JPH04357881A - 半導体圧力センサウエハ及びその製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサウエハ及びその製造方法Info
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- JPH04357881A JPH04357881A JP13266191A JP13266191A JPH04357881A JP H04357881 A JPH04357881 A JP H04357881A JP 13266191 A JP13266191 A JP 13266191A JP 13266191 A JP13266191 A JP 13266191A JP H04357881 A JPH04357881 A JP H04357881A
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ダイヤフラム構造の
圧力センサ素子を複数個備え、前記圧力センサ素子に圧
力を導入するための圧力導入用貫通穴が複数個設けられ
た台座と接合される半導体圧力センサウエハ及びその製
造方法に関する。
圧力センサ素子を複数個備え、前記圧力センサ素子に圧
力を導入するための圧力導入用貫通穴が複数個設けられ
た台座と接合される半導体圧力センサウエハ及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来の半導体圧力センサウエハの
平面図であり、図７はその底面図である。また、図８（
ａ） はその断面図である。これらの図に示すように、
半導体圧力センサウエハ１には、ダイヤフラム構造の圧
力センサ素子２がマトリックス状に設けられている。具
体的には、所定パターンを有する薄膜を半導体ウエハ１
の裏面に形成した後、その薄膜をマスクとしてエッチン
グ処理を施し、半導体ウエハ１の裏面側に複数のキャビ
ティ３を形成する（図８（ａ） ）。こうして、圧力セ
ンサ素子２のセンス領域として機能するダイヤフラム部
４が形成されて、半導体ウエハ１に複数の圧力センサ素
子２が設けられる。この明細書では、このように複数の
圧力センサ素子が設けられた半導体ウエハを半導体圧力
センサウエハと称する。
平面図であり、図７はその底面図である。また、図８（
ａ） はその断面図である。これらの図に示すように、
半導体圧力センサウエハ１には、ダイヤフラム構造の圧
力センサ素子２がマトリックス状に設けられている。具
体的には、所定パターンを有する薄膜を半導体ウエハ１
の裏面に形成した後、その薄膜をマスクとしてエッチン
グ処理を施し、半導体ウエハ１の裏面側に複数のキャビ
ティ３を形成する（図８（ａ） ）。こうして、圧力セ
ンサ素子２のセンス領域として機能するダイヤフラム部
４が形成されて、半導体ウエハ１に複数の圧力センサ素
子２が設けられる。この明細書では、このように複数の
圧力センサ素子が設けられた半導体ウエハを半導体圧力
センサウエハと称する。
【０００３】図９はガラス台座の平面図であり、図８（
ｂ） はその断面図である。これらの図に示すように、
ガラス台座５には、キャビティ３に対応する位置に貫通
穴６がそれぞれ設けられている。この貫通穴６は、後述
するようにして半導体圧力ウエハ１と接合されると、外
圧を圧力センサ素子２に導く圧力導入用貫通穴として機
能する。
ｂ） はその断面図である。これらの図に示すように、
ガラス台座５には、キャビティ３に対応する位置に貫通
穴６がそれぞれ設けられている。この貫通穴６は、後述
するようにして半導体圧力ウエハ１と接合されると、外
圧を圧力センサ素子２に導く圧力導入用貫通穴として機
能する。
【０００４】次に、半導体圧力センサの製造方法につい
て図８を参照しつつ説明する。まず、半導体圧力センサ
ウエハ１（同図（ａ） ）とガラス台座５（同図（ｂ）
）とを準備する。そして、キャビティ３と貫通穴６と
を対応させながら、半導体圧力センサウエハ１とガラス
台座５とを重ね合わせた後、従来より周知の陽極接合に
よって接合する（同図（ｃ） ）。その後で、スクライ
ブライン７（図６の実線および図７の点線）に沿って半
導体体圧力センサウエハ１とガラス台座５との接合体（
同図（ｃ） ）をワイヤソーなどによって切断し、半導
体圧力センサチップに分離する。さらに、その半導体圧
力センサチップにアッセンブリ処理を施して半導体圧力
センサを組み立てる。
て図８を参照しつつ説明する。まず、半導体圧力センサ
ウエハ１（同図（ａ） ）とガラス台座５（同図（ｂ）
）とを準備する。そして、キャビティ３と貫通穴６と
を対応させながら、半導体圧力センサウエハ１とガラス
