JPH05340957A - 半導体センサの製造方法および半導体センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、センサの感度を左右する梁部とダ
イヤフラム部を損傷させることなく半導体センサを大量
に製造できる方法などの提供を目的とする。 【構成】 本発明は、中央部の作用部とその周囲の梁部
およびダイヤフラム部とそれらの周囲の枠状の固定部と
を具備し、前記梁部に感歪センサを設けた構造の製法に
おいて、半導体基板の下面に環状の溝を形成して作用部
と肉厚部と固定部を形成し、次いで補助基板を接合し、
この補助基板の一部を機械加工で切断して前記作用部に
接続する重錘体と前記固定部に接続する台座とを形成
し、次に、エッチングにより半導体基板の上面側から前
記肉厚部を蝕刻して薄肉化を行ない、前記溝の上方に肉
薄のダイヤフラム部と梁部とを形成するものである。 【効果】 本発明は薄いダイヤフラム部と梁部を形成す
る以前に、肉厚部の状態で接合時の圧力や切断時の負荷
あるいは衝撃を半導体基板にかける。よってその後に形
成される薄いダイヤフラムや梁部に損傷を生じない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、自動車、航空機、家電
製品等に用いられる加速度検出用などの半導体センサに
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、加速度検出用のセンサとしては、
圧電セラミックス、有機薄膜、シリコン単結晶板等の種
々の材料を用いた多種多様の加速度センサが開発され、
製品化されている。これらの加速度センサは、ヒステリ
シス、クリープ、疲労などがなく、また、構造が簡単で
電圧感度が極めて大きく、出力が簡単に増幅可能である
など、使い勝手の面でも極めて優れていることから、現
在、多様な分野で広く用いられている。

【０００３】中でも、シリコン単結晶を用いた半導体加
速度センサは、シリコン自体の格子欠陥が極めて少ない
ために、理想的な弾性体となること、半導体プロセス技
術をそのまま転用することができる特徴を有することか
ら、近年では特に注目されている加速度センサである。

【０００４】図８と図９は、特開平３ー２５３５号公報
に記載された従来一般に知られている半導体加速度セン
サ装置の一構造例を示すものである。この半導体加速度
センサ装置Ａの中枢ユニットとなるのは、半導体センサ
Ｐであり、この半導体センサＰの断面構造を図８にその
上面形状を図９にそれぞれ示す。この半導体センサＰ
は、中央部の作用部１とその周囲の可撓部２とその周囲
の固定部３の３つの領域に分けられている。図８に示す
ように可撓部２の下部には環状の溝２ａが形成され、可
撓部２は肉薄構造にされて可撓性を有する。前記作用部
１の下方には重錘体４が固着され、前記固定部３の下方
には重錘体４の周囲を囲む台座５が設けられるととも
に、この台座５は下制御体６に固着され、下制御体６が
パッケージ７の内底部に固定されている。また、前記半
導体センサＰの上面には上制御体８が取り付けられてい
る。そして、前記可撓部２の上面には、図９に示すよう
にピエゾ抵抗素子などの感歪ゲージＲx1〜Ｒx4、Ｒy1〜
Ｒy4、Ｒz1〜Ｒz4が所定の向きに形成され、各感歪ゲー
ジに接続されたボンディングパッド１０がボンディング
ワイヤ１１を介してパッケージ７の外部に延出されたリ
ード端子１２に接続されている。

【０００５】次に前記従来の半導体加速度センサＰの製
造方法について説明する。前記加速度センサＰを製造す
るには、図１０に示すように半導体ウエハ１５の上面に
不純物打ち込みなどの手段により所定数の感歪ゲージＲ
を形成し、半導体ウエハ１５の下面に環状の溝１６を形
成する。次に図１１に示すように、前記溝１６の位置に
合うように上面に環状の切溝１７を形成したガラス板な
どの補助基板１８を用意し、この補助基板１８を陽極接
合法などの接合法で半導体ウエハ１５の下面に接合す
る。続いて図１２に示すように補助基板１８の下面から
ダイシング加工により補助基板１８を切断することで環
状の切断溝１９を前記切溝１７に到達するように形成す
る。次いで図１２に示す切断ラインＬに沿ってダイシン
グ加工により半導体ウエハ１５と補助基板１８を切断加
工するならば、半導体センサＰを複数同時に製造するこ
とができる。

