ）に示すように、鉛箔４の表面
に、端部の位置設定をしたポリエチレンテレフタレート
５を中間物質として重ねる。そして、図５（ｂ）に示す
ように、上述した蛍光体塗布ペースト５１の材料を用い
て蛍光体１２をスクリーン印刷で形成することで、１層
目を作成する。次に、溶剤が完全に乾燥しない状態で、
図５（ｃ）に示すように、２層目の鉛箔４を、スクリー
ン印刷で形成された蛍光体１２及び中間物質５の上に重
ね、続いて、２層目の他方の表面に、１層目と同じ位置
になるようにポリエチレンテレフタレート５を重ねる。
そして、上述した蛍光体塗布ペーストの材料を用いて蛍
光体１２をスクリーン印刷で形成し、２層目を作成す
る。この作業を繰り返すことで、図５（ｄ）に示すよう
に、多層のグリッド母材を作製し、所定のサイズに切
断、研磨することにより、図１に示したようなグリッド
１１が形成される。

【００５９】完成した、蛍光体を含有するグリッドを、
１画素の大きさが１６０μｍ×１６０μｍである半導体
光電変換素子からなる平面センサの表面に積層すると、
図１１に示したＸ線画像撮影装置に用いるＸ線画像検出
部１０が形成された。

【００６０】［実施例−２］実施例１の製造方法で用い
た中間物質用のグリッド補強樹脂を、紫外線硬化樹脂で
あるユニデック８０６ 大日本インキ製に変更しても、
図１に示したようなグリッド１１を有するＸ線画像検出
部１０が形成された。本実施例のグリッドの機械的強
度、すなわち、グリッドに鉛直に荷重をかけたときのグ
リッドの変形荷重は、実施例１の２倍であった。Ｘ線吸
収材料としての箔４とグリッド補強樹脂としての中間物
質５との密着性は実施例１のものよりも優れていた。

【００６１】［実施例−３］Ｘ線吸収材料４として、厚
さ２０μｍの鉛箔の表面の両面にアルミの薄膜を３０ｎ
ｍ形成したものを用い、実施例２の製造方法にしたがっ
て、図４に示したようなグリッド３１を有するＸ線画像
検出部３０を作製した。又、グリッド最外装表面にも、
アルミ反射膜５ａを３０ｎｍ形成した。アルミ薄膜の形
成には、直流スパッタ方式を採用した。

【００６２】作製したＸ線画像検出部３０を用いたＸ線
画像撮影装置は、実施例２のＸ線画像検出部２０を用い
たＸ線画像撮影装置と比較して、蛍光体の発光量が１．
３倍に向上した。

【００６３】以上説明した実施例においては、グリッド
部、蛍光体部、光電変換素子部を、一体的に形成しても
よい。又、ある部分に分けて別体として形成してから、
結合してもよい。

【００６４】

【発明の効果】以上説明した本発明によれば、グリッド
によるＸ線散乱線成分の除去を従来どおり行いつつ、グ
リッドを透過する際のＸ線強度の低下量を低減すること
ができる。したがって、画質を低下させることなく、被
験者への被爆線量を低減することができる。

【００６５】又、シンチレータ内の散乱成分を低減する
ことができる。したがって、各光電素子間のクロストー
クが低減され、ＭＴＦが改善される。

【００６６】更に、グリッドの縞目やモアレ縞のない良
好な画像が得られる。

【００６７】加えて、グリッドを移動する機構が不要な
ため、可動部のない、安価でメンテナンスフリーの安定
した装置となる。

【００６８】又、グリッド補強樹脂を入れることで、グ
リッドの耐荷重強度が増加する。

【００６９】更に、グリッド補強樹脂を接着性樹脂にす
ることで、耐荷重強度がより増加する。

【００７０】加えて、カセッテ撮影の信頼性が向上す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態の断面図

【図２】本発明の第１の実施形態の平面図

【図３】本発明の第２の実施形態の断面図

【図４】本発明の第３の実施形態の断面図

【図５】本発明のグリッドの製造方法の模式図

【図６】Ｘ線画像撮影システムの説明図

【図７】従来のグリッドの断面図

【図８】従来のグリッドの断面図

【符号の説明】

１ 光電変換素子 ２ 絶縁基板 ３ シンチレータ ４ Ｘ線吸収箔 ５ グリッド補強樹脂 ６ Ｘ線の１次光 ７ Ｘ線の散乱線成分 ８ 蛍光 ９ 不感体部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平岡 美津穂 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 長野 和美 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2G088 FF02 GG19 GG20 JJ05 JJ15 JJ30

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に形成された光電変換素子の２次
   元配列を有するセンサと、蛍光体層及びＸ線透過層との
   積層体をＸ線吸収体によって前記２次元配列に区画した
   グリッド体とを備え、前記センサ上に前記グリッド体を
   搭載したＸ線画像撮影装置であって、 前記蛍光体層を、前記光電変換素子の各受光面上に積層
   し、 前記Ｘ線透過層を、前記各蛍光体層のＸ線入射面に積層
   し、 前記Ｘ線吸収体を、前記光電変換素子同士の間隙上に位
   置させるとともに、前記光電変換素子の受光面と垂直に
   配置することを特徴とするＸ線画像撮影装置。
2. 【請求項２】 基板上に形成された光電変換素子の２次
   元配列を有するセンサと、蛍光体層及びＸ線透過層との
   積層体をＸ線吸収体によって前記２次元配列に区画した
   グリッド体とを備え、前記センサ上に前記グリッド体を
   搭載したＸ線画像撮影装置であって、 前記蛍光体層を、前記光電変換素子の各受光面上に積層
   し、 前記Ｘ線透過層を、前記各蛍光体層のＸ線入射面に積層
   し、 前記Ｘ線吸収体を、前記光電変換素子同士の間隙上に位
   置させるとともに、前記センサの中央部では前記光電変
   換素子の受光面と垂直に配置し、前記センサの周辺に向
   かうにしたがって前記センサの中心部側に徐々に傾けて
   配置することを特徴とするＸ線画像撮影装置。
3. 【請求項３】 前記Ｘ線吸収体の延長線方向を一点で交
   わらせ、その位置にＸ線光源を配置することを特徴とす
   る請求項２記載のＸ線画像撮影装置。
4. 【請求項４】 前記Ｘ線透過層のＸ線入射面に蛍光反射
   膜を設けたことを特徴とする請求項１、２のいずれか一
   つに記載されたＸ線画像撮影装置。
5. 【請求項５】 前記Ｘ線吸収体と前記積層体との区画部
   分に蛍光反射層を設けたことを特徴とする請求項１、２
   のいずれか一つに記載されたＸ線画像撮影装置。
6. 【請求項６】 前記Ｘ線透過層は、接着性樹脂層である
   ことを特徴とする請求項１、２のいずれか一つに記載さ
   れたＸ線画像撮影装置。
7. 【請求項７】 前記基板と垂直な方向での前記積層体の
   長さＬ２、前記基板と平行な方向での前記積層体の長さ
   Ｌ１として、 Ｌ２／Ｌ１の数値が３以上で１０未満であることを特徴
   とする請求項１、２のいずれか一つに記載されたＸ線画
   像撮影装置。