台座５とを重ね合わせた後、従来より周知の陽極接合に
よって接合する（同図（ｃ） ）。その後で、スクライ
ブライン７（図６の実線および図７の点線）に沿って半
導体体圧力センサウエハ１とガラス台座５との接合体（
同図（ｃ） ）をワイヤソーなどによって切断し、半導
体圧力センサチップに分離する。さらに、その半導体圧
力センサチップにアッセンブリ処理を施して半導体圧力
センサを組み立てる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】半導体圧力センサウエ
ハ１とガラス台座５との重ね合わせ処理においては、キ
ャビティ３と貫通穴６とが１対１で対応するように位置
決めする必要がある。そこで、従来より、オペレータが
この作業を目視観察によって行っている。すなわち、オ
ペレータは、全てのキャビティ３についてキャビティ３
が貫通穴６と一致するように、半導体圧力センサウエハ
１とガラス台座５との位置合わせを行っている。そのた
め、その作業に多くの労力と時間が費やされていた。
ハ１とガラス台座５との重ね合わせ処理においては、キ
ャビティ３と貫通穴６とが１対１で対応するように位置
決めする必要がある。そこで、従来より、オペレータが
この作業を目視観察によって行っている。すなわち、オ
ペレータは、全てのキャビティ３についてキャビティ３
が貫通穴６と一致するように、半導体圧力センサウエハ
１とガラス台座５との位置合わせを行っている。そのた
め、その作業に多くの労力と時間が費やされていた。
【０００６】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたもので、半導体圧力センサの製造を容易に行うこと
ができる半導体圧力センサウエハ及びその製造方法を得
ることを目的とする。
れたもので、半導体圧力センサの製造を容易に行うこと
ができる半導体圧力センサウエハ及びその製造方法を得
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、ダイ
ヤフラム構造の圧力センサ素子を複数個備え、前記圧力
センサ素子に圧力を導入するための圧力導入用貫通穴が
複数個設けられた台座と接合される半導体圧力センサウ
エハであって、上記目的を達成するために、前記台座に
設けられた位置決め用貫通穴に対応する位置に位置決め
用貫通穴を設け、前記位置決め用貫通穴同士を重ね合わ
せることにより、前記圧力センサ素子と前記圧力導入用
貫通穴とが１対１で対応するようにしている。
ヤフラム構造の圧力センサ素子を複数個備え、前記圧力
センサ素子に圧力を導入するための圧力導入用貫通穴が
複数個設けられた台座と接合される半導体圧力センサウ
エハであって、上記目的を達成するために、前記台座に
設けられた位置決め用貫通穴に対応する位置に位置決め
用貫通穴を設け、前記位置決め用貫通穴同士を重ね合わ
せることにより、前記圧力センサ素子と前記圧力導入用
貫通穴とが１対１で対応するようにしている。
【０００８】また、請求項２の発明は、ダイヤフラム構
造の圧力センサ素子を複数個備え、前記圧力センサ素子
に圧力を導入するための圧力導入用貫通穴が複数個設け
られた台座と接合される半導体圧力センサウエハの製造
方法であって、上記目的を達成するために、（ａ） 半
導体ウエハの一方主面側に圧力センサ素子のセンス領域
を形成する第１の工程と、（ｂ） センス領域に対応す
る前記半導体ウエハの他方面側を除去してダイヤフラム
構造の圧力センサ素子を形成する一方、前記台座に設け
られた位置決め用貫通穴に対応する位置に位置決め用貫
通穴を設ける第２の工程と、（ｃ） 前記半導体ウエハ
と前記台座とを接合する第３の工程とを備えている。
造の圧力センサ素子を複数個備え、前記圧力センサ素子
に圧力を導入するための圧力導入用貫通穴が複数個設け
られた台座と接合される半導体圧力センサウエハの製造
方法であって、上記目的を達成するために、（ａ） 半
導体ウエハの一方主面側に圧力センサ素子のセンス領域
を形成する第１の工程と、（ｂ） センス領域に対応す
る前記半導体ウエハの他方面側を除去してダイヤフラム
構造の圧力センサ素子を形成する一方、前記台座に設け
られた位置決め用貫通穴に対応する位置に位置決め用貫
通穴を設ける第２の工程と、（ｃ） 前記半導体ウエハ
と前記台座とを接合する第３の工程とを備えている。
【０００９】また、請求項３の発明は、前記第２の工程
（ｂ） を、（ｂ−１） 前記センス領域が形成された
前記半導体ウエハの前記一方主面上に第１マスク材を形
成する一方、他方面上に第２マスク材を形成する工程と
、（ｂ−２） 前記台座に設けられた位置決め用貫通穴