【０００６】以上のように加工することで環状の切断溝
１９の内部側に重錘部２０を形成し、環状の切断溝１９
の周囲に台座部２１を形成することができる。これによ
り、前記重錘部２０により図８に示すセンサの重錘体４
を形成することができ、台座部２１により図８に示すセ
ンサの台座５を形成することができる。以上説明したよ
うな製造方法によれば、１つの半導体ウエハ１５や補助
基板１８から、複数の半導体センサＰを同時に製造する
ことができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】前記構造の半導体セン
サＰによれば、重錘体４に力が作用して可撓部２が撓む
と機械的変形が生じて感歪ゲージＲ…の電気抵抗に変化
が生じ、この電気抵抗変化を電気信号として外部に取り
出すことができる。従って前記構造の半導体センサＰの
感度は、可撓部２の可撓性に強く依存する。即ち、この
可撓部２の肉厚が薄いほど可撓性が大きくなり、感度が
向上する。このため一般的に前記可撓部２の肉厚は、３
０μｍ以下に形成されている。

【０００８】従って前記構造の半導体センサＰにおい
て、可撓部２を如何に薄く加工して感度を上げるかにつ
いて種々の検討が行なわれている。このような背景から
本発明者らは先に、平成３年６月２７日付けで新規構造
の半導体加速度センサについて特許出願（特願平３ー１
８３０４３号）を行なっている。図１３は、前記特許出
願に係る半導体センサの一実施例を示すもので、半導体
ウエハ（半導体基板）の中央部に形成された質量部２５
と、その周囲に設けられた梁部２６、２６と、これらの
周囲に設けられた枠状の固定部２７と、前記梁部２６、
２６の両側を挟むように形成されたダイヤフラム部２８
と、梁部２６の上面に設けられた感歪センサ２９とを主
体として構成されている。

【０００９】前記構成の半導体センサは、ダイヤフラム
部２８を設けることで梁部２６に横方向から作用する加
速度の影響を排除することができ、上下方向の加速度検
知の指向性を向上させることができるなどの優れた特徴
を有するものである。

【００１０】ところが、前述した製造方法を適用して図
１３に示す構造の半導体センサを製造しようとすると、
半導体ウエハに補助基板を陽極接合法により接合する場
合、両者間に電圧を印加し、両者の温度を上げ、加圧し
ながら処理する必要があるが、この際に薄肉の梁部２６
とダイヤフラム部２８に負荷をかけるおそれがあるとと
もに、補助基板をダイシングする際に薄肉の梁部２６と
ダイヤフラム部２８に衝撃を与えるおそれがあり、これ
らの部分を損傷させてしまうおそれがある。そしてこれ
が、この種の半導体センサを量産する際の歩留まりの低
下の要因となっている問題がある。

【００１１】本発明は前記事情に鑑みてなされたもので
あり、センサの感度を左右する梁部あるいはダイヤフラ
ム部を損傷させることなく半導体センサを大量に製造す
ることができる製造方法、および、梁部とダイヤフラム
部を損傷させることなく製造することができて指向性の
優れた半導体センサを提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は前
記課題を解決するために、半導体基板からなる中央部の
作用部とその周囲の梁部とその周囲の枠状の固定部とを
具備し、前記梁部に感歪センサを設けた半導体センサの
製造方法において、半導体基板の下面に環状の溝を形成
して、前記溝の内側に作用部を前記溝の上方に肉厚部を
前記溝の周囲に固定部を形成し、次いで半導体基板の下
面に、補助基板を接合し、続いてこの補助基板の一部を
機械加工で切断して前記作用部に接続する重錘体と前記
固定部に接続する台座とを形成し、次に、エッチング法
により半導体基板の上面側から前記肉厚部を蝕刻して薄
肉化を行ない、前記溝の上方に肉薄のダイヤフラム部と
梁部を形成するものである。

【００１３】請求項２記載の発明は前記課題を解決する
ために、半導体基板からなる中央部の作用部とその周囲
の梁部およびダイヤフラム部とそれらの周囲の枠状の固
定部とを具備し、前記梁部に感歪センサを設けた半導体
センサの製造方法において、半導体基板の下面に環状の
溝を形成して、前記溝の内側に作用部を前記溝の上方に
肉厚部を前記溝の周囲に固定部を形成し、次いで半導体
基板の下面に、補助基板を接合し、続いてこの補助基板
の一部を機械加工で切断して前記作用部に接続する重錘
体と前記固定部に接続する台座とを形成し、次に、エッ
チング法により半導体基板の上面側から前記肉厚部の一
部を蝕刻して肉厚部の一部を完全に除去して貫通させ、
この貫通部分を除いた部分に梁部を形成するものであ
る。