に対応して前記第１マスク材に位置決め貫通穴用の第１
開口を設け、第１マスクを形成する工程と、（ｂ−３）
前記第２マスク材に、前記第１開口に対応する位置に
位置決め貫通穴用の第２開口と、前記センス領域に対応
する位置に第３開口とをそれぞれ設け、第２マスクを形
成する工程と、（ｂ−４） 前記第１及び第２マスクを
マスクとして、前記第３開口に対応する前記半導体ウエ
ハの一部をエッチング除去してダイヤフラム構造の圧力
センサ素子を形成すると同時に、前記第１及び第２開口
に対応する前記半導体ウエハの一部をエッチング除去し
て位置決め用貫通穴を形成する工程とで構成している。
（ｂ） を、（ｂ−１） 前記センス領域が形成された
前記半導体ウエハの前記一方主面上に第１マスク材を形
成する一方、他方面上に第２マスク材を形成する工程と
、（ｂ−２） 前記台座に設けられた位置決め用貫通穴
に対応して前記第１マスク材に位置決め貫通穴用の第１
開口を設け、第１マスクを形成する工程と、（ｂ−３）
前記第２マスク材に、前記第１開口に対応する位置に
位置決め貫通穴用の第２開口と、前記センス領域に対応
する位置に第３開口とをそれぞれ設け、第２マスクを形
成する工程と、（ｂ−４） 前記第１及び第２マスクを
マスクとして、前記第３開口に対応する前記半導体ウエ
ハの一部をエッチング除去してダイヤフラム構造の圧力
センサ素子を形成すると同時に、前記第１及び第２開口
に対応する前記半導体ウエハの一部をエッチング除去し
て位置決め用貫通穴を形成する工程とで構成している。
【００１０】
【作用】この発明では、位置決め用貫通穴が台座に設け
られた位置決め用貫通穴に対応して半導体圧力センサウ
エハに設けられている。したがって、前記半導体圧力セ
ンサウエハに設けられた位置決め用貫通穴が前記台座に
設けられた位置決め用貫通穴に重ね合わされると、圧力
センサ素子と圧力導入用貫通穴とが１対１で対応する。
られた位置決め用貫通穴に対応して半導体圧力センサウ
エハに設けられている。したがって、前記半導体圧力セ
ンサウエハに設けられた位置決め用貫通穴が前記台座に
設けられた位置決め用貫通穴に重ね合わされると、圧力
センサ素子と圧力導入用貫通穴とが１対１で対応する。
【００１１】
【実施例】図１はこの発明にかかる半導体圧力センサウ
エハの一実施例を示す平面図であり、図２はその底面図
である。また、図３（ａ） はその断面図である。この
実施例が従来例と大きく相違する点は、この実施例では
本来圧力センサ素子２が設けられる位置に位置決め用の
貫通穴１０が半導体ウエハ１に設けられている点である
。なお、その他の構成については、従来例のそれと同一
であるため、ここではその説明は省略する。
エハの一実施例を示す平面図であり、図２はその底面図
である。また、図３（ａ） はその断面図である。この
実施例が従来例と大きく相違する点は、この実施例では
本来圧力センサ素子２が設けられる位置に位置決め用の
貫通穴１０が半導体ウエハ１に設けられている点である
。なお、その他の構成については、従来例のそれと同一
であるため、ここではその説明は省略する。
【００１２】次に、この半導体圧力センサウエハ１の製
造方法について図４を参照しつつ説明する。まず、同図
（ａ） に示すように、半導体ウエハ１ａの表面側に圧
力センサ素子２のセンス領域２０を複数個一定間隔をも
って形成する。この実施例では各センス領域２０に複数
の拡散抵抗２１を形成している。なお、センス領域２０
の形成手順については従来より周知であるため、ここで
はその手順についての説明は省略する。
造方法について図４を参照しつつ説明する。まず、同図
（ａ） に示すように、半導体ウエハ１ａの表面側に圧
力センサ素子２のセンス領域２０を複数個一定間隔をも
って形成する。この実施例では各センス領域２０に複数
の拡散抵抗２１を形成している。なお、センス領域２０
の形成手順については従来より周知であるため、ここで
はその手順についての説明は省略する。
【００１３】そして、上記半導体ウエハ１ａの両面にシ
リコン酸化膜を形成した後、写真製版法を用いて、半導
体ウエハ１ａの表面に形成されたシリコン酸化膜に開口
３１を設けてマスク３０を形成する一方、半導体ウエハ
１ａの裏面に形成されたシリコン酸化膜に開口３２，３
３を設けてマスク３４を形成する（図４（ｂ） ）。こ
こで、開口３１，３２はガラス台座５の位置決め用貫通
穴（後で説明する）に対応する位置に、しかも互いに対
向するように設けられる。一方、開口３３はそれぞれセ
ンス領域２０に対応して設けられている。
リコン酸化膜を形成した後、写真製版法を用いて、半導
体ウエハ１ａの表面に形成されたシリコン酸化膜に開口
３１を設けてマスク３０を形成する一方、半導体ウエハ
１ａの裏面に形成されたシリコン酸化膜に開口３２，３
３を設けてマスク３４を形成する（図４（ｂ） ）。こ
こで、開口３１，３２はガラス台座５の位置決め用貫通
穴（後で説明する）に対応する位置に、しかも互いに対
向するように設けられる。一方、開口３３はそれぞれセ
ンス領域２０に対応して設けられている。
【００１４】ついで、エッチング処理を実行する。これ
によって、開口３３に対応した半導体ウエハ１ａの裏面
側にキャビティ３が形成されて（図４（ｃ） ）、圧力
センサ素子２のダイヤフラム部４が形成される。また、
それと同時に、開口３１，３２に対応する領域もそれぞ
れエッチングされて、同図（ｃ） に示すように、位置
決め用貫通穴１０が形成される。したがって、新たにエ
ッチング工程を設けることなく、キャビティ３以外に位
置決め用貫通穴１０を同時に形成することができる。
によって、開口３３に対応した半導体ウエハ１ａの裏面
側にキャビティ３が形成されて（図４（ｃ） ）、圧力
センサ素子２のダイヤフラム部４が形成される。また、
それと同時に、開口３１，３２に対応する領域もそれぞ
れエッチングされて、同図（ｃ） に示すように、位置
決め用貫通穴１０が形成される。したがって、新たにエ
ッチング工程を設けることなく、キャビティ３以外に位
置決め用貫通穴１０を同時に形成することができる。
【００１５】最後に、マスク３０，３４を除去して、図
３（ａ） に示す半導体圧力センサウエハ１が得られる
。
３（ａ） に示す半導体圧力センサウエハ１が得られる
。
【００１６】次に、再度図３に戻って、半導体圧力セン
サの製造手順について説明する。まず、上記のようにし
て製造された半導体圧力センサウエハ１（同図（ａ）
）と、ガラス台座５（同図（ｂ） 及び図９）とを準備
する。 なお、半導体圧力センサウエハ１の製造に先立って、ガ
ラス台座５に設けられた圧力導入用貫通穴のうち、適当
な４つを位置決め用貫通穴６ａとして設定しておく。
サの製造手順について説明する。まず、上記のようにし
て製造された半導体圧力センサウエハ１（同図（ａ）
）と、ガラス台座５（同図（ｂ） 及び図９）とを準備
する。 なお、半導体圧力センサウエハ１の製造に先立って、ガ
ラス台座５に設けられた圧力導入用貫通穴のうち、適当
な４つを位置決め用貫通穴６ａとして設定しておく。
【００１７】そして、位置決め用貫通穴６ａ，１０が互
いに一致するように、半導体圧力センサウエハ１とガラ
ス台座５とを重ね合わせる（同図（ｃ） ）。例えば、
ガラス台座５上に半導体圧力センサウエハ１を搭載した
後、オペレータがそれらの上方から位置決め用貫通穴６
ａ，１０のずれの様子を観察しながら、半導体圧力セン
サウエハ１とガラス台座５とを相対的移動させる。そし
て、位置決め用貫通穴１０，６ａを介してガラス台座５
の下方側が観察された時点、すなわち両貫通穴６ａ，１
０が一致してずれ量がゼロになった時点でその移動を停
止させる。こうすることによって、簡単にキャビティ３
と貫通穴６とが１対１で対応するように、半導体圧力セ
ンサウエハ１とガラス台座５とを位置決めすることがで
きる。
いに一致するように、半導体圧力センサウエハ１とガラ
ス台座５とを重ね合わせる（同図（ｃ） ）。例えば、
ガラス台座５上に半導体圧力センサウエハ１を搭載した
後、オペレータがそれらの上方から位置決め用貫通穴６
ａ，１０のずれの様子を観察しながら、半導体圧力セン
サウエハ１とガラス台座５とを相対的移動させる。そし
て、位置決め用貫通穴１０，６ａを介してガラス台座５
の下方側が観察された時点、すなわち両貫通穴６ａ，１
０が一致してずれ量がゼロになった時点でその移動を停
止させる。こうすることによって、簡単にキャビティ３
と貫通穴６とが１対１で対応するように、半導体圧力セ
ンサウエハ１とガラス台座５とを位置決めすることがで
きる。
【００１８】それに続いて、半導体圧力センサウエハ１
とガラス台座５とを陽極接合した後、スクライブライン
７に沿って切断して半導体圧力チップ４０（図５）を分
離する。さらに、こうして分離された半導体圧力チップ
４０を、図５に示すように、圧力導入口５１を備えた外
装ケ―ス５２に取付けるとともに、接続ワイヤ５３によ
って半導体圧力チップ４０の電極端子（図示省略）と外
部端子５４とを電気的に接続する。そして、最後に、キ
ャップ５５をケース５２に取り付けることによって、半
導体圧力センサが完成する。
とガラス台座５とを陽極接合した後、スクライブライン
７に沿って切断して半導体圧力チップ４０（図５）を分
離する。さらに、こうして分離された半導体圧力チップ
４０を、図５に示すように、圧力導入口５１を備えた外