【００１４】請求項３記載の発明は前記課題を解決する
ために、半導体基板からなる中央部の作用部とその周囲
の梁部とその周囲の枠状の固定部とを具備し、前記梁部
に感歪センサを設けた半導体センサにおいて、前記作用
部と梁部と固定部とに囲まれた部分に、作用部と梁部と
固定部とに連続し、梁部よりも薄いダイヤフラム部を形
成してなるものである。

【００１５】

【作用】半導体基板の下面に溝を形成して肉厚部を形成
し、この状態で補助基板を接合してから補助基板を切断
し、その後に半導体基板の上面をエッチングにより蝕刻
して必要部分を更に薄肉化して梁部とダイヤフラム部を
形成するので、薄いダイヤフラム部と梁部を形成する以
前に、厚肉部の状態で接合時の圧力や切断時の負荷ある
いは衝撃が半導体基板に作用する。よって薄いダイヤフ
ラムや梁部が損傷することはない。また、半導体基板と
補助基板の接合時の圧力や切断時の負荷あるいは衝撃を
避けてダイヤフラム部と梁部を形成できるので、前記圧
力や負荷あるいは衝撃をかけた後にこれらの部分を薄型
に加工することが容易にでき、センサの感度が向上す
る。

【００１６】一方、半導体センサの作用部と梁部と固定
部とに囲まれた部分に、作用部と梁部と固定部とに連続
し、梁部よりも薄いダイヤフラム部を形成してなるもの
は、梁部に横方向から作用する力の影響をダイヤフラム
部が排除するので、梁部の上下方向に作用する力を確実
に検出することができ、センサとしての検出指向性と感
度が向上する。

【００１７】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１（ａ）と図１（ｂ）は本発明に係る半
導体センサの一実施例を示すものである。この実施例の
半導体センサＨは、基本的には図８と図９を基に先に説
明した従来の半導体センサ装置Ａに設けられるものであ
る。

【００１８】この例の半導体センサＨは、半導体ウエハ
からなる半導体基板Ｅと、この半導体基板Ｅの下面に接
合されたガラスあるいはセラミックスなどからなる補助
基板Ｆとからなるもので、中央部の作用部３０とその周
囲の梁部３１およびダイヤフラム部３２とそれらの周囲
の固定部３３の各領域に分けられて構成されている。

【００１９】まず、半導体センサＨにおいて、図１
（ｂ）の断面構造に示すように、半導体基板Ｅの下面中
央部側には下向きの凸部状の接続部３０ａを残して環状
の溝３２ａが形成され、この溝３２ａの上方の梁部３１
は肉薄構造にされて可撓性を有する。前記作用部３０の
下方には接続部３０ａを介して重錘体３４が固着され、
固定部３３の下方には重錘体３４の周囲を囲む台座３５
が固着されている。前記重錘体３４は、その周囲に形成
された環状の溝部３５ａと切断溝３５ｂとにより台座３
５から分離されている。前記溝部３５ａと切断溝３５ｂ
は両者が連続されて補助基板Ｆを貫通するもので、溝部
３５ａは補助基板Ｆの上面側に形成されて半導体基板Ｅ
の溝３２ａに開口し、切断溝３５ｂは補助基板Ｆの下面
側に形成されて補助基板Ｆの下面に開口している。

【００２０】そして、前記半導体基板Ｅの梁部３１の上
面には、ピエゾ抵抗素子などの感歪ゲージＲx1〜Ｒx4、
Ｒy1〜Ｒy4、Ｒz1〜Ｒz4が所定の向きに形成されてい
る。また、前記梁部３１は、固定部３３の上面と面一に
平面十字状に形成されるとともに、梁部３１の周囲であ
って、固定部３３との間の部分には、梁部３１よりも薄
く、梁部３１と固定部３３に連続する肉薄のダイヤフラ
ム部３２が形成されている。

【００２１】図１に示す構造の半導体センサＨは、図１
の上下方向に加速度が作用すると重錘体３４が梁部３１
を撓ませるので、この歪量を感歪ゲージＲx1〜Ｒx4、Ｒ
y1〜Ｒy4、Ｒz1〜Ｒz4で検出し、歪量を電気的に検出す
ることで半導体センサＨに作用する加速度を測定するこ
とができる。また、ダイヤフラム部３２を設けることで
梁部３１に横方向から加速度が作用しても梁部３１が横
方向に撓むことがないので、横方向に作用する加速度の
影響を排除することができ、上下方向に作用する加速度
のみを効率良く検知できるので、加速度検知の指向性を
向上させることができる。