装ケ―ス５２に取付けるとともに、接続ワイヤ５３によ
って半導体圧力チップ４０の電極端子（図示省略）と外
部端子５４とを電気的に接続する。そして、最後に、キ
ャップ５５をケース５２に取り付けることによって、半
導体圧力センサが完成する。
【００１９】以上のように、この実施例によれば、ガラ
ス台座５の位置決め用貫通穴６ａに対応して半導体圧力
センサウエハ１に位置決め用貫通穴を設けているので、
単に位置決め用貫通穴１０，６ａを一致させるだけで、
キャビティ３と圧力導入用の貫通穴６とが１対１で対応
する。したがって、短時間で、しかも容易に半導体圧力
センサウエハ１とガラス台座５との位置合わせを行うこ
とができ、半導体圧力センサの製造を容易に行うことが
できる。
ス台座５の位置決め用貫通穴６ａに対応して半導体圧力
センサウエハ１に位置決め用貫通穴を設けているので、
単に位置決め用貫通穴１０，６ａを一致させるだけで、
キャビティ３と圧力導入用の貫通穴６とが１対１で対応
する。したがって、短時間で、しかも容易に半導体圧力
センサウエハ１とガラス台座５との位置合わせを行うこ
とができ、半導体圧力センサの製造を容易に行うことが
できる。
【００２０】なお、上記実施例では、半導体圧力センサ
ウエハ１には４個の貫通穴１０が設けられているが、貫
通穴１０の個数はこれに限定されるものではない。ただ
し、位置決めの精度などを考慮すれば、複数個の貫通穴
１０を対角線上に設けることが望ましい。
ウエハ１には４個の貫通穴１０が設けられているが、貫
通穴１０の個数はこれに限定されるものではない。ただ
し、位置決めの精度などを考慮すれば、複数個の貫通穴
１０を対角線上に設けることが望ましい。
【００２１】また、近年同一半導体チップ上に圧力セン
サと電子回路とが組み込まれた装置が提案されているが
、本発明をこのような装置にも適用することが可能であ
る。
サと電子回路とが組み込まれた装置が提案されているが
、本発明をこのような装置にも適用することが可能であ
る。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、位置決め用貫通穴を台座に設けられた位置決め
用貫通穴に対応して半導体圧力センサウエハに設けるよ
うにしたので、前記半導体圧力センサウエハに設けられ
た位置決め用貫通穴を前記台座に設けられた位置決め用
貫通穴に重ね合わせるだけで、圧力センサ素子と圧力導
入用貫通穴とを１対１で対応させることができ、半導体
圧力センサを容易に製造することができる。
よれば、位置決め用貫通穴を台座に設けられた位置決め
用貫通穴に対応して半導体圧力センサウエハに設けるよ
うにしたので、前記半導体圧力センサウエハに設けられ
た位置決め用貫通穴を前記台座に設けられた位置決め用
貫通穴に重ね合わせるだけで、圧力センサ素子と圧力導
入用貫通穴とを１対１で対応させることができ、半導体
圧力センサを容易に製造することができる。
【００２３】また、請求項２の発明によれば、台座に設
けられた位置決め用貫通穴に対応して半導体圧力センサ
ウエハに位置決め用貫通穴を設けているので、前記半導
体圧力センサウエハに設けられた位置決め用貫通穴を前
記台座に設けられた位置決め用貫通穴に重ね合わせるだ
けで、圧力センサ素子と圧力導入用貫通穴とを１対１で
対応させることができ、半導体圧力センサを容易に製造
することができる。
けられた位置決め用貫通穴に対応して半導体圧力センサ
ウエハに位置決め用貫通穴を設けているので、前記半導
体圧力センサウエハに設けられた位置決め用貫通穴を前
記台座に設けられた位置決め用貫通穴に重ね合わせるだ
けで、圧力センサ素子と圧力導入用貫通穴とを１対１で
対応させることができ、半導体圧力センサを容易に製造
することができる。
【００２４】また、請求項３の発明に寄れば、前記第２
の工程（ｂ） を、（ｂ−１） 前記センス領域が形成
された前記半導体ウエハの前記一方主面上に第１マスク
材を形成する一方、他方面上に第２マスク材を形成する
工程と、（ｂ−２） 前記台座に設けられた位置決め用
貫通穴に対応して前記第１マスク材に位置決め貫通穴用
の第１開口を設け、第１マスクを形成する工程と、（ｂ
−３） 前記第２マスク材に、前記第１開口に対応する
位置に位置決め貫通穴用の第２開口と、前記センス領域
に対応する位置に第３開口とをそれぞれ設け、第２マス
クを形成する工程と、（ｂ−４） 前記第１及び第２マ
スクをマスクとして、前記第３開口に対応する前記半導
体ウエハの一部をエッチング除去してダイヤフラム構造
の圧力センサ素子を形成すると同時に、前記第１及び第
２開口に対応する前記半導体ウエハの一部をエッチング
除去して位置決め用貫通穴を形成する工程とで構成して
いるので、位置決め用貫通穴が正確に形成され、上記発
明と同様の効果を奏することができる。
の工程（ｂ） を、（ｂ−１） 前記センス領域が形成
された前記半導体ウエハの前記一方主面上に第１マスク
材を形成する一方、他方面上に第２マスク材を形成する
工程と、（ｂ−２） 前記台座に設けられた位置決め用
貫通穴に対応して前記第１マスク材に位置決め貫通穴用
の第１開口を設け、第１マスクを形成する工程と、（ｂ
−３） 前記第２マスク材に、前記第１開口に対応する
位置に位置決め貫通穴用の第２開口と、前記センス領域
に対応する位置に第３開口とをそれぞれ設け、第２マス
クを形成する工程と、（ｂ−４） 前記第１及び第２マ
スクをマスクとして、前記第３開口に対応する前記半導
体ウエハの一部をエッチング除去してダイヤフラム構造
の圧力センサ素子を形成すると同時に、前記第１及び第
２開口に対応する前記半導体ウエハの一部をエッチング
除去して位置決め用貫通穴を形成する工程とで構成して
いるので、位置決め用貫通穴が正確に形成され、上記発
明と同様の効果を奏することができる。
【図１】この発明にかかる半導体圧力センサウエハの一
実施例を示す平面図である。
実施例を示す平面図である。
【図２】その底面図である。
【図３】半導体圧力センサの製造手順を示す図である。
【図４】半導体圧力センサウエハの製造方法を示す図で
ある。
ある。
【図５】半導体圧力センサの構成を示す図である。
【図６】従来の半導体圧力センサウエハを示す平面図で
ある。
ある。
【図７】その底面図である。
【図８】従来の半導体圧力センサウエハの製造方法を示
す図である。
す図である。
【図９】ガラス台座を示す図である。
１ 半導体ウエハ
２ 圧力センサ素子
５ ガラス台座
６ 圧力導入用貫通穴
６ａ，１０ 位置決め用貫通穴
２０ センス領域
３０，３４ マスク
３１，３２，３３ 開口
Claims (3)
- 【請求項１】 ダイヤフラム構造の圧力センサ素子を
複数個備え、前記圧力センサ素子に圧力を導入するため
の圧力導入用貫通穴が複数個設けられた台座と接合され
る半導体圧力センサウエハにおいて、前記台座に設けら
れた位置決め用貫通穴に対応する位置に位置決め用貫通
穴が設けられ、前記位置決め用貫通穴同士を重ね合わせ
ることにより、前記圧力センサ素子と前記圧力導入用貫
通穴とが１対１で対応することを特徴とする半導体圧力
センサウエハ。 - 【請求項２】 ダイヤフラム構造の圧力センサ素子を
複数個備え、前記圧力センサ素子に圧力を導入するため
の圧力導入用貫通穴が複数個設けられた台座と接合され
る半導体圧力センサウエハの製造方法であって、（ａ）
半導体ウエハの一方主面側に圧力センサ素子のセンス
領域を形成する第１の工程と、（ｂ）センス領域に対応
する前記半導体ウエハの他方面側を除去してダイヤフラ
ム構造の圧力センサ素子を形成する一方、前記台座に設
けられた位置決め用貫通穴に対応する位置に位置決め用
貫通穴を設ける第２の工程と、（ｃ） 前記半導体ウエ
ハと前記台座とを接合する第３の工程とを備えたことを
特徴とする半導体圧力センサウエハの製造方法。 - 【請求項３】 前記第２の工程（ｂ） は、（ｂ−１
） 前記センス領域が形成された前記半導体ウエハの前
記一方主面上に第１マスク材を形成する一方、他方面上
に第２マスク材を形成する工程と、（ｂ−２） 前記台
座に設けられた位置決め用貫通穴に対応して前記第１マ
スク材に位置決め貫通穴用の第１開口を設け、第１マス
クを形成する工程と、（ｂ−３） 前記第２マスク材に
、前記第１開口に対応する位置に位置決め貫通穴用の第
２開口と、前記センス領域に対応する位置に第３開口と
をそれぞれ設け、第２マスクを形成する工程と、（ｂ−
４） 前記第１及び第２マスクをマスクとして、前記第
３開口に対応する前記半導体ウエハの一部をエッチング
除去してダイヤフラム構造の圧力センサ素子を形成する
と同時に、前記第１及び第２開口に対応する前記半導体
ウエハの一部をエッチング除去して位置決め用貫通穴を
形成する工程とで構成される請求項２の半導体圧力セン
サウエハの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13266191A JPH04357881A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 半導体圧力センサウエハ及びその製造方法 |