【００２２】次に前記のように構成された加速度センサ
Ｈの製造方法について説明する。加速度センサＨを製造
するには、まず、半導体プロセスで用いる半導体基板
（半導体ウエハ）を用い、この半導体基板の上に複数の
単位領域を定義する。この半導体基板は、後のダイシン
グ工程において各単位ごとに別個に切り出され、それぞ
れが独立して半導体センサとなる。例えば、円盤状の半
導体基板の上面に正方形などの多数の単位領域を整列状
態で定義するが、ここでは説明の簡略化のために１つの
正方形状の単位領域を例にとって説明する。

【００２３】図２は、この単位領域を構成するｎ型のＳ
ｉ基板などからなる半導体基板５０の平面図であり、以
後この半導体基板５０に工程順に順次加工を加えてゆく
場合、図２のＡーＡ’線に沿う断面を工程順に図３
（ａ）と図４（ａ）と図５（ａ）に示し、図２のＢー
Ｂ’線に沿う断面を工程順に図３（ｂ）と図４（ｂ）と
図５（ｂ）に示す。まず、各単位領域を示す図２の正方
形状の半導体基板５０の上面に、不純物打ち込みなどを
行なって抵抗素子などの感歪ゲージＲx1〜Ｒx4、Ｒy1〜
Ｒy4、Ｒz1〜Ｒz4を所定の向きに形成する。また、半導
体基板５０の下面に、図１０を基に先に説明した従来の
製造方法の場合と同様な方法を用い、図２の鎖線、また
は、図３と図４の断面構造に示すような矩形環状型の溝
５１を形成して半導体基板５０の上面部に肉厚部５２を
形成する。この溝５１の形成には、エッチング液を用い
て行なうケミカルエッチングあるいは機械切削などを行
なう。

【００２４】次に、半導体基板５０の下面に従来の方法
と同等の陽極接合法を用いて補助基板５３を図３と図４
に示すように接合する。なお、前記補助基板５３の上面
に、半導体基板５０の下面の環状の溝５１に位置合わせ
できるような環状の溝部５３ａをダイシングなどにより
形成しておき、この環状の溝部５３ａと前記環状の溝５
１を図３（ｂ）に示すように位置合わせしてから接合す
るものとする。なお、この接合には、半導体基板５０と
補助基板５３に電圧を印加して加熱したまま両者を加圧
することで接合する。ここで、肉厚部５２には、後の工
程で形成する梁部やダイヤフラム部を形成していないの
で、前記加圧に十分に耐えることができる。次いで前記
補助基板５３の下面からダイシング加工により図４に示
すような環状の切断溝５３ｂを前記溝部５３ａに連通す
るように形成する。また、この溝加工の際に、肉厚部５
２には、後の工程で形成する梁部やダイヤフラム部を形
成していないので、肉厚部５２は溝加工の衝撃や圧力に
十分に耐えることができる。

【００２５】次に、リソク゛ラフィ法により半導体基板
５０の上面をレジスト５５で覆う。この場合、半導体基
板５０の上面において後の工程で感歪ゲージの形成や配
線を行なう部分は、レジスト５５を被せないようにして
おく。

【００２６】次に反応性ガスイオンエッチング法（ＲＩ
法）やＣＦ₄ーＯ₂プラズマエッチング法などのいわゆる
ドライエッチング法により、肉厚部５２のレジストで覆
われていない部分をその上方からドライエッチングして
肉厚部５２の一部を更に薄く加工してダイヤフラム部３
２を形成する。なお、このドライエッチングで薄く加工
するのは、半導体基板５０の上面において後の工程で感
歪ゲージや配線を行なわない部分のみである。よって図
２に示す半導体基板５０の上面において、上面の中央部
と、感歪ゲージＲx1〜Ｒx4、Ｒy1〜Ｒy4、Ｒz1〜Ｒz4を
形成した範囲と、上面の周辺部を除く部分をドライエッ
チングして梁部３１とそれよりも薄い薄肉のダイヤフラ
ム部３２を形成する。前記ダイヤフラム部３２を形成す
る際に、ドライエッチングによれば、梁部３１よりも薄
い均一な厚さのダイヤフラム部３２を形成することがで
きる。

【００２７】続いて前記レジスト５５を図６に示すよう
に除去すると、半導体基板５０から形成される半導体基
板Ｅと、補助基板５３から形成される補助基板Ｆとが接
合され、上面中央部に作用部３０を有し、その周囲に可
撓部３１を有し、その周囲に固定部３３を有するととも
に、作用部３１の下方に接続部３１ａを介して重錘部３
４を有し、固定部３３の下方に台座３５を有し、梁部３
１とダイヤフラム部３２を備えた図１の半導体センサＨ
と同等の半導体センサＨが得られる。

【００２８】以上説明の製造方法によれば、補助基板５
３を半導体基板５０に陽極接合する際と、補助基板５３
を切断する際に、いずれも肉厚部５２に圧力や衝撃をか
けることになるが、ダイヤフラム部３２と梁部３１を形
成する以前の肉厚部５２の状態で補助基板５３の接合と
切断とを行なうために、いずれの場合もダイヤフラム部
３２と梁部３１の損傷につながることはない。

【００２９】ところで、前記エッチングの際にレジスト
で覆われていない肉厚部５２の全部を除去してダイヤフ
ラム部３２を無くするならば、図７に示すような貫通孔
３２’が形成された半導体センサＨ’が得られる。この
構成のセンサＨ’においても先に説明した構造の半導体
センサＨと同様に加速度の検出を行なうことができる。

【００３０】なお、前記の各実施例において、感歪ゲー
ジＲの配置や配線部分などのパターンは自由に変更して
も良いものであり、用いる半導体基板Ｅの形状や大き
さ、センサ各部の大きさや形状は特に限定されるもので
はない。更に、半導体基板Ｅの表面から行なうドライエ
ッチングの深さも任意であるし、その方法もドライエッ
チングでれば、特に限定されない。

【００３１】

【発明の効果】以上説明したように本発明の方法は、半
導体基板の下面に溝を形成して肉厚部を形成し、この状
態で補助基板を接合してから補助基板を切断し、その後
に半導体基板の上面をエッチングにより蝕刻して必要部
分を更に薄肉化して梁部とダイヤフラム部を形成するの
で、薄いダイヤフラム部と梁部を形成する以前に、肉厚
部の状態で接合時の圧力や切断時の負荷あるいは衝撃を
半導体基板に負荷することができる。よってその後に形
成される薄いダイヤフラムや梁部に損傷を生じさせるこ
とがない。また、接合時の圧力や切断時の負荷あるいは
衝撃を避けてダイヤフラム部と梁部を形成できるので、
これらの部分を薄型化することが容易にでき、センサの
感度が向上する。さらに、ダイヤフラム部をエッチング
で形成すると、ダイヤフラム部の厚さを自由に調節する
ことができ、所定厚さのダイヤフラム部をエッチングに
より容易に得ることができる。また、エッチングにより
半導体基板の一部分を薄肉化する際に、貫通させて梁部
を形成する方法においても前記の場合と同様に、肉厚部
の状態で接合時の圧力や切断時の負荷あるいは衝撃を半
導体基板に負荷することができる。よってその後に形成
される薄いダイヤフラムや梁部に損傷を生じさせること
がない。

【００３２】一方、半導体センサの作用部と梁部と固定
部とに囲まれた部分に、作用部と梁部と固定部とに連続
し、梁部よりも薄いダイヤフラム部を形成してなるもの
は、梁部に横方向から作用する力の影響をダイヤフラム
部が排除するので、梁部で上下方向に作用する力を確実
に検出することができ、センサとしての検出指向性と感
度が向上する。また、前記の構造を採用するならば、半
導体基板の下面に溝を形成して肉厚部を形成し、この状
態で補助基板を接合してから補助基板を切断し、その後
に半導体基板の上面をエッチングにより蝕刻して必要部
分を更に薄肉化して梁部とダイヤフラム部を形成する方
法により製造することができるので、薄いダイヤフラム
部と梁部を形成する以前に、肉厚部の状態で接合時の圧
力や切断時の負荷あるいは衝撃を半導体基板に負荷させ
ることができ、よってその後に形成される薄いダイヤフ
ラムや梁部に損傷を生じさせることなく半導体センサを
製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）は本発明に係る半導体センサの一実
施例の要部を示す斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＣ
ーＣ線に沿う断面図である。

【図２】図２は本発明方法を説明するために使用する半
導体基板の加工前の状態を示す上面図である。

【図３】図３は図２に示す半導体基板の下面に補助基板
を接合した状態を示すもので、図３（ａ）は図２のＡー
Ａ’線に沿う断面図、図３（ｂ）は図２のＢーＢ’線に
沿う断面図である。

【図４】図４は図２に示す半導体基板上にフォトレジス
トを形成した状態を示すもので、 図４（ａ）は図２の
ＡーＡ’線に沿う断面図、図４（ｂ）は図２のＢーＢ’
線に沿う断面図である。

【図５】図５は図２に示す半導体基板をエッチングした
状態を示すもので、図５（ａ）は図２のＡーＡ’線に沿
う断面図、図５（ｂ）は図２のＢーＢ’線に沿う断面図
である。

【図６】図６は図５に示す状態からフォトレジストを除
去した状態を示すもので、図６（ａ）は図２のＡーＡ’
線に沿う断面図、図６（ｂ）は図２のＢーＢ’線に沿う
断面図である。

【図７】図７は本発明方法によって製造される半導体セ
ンサの他の例を示す斜視図である。

【図８】図８は従来の半導体センサの一構造例を示す断
面図である。

【図９】図９は図８に示す半導体センサの上面図であ
る。

【図１０】図１０は図８に示す従来構造の半導体センサ
の製造方法を説明するためのもので、半導体基板に溝を
形成した状態を示す断面図である。

【図１１】図１１は図１０に示す半導体基板に補助基板
を接合した状態を示す断面図である。

【図１２】図１２は図１０に示す補助基板に切溝を入れ
た状態を示す断面図である。

【図１３】図１３は本発明者らが先に特許出願している
半導体センサの一例を示す斜視図である。

【符号の説明】

Ｈ 半導体センサ、 Ｅ 半導体基板、 Ｆ 補助基板、 ３０ 作用部、 ３１ 梁部、 ３２ ダイヤフラム部、 ３２ａ 溝、 ３３ 固定部、 ３４ 重錘体、 ３５ 台座、 ３５ａ 溝部、 ３５ｂ 切断溝、 Ｒx1〜Ｒx4、Ｒy1〜Ｒy4、Ｒz1〜Ｒz4 感歪ゲージ、

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西村 仁 東京都江東区木場一丁目５番１号 藤倉電 線株式会社内 (72)発明者 高橋 克彦 東京都江東区木場一丁目５番１号 藤倉電 線株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板からなり、中央部の作用部と
   その周囲の梁部およびダイヤフラム部とそれらの周囲の
   枠状の固定部とを具備し、前記梁部に感歪センサを設け
   た半導体センサの製造方法において、 半導体基板の下面に環状の溝を形成して、前記溝の内側
   に作用部を前記溝の上方に肉厚部を前記溝の周囲に固定
   部を形成し、次いで半導体基板の下面に、補助基板を接
   合し、続いてこの補助基板の一部を機械加工で切断して
   前記作用部に接続する重錘体と前記固定部に接続する台
   座とを形成し、次に、エッチングにより半導体基板の上
   面側から前記肉厚部を蝕刻して薄肉化を行ない、前記溝
   の上方に肉薄のダイヤフラム部と梁部とを形成すること
   を特徴とする半導体センサの製造方法。
2. 【請求項２】 半導体基板からなり、中央部の作用部と
   その周囲の梁部とその周囲の枠状の固定部とを具備し、
   前記梁部に感歪センサを設けた半導体センサの製造方法
   において、 半導体基板の下面に環状の溝を形成して、前記溝の内側
   に作用部を前記溝の上方に肉厚部を前記溝の周囲に固定
   部を形成し、次いで半導体基板の下面に、補助基板を接
   合し、続いてこの補助基板の一部を機械加工で切断して
   前記作用部に接続する重錘体と前記固定部に接続する台
   座とを形成し、次に、エッチング法により半導体基板の
   上面側から前記肉厚部の一部を蝕刻して肉厚部の一部を
   完全に除去して貫通させ、この貫通部分を除いた部分を
   梁部とすることを特徴とする半導体センサの製造方法。
3. 【請求項３】 半導体基板からなり、中央部の作用部と
   その周囲の梁部とその周囲の枠状の固定部とを具備し、
   前記梁部に感歪センサを設けた半導体センサにおいて、 前記作用部と梁部と固定部とに囲まれた部分に、作用部
   と梁部と固定部に連続し、梁部よりも薄いダイヤフラム
   部を形成してなることを特徴とする半導体センサ。