| DE19924211247 DE4211247C2 (de) | 1991-06-04 | 1992-04-03 | Mit Membran-Drucksensorelementen ausgestatteter Halbleiter-Wafer und Verfahren zum Herstellen desselben |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13266191A JPH04357881A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 半導体圧力センサウエハ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357881A true JPH04357881A (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=15086544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13266191A Pending JPH04357881A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 半導体圧力センサウエハ及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04357881A (ja) |
| DE (1) | DE4211247C2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001508540A (ja) * | 1997-01-13 | 2001-06-26 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 圧力センサ用のダイヤフラム |
| WO2019144630A1 (zh) * | 2018-01-25 | 2019-08-01 | 杨松 | 传感体及其制备方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4321804A1 (de) * | 1993-06-30 | 1995-01-12 | Ranco Inc | Verfahren zur Herstellung von Kleinbauelementen |
| US5604160A (en) * | 1996-07-29 | 1997-02-18 | Motorola, Inc. | Method for packaging semiconductor devices |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3764950A (en) * | 1972-07-17 | 1973-10-09 | Fairchild Camera Instr Co | Methods for making semiconductor pressure transducers and the resulting structures |
| JPH073380B2 (ja) * | 1983-05-31 | 1995-01-18 | 株式会社日立製作所 | 集積化圧力センサ |
| US4975390A (en) * | 1986-12-18 | 1990-12-04 | Nippondenso Co. Ltd. | Method of fabricating a semiconductor pressure sensor |
-
1991
- 1991-06-04 JP JP13266191A patent/JPH04357881A/ja active Pending
-
1992
- 1992-04-03 DE DE19924211247 patent/DE4211247C2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001508540A (ja) * | 1997-01-13 | 2001-06-26 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 圧力センサ用のダイヤフラム |
| WO2019144630A1 (zh) * | 2018-01-25 | 2019-08-01 | 杨松 | 传感体及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4211247A1 (de) | 1992-12-10 |
| DE4211247C2 (de) | 1996-04-25 |